特許6377718 | 知財ポータル「IP Force」

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ ユー・ディー・シー　アイルランド　リミテッドの特許一覧

特許6377718ＯＬＥＤにおける高効率ブースターとしてのアザベンズイミダゾールカルベン錯体

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

目に優しい文字サイズ小中大 PDF Top

< >

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6377718

(24)【登録日】2018年8月3日

(45)【発行日】2018年8月22日

(54)【発明の名称】ＯＬＥＤにおける高効率ブースターとしてのアザベンズイミダゾールカルベン錯体

(51)【国際特許分類】

H01L 51/50 20060101AFI20180813BHJP

C07F 15/00 20060101ALI20180813BHJP

C09K 11/06 20060101ALI20180813BHJP

H01L 51/46 20060101ALI20180813BHJP

H01L 51/42 20060101ALI20180813BHJP

H01L 51/05 20060101ALI20180813BHJP

H01L 51/30 20060101ALI20180813BHJP

C07D 487/04 20060101ALN20180813BHJP

【ＦＩ】

H05B33/22 D

H05B33/14 B

C07F15/00 E

C09K11/06 690

C09K11/06 660

H01L31/04 154C

H01L31/04 154E

H01L31/08 T

H01L29/28 100A

H01L29/28 250F

!C07D487/04 144

【請求項の数】8

【全頁数】80

(21)【出願番号】特願2016-503651(P2016-503651)

(86)(22)【出願日】2014年3月19日

(65)【公表番号】特表2016-522980(P2016-522980A)

(43)【公表日】2016年8月4日

(86)【国際出願番号】EP2014055520

(87)【国際公開番号】WO2014147134

(87)【国際公開日】20140925

【審査請求日】2016年11月14日

(31)【優先権主張番号】13160198.1

(32)【優先日】2013年3月20日

(33)【優先権主張国】EP

(31)【優先権主張番号】13162776.2

(32)【優先日】2013年4月8日

(33)【優先権主張国】EP

(73)【特許権者】

【識別番号】516264118

【氏名又は名称】ユー・ディー・シーアイルランドリミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100064908

【弁理士】

【氏名又は名称】志賀正武

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広信哉

(72)【発明者】

【氏名】シュテファンメッツ

(72)【発明者】

【氏名】渡部惣一

(72)【発明者】

【氏名】トーマスゲースナー

(72)【発明者】

【氏名】コリンナドアマン

(72)【発明者】

【氏名】ペータームーラー

(72)【発明者】

【氏名】クリスティアンレナーツ

(72)【発明者】

【氏名】ウテハイネマイアー

(72)【発明者】

【氏名】グラウコバッタリャリン

【審査官】大竹秀紀

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１２／１７２４８２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１３／００３２７６６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１２／０３０５８９４（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ５１／５０

ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

(i)少なくとも１つの正孔輸送材料及び／又は少なくとも１つの電子／励起子ブロッカー材料と、(ii)少なくとも１つの発光体材料とを有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であって、
前記少なくとも１つの正孔輸送材料及び／又は前記少なくとも１つの電子／励起子ブロッカー材料が、次式（ＩＩ）、（ＩＩ’）又は（ＩＩ’’）

【化1】

【化2】

［式中、
Ｍは、Ｉｒであり、
ｎ’’’は、１、２又は３であり、
Ａ⁹は、ＣＲ⁹又はＮであり；
Ａ¹⁰は、ＣＲ¹⁰又はＮであり；
Ａ¹¹は、ＣＲ¹¹又はＮであり；
Ａ¹²は、ＣＲ¹²又はＮであり；
ここで、Ａ⁹、Ａ¹⁰、Ａ¹¹及びＡ¹²の２つのＡは、窒素原子であり、かつ少なくとも１つの炭素原子が環内の２つの窒素原子の間に存在し；
Ｒ⁸は、線状若しくは分枝状の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基であり、
Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ無関係に、水素、線状若しくは分枝状の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、置換された又は非置換の３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、置換された又は非置換の６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された又は非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基であるか、
又は
Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、それらが結合されている炭素原子と一緒になって、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、かつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有する、任意に置換された不飽和の環を形成し、
Ａ⁵は、ＣＲ¹³又はＮであり；
Ａ⁶は、ＣＲ¹⁴又はＮであり；
Ａ⁷は、ＣＲ¹⁵又はＮであり；
Ａ⁸は、ＣＲ¹⁶又はＮであり；
Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶は、それぞれ無関係に、水素、線状若しくは分枝状の、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計１〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計３〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、又は、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であり；
Ｌ’は、モノアニオン性二座配位子であり、かつ
ｏ’’は、０、１又は２である］
の化合物である、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。

【請求項2】

前記式（ＩＶ）におけるＲ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶は、それぞれ無関係に、水素、線状若しくは分枝状の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、又は、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であって、ハロゲン基、ＣＦ₃、ＣＮ及びＳｉＭｅ₃から成る群から選択される基である、請求項１に記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。

【請求項3】

前記式（ＩＩ）、（ＩＩ’）及び（ＩＩ’’）における残基、基及び記号は、以下の意味を有する：
Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ無関係に、水素、線状若しくは分枝状の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、又は、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であって、ハロゲン基、ＣＦ₃、ＣＮ、ＳｉＰｈ₃及びＳｉＭｅ₃から成る群から選択される基であるか；
又は
Ｒ¹及びＲ²又はＲ²及びＲ³は、互いに無関係に、それらが結合されている炭素原子と一
緒になって、任意に置換された飽和若しくは不飽和の又は芳香族の環を形成し、前記環は、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されておりかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有し、並びに任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されたかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有する、任意に置換された飽和若しくは不飽和の又は芳香族の少なくとも１つの更なる環に任意に縮合されていてよい；
Ａ¹は、ＣＲ⁴であり；
Ａ²は、ＣＲ⁵であり；
Ａ³は、ＣＲ⁶であり；
Ａ⁴は、ＣＲ⁷であり；
Ａ^1’は、ＣＲ^4’であり；
Ａ^2’は、ＣＲ^5’であり；
Ａ^3’は、ＣＲ^6’であり；
Ａ^4’は、ＣＲ^7’であり；
Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ^4’、Ｒ^5’、Ｒ^6’及びＲ^7’は、それぞれ無関係に、水素、重水素、線状若しくは分枝状の、任意に少なくとも１つの官能基を有し、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、かつ計１〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、又は、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であって、ハロゲン基、ＣＦ₃、ＣＮ及びＳｉＭｅ₃から成る群から選択される基であるか；
又は
Ｒ⁴及びＲ⁵、Ｒ⁵及びＲ⁶若しくはＲ⁶及びＲ⁷又はＲ^4’及びＲ^5’、Ｒ^5’及び^6’若しくはＲ^6’及びＲ^7’は、互いに無関係に、それらが結合されている炭素原子と一緒になって、飽和若しくは不飽和の又は芳香族の、任意に置換された環を形成し、前記環は、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されておりかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有し、並びに任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されたかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有する、任意に置換された飽和若しくは不飽和の芳香族の少なくとも１つの更なる環に任意に縮合されていてよい、
請求項１又は２に記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。

【請求項4】

前記Ｉｒ金属−カルベン錯体が、次式（ＩＩａ）、（ＩＩ’ａ）、（ＩＩ’’ａ）又は（ＩＩ’’ａ’）

【化3】

の１つを有する、請求項１から３までのいずれか1項記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。

【請求項5】

前記Ｉｒ金属−カルベン錯体が、少なくとも１つの金属酸化物と組み合わせて用いられる、請求項１から４までのいずれか１項記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。

【請求項6】

前記発光体材料は、４００〜５００ｎｍの発光極大波長λ_maxを有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。

【請求項7】

前記発光層が、少なくとも１つの燐光発光体材料を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）。

【請求項8】

請求項１から７までのいずれか１項記載の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を有する、定置式の視覚ディスプレイユニット；可搬式の視覚ディスプレイユニット；照明ユニット；衣料品におけるユニット；家具におけるユニット及び壁紙におけるユニットから成る群から選択される装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、少なくとも１つの正孔輸送材料及び／又は少なくとも１つの電子／励起子遮断ブロッカー材料を有する有機電子デバイス、好ましくは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）（ここで、当該少なくとも１つの正孔輸送材料及び／又は当該少なくとも１つの電子／励起子ブロッカー材料は、１つ、２つ又は３つの特定の二座配位型アザベンズイミダゾールカルベン配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体である）、当該Ｉｒ金属−カルベン錯体を有する正孔輸送層又は電子／励起子遮断層、定置式の視覚ディスプレイユニット、可搬式の視覚ディスプレイユニット、照明ユニット、衣料品におけるユニット；家具におけるユニット及び壁紙におけるユニットから成る群から選択される、当該有機電子デバイス、好ましくは当該ＯＬＥＤ、又は当該正孔輸送層若しくは当該電子／励起子遮断層を有する装置、並びに正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料として、当該１つ、２つ又は３つの特定の二座配位型アザベンズイミダゾールカルベン配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体の使用に関する。

【0002】

有機エレクトロニクス、すなわち有機電子デバイスは、エレクトロニクスの分野における重要な領域である。有機エレクトロニクスは、ポリマー又はより小さい有機化合物を含む電子回路を用いるエレクトロニクスの一分野である。有機エレクトロニクスの使用分野は、有機電子デバイス、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、電気化学発光セル（ＬＥＥＣ）、有機光起電セル（ＯＰＶ）及び有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）におけるポリマー又はより小さい有機化合物の使用である。

【0003】

それゆえ、好適な新規の有機材料の使用が、提供される有機エレクトロニクス、例えばディスプレイ、照明、センサ、トランジスタ、データ記憶装置又は光起電セルをベースとする様々な新しいタイプの素子を可能にする。これは、薄く、明るく、フレキシブルなかつ低コストで製造可能な新規のデバイスの開発を実現可能にする。

【0004】

それゆえ、有機電子デバイス用の新規の材料の合成及び供給が重要な研究題目である。特に、有機電子デバイスにおいて使用するための新規の正孔輸送材料及び電子／励起子ブロッカー材料の合及び供給は、良好な安定性及び長期寿命に加えて−ＯＬＥＤｓ及びＬＥＥＣｓの場合には−高い量子効率を有する有機電子デバイスを提供するために重要である。

【0005】

本出願による好ましい分野は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）における比較的小さい有機化合物の使用である。ＯＬＥＤｓは、材料が電流によって励起されたときに発光する材料の性質を引き出す。ＯＬＥＤｓは、フラットな視覚ディスプレイユニットを製造するための陰極線管及び液晶ディスプレイに代わるものとして特に関心がもたれている。非常にコンパクトなデザイン及び本質的に低い電力消費量に基づき、ＯＬＥＤｓを有するデバイスは、モバイル用途、例えばセルラーフォン、スマートフォン、デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤー、タブレットコンピューター、ラップトップ等に特に適している。加えて、白色ＯＬＥＤｓは、現在までに知られている照明技術を大幅に凌ぐ利点、特に著しく高い効率をもたらす。

【0006】

ＯＬＥＤｓの動作の基本原理及びＯＬＥＤｓの好適な構造（層）は、例えばＷＯ２００５／１１３７０４及びそこで引用される文献中に明記される。

【0007】

用いられる発光材料（発光体）も蛍光材料（蛍光発光体）も、燐光材料（燐光発光体）であってよい。燐光発光体は、一般に有機金属錯体であり、これは一重項発光を示す蛍光発光体とは異なり、三重項発光を示す（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏｗｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９，７５，４−６）。量子力学的な理由から、燐光発光体が用いられる場合、４倍までの量子効率、エネルギー効率及び出力効率が可能である。

【0008】

特に関心が持たれているのは、低電圧動作、高い能率、高い効率、高い耐熱応力及び長期動作寿命を有する有機発光ダイオードである。

【0009】

前述の特性を実際に実現するために、好適な発光体材料を提供するだけでなく、好適な相補材料を提供する必要がある。かかるデバイス組成は、例えば、実際の発光素子が分散した形で存在する特定のホスト（マトリクス）材料を含んでよい。加えて、当該組成は、ブロッカー材料を含んでよく、正孔ブロッカー、励起子ブロッカー及び／又は電子ブロッカーがデバイス組成に存在することが可能である。追加的に又は選択的に、さらにデバイス組成は、正孔注入材料及び／又は電子注入材料及び／又は電荷輸送材料、例えば正孔輸送材料及び／又は電子輸送材料を含んでよい。実際の発光素子と組み合わせて用いられる前述の材料の選択は、ＯＬＥＤｓの能率、寿命及び動作電圧をはじめとするパラメーターに極めて大きい影響を及ぼす。

【0010】

先行技術は、ＯＬＥＤｓの異なる層において用いるための多数の異なる材料を提案している。

【0011】

アザベンズイミダゾールカルベン配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体の使用は、少数の先行技術文献の中で記載されているにすぎない。

【0012】

ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２は、ＯＬＥＤｓにおける遷移金属カルベン錯体の使用に関する。ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２の遷移金属カルベン錯体は、次式

【化1】

［式中、Ｙ³は、非芳香族基、すなわち、水素若しくはアルキルであるか、又はＹ²と橋を形成する］の非対称カルベン錯体である。ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２の例４には、３つの特定のアザベンズイミダゾールカルベン配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体が開示される。しかしながら、当該Ｉｒ金属−カルベン錯体は、非対称錯体（上述の式（Ｉ）中のＹ³がメチルである）であり、その際、窒素原子は、アザベンズイミダゾール環の５位にある。ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２の例１７によれば、Ｉｒ（ＤＰＢＩＣ）₃は、正孔輸送及び励起子ブロッカー材料として用いられる：

【化2】

【0013】

ＷＯ２０１２／１７２４８２Ａ１は、イリジウム及び白金から選択される中心原子、及び特定のアザベンズイミダゾールカルベン配位子を有する金属カルベン錯体、並びにかかる錯体を有するＯＬＥＤｓ（有機発光ダイオード）に関する。この錯体は、次式：

【化3】

［式中、
Ｙは、ＮＲ¹、Ｏ、Ｓ又はＣ（Ｒ¹⁰）₂であり；
Ｒ¹は、線状若しくは分枝状の、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基である］で示される。

【0014】

ＵＳ２０１２０３０５８９４Ａ１は、高い色純度及び高い能率を有する青色燐光化合物並びに当該材料を用いた有機エレクトロルミネセンスデバイスに関する。ＵＳ２０１２／０３０５８９４Ａ１による青色燐光化合物は、次式：

【化4】

［式中、Ｘは、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、燐（Ｐ）及び硫黄（Ｓ）原子から選択され、かつＡ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４の少なくとも１つは窒素（Ｎ）であり、かつ残りは、水素（Ｈ）を置換基として有する炭素、及びアルキル若しくはアルコキシを置換基として有する炭素から選択される］によって特徴付けられる。ＵＳ２０１２／０３０５８９４Ａ１には、もっぱら燐光発光体材料として当該化合物を使用することのみが言及される。

【0015】

本発明の課題は、当該技術分野で公知の有機電子デバイスと比較して安定した有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤｓを提供することである。本発明の更なる課題は、当該技術分野で公知のＯＬＥＤｓと比較してより安定したかつ／又はより能率的なＯＬＥＤｓ、特に、電磁スペクトルの青色領域で発光し並びにより安定したかつ／又はより能率的であるＯＬＥＤｓを提供することである。

【0016】

当該課題は、少なくとも１つの正孔輸送材料及び／又は少なくとも１つの電子／励起子ブロッカー材料を含み、当該少なくとも１つの正孔輸送材料及び／又は当該少なくとも１つの電子／励起子ブロッカー材料が、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）

【化5】

【0017】

本発明の発明者によって、長期寿命を有する安定した有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤｓが、上述のような式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つ、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体を正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料として用いることによって得られることを見出した。

【0018】

さらに、本発明の発明者によって、上述のような式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つ、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体を正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料として有するＩｒ金属−カルベン錯体を有するＯＬＥＤｓが、高い量子効率及び／又は良好な安定性及び長期寿命を示すことを見出した。

【0019】

この錯体は、電磁スペクトルの青色領域において、とりわけ深青色領域においてエレクトロルミネセンスを示すＯＬＥＤｓ用の正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料として特に適しており、これにより、例えばフルカラーディスレプレイ及び白色ＯＬＥＤｓの製造が可能になる。青色発光体用の励起子遮断材料として動作させるのに用いられる場合、当該本発明による錯体は、＜５００ｎｍ、好ましくは＜４７０ｎｍ、より好ましくは＜４４５ｎｍの発光極大波長を必要とする好適な高い三重項エネルギーを有していることが求められる。

【0020】

好ましくは、上述のような式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つ、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤの正孔輸送層に存在し、かつ／又は式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体を有する少なくとも１つの電子／励起子ブロッカー材料は、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤの電子遮断層に存在する。

【0021】

本発明の文脈において、アリール残基、アリール単位又はアリール基、ヘテロアリール残基、ヘテロアリール単位又はヘテロアリール基、アルキル残基、アルキル単位又はアルキル基、シクロアルキル残基、シクロアルキル単位又はシクロアルキル基、シクロヘテロアルキル残基、シクロヘテロアルキル単位又はシクロアルキル基、及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基は、特に明記しない限り、それぞれ以下の通り定義される：
以下で言及されるアリール残基、ヘテロアリール残基、アルキル残基、シクロアルキル残基、シクロヘテロアルキル残基、及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基において、１つ以上の水素原子は（存在する場合）、重水素原子によって置換されていてよい。

【0022】

６〜３０個の炭素原子を有するアリール基又は置換された若しくは非置換のアリール基（Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリール基）は、本発明においては、任意の環ヘテロ原子を有さない単環系、二環系、三環系の芳香族から誘導される基を指す。当該系が単環系ではない場合、第二の環の「アリール」との用語は、飽和形（ペルヒドロ形）又は部分不飽和形（例えばジヒドロ形若しくはテトラヒドロ形）も含むが、ただし、これらの個々の形態は公知かつ安定であるものとする。つまり、本発明における「アリール」との用語は、例えば、二環式又は三環式の基であって２つの基又は３つのすべての基が芳香族である基、及び二環式又は三環式の基であって１つの環だけが芳香族である基、それにまた三環式の基であって２つの環が芳香族である基も含む。アリールの例は、フェニル、ナフチル、インダニル、１，２−ジヒドロナフテニル、１，４−ジヒドロナフテニル、インデニル、アントラセニル、フェナントレニル又は１，２，３，４−テトラヒドロナフチルである。Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール基、例えばフェニル若しくはナフチルが特に好ましく、Ｃ₆−アリール基、例えばフェニルが殊に好ましい。

【0023】

アリール基又はＣ₆〜Ｃ₃₀−アリール基は、非置換であるか又は１つ以上の更なる基によって置換されていてよい。好適な更なる基は、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する置換基からなる群から選択され、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する好適な置換基は、以下で規定される。Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリール基は、好ましくは非置換であるか又は１つ以上のＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ基、ＣＮ、ＣＦ₃、Ｆ、ＳｉＭ₃又はアミノ基（ＮＲ³²Ｒ³³、式中、好適なＲ³²及びＲ³³基は、以下で規定される）によって置換されており、より好ましくは非置換（例えばＣ₆Ｈ₅）であるか、１つ若しくは２つのＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ基、ＣＮ、ＣＦ₃、Ｆ、ＳｉＭ₃又はアミノ基（ＮＲ³²Ｒ³³、式中、好適なＲ³²及びＲ³³基は、以下で規定される）によってｏ−モノ置換又はｏ，ｏ’−ジ置換されている。

【0024】

計５〜１８個の炭素原子及び／若しくはヘテロ原子を有するヘテロアリール基又は置換された若しくは非置換のヘテロアリール基は、単環式、二環式又は三環式の複素芳香族であって、そのいくつかが前述のアリールから誘導されていてよく、当該アリール基礎構造中の少なくとも１つの炭素原子はヘテロ原子によって置き換わっているものを意味すると解される。好ましいヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ及びＳである。ヘテロアリール基は、より好ましくは５〜１３個の環原子を有する。ヘテロアリール基の基礎構造は、特に好ましくは、ピリジンなどの系及びチオフェン、ピロール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール又はフランなどの５員複素芳香族から選択される。これらの基礎構造は、任意に１つ又は２つの６員芳香族基に縮合されていてよい。好適な縮合された複素芳香族は、カルバゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾフリル、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、ジベンゾフリル又はジベンゾチオフェニルである。

【0025】

基礎構造は、１つ、１つより多くの又はすべての置換可能な位置で置換されていてよく、その際、好適な置換基は、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールの定義のところで既に規定した基と同じである。しかしながら、ヘテロアリール基は、好ましくは非置換であるか、１つ若しくは２つのＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ基、ＣＮ、ＣＦ₃、Ｆ、ＳｉＭ₃又はアミノ基（ＮＲ³²Ｒ³³、式中、好適なＲ³²及びＲ³³基は、以下で規定される）によってｏ−モノ置換又はｏ，ｏ’−ジ置換されている。好適なヘテロアリール基は、例えば、ピリジン−２−イル、ピリジン−３−イル、ピリジン−４−イル、チオフェン−２−イル、チオフェン−３−イル、ピロール−２−イル、ピロール−３−イル、フラン−２−イル、フラン−３−イル、チアゾール−２−イル、オキサゾール−２−イル及びイミダゾール−２−イル、並びに相応するベンゾ縮合された基、特にカルバゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾフリル、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、ジベンゾフリル又はジベンゾチオフェニルである。

【0026】

本出願の文脈におけるアルキル基は、線状若しくは分枝状のアルキル基であって、任意に少なくとも１つの官能基を持ち、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、かつ１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基である。Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル基が好ましく、Ｃ₁〜Ｃ₆−アルキル基が特に好ましい。加えて、アルキル基は、１つ以上の官能基、好ましくはＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−ハロアルキル、例えばＣＦ₃、及びＣ₆〜Ｃ₃₀−アリールから成る群から選択される官能基によって置換されていてよく、当該Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールは、置換されているか又は非置換であってもよい。好適なアリール置換基及び好適なアルコキシ及びハロゲン置換基は、以下で規定される。好適なアルキル基の例は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル及びオクチルであり、それにまた上述のアルキル基のＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル置換、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−ハロアルキル置換、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリール置換、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ置換及び／又はハロゲン置換された、特にＦ置換された誘導体、例えばＣＦ₃である。これは、上述の基のｎ異性体と分枝状異性体、例えばイソプロピル、イソブチル、イソペンチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ネオペンチル、３，３−ジメチルブチル、３−エチルヘキシル等の両方を含む。好ましいアルキル基は、メチル、エチル、イソプロピル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル及びＣＦ₃である。

【0027】

３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基又は置換された若しくは非置換のシクロアルキル基は、本出願の文脈においては、置換された若しくは非置換のＣ₃〜Ｃ₂₀−シクロアルキル基を意味すると解される。基礎構造（環）中に５〜２０個の、より好ましくは５〜１０個の、最も好ましくは５〜８個の炭素原子を有するシクロアルキル基が好ましいものと解される。好適な置換基は、前述のアルキル基について言及した置換基である。好適なシクロアルキル基であって、非置換であるか又はアルキル基について上で言及した基によって置換されていてよい当該シクロアルキル基の例は、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル及びシクロデシルである。それらは、デカリニル、ノルボルニル、ボルナニル又はアダマンチルなどの多環式環系であってもよい。３〜２０個の炭素原子及び／若しくはヘテロ原子を有するヘテロシクロアルキル基又は置換された若しくは非置換のヘテロシクロアルキル基は、３〜２０個、好ましくは５〜１０個、より好ましくは５〜８個の環原子を有するヘテロシクロアルキル基であって、当該ヘテロシクロアルキル基礎構造中の少なくとも１つの炭素原子はヘテロ原子によって置き換わっているものを意味すると解される。好ましいヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ及びＳである。好適な置換基は、前述のアルキル基について言及した置換基である。好適なヘテロシクロアルキル基の例であって、非置換であるか又はアルキル基について上で言及した基によって置換されていてよい当該シクロアルキル基の例は、以下の複素環式化合物から誘導される基である：ピロリジン、チオラン、テトラヒドロフラン、１，２−オキサチオラン、オキサゾリジン、ピペリジン、チアン、オキサン、ジオキサン、１，３−ジチアン、モルホリン、ピペラジン。それらは多環式環系であってもよい。好適なアルコキシ基及びアルキルチオ基は、相応して前述のアルキル基から誘導される。ここでの例に含まれるのは、ＯＣＨ₃、ＯＣ₂Ｈ₅、ＯＣ₃Ｈ₇、ＯＣ₄Ｈ₉及びＯＣ₈Ｈ₁₇、それにまたＳＣＨ₃、ＳＣ₂Ｈ₅、ＳＣ₃Ｈ₇、ＳＣ₄Ｈ₉及びＳＣ₈Ｈ₁₇である。これと関連して、Ｃ₃Ｈ₇、Ｃ₄Ｈ₉及びＣ₈Ｈ₁₇は、ｎ異性体と分枝状異性体、例えばイソプロピル、イソブチル、イソペンチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル及び２−エチルヘキシルの両方を含む。とりわけ好ましいアルコキシ基又はアルキルチオ基は、メトキシ、エトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ及びＳＣＨ₃である。

【0028】

本出願の文脈における好適なハロゲン基又はハロゲン置換基は、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素、好ましくはフッ素、塩素及び臭素、より好ましくはフッ素及び塩素、最も好ましくはフッ素である。

【0029】

本出願の文脈において、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基は、以下の基を意味するものと解される：
Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールオキシ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキルチオ、Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールチオ、ＳｉＲ³²Ｒ³³Ｒ³⁴、ハロゲン基、ハロゲン化されたＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基、カルボニル（−ＣＯ（Ｒ³²））、カルボニルチオ（−Ｃ＝Ｏ（ＳＲ³²））、カルボニルオキシ（−Ｃ＝Ｏ（ＯＲ³²））、オキシカルボニル（−ＯＣ＝Ｏ（Ｒ³²））、チオカルボニル（−ＳＣ＝Ｏ（Ｒ³²））、アミノ（−ＮＲ³²Ｒ³³）、ＯＨ、擬ハロゲン基、アミド（−Ｃ＝Ｏ（ＮＲ³²Ｒ³³））、−ＮＲ³²Ｃ＝Ｏ（Ｒ³³）、ホスホネート（−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ³²）₂）、ホスフェート（−ＯＰ（Ｏ）（ＯＲ³²）₂）、ホスフィン（−ＰＲ³²Ｒ³³）、ホスフィンオキシド（−Ｐ（Ｏ）Ｒ³²₂）、スルフェート（−ＯＳ（Ｏ）₂ＯＲ³²）、スルホキシド（−Ｓ（Ｏ）Ｒ³²）、スルホネート（−Ｓ（Ｏ）₂ＯＲ³²）、スルホニル（−Ｓ（Ｏ）₂Ｒ³²）、スルホンアミド（−Ｓ（Ｏ）₂ＮＲ³²Ｒ³³）、ＮＯ₂、ボロン酸エステル（−ＯＢ（ＯＲ³²）₂）、イミノ（−Ｃ＝ＮＲ³²Ｒ³³）、ボラン基、スタネート基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ビニル基、スルホキシミン、アラン、ゲルマン、ボロキシン及びボラジン。

【0030】

ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する好ましい置換基は、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、好ましくはＣ₁〜Ｃ₆−アルコキシ、より好ましくはエトキシ若しくはメトキシ；Ｃ₆〜Ｃ₃₀−アリールオキシ、好ましくはＣ₆〜Ｃ₁₀−アリールオキシ、より好ましくはフェニルオキシ；ＳｉＲ³²Ｒ³³Ｒ³⁴［式中、Ｒ³²、Ｒ³³及びＲ³⁴は、好ましくはそれぞれ無関係に、置換された若しくは非置換のアルキル又は置換された若しくは非置換のフェニルであり、その際、好適な置換基は、上で規定したものである］；ハロゲン基、好ましくはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、より好ましくはＦ又はＣｌ、最も好ましくはＦ、ハロゲン化されたＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基、好ましくはハロゲン化されたＣ₁〜Ｃ₆−アルキル基、最も好ましくはフッ素化されたＣ₁〜Ｃ₆−アルキル基、例えばＣＦ₃、ＣＨ₂Ｆ、ＣＨＦ₂若しくはＣ₂Ｆ₅；アミノ、好ましくはジメチルアミノ、ジエチルアミノ若しくはジフェニルアミノ；ＯＨ、擬ハロゲン基、好ましくはＣＮ、ＳＣＮ若しくはＯＣＮ、より好ましくはＣＮ、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ₁〜Ｃ₄−アルキル、好ましくは−Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、Ｐ（Ｏ）Ｒ₂、好ましくはＰ（Ｏ）Ｐｈ₂及びＳＯ₂Ｒ₂、好ましくはＳＯ₂Ｐｈから成る群から選択される。

【0031】

ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する殊に好ましい置換基は、メトキシ、フェニルオキシ、ハロゲン化されたＣ₁〜Ｃ₄−アルキル、好ましくはＣＦ₃、ＣＨ₂Ｆ、ＣＨＦ₂、Ｃ₂Ｆ₅、ハロゲン、好ましくはＦ、ＣＮ、ＳｉＲ³²Ｒ³³Ｒ³⁴［式中、好適なＲ³²、Ｒ³³及びＲ³⁴基は、以下で規定される］、ジフェニルアミノ、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ₁〜Ｃ₄−アルキル、好ましくは−Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、Ｐ（Ｏ）Ｐｈ₂及びＳＯ₂Ｐｈから成る群から選択される。

【0032】

ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する上述の基は、上で規定したものの中で更なる残基及び基がドナー作用若しくはアクセプター作用を有してもよいという可能性を除外することを意図するものではない。例えば、同様に、上述のヘテロアリール基も、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であり、かつ前記Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基は、ドナー作用を有する基である。ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する上述の基の中で言及したＲ³²、Ｒ³³及びＲ³⁴基は、それぞれ無関係に：
ハロゲン、置換された若しくは非置換のＣ₁〜₂₀アルキル又は置換された若しくは非置換のＣ₆〜Ｃ₃₀−アリール又は置換された若しくは非置換の５〜３０個の環原子を有するヘテロアリール、上で規定した好適なアルキル基及びアリール基である。より好ましくは、Ｒ³²、Ｒ³³及びＲ³⁴基は、Ｃ₁〜Ｃ₆−アルキル、例えばメチル、エチル、ｉ−プロピル若しくはｔ−ブチル、又はフェニル若しくはピリジルである。

【0033】

有機電子デバイスの構造
有機電子デバイスの好適な構造は、当業者に公知である。好ましい有機電子デバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、電気化学発光セル（ＬＥＥＣ）、有機光起電セル（ＯＰＶ）及び有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）から選択される。より好ましい有機電子デバイスはＯＬＥＤｓである。

【0034】

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、通常、エレクトロルミネセンス発光層が、電流に応じて発光する有機化合物の膜としてある発光ダイオード（ＬＥＤ）である。有機半導体のこの層は、通常、２つの電極間に位置している。一般的に、これらの電極の少なくとも１つは透明である。式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つ、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、ＯＬＥＤの任意の所望の層に、好ましくは正孔輸送層及び／又は電子／励起子遮断層に、正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料として存在してよい。

【0035】

電気化学発光セル（ＬＥＥＣ）は、通常、電流から光を作り出す（エレクトロルミネセンス）ソリッドステートデバイスである。ＬＥＥＣｓは、通常、可動性イオンを有する有機半導体（これを例えばサンドイッチ状にはさむこと）によって接続された２つの金属電極から構成されている。可動性イオンを除き、それらの構造は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の構造と非常に似通っている。式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つ、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、任意の所望の層に、正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料として存在してよい。

【0036】

有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）は、一般的に、正孔輸送能及び／又は電子輸送能を有する有機層から形成された半導体層；導電層から形成されたゲート電極；並びに半導体層と導電層の間に導入された絶縁層を含む。ソース電極及びドレイン電極がこの配置に取り付けられることでトランジスタ素子が作り出される。加えて、当業者に公知の更なる層が、有機トランジスタに存在していてよい。式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つ、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、任意の所望の層に、正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料として存在してよい。

【0037】

有機光起電セル（ＯＰＶ）（光電変換素子）は、一般的に、平行に配置された２枚の板状電極間に存在する有機層を含む。有機層は、櫛状電極に合わせて形成されていてもよい。有機層の位置に関して特段の制限はなく、かつ電極の材料に関して特段の制限はない。しかしながら、平行に配置された板状電極間が用いられる場合、少なくとも１つの電極が、好ましくは、透明電極、例えばＩＴＯ電極若しくはフッ素ドープ酸化スズ電極から形成される。有機層は、通常、２つの部分層から、すなわち、ｐ型半導体特性又は正孔輸送能を有する層とｎ型半導体特性又は電子輸送能を有する層とから形成される。加えて、当業者に公知の更なる層が有機太陽電池に存在することも可能である。式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つ、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、ＯＰＶの任意の所望の層に、好ましくは正孔輸送層及び／又は電子／励起子遮断層に、正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料として存在してよい。

【0038】

有機電子デバイスは、最も好ましくはＯＬＥＤである。それゆえ、本発明は、好ましくはＯＬＥＤである有機電子デバイスに関し、ここで、ＯＬＥＤは、
（ａ）陽極、
（ｂ）陰極、
（ｃ）陽極と陰極の間の発光層、
（ｄ）正孔輸送層（ｄ１）及び電子／励起子遮断層（ｄ２）から選択される少なくとも１つの層
を含み、ここで、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体を有する少なくとも１つの正孔輸送材料が、ＯＬＥＤの正孔輸送層に存在し、かつ／又は式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの二座配位子を有する前記Ｉｒ金属−カルベン錯体を有する少なくとも１つの電子／励起子ブロッカー材料が、ＯＬＥＤの電子／励起子遮断層に存在する。

【0039】

本発明のＯＬＥＤの構造を、以下で詳細に説明する。

【0040】

式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体
Ｉｒ金属−カルベン錯体の式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される二座配位子における残基、基及び記号は−互いに無関係に−以下の意味を有する：
Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、
互いに無関係に、水素、線状若しくは分枝状の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であって、ハロゲン基、好ましくはＦ又はＣｌ、より好ましくはＦ；ＣＦ₃、ＣＮ、ＳｉＰｈ₃及びＳｉＭｅ₃から成る群から選択される基であり；より好ましくは、水素、線状若しくは分枝状の１〜４個の炭素原子を有するアルキル基、非置換の６〜１８個の炭素原子を有するアリール基（例えばＣ₆Ｈ₅）、ｏ−モノ置換された６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、ｏ，ｏ’−ジ置換された６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、非置換の、計５〜１５個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ｏ−モノ置換された、計５〜１５個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ｏ，ｏ’−ジ置換された、計５〜１５個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であって、Ｆ；ＣＦ₃、ＳｉＰｈ₃及びＳｉＭｅ₃から成る群から選択される基であり；最も好ましくは、水素、ｏ−モノアルキル化されたフェニル基又はｏ，ｏ’−ジアルキル化されたフェニル基、好ましくはｏ，ｏ’−ジメチルフェニル若しくはｏ，ｏ’−ジイソプロピルフェニルであるか；
又は
Ｒ¹及びＲ²又はＲ²及びＲ³は、互いに無関係に、それらが結合されている炭素原子と一緒になって、任意に置換された飽和若しくは不飽和の又は芳香族の環を形成し、当該環は、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されておりかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有し、並びに任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されたかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有する、任意に置換された飽和若しくは不飽和の又は芳香族の少なくとも１つの更なる環に任意に縮合されていてよい；
Ａ¹は、ＣＲ⁴であり；
Ａ²は、ＣＲ⁵であり；
Ａ³は、ＣＲ⁶であり；
Ａ⁴は、ＣＲ⁷であり；
Ａ^1’は、ＣＲ^4’であり；
Ａ^2’は、ＣＲ^5’であり；
Ａ^3’は、ＣＲ^6’であり；
Ａ^4’は、ＣＲ^7’であり；
Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ^4’、Ｒ^5’、Ｒ^6’及びＲ^7’は、それぞれ無関係に、水素、重水素、線状若しくは分枝状の、任意に少なくとも１つの官能基を有し、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、かつ計１〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であって、ハロゲン基、好ましくはＦ又はＣｌ、より好ましくはＦ；ＣＦ₃、ＣＮ及びＳｉＭｅ₃から成る群から選択される基であり；より好ましくは、水素、線状若しくは分枝状の１〜４個の炭素原子を有するアルキル基、非置換の６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、ｏ−モノ置換された６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、ｏ，ｏ’−ジ置換された６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、非置換の、計５〜１５個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ｏ−モノ置換された、計５〜１５個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ｏ，ｏ’−ジ置換された、計５〜１５個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であって、Ｆ；ＣＦ₃、ＣＮ及びＳｉＭｅ₃から成る群から選択される基であり；最も好ましくは、水素、メチル、ｔ−ブチル、ＳｉＭｅ₃、又はｏ，ｏ’−ジアルキル化されたフェニル基、好ましくはｏ，ｏ’−ジメチルフェニル若しくはｏ，ｏ’−ジイソプロピルフェニルであるか；
又は
Ｒ⁴及びＲ⁵、Ｒ⁵及びＲ⁶若しくはＲ⁶及びＲ⁷又はＲ^4’及びＲ^5’、Ｒ^5’及びＲ^6’若しくはＲ^6’及びＲ^7’は、互いに無関係に、それらが結合されている炭素原子と一緒になって、飽和若しくは不飽和の又は芳香族の、任意に置換された環を形成し、当該環は、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されておりかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有し、並びに任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されたかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有する、任意に置換された飽和若しくは不飽和の芳香族の少なくとも１つの更なる環に任意に縮合されていてよい。

【0041】

本発明によれば、Ｉｒ金属−カルベン錯体におけるカルベン配位子（Ｉ）及び（Ｉ’）

【化6】

は、モノアニオン性二座配位子である。

【0042】

より好ましくは、Ｉｒ金属−カルベン錯体は、次式（ＩＩ）、（ＩＩ’）又は（ＩＩ’’）：

【化7】

［式中
Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、
それぞれ無関係に、水素、重水素、線状若しくは分枝状の、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計１〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計３〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であり、好ましくは、それぞれ無関係に、水素、線状若しくは分枝状の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であって、ハロゲン基、好ましくはＦ又はＣｌ、より好ましくはＦ；ＣＦ₃、ＣＮ、ＳｉＰｈ₃及びＳｉＭｅ₃から成る群から選択される基であり；より好ましくは、水素、線状若しくは分枝状の１〜４個の炭素原子を有するアルキル基、非置換の６〜１８個の炭素原子を有するアリール基（例えばＣ₆Ｈ₅）、ｏ−モノ置換された６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、ｏ，ｏ’−ジ置換された６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、非置換の、計５〜１５個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ｏ−モノ置換された、計５〜１５個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ｏ，ｏ’−ジ置換された、計５〜１５個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であって、Ｆ；ＣＦ₃、ＳｉＰｈ₃及びＳｉＭｅ₃から成る群から選択される基であり；最も好ましくは、水素、ｏ−モノアルキル化されたフェニル基又はｏ，ｏ’−ジアルキル化されたフェニル基、好ましくはｏ，ｏ’−ジメチルフェニル若しくはｏ，ｏ’−ジイソプロピルフェニルであるか；
又は
Ｒ¹及びＲ²又はＲ²及びＲ³は、互いに無関係に、それらが結合されている炭素原子と一緒になって、任意に置換された飽和若しくは不飽和の又は芳香族の環を形成し、当該環は、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されておりかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有し、並びに任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されたかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有する、任意に置換された飽和若しくは不飽和の又は芳香族の少なくとも１つの更なる環に任意に縮合されていてよい；
Ａ¹は、ＣＲ⁴又はＮ；好ましくはＣＲ⁴であり；
Ａ²は、ＣＲ⁵又はＮ；好ましくはＣＲ⁵であり；
Ａ³は、ＣＲ⁶又はＮ；好ましくはＣＲ⁶であり；
Ａ⁴は、ＣＲ⁷又はＮ；好ましくはＣＲ⁷であり；
Ａ^1’は、ＣＲ^4’又はＮ；好ましくはＣＲ^4’であり；
Ａ^2’は、ＣＲ^5’又はＮ；好ましくはＣＲ^5’であり；
Ａ^3’は、ＣＲ^6’又はＮ；好ましくはＣＲ^6’であり；
Ａ^4’は、ＣＲ^7’又はＮ；好ましくはＣＲ^7’であり；
Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ^4’、Ｒ^5’、Ｒ^6’及びＲ^7’は、それぞれ無関係に、水素、重水素、線状若しくは分枝状の、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計１〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計３〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、好ましくは、水素、線状若しくは分枝状の、任意に少なくとも１つの官能基を有し、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、かつ計１〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であって、ハロゲン基、好ましくはＦ又はＣｌ、より好ましくはＦ；ＣＦ₃、ＣＮ及びＳｉＭｅ₃から成る群から選択される基であり；より好ましくは、水素、線状若しくは分枝状の１〜４個の炭素原子を有するアルキル基、非置換の６〜１８個の炭素原子を有するアリール基（例えばＣ₆Ｈ₅）、ｏ−モノ置換された６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、ｏ，ｏ’−ジ置換された６〜１８個の炭素原子を有するアリール基、非置換の、計５〜１５個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ｏ−モノ置換された、計５〜１５個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ｏ，ｏ’−ジ置換された、計５〜１５個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であって、Ｆ；ＣＦ₃、ＣＮ及びＳｉＭｅ₃から成る群から選択される基であり；最も好ましくは、最も好ましくは、水素、メチル、ｔ−ブチル、ＳｉＭｅ₃又はｏ，ｏ’−ジアルキル化されたフェニル基、好ましくはｏ，ｏ’−ジメチルフェニル若しくはｏ，ｏ’−ジイソプロピルフェニルであるか；
又は
Ｒ⁴及びＲ⁵、Ｒ⁵及びＲ⁶又はＲ⁶及び⁷は、互いに無関係に、それらが結合されている炭素原子と一緒になって、飽和若しくは不飽和の芳香族の、任意に置換された環を形成し、当該環は、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されておりかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有し、並びに任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されたかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有する、任意に置換された飽和若しくは不飽和の又は芳香族の少なくとも１つの更なる環に任意に縮合されていてよい；
ｎは、１、２又は３、好ましくは３であり；
Ｌは、モノアニオン性二座配位子であり、
ｏは、０、１又は２であり、ｏ＝２の場合、Ｌ配位子は、同じか又は異なっていてよく、好ましくは０であり；
ｎ’は、１又は２であり、
ｎ’’は、１又は２であり、
ここで、ｎ’＋ｎ’’の和は、２又は３、好ましくは３であり、
ｏ’は、０又は１、好ましくは０であり；
ここで、式（ＩＩ）及び（ＩＩ’）中のｎ＋ｏの和及び式（ＩＩ’’）中のｎ’＋ｎ’’＋ｏ’の和は３であり、ただし、式（ＩＩ）及び（ＩＩ’）中のｎは、少なくとも１であり、かつ式（ＩＩ’’）中のｎ’もｎ’’も、少なくとも１である］
の１つを有する。

【0043】

式（ＩＩ）、（ＩＩ’）及び（ＩＩ’’）のＩｒ金属−カルベン錯体におけるカルベン配位子は、モノアニオン性二座配位子である。

【0044】

式（ＩＩ）、（ＩＩ’）及び（ＩＩ’’）のＩｒ金属−カルベン錯体におけるカルベン配位子は、上述の式（Ｉ）及び（Ｉ’）のカルベン配位子に相当する。

【0045】

二座配位子は、遷移金属原子Ｍに２カ所で配位した配位子を意味すると解される。

【0046】

好ましいＩｒ金属−カルベン錯体は、式（ＩＩ）及び（ＩＩ’’）のＩｒ金属−カルベン錯体である。

【0047】

好適なモノアニオン性二座配位子Ｌは、例えば、式（Ｂ）

【化8】

［式中、
Ｒ⁵¹は、そのつど無関係に、線状若しくは分枝状の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、好ましくは、メチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ＣＦ₃；置換された若しくは非置換の６〜２０個の炭素原子を有するアリール基、好ましくは非置換のフェニル若しくは２，６−ジアルキルフェニル；置換された若しくは非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基であり、
Ｒ⁵²は、水素、線状若しくは分枝状の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の６〜２０個の炭素原子を有するアリール基、好ましくは水素であり；
ここで、式（Ｂ）の配位子は、例えば、アセチルアセトナト若しくはヘキサフルオロアセチルアセトナト：ピコリナト、サリチラト、シッフ塩基由来の８−ヒドロキシキノラト配位子、アミノ酸由来の配位子、複素環式の非カルベン型配位子、例えばアリールピリジン、例えばフェニルピリジン、並びにＷＯ０２／１５６４５の中で規定される更なるモノアニオン性二座配位子、以下で規定される一般式（ＶＩ）のカルベン配位子、それにまたＷＯ２００６／０５６４１８の中で規定されるカルベン配位子及びアリールアゾール、例えば２−アリールイミダゾールである］の配位子である。

【0048】

好ましくは、Ｌは、一般式（ＶＩ）

【化9】

［式中、
Ａ^9’は、ＣＲ^12’又はＮであり；
Ａ^10’は、ＣＲ^13’又はＮであり；
Ｒ^11’は、線状若しくは分枝状の、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計３〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基であり、
Ｒ^12’、Ｒ^13’は、それぞれ無関係に、水素、線状若しくは分枝状の、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ３〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であり、
Ａ^5’は、ＣＲ^14’又はＮであり；
Ａ^6’は、ＣＲ^15’又はＮであり；
Ａ^7’は、ＣＲ^16’又はＮであり；
Ａ^8’は、ＣＲ^17’又はＮであり；
Ｒ^14’、Ｒ^15’、Ｒ^16’、Ｒ^17’は、それぞれ無関係に、水素、線状若しくは分枝状の、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ３〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であり、
又は
Ｒ^14’及びＲ^15’、Ｒ^15’及びＲ^16’又はＲ^16’及び^17’は、それらが結合されている炭素原子と一緒になって、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断されており、かつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有する、不飽和又は芳香族の、任意に置換された環を形成し、
かつ／又は
Ｒ^12’及びＲ^13’は、それらが結合されているＡ^9’及びＡ^10’と一緒になって、任意にちょうど１つのヘテロ原子、好ましくは窒素によって中断されており、かつ計５〜１８個の環原子を有する、不飽和又は芳香族の、任意に置換された環を形成し、
かつ／又は
Ａ^9’がＣＲ^12’である場合、Ｒ¹²及びＲ¹⁷は、飽和若しくは不飽和の、線状若しくは分枝状の、任意にヘテロ原子、芳香族単位、ヘテロ芳香族単位及び／又は官能基並びに計１〜３０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有する橋を形成し、当該橋には、任意に、置換された若しくは非置換の、炭素原子及び／又はヘテロ原子を有する５〜８員環が縮合されている；
ｑ’は、０又は１である］のカルベン配位子であり、ここで−式（ＩＩ）又は（ＩＩ’）中のｏが２である場合−式（ＩＩ）又は（ＩＩ’）のカルベン配位子Ｌは、同じか又は異なっていてよい。

【0049】

好ましい態様においては、式（ＩＩ）、（ＩＩ’）及び（ＩＩ’’）の金属−カルベン錯体は、もっぱらカルベン配位子のみを有する。

【0050】

好ましくは、式（ＩＩ）及び（ＩＩ’）の金属カルベン錯体におけるｏは０であり、かつ式（ＩＩ’’）の金属−カルベン錯体におけるｏ’は０である。この場合、式（ＩＩ）及び（ＩＩ’）中のｎは、好ましくは３であり、かつ式（ＩＩ’’）中のｎ’及びｎ’’は１又は２であり、ここで、ｎ’及びｎ’’の合計は３である。

【0051】

ｎ個のアザベンズイミダゾールカルベン配位子は、一般式（ＩＩ）、（ＩＩ’）及び（ＩＩ’’）の金属−カルベン錯体において、それぞれ同じであるか又は異なっていてよい。それらは、好ましくは同じである。一般式（ＩＩ’’）の金属−カルベン錯体は、好ましくは３つの同一のカルベン配位子を有し、ここで、カルベン配位子の１つにおける結合状態は、式（ＩＩ’’）で示される更なる２つのカルベン配位子における結合状態とは異なる。

【0052】

一般式（ＩＩ）、（ＩＩ’）及び（ＩＩ’’）の好ましいカルベン錯体は、以下のカルベン錯体である：

【化10-1】

【0053】

【化10-2】

【0054】

【化10-3】

【0055】

【化10-4】

【0056】

【化10-5】

【0057】

【化10-6】

【0058】

【化10-7】

【0059】

【化10-8】

【0060】

最も好ましいカルベン錯体は、式（ＩＩａ）、（ＩＩ’ａ）、（ＩＩ’’ａ）及び（ＩＩ’’ａ’）のカルベン錯体である：

【化11】

【0061】

式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、例えば、Ｉｒを有する好適な化合物を適切な配位子若しくは配位子前駆体と接触させることによって製造される。

【0062】

好ましくは、Ｉｒ及び適切なカルベン配位子を有する好適な化合物であって、好ましくは脱プロトン化された形で遊離カルベンとして又は保護されたカルベンの形をとって、例えば銀−カルベンとして接触させられる。好適な前駆体化合物は、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体において存在すべき置換基Ｒ¹〜Ｒ⁷及びＲ^4’〜Ｒ^7’を有する。より好ましくは、用いられる配位子前駆体は、相応するＡｇ−カルベン錯体である。

【0063】

式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体を製造するための適した方法が、例えばＷＯ２０１２／１７２４８２Ａ１の中で言及される。

【0064】

結果生じる錯体は、種々の異性体を生む可能性があり、これらは分離されることができるか又は混合物の異性化によって主異性体を有する型に変換されることができる。

【0065】

正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料；正孔輸送層；電子／励起子遮断層としての、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体
本発明によれば、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤにおける正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料として、好ましくは電子／励起子ブロッカー材料として、又は正孔輸送材料及び電子／励起子ブロッカー材料として用いられる。好ましくは、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体を有する少なくとも１つの正孔輸送材料は、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤの正孔輸送層に存在し、かつ／又は式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体を有する少なくとも１つの電子／励起子ブロッカー材料は、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤの電子遮断層に存在する。

【0066】

本発明による１つの態様によれば、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、本発明による、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤにおいて、正孔輸送材料として、好ましくは正孔輸送層において用いられる。

【0067】

本発明による更なるより好ましい態様によれば、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、本発明による、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤにおいて、電子／励起子ブロッカー材料として、好ましくは電子／励起子遮断層において用いられる。

【0068】

本発明による更なる態様であって、好ましい態様では、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、本発明による、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤにおいて、正孔輸送材料として、好ましくは正孔輸送層において、かつ電子／励起子ブロッカー材料として、好ましくは電子／励起子遮断層において用いられる。

【0069】

式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、単独で又は混合物として、例えば別の正孔輸送材料及び／又はドーピング材料と一緒に、輸送特性を改善するために−Ｉｒ金属−カルベン錯体が正孔輸送材料として用いられる場合に−用いられることができるか、又は他の電子／励起子遮断ブロッカー材料と一緒に−Ｉｒ金属−カルベン錯体が電子／励起子ブロッカー材料として用いられる場合に−用いられることができる。正孔輸送材料のための適したドーピング材料は、以下で言及している。

【0070】

好ましくは、Ｉｒ金属−カルベン錯体は、Ｉｒ金属−カルベン錯体が電子／励起子ブロッカー材料として用いられる場合、単独で（更なる成分なしで）用いられる。本発明の好ましい態様においては、本発明による、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤの電子遮断層は、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体から成る。

【0071】

好ましくは、Ｉｒ金属−カルベン錯体は、Ｉｒ金属−カルベン錯体が正孔輸送材料として用いられる場合に、少なくとも１つのドーピング材料と一緒に又は単独で（更なる成分なしで）、より好ましくは１つのドーピング材料と一緒に用いられる。本発明の好ましい態様においては、本発明による、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤの正孔輸送層は、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体と、１つ又は２つ、好ましくは１つのドーピング材料から成る。

【0072】

正孔輸送層のための適したドーピング材料は、使用される正孔輸送材料の輸送特性を改善するための、第一に層厚をより大きくするための（ピンホール／短絡の回避）、そして第二にデバイスの動作電圧を最小限にするための電子的ドーピング材料である。電子的ドーピングは、当業者に公知であり、例えばＷ．Ｇａｏ，Ａ．Ｋａｈｎ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．９４，２００３，３５９（Ｐ型ドープされた有機層）；Ａ．Ｇ．Ｗｅｒｎｅｒ，Ｆ．Ｌｉ，Ｋ．Ｈａｒａｄａ，Ｍ．Ｐｆｅｉｆｆｅｒ，Ｔ．Ｆｒｉｔｚ，Ｋ．Ｌｅｏ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．８２，Ｎｏ．２５，２００３，４４９５及びＰｆｅｉｆｆｅｒｅｔａｌ．，ＯｒｇａｎｉｃＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ２００３，４，８９−１０３及びＫ．Ｗａｌｚｅｒ，Ｂ．Ｍａｅｎｎｉｇ，Ｍ．Ｐｆｅｉｆｆｅｒ，Ｋ．Ｌｅｏ，Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｒｅｖ．２００７，１０７，１２３３に開示される。例えば、正孔輸送層においては、混合物、特に正孔輸送層の電気的ｐ型ドープをもたらす混合物を使用することができる。ｐ型ドーピングは、酸化性材料の添加によって達成される。これらの混合物は、例えば以下の混合物であってよい：上述の正孔輸送材料と、少なくとも１つの金属酸化物、例えばＭｏＯ₂、ＭｏＯ₃、ＷＯ_x、ＲｅＯ₃及び／若しくはＶ₂Ｏ₅、好ましくはＭｏＯ₃及び／若しくはＲｅＯ₃、より好ましくはＭｏＯ₃の混合物、又は上述の正孔輸送材料と、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ₄−ＴＣＮＱ）、２，５−ビス（２−ヒドロキシエトキシ）−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、ビス（テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム）テトラシアノジフェノキノジメタン、２，５−ジメチル−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト−２，６−キノジメタン、２−フルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２，５−ジフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、ジシアノメチレン−１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロ−６Ｈ−ナフタレン−２−イリデン）マロノニトリル（Ｆ₆−ＴＮＡＰ）、Ｍｏ（ｔｆｄ）₃（Ｋａｈｎｅｔａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００９，１３１（３５），１２５３０−１２５３１が典拠）、ＥＰ１９８８５８７、ＳＵ２００８２６５２１６、ＥＰ２１８００２９、ＵＳ２０１００１０２７０９及びＷＯ２０１０／１３２２３６の中で記載される化合物並びにＥＰ２４０１２５４の中で言及されるキノン化合物から選択される１種以上の化合物との混合物。

【0073】

それゆえ、本発明は、好ましくは、本発明による有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤに関し、ここで、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、Ｉｒ金属−カルベン錯体が正孔輸送材料として、好ましくは正孔輸送層において用いられる場合に、少なくとも１つのドーピング材料、好ましくは少なくとも１つの金属酸化物、より好ましくはＭｏＯ₃、ＲｅＯ₃、ＭｏＯ₂、ＷＯ_x及びＶ₂Ｏ₅から選択される、最も好ましくはＭｏＯ₃及びＲｅＯ₃から選択される少なくとも１つの金属酸化物と組み合わせて用いられる。

【0074】

式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体と、ドーピング材料、好ましくは少なくとも１つの金属酸化物、より好ましくはＭｏＯ₃、ＲｅＯ₃、ＭｏＯ₂、ＷＯ_x及びＶ₂Ｏ₅から選択される、最も好ましくはＭｏＯ₃及びＲｅＯ₃から選択される少なくとも１つの金属酸化物の組合せ物は、好ましくは、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体５０〜９０質量％並びにドーピング材料、少なくとも１つの金属酸化物、より好ましくはＭｏＯ₃、ＲｅＯ₃、ＭｏＯ₂、ＷＯ_x及びＶ₂Ｏ₅から選択される、最も好ましくはＭｏＯ₃及びＲｅＯ₃から選択される少なくとも１つの金属酸化物１０〜５０質量％を含み、ここで、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体とドーピング材料の量の合計は１００質量％である。

【0075】

さらに本発明は、本出願において定義される式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの二座配位子を有する少なくとも１つのＩｒ金属−カルベン錯体を有する正孔輸送層又は電子／励起子遮断層に関する。好ましいＩｒ金属−カルベン錯体は、本出願において定義される。

【0076】

正孔輸送層は、好ましくは、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体のほかに、少なくとも１つのドーピング材料を有する。好適なドーピング材料は、前述したものである。より好ましくは、正孔輸送層は、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体５０〜９０質量％並びにドーピング材料、少なくとも１つの金属酸化物、より好ましくはＭｏＯ₃、ＲｅＯ₃、ＭｏＯ₂、ＷＯ_x及びＶ₂Ｏ₅から選択される、最も好ましくはＭｏＯ₃及びＲｅＯ₃から選択される少なくとも１つの金属酸化物１０〜５０質量％を含み、ここで、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体とドーピング材料の量の合計は１００質量％である。

【0077】

電子／励起子遮断層は、好ましくは、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体から成る。

【0078】

正孔輸送層の層厚は、好ましくは５〜１００ｎｍ、より好ましくは１０〜８０ｎｍである。

【0079】

電子／励起子遮断層の層厚は、好ましくは１〜５０ｎｍ、より好ましくは５〜１０ｎｍである。

【0080】

デバイス構造−ＯＬＥＤ構造
有機電子デバイスの好適な構造は、当業者に公知である。好ましい有機電子デバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、電気化学発光セル（ＬＥＥＣ）、有機光起電セル（ＯＰＶ）及び有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）から選択される。より好ましい有機電子デバイスはＯＬＥＤｓである。

【0081】

当該ＯＬＥＤｓ、ＬＥＥＣｓ、ＯＰＶｓ及びＯＦＥＴｓのデバイス構造は、一般論として上で記載している。以下では、好ましいＯＬＥＤｓのデバイス構造（これは本発明による好ましい電子デバイスである）を記載する。

【0082】

上述の通り、本発明は、好ましくは、ＯＬＥＤである有機電子デバイスに関し、ここで、ＯＬＥＤは、
（ａ）陽極、
（ｂ）陰極、
（ｃ）陽極と陰極の間の発光層、
（ｄ）正孔輸送層（ｄ１）及び電子／励起子遮断層（ｄ２）から選択される少なくとも１つの層
を含み、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベンを有する少なくとも１つの正孔輸送材料が、ＯＬＥＤの正孔輸送層に存在し、かつ／又は式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベンを有する少なくとも１つの電子／励起子ブロッカー材料が、ＯＬＥＤの電子／励起子遮断層に存在する。

【0083】

式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有する好ましいＩｒ金属−カルベン錯体、好ましい正孔輸送材料、好ましい電子／励起子ブロッカー材料、好ましい正孔輸送層（ｄ１）並びに好ましい電子／励起子遮断層（ｄ２）は、前で言及している。

【0084】

本発明のＯＬＥＤにおける層シーケンスは、好ましくは以下の通りである：
１．陽極（ａ）
２．正孔輸送層（ｄ１）
３．電子／励起子遮断層（ｄ２）
４．発光層（ｃ）
５．陰極（ｂ）

【0085】

上述の構造とは異なる層シーケンスも可能であり、かつ当業者に公知である。例えば、ＯＬＥＤは、言及した層のすべては有さないことも可能である：例えば、層（ａ）（陽極）、（ｃ）（発光層）及び（ｂ）（陰極）及び層（ｄ１）（正孔輸送層）若しくは層（ｄ２）（電子／励起子遮断層）を有するＯＬＥＤも同様に適している。

【0086】

さらに、ＯＬＥＤは、発光層（ｃ）の陰極側に隣接した正孔／励起子のための遮断層（ｅ）及び／又は存在する場合に正孔／励起子のための遮断層（ｅ）の陰極側に隣接した電子輸送層（ｆ）を含んでよく、正孔／励起子のための遮断層（ｅ）が存在しない場合には発光層（ｃ）の陰極側にそのつど隣接して含んでよい。

【0087】

それゆえ、本発明は、より好ましくは、以下の層シーケンスを有する本発明によるＯＬＥＤに関する：
１．陽極（ａ）
２．正孔輸送層（ｄ１）
３．電子／励起子遮断層（ｄ２）
４．発光層（ｃ）
５．正孔／励起子のための遮断層（ｅ）
６．電子輸送層（ｆ）
７．陰極（ｂ）

【0088】

更なる態様においては、本発明によるＯＬＥＤは、層（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ１）、（ｄ２）、（ｅ）及び（ｆ）のほかに、以下で言及される更なる層の少なくとも１つを有する：
− 陽極（ａ）と正孔輸送層（ｄ１）の間の正孔注入層（ｇ）；
− 電子輸送層（ｆ）と陰極（ｂ）の間の電子注入層（ｈ）

【0089】

さらに、多数の前述の機能（電子／励起子ブロッカー、正孔／励起子ブロッカー、正孔注入、正孔伝導、電子注入、電子伝導）が１つの層において組み合わせられ、かつ例えばこの層に存在する単一材料によって担われることが可能である。

【0090】

そのうえ、上で規定したものの中でＯＬＥＤの個々の層はまた、２つ以上の層から形成されていてよい。例えば、正孔輸送層は、正孔が電極から注入される層と、正孔を正孔注入層から放出して発光層内に輸送する層とから形成されていてよい。電子輸送層も同様に、多数の層、例えば、電子が電極によって注入される層と、電子を電子注入層から受け取ってそれらを発光層内に輸送する層とから成っていてよい。言及したこれらの層は、エネルギー準位、熱抵抗及び電荷担体移動度、それにまた規定した層と有機層又は金属電極のエネルギー差などの因子に従ってそれぞれ選択される。当業者は、本発明に従って発光体物質として用いられる有機化合物に最適に合うようにＯＬＥＤｓの構造を選択することができる。

【0091】

特に効率的なＯＬＥＤｓを得るために、前述の層が本発明によるＯＬＥＤｓに存在しているという前提で、例えば、正孔輸送層のＨＯＭＯ（最高被占軌道）は、陽極の仕事関数に合わせられるべきであり、かつ電子伝導体層のＬＵＭＯ（最低空軌道）は、陰極の仕事関数に合わせられるべきである。

【0092】

正孔輸送層（ｄ１）、電子／励起子遮断層（ｄ２）
ＯＬＥＤが、前で言及した材料とは異なる材料を正孔輸送層又は電子／励起子遮断層に有する場合の好適な材料を以下で言及する。

【0093】

しかしながら、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、電子／励起子遮断層（ｄ２）に存在するか又は正孔輸送層（ｄ１）及び電子／励起子遮断層（ｄ２）に存在するかのどちらか一方であることが好ましい。正孔輸送層及び電子／励起子遮断層における好ましい態様は、上で言及している。更なる好ましい態様においては、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、正孔輸送層（ｄ１）及び／又は電子／励起子遮断層（ｄ２）並びにさらに発光層にコホストとして存在している。

【0094】

正孔輸送層（ｄ１）
式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体が電子／励起子遮断層（ｄ２）に存在する場合、正孔輸送層は、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体とは異なる正孔輸送材料を含んでいてよい。

【0095】

本発明によるＯＬＥＤの層（ｄ１）ための適した正孔輸送材料は、例えばＫｉｒｋ−ＯｔｈｍｅｒＥｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａｏｆＣｈｅｍｉｃａｌＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版，第１８巻，第８３７頁〜８６０頁，１９９６に開示される。正孔輸送分子又は正孔輸送ポリマーのどちらか一方を、正孔輸送材料として用いることができる。慣例的に用いられる正孔輸送分子は、

【化12】

（４−フェニル−Ｎ−（４−フェニルフェニル）−Ｎ−［４−［４−（Ｎ−［４−（４−フェニルフェニル）フェニル］アニリノ）フェニル］アニリン）、

【化13】

（４−フェニル−Ｎ−（４−フェニルフェニル）−Ｎ−［４−［４−（４−フェニル−Ｎ−（４−フェニルフェニル）アニリノ）フェニル］フェニル］アニリン）、

【化14】

（４−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−（４−フェニルフェニル）アニリン）、

【化15】

１，１’，３，３’−テトラフェニルスピロ［１，３，２−ベンゾジアザシロール−２，２’−３ａ，７ａ−ジヒドロ−１，３，２−ベンゾジアザシロール］

【化16】

（Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’−オクタキス（ｐ−トリル）−９，９’−スピロビ［フルオレン］−２，２’，７，７’−テトラミン）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲ又はＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、フッ素化合物、例えば２，２’，７，７’−テトラ（Ｎ，Ｎ−ジ−トリル）アミノ−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−ＮＰＢ）及び９，９−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ビフェニル−４−イル−アミノ）フェニル−９Ｈ−フルオレン、ベンジジン化合物、例えばＮ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン及びポルフィリン化合物、例えば銅フタロシアニンから成る群から選択される。さらに、ポリマー型の正孔注入材料は、例えばポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、自己ドープ型ポリマー、例えばスルホン化されたポリ（チオフェン−３−［２−［（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−２，５−ジイル）（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓから市販されているＰｌｅｘｃｏｒｅ（登録商標）ＯＣＣｏｎｄｕｃｔｉｎｇＩｎｋｓ）などのポリマー、及びＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとも呼ばれるポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）などのコポリマーを用いることができる。

【0096】

上で言及した正孔輸送材料は、市販されており、かつ／又は当業者に公知の方法によって製造される。

【0097】

更なる態様においては、特定の金属カルベン錯体を正孔輸送材料として用いることが可能である。好適なカルベン錯体は、例えばＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２、ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２、ＷＯ２００５／１１３７０４、ＷＯ２００７／１１５９７０、ＷＯ２００７／１１５９８１及びＷＯ２００８／０００７２７の中で記載されるようなカルベン錯体である。好適なカルベン錯体の一例は、式：

【化17】

を有するＩｒ（ＤＰＢＩＣ）₃である。Ｉｒ（ＤＰＢＩＣ）₃の製造は、例えばＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２の中で言及される。

【0098】

正孔輸送層はまた、用いられる材料の輸送特性を改善するために電子的にドープされていてもよい。好適なドーピング材料は、上で言及している。好ましくは、正孔輸送層は、正孔輸送材料５０〜９０質量％及びドーピング材料１０〜５０質量％を含み、ここで、正孔輸送材料及びドーピング材料の量の合計は１００質量％である。

【0099】

電子／励起子遮断層（ｄ２）
式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体が正孔輸送層（ｄ１）に存在する場合、電子／励起子遮断層は、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体とは異なる電子／励起子材料を含んでいてよい。

【0100】

遮断層はまた、発光層から拡散して出てくる励起子を遮断するために用いることもできる。電子／励起子ブロッカー材料として用いるための適した金属錯体は、例えばＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２、ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２、ＷＯ２００５／１１３７０４、ＷＯ２００７／１１５９７０、ＷＯ２００７／１１５９８１及びＷＯ２００８／０００７２７の中で記載されるようなカルベン錯体である。ここで、引用した国際公開された出願が明示的に参照され、これらの開示は、本出願の内容に組み込まれていると見なされるべきである。好適なカルベン錯体の一例は、式：

【化18】

を有するＩｒ（ＤＰＢＩＣ）₃である。

【0101】

発光層（ｃ）
発光体材料
発光層（ｃ）は、少なくとも１つの発光体材料を含む。好ましくは、発光層は、少なくとも１つの発光体材料を含み、これは４００〜５００ｎｍの発光極大波長（・）を有する。好ましくは、発光体は、４２５ｎｍ〜４９０ｎｍ、より好ましくは４４０ｎｍ〜４７５ｎｍの発光極大波長（λ）を、１ｎｍ〜１４０ｎｍ、より好ましくは３０ｎｍ〜１２０ｎｍ、最も好ましくは５０ｎｍ〜１００ｎｍのＦＷＨＭ（半値全幅）とともに有する。

【0102】

これは、基本的には、蛍光又は燐光発光体であってよく、好適な発光体材料は、当業者に公知である。好ましくは、発光層は、少なくとも１つの燐光発光体材料を有する。

【0103】

本発明の文脈において、燐光発光体は、燐光による光の放出を示す発光体である。しかしながら、このことは、燐光発光体がさらに蛍光による光の放出を示すことを除外しない。

【0104】

燐光発光体の燐光発光の三重項減衰時間（その初期値の１／ｅ＝０．３６７８７９４４１１に減少した強度）は、好ましくは０．５〜１００マイクロ秒、より好ましくは０．５〜１０マイクロ秒、最も好ましくは０．５〜３マイクロ秒である。

【0105】

燐光発光体は、三重項励起状態からの燐光発光、好ましくはＯＬＥＤの動作温度での燐光発光を示す。燐光に先立って、三重項励起状態から非三重項の発光減衰が起こる中間状態への移行があってよい。

【0106】

優先的に用いられる燐光発光体化合物は、金属錯体をベースとし、特に、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ及びＰｔ金属の錯体、とりわけＩｒの錯体が有意性を示した。

【0107】

本発明によるＯＬＥＤにおいて用いるための適した金属錯体は、例えばＷＯ０２／６０９１０Ａ１、ＵＳ２００１／００１５４３２Ａ１、ＵＳ２００１／００１９７８２Ａ１、ＵＳ２００２／００５５０１４Ａ１、ＵＳ２００２／００２４２９３Ａ１、ＵＳ２００２／００４８６８９Ａ１、ＥＰ１１９１６１２Ａ２、ＥＰ１１９１６１３Ａ２、ＥＰ１２１１２５７Ａ２、ＵＳ２００２００９４４５３Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ００／７０６５５Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ２、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２、ＷＯ２００５／１１３７０４Ａ２、ＷＯ２００６／１１５３０１Ａ１、ＷＯ２００６／０６７０７４Ａ１、ＷＯ２００６／０５６４１８、ＷＯ２００６１２１８１１Ａ１、ＷＯ２００７０９５１１８Ａ２、ＷＯ２００７／１１５９７０、ＷＯ２００７／１１５９８１、ＷＯ２００８／０００７２７、ＷＯ２０１０／０８６０８９、ＷＯ２０１２／１２１９３６Ａ２、ＵＳ２０１１／００５７５５９、ＷＯ２０１１／１０６３４４、ＵＳ２０１１／０２３３５２８及びＷＯ２０１１／１５７３３９の文献中で記載される。

【0108】

更なる好適な金属錯体は、市販の金属錯体であるトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）トリス（２−（４−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’）、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）トリス（１−フェニルイソキノリン）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２，２’−ベンゾチエニル）（ピリジナト−Ｎ，Ｃ^3’）（アセチルアセトネート）、トリス（２−フェニルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−（４，６−）ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ²）ピコリネート、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）、ビス（２−フェニルキノリン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（アセチルアセトネート）、
ビス［１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）イソキノリン］（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−フェニルベンゾ−チアゾラト）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−（９，９−ジヘキシルフルオレニル）−１−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イルピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）である。

【0109】

好ましい燐光発光体は、カルベン錯体である。好適な燐光青色発光体であるカルベン錯体は、以下の刊行物中で規定される：
ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２、ＷＯ２００５／１１３７０４、ＷＯ２００７／１１５９７０、ＷＯ２００７／１１５９８１、ＷＯ２００８／０００７２７、ＷＯ２００９０５０２８１、ＷＯ２００９０５０２９０、ＷＯ２０１１０５１４０４、ＵＳ２０１１／０５７５５９、ＷＯ２０１１／０７３１４９、ＷＯ２０１２／１２１９３６Ａ２、ＵＳ２０１２／０３０５８９４Ａ１、ＷＯ２０１２１７０５７１、ＷＯ２０１２１７０４６１、ＷＯ２０１２１７０４６３、ＷＯ２００６１２１８１１、ＷＯ２００７０９５１１８、ＷＯ２００８１５６８７９、ＷＯ２０１００６８８７６、ＵＳ２０１１００５７５５９、ＷＯ２０１１１０６３４４、ＵＳ２０１１０２３３５２８、ＷＯ２０１２０４８２６６及びＷＯ２０１２１７２４８２。

【0110】

好ましくは、本発明のＯＬＥＤにおける発光層は、少なくとも１つのカルベン錯体を燐光発光体として有する。好適なカルベン錯体は、例えば、一般式（ＩＩＩ）

【化19】

［式中、記号は、それぞれ以下の通りに定義される：
Ｍ¹は、個々の金属原子について可能な任意の酸化状態における元素周期律表（ＣＡＳ版）のＩＢ族、ＩＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族、ＶＩＩＢ族、ランタノイド及びＩＩＩＡ族の金属から成る群から選択される金属原子である；
カルベンは、荷電していないか、又はモノアニオン性であり、かつ単座配位子、二座配位子又は三座配位子であってよいカルベン配位子である；カルベン配位子はまた、ビスカルベン配位子又はトリスカルベン配位子であってもよい；
Ｌ’’は、モノアニオン性又はジアニオン性配位子、好ましくはモノアニオン性配位子であり、これは単座又は二座であってよい；
Ｋ’’は、荷電していない単座配位子又は二座配位子である；
ｑは、カルベン配位子の数であり、ここで、ｎは、少なくとも１であり、かつ式Ｉの錯体におけるカルベン配位子は、ｑ＞１の場合、同じであるか又は異なっていてよい；
ｒは、配位子Ｌ’’の数であり、ここで、ｍは、０又は≧１であってよく、かつ配位子Ｌ’’は、ｒ＞１の場合、同じであるか又は異なっていてよい；
ｏ’’’は、配位子Ｋ’’の数であり、ここで、ｏ’’’は、０又は≧１であってよく、かつ配位子Ｋ’’は、ｏ’’’が＞１の場合、同じであるか又は異なっていてよい；
ｐは、錯体の電荷である：０、１、２、３又は４；好ましくは０、１又は２、より好ましくは０である；
Ｗは、モノアニオン性対イオンであり、
ここで、ｑ＋ｒ＋ｏ’’’及び電荷ｐの合計は、用いられる金属原子の酸化状態及び配位数、錯体の電荷並びにカルベン、Ｌ’’及びＫ’’配位子の配座数に依存し、かつｎが少なくとも１であることを条件に、カルベン及びＬ配位子の電荷に依存する］
のカルベン錯体である。

【0111】

それゆえ、本発明はさらに、発光層（ｃ）に存在する少なくとも１つの発光体材料が一般式（ＩＩＩ）の少なくとも１つのカルベン錯体である有機発光ダイオードを提供する。

【0112】

最も好ましくは、本発明は、発光層（ｃ）に存在する少なくとも１つの発光体材料が、一般式（ＩＶ）：

【化20】

［式中、
Ｍは、Ｉｒであり、
ｎ’’’は、１、２又は３であり、
Ａ⁹は、ＣＲ⁹又はＮであり；
Ａ¹⁰は、ＣＲ¹⁰又はＮであり；
Ａ¹¹は、ＣＲ¹¹又はＮであり；
Ａ¹²は、ＣＲ¹²又はＮであり；
ここで、Ａ⁹は、Ａ¹⁰、Ａ¹¹及びＡ¹²の２つのＡは、窒素電子であり、かつ少なくとも１つの炭素原子が環内の２つの窒素原子の間に存在し；
Ｒ⁸は、線状若しくは分枝状の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基であり、
Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、それぞれ無関係に、水素、線状若しくは分枝状の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基であるか、
又は
Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、それらが結合されている炭素原子と一緒になって、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、かつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有する、任意に置換された不飽和の環を形成し、
Ａ⁵は、ＣＲ¹³又はＮ；好ましくはＣＲ¹³であり；
Ａ⁶は、ＣＲ¹⁴又はＮ；好ましくはＣＲ¹⁴であり；
Ａ⁷は、ＣＲ¹⁵又はＮ；好ましくはＣＲ¹⁵であり；
Ａ⁸は、ＣＲ¹⁶又はＮ；好ましくはＣＲ¹⁶であり；
Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶は、それぞれ無関係に、水素、線状若しくは分枝状の、任意に少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計１〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計３〜２０個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロシクロアルキル基、置換された若しくは非置換の、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、少なくとも１つのヘテロ原子によって中断された、任意に少なくとも１つの官能基を持ちかつ計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であり、好ましくは、それぞれ無関係に、水素、線状若しくは分枝状の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、置換された若しくは非置換の６〜３０個の炭素原子を有するアリール基、置換された若しくは非置換の、計５〜１８個の炭素原子及び／又はヘテロ原子を有するヘテロアリール基、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基であって、ハロゲン基、好ましくはＦ又はＣｌ、より好ましくはＦ；ＣＦ₃、ＣＮ及びＳｉＭｅ₃から成る群から選択される基であり；
Ｌ’は、モノアニオン性二座配位子であり、かつ
ｏ’’は、０、１又は２である］
の少なくとも１つのカルベン錯体である有機発光ダイオードを提供する。

【0113】

式（ＩＶ）の化合物は、好ましくは、式：

【化21-1】

【0114】

【化21-2】

【0115】

【化21-3】

【0116】

【化21-4】

【0117】

【化21-5】

【0118】

【化21-6】

【0119】

【化21-7】

【0120】

【化21-8】

【0121】

【化21-9】

の化合物である。

【0122】

更なる好適な非カルベン発光体材料を、以下で言及する：

【化22-1】

【0123】

【化22-2】

【0124】

【化22-3】

【0125】

より好ましくは、式（ＩＶ）の化合物は、以下の化合物：

【化23】

から成る群から選択される。

【0126】

最も好ましい燐光青色発光体は、

【化24】

である。

【0127】

ホモレプチックな金属−カルベン錯体は、ｆａｃ異性体又はｍｅｒ異性体の形で存在してよく、好ましいのはｆａｃ異性体である。

【0128】

式（ＩＶ）の好適なカルベン錯体及びそれらの製造法は、例えばＷＯ２０１１／０７３１４９Ａ１に記載される。

【0129】

ホスト（マトリクス）材料
発光層は、発光体材料のほかに、更なる成分を含んでいてよい。例えば、蛍光色素が、発光体材料の発光色を変化させるために発光層に存在してよい。加えて−好ましい態様においては−ホスト（マトリクス）材料を用いることができる。このマトリクス材料は、ポリマー、例えばポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）又はポリシランであってよい。しかしながら、マトリクス材料はまた、小分子、例えば４，４’−Ｎ，Ｎ−ジカルバゾールビフェニル（ＣＤＰ＝ＣＢＰ）又は第三級芳香族アミン、例えばＴＣＴＡであってもよい。

【0130】

ホスト材料として好適なものは、カルバゾール誘導体、例えば４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−２，２’−ジメチルビフェニル（ＣＤＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（ｍＣＰ）、及び以下の出願：ＷＯ２００８／０３４７５８、ＷＯ２００９／００３９１９の中で規定されるホスト材料である。

【0131】

上述の小分子又は当該小分子の（コ）ポリマーであってよい更なる好適なホスト材料は、以下の刊行物得の中で規定される：ＷＯ２００７１０８４５９（Ｈ−１〜Ｈ−３７）、好ましくはＨ−２０〜Ｈ−２２及びＨ−３２〜Ｈ−３７、最も好ましくはＨ−２０、Ｈ−３２、Ｈ−３６、Ｈ−３７、ＷＯ２００８０３５５７Ａ１（ホスト１〜ホスト６）、ＪＰ２０１０１３５４６７（化合物１〜４６及びホスト−１〜ホスト−３９及びホスト−４３）、ＷＯ２００９００８１００の化合物番号１〜番号６７、好ましくは番号３、番号４、番号７〜番号１２、番号５５、番号５９、番号６３〜番号６７、より好ましくは番号４、番号８〜番号１２、番号５５、番号５９、番号６４、番号６５及び番号６７、ＷＯ２００９００８０９９の化合物番号１〜番号１１０、ＷＯ２００８１４０１１４の化合物１−１〜１−５０、ＷＯ２００８０９０９０１２の化合物ＯＣ−７〜ＯＣ−３６及びＭｏ−４２〜Ｍｏ−５１のポリマー、ＪＰ２００８０８４９１３のＨ−１〜Ｈ−７０、ＷＯ２００７０７７８１０の化合物１〜４４、好ましくは１、２、４〜６、８、１９〜２２、２６、２８〜３０、３２、３６、３９〜４４、ＷＯ２０１００１８３０のモノマー１−１〜１−９の、好ましくはモノマー１−３、１−７及び１〜９のポリマー、ＷＯ２００８０２９７２９の化合物１−１〜１−３６（のポリマー）、ＷＯ２０１００４４３３４２のＨＳ−１〜ＨＳ−１０１及びＢＨ−１〜ＢＨ−１７、好ましくはＢＨ−１〜ＢＨ−１７、ＪＰ２００９１８２２９８のモノマー１〜７５を基礎とする（コ）ポリマー、ＪＰ２００９１７０７６４、ＪＰ２００９１３５１８３のモノマー１−１４を基礎とする（コ）ポリマー、ＷＯ２００９０６３７５７の、好ましくはモノマー１−１〜１−２６を基礎とする（コ）ポリマー、ＷＯ２００８１４６８３８の化合物ａ−１〜ａ−４３及び１−１〜１−４６、ＪＰ２００８２０７５２０のモノマー１−１〜１−２６を基礎とする（コ）ポリマー、ＪＰ２００８０６６５６９のモノマー１−１〜１−１６を基礎とする（コ）ポリマー、ＷＯ２００８０２９６５２のモノマー１−１〜１−５２を基礎とする（コ）ポリマー、ＷＯ２００７１１４２４４のモノマー１−１〜１−１８を基礎とする（コ）ポリマー、ＪＰ２０１００４０８３０の化合物ＨＡ−１〜ＨＡ−２０、ＨＢ−１〜ＨＢ−１６、ＨＣ−１〜ＨＣ−２３及びモノマーＨＤ−１〜ＨＤ−１２を基礎とする（コ）ポリマー、ＪＰ２００９０２１３３６、ＷＯ２０１００９０７７の化合物１〜５５、ＷＯ２０１００７９６７８の化合物Ｈ１〜Ｈ４２、ＷＯ２０１００６７７４６、ＷＯ２０１００４４３４２の化合物ＨＳ−１〜ＨＳ−１０１及びＰｏｌｙ−１〜Ｐｏｌｙ−４、ＪＰ２０１０１１４１８０の化合物ＰＨ−１〜ＰＨ−３６、ＵＳ２００９２８４１３８の化合物１〜１１１及びＨ１〜Ｈ７１、ＷＯ２００８０７２５９６の化合物１〜４５、ＪＰ２０１００２１３３６の化合物Ｈ−１〜Ｈ−３８、好ましくはＨ−１、ＷＯ２０１０００４８７７の化合物Ｈ−１〜Ｈ−６０、ＪＰ２００９２６７２５５の化合物１−１〜１−１０５、ＷＯ２００９１０４４８８の化合物１−１〜１−３８、ＷＯ２００９０８６０２８、ＵＳ２００９１５３０３４、ＵＳ２００９１３４７８４、ＷＯ２００９０８４４１３の化合物２−１〜２−５６、ＪＰ２００９１１４３６９の化合物２−１〜２−４０、ＪＰ２００９１１４３７０の化合物１〜６７、ＷＯ２００９０６０７４２の化合物２−１〜２−５６、ＷＯ２００９０６０７５７の化合物１−１〜１−７６、ＷＯ２００９０６０７８０の化合物１−１〜１−７０、ＷＯ２００９０６０７７９の化合物１−１〜１−４２、ＷＯ２００８１５６１０５の化合物１〜５４、ＪＰ２００９０５９７６７の化合物１〜２０、ＪＯＰ２００８０７４９３９の化合物１〜２５６、ＪＰ２００８２１６８７の化合物１〜５０、ＷＯ２００７１１９８１６の化合物１〜３７、ＷＯ２０１００８７２２２の化合物Ｈ−１〜Ｈ−３１、ＷＯ２０１００９５５６４の化合物ホスト−１〜ホスト−６１、ＷＯ２００７１０８３６２、ＷＯ２００９００３８９８、ＷＯ２００９００３９１９、ＷＯ２０１００４０７７７、ＵＳ２００７２２４４４６、ＷＯ０６１２８８００、ＷＯ２０１２０１４６２１、ＷＯ２０１２１０５３１０、ＷＯ２０１２／１３０７０９及び欧州特許出願ＥＰ１２１７５６３５．７及びＥＰ１２１８５２３０．５及びＥＰ１２１９１４０８．９（特にＥＰ１２１９１４０８．９の第２５頁〜第２９頁）。

【0132】

特に好ましい態様においては、下で規定される一般式（Ｖ）の１つ以上の化合物をホスト材料として用いる。

【0133】

【化25】

［式中
Ｘ’は、ＮＲ、Ｓ、Ｏ又はＰＲであり；
Ｒは、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキルであり；
Ａ²⁰⁰は、−ＮＲ²⁰⁶Ｒ²⁰⁷、−Ｐ（Ｏ）Ｒ²⁰⁸Ｒ²⁰⁹、−ＰＲ²¹⁰Ｒ²¹¹、−Ｓ（Ｏ）₂Ｒ²¹²、−Ｓ（Ｏ）Ｒ²¹³、−ＳＲ²¹⁴又は−ＯＲ²¹⁵であり；
Ｒ²²¹、Ｒ²²²及びＲ²²³は、互いに無関係に、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキルであり、ここで、基Ｒ²²¹、Ｒ²²²又はＲ²²³の少なくとも１つは、アリール又はヘテロアリールであり；
Ｒ²²⁴及びＲ²²⁵は、互いに無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、基Ａ¹又はドナー特性若しくはアクセプター特性を有する基であり；
ｎ２及びｍ１は、互いに無関係に、０、１、２又は３であり；
Ｒ²⁰⁶及びＲ²⁰⁷は、窒素原子と一緒になって、３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、当該基は、非置換であってよく、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー特性若しくはアクセプター特性を有する基から選択される１つ以上の置換基で置換されていてよく；かつ／又は３〜１０個の環原子を有する１つ以上の更なる環式基と縮合されていてよく、ここで、縮合された基は、非置換であってよく、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー特性若しくはアクセプター特性を有する基から選択される１つ以上の置換基で置換されていてよく；並びに
Ｒ²⁰⁸、Ｒ²⁰⁹、Ｒ²¹⁰、Ｒ²¹¹、Ｒ²¹²、Ｒ²¹³、Ｒ²¹⁴及びＲ²¹⁵は、互いに無関係に、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキルである］。

【0134】

式（Ｖ）の化合物、例えば

【化26】

などの化合物及びそれらの製造法は、ＷＯ２０１０／０７９０５１Ａ１（特に第１９頁〜第２６頁並びに第２７頁〜第３４頁、第３５頁〜第３７頁及び第４２頁〜第４３頁の表中）に記載される。

【0135】

ジベンゾフランを基礎とする追加のホスト材料は、例えばＵＳ２００９０６６２２６、ＥＰ１８８５８１８Ｂ１、ＥＰ１９７０９７６、ＥＰ１９９８３８８及びＥＰ２０３４５３８に記載される。特に好ましいホスト材料の例を以下で示す：

【化27-1】

【0136】

【化27-2】

【0137】

【化27-3】

【0138】

上述の化合物において、Ｔは、Ｏ又はＳ、好ましくはＯである。Ｔが分子中に１つより多く存在する場合、すべての基Ｔは同じ意味を有する。

【0139】

最も好ましいホスト化合物を以下で示す：

【化28】

【0140】

好ましくは、発光層（ｃ）は、少なくとも１つの発光体材料及び少なくとも１つのホスト材料を有する。好適な発光体材料と同様に好適なホスト材料も上で言及している。

【0141】

より好ましくは、発光層（ｃ）は、電磁スペクトルの４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲で光を放出する少なくとも１つの発光体材料、より好ましくは、電磁スペクトルの４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲で光を放出する少なくとも１つの燐光発光体、最も好ましくは式（Ｖ）の少なくとも１つの発光体材料を有する。

【0142】

最も好ましくは、発光層（ｃ）は、電磁スペクトルの４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲で光を放出する少なくとも１つの発光体材料、より好ましくは、電磁スペクトルの４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲で光を放出する少なくとも１つの燐光発光体、最も好ましくは式（ＩＶ）の少なくとも１つの発光体材料を、５〜４０質量％、好ましくは５〜３０質量％、より好ましくは５〜２０質量％の量で含み、かつ少なくとも１つのホスト材料、好ましくは、ＳＨ−１、ＳＨ−２、ＳＨ−３、ＳＨ−４、ＳＨ−５、ＳＨ−６、ＳＨ−７、ＳＨ−８、ＳＨ−９及びＳＨ−１０から選択される少なくとも１つのホスト材料を、６０〜９５質量％、好ましくは７０〜９５質量％、より好ましくは８０〜９５質量％の量で含み、ここで、少なくとも１つの発光体材料及び少なくとも１つのホスト材料の量を合わせると計１００質量％になる。

【0143】

第二のホスト化合物は、１つの化合物であってよく、又はそれは２つ以上の化合物の混合物であってよい。上で記載したカルベン錯体Ｉｒ（ＤＰＢＩＣ）₃、又は式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体、好ましくは、式（ＩＩ）、（ＩＩ’）及び（ＩＩ’’）で示されるＩｒ金属−カルベン錯体、より好ましくは、次式（ＩＩａ）、（ＩＩ’ａ）、（ＩＩ’’ａ）及び（ＩＩ’’ａ’）のＩｒ金属−カルベン錯体を、コホストとして添加してよい。

【0144】

本発明のＯＬＥＤにおける発光層（ｃ）の層厚は、好ましくは１〜１００ｎｍ、より好ましくは５〜６０ｎｍである。

【0145】

陽極（ａ）
陽極は、正電荷キャリアを供給する電極である。それは、例えば、金属、種々の金属の混合物、金属合金、金属酸化物又は種々の金属酸化物の混合物を有する材料から構成されていてよい。選択的に、陽極は、導電性ポリマーであってよい。好適な金属は、元素の周期律表の１１族、４族、５族及び第６族の金属を含み、それにまた８族〜１０族の遷移金属も含む。陽極が透明であるべき場合、元素の周期律表の１２族、１３族及び１４族の混合金属酸化物、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が一般的に用いられる。同様に、陽極（ａ）は、例えばＮａｔｕｒｅ，第３５７巻，第４７７頁〜４７９頁（Ｊｕｎｅ１１，１９９２）に記載される有機材料、例えばポリアニリンを含むことも可能である。好ましい陽極材料には、導電性金属酸化物、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）及び酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、酸化亜鉛アルミニウム（ＡｌＺｎＯ）並びに金属が含まれる。陽極（及び基板）は、下面発光デバイスを作るために十分透明であってよい。好ましい透明な基板と陽極との組合せ物は、ガラス又はプラスチック（基板）に堆積された市販のＩＴＯ（陽極）である。反射陽極は、いくつかの上面発光デバイスにとって、デバイスの上面から放出される光の量を高めるために好ましくあり得る。少なくとも陽極又は陰極のどちらか一方は、形成される光を放出することができるように少なくとも部分的に透明であることが望ましい。

【0146】

上述の陽極材料は、市販されており、かつ／又は当業者に公知の方法によって製造される。

【0147】

陰極（ｂ）
陰極（ｂ）は、電子又は負電荷キャリアを導入する働きをもつ電極である。陰極は、陽極より低い仕事関数を有する任意の金属又は非金属であってよい。陰極に適した材料は、元素の周期律表の１族のアルカリ金属、例えばＬｉ、Ｃｓ、２族のアルカリ土類金属、１２族の金属から成り、希土類金属とランタニド及びアクチニドとを含む群から選択される。加えて、アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウム及びマグネシウムなどの金属並びにそれらの組合せ物を使用してもよい。

【0148】

上述の陰極材料は、市販されており、かつ／又は当業者に公知の方法によって製造される。

【0149】

本発明によるＯＬＥＤにおける更なる層
正孔／励起子のための遮断層（ｅ）
電子輸送材料として以下で言及した材料の中には、いくつかの機能を満たし得るものがある。例えば、電子輸送材料のいくつかは、それらが低いＨＯＭＯを有する場合、同時に正孔遮断材料であり、又はそれらが十分高い三重項エネルギーを有する場合、同時に励起子遮断材料である。これらは、例えば、正孔／励起子のための遮断層（ｅ）において用いることができる。しかしながら、同様に、正孔／励起子ブロッカーとしての機能は、層（ｆ）によって取り入れられることも可能であり、そのため層（ｅ）を無しで済ますことができる。

【0150】

電子輸送層（ｆ）
電子輸送層には、電子を輸送することができる材料が含まれていてよい。電子輸送層は、真性（ドープされていない）であるか又はドープされていてよい。ドーピングは、導電性を向上させるために用いることができる。本発明によるＯＬＥＤｓの層（ｆ）に適した電子輸送材料は、オキシノイド化合物でキレートされた金属、例えばトリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（Ａｌｑ₃）、フェナントロリンを基礎とする化合物、例えば２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ＝ＢＣＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、２，４，７，９−テトラフェニル−１，１０−フェナントロリン、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）又はＥＰ１７８６０５０、ＥＰ１９７０３７１又はＥＰ１０９７９８１の中に開示されるフェナントロリン誘導体、並びにアゾール化合物、例えば２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）及び３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）を含む。

【0151】

上述の電子輸送材料は、市販されており、かつ／又は当業者に公知の方法によって製造される。

【0152】

同様に、少なくとも２種の材料の混合物であって、少なくとも１種の材料が電子伝導性である混合物を電子輸送層において用いることもできる。好ましくは、かかる混合型の電子輸送層においては、少なくとも１種のフェナントロリン化合物、好ましくはＢＣＰ、又は以下の式（ＶＩＩＩ）による少なくとも１種のピリジン化合物、好ましくは以下の式（ＶＩＩＩａ）の化合物を用いる。より好ましくは、混合型の電子輸送層においては、少なくとも１種のフェナントロリン化合物のほかに、アルカリ土類金属又はアルカリ金属ヒドロキシキノレート錯体、例えばＬｉｑを用いる。好適なアルカリ土類金属又はアルカリ金属ヒドロキシキノレート錯体は、以下で規定する（式ＶＩＩ）。ＷＯ２０１１／１５７７７９が参照される。

【0153】

電子輸送層はまた、用いられる材料の輸送特性を改善するために、第一に層厚をより大きくするために（ピンホール／短絡の回避）、そして第二にデバイスの動作電圧を最小限にするために、電子的にドープされていてもよい。電子的ドーピングは、当業者に公知であり、例えばＷ．Ｇａｏ，Ａ．Ｋａｈｎ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．９４，Ｎｏ．１，１Ｊｕｌｙ２００３（Ｐ型ドープされた有機層）；Ａ．Ｇ．Ｗｅｒｎｅｒ，Ｆ．Ｌｉ，Ｋ．Ｈａｒａｄａ，Ｍ．Ｐｆｅｉｆｆｅｒ，Ｔ．Ｆｒｉｔｚ，Ｋ．Ｌｅｏ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．８２，Ｎｏ．２５，２３，Ｊｕｎｅ２００３及びＰｆｅｉｆｆｅｒｅｔａｌ．，ＯｒｇａｎｉｃＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ２００３，４，８９−１０３及びＫ．Ｗａｌｚｅｒ，Ｂ．Ｍａｅｎｎｉｇ，Ｍ．Ｐｆｅｉｆｆｅｒ，Ｋ．Ｌｅｏ，Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｒｅｖ．２００７，１０７，１２３３に開示される。例えば、電子輸送層の電気的ｎ型ドーピングをもたらす混合物を使用することができる。ｎ型ドーピングは、還元性材料の添加によって達成される。これらの混合物は、例えば、上述の電子輸送材料と、アルカリ金属／アルカリ土類金属又はアルカリ金属塩／アルカリ土類金属塩、例えばＬｉ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｃｓ₂ＣＯ₃との、アルカリ金属錯体、例えば８−ヒドロキシキノラトリチウム（Ｌｉｑ）との、及びＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｉ₃Ｎ、Ｒｂ₂ＣＯ₃、フタル酸二カリウム、ＥＰ１７８６０５０からのＷ（ｈｐｐ）₄との、又はＥＰ１８３７９２６Ｂ１に記載される化合物との混合物であってよい。

【0154】

好ましい態様においては、電子輸送層は、一般式（ＶＩＩ）

【化29】

［式中、
Ｒ³²及びＲ³³は、それぞれ無関係に、Ｆ、Ｃ₁〜Ｃ₈−アルキル又はＣ₆〜Ｃ₁₄−アリールであり、当該アリールは、任意に１つ以上のＣ₁〜Ｃ₈−アルキル基によって置換されているか、又は
２つのＲ³²及び／又はＲ³³置換基は、一緒になって、縮合されたベンゼン環を形成し、当該環は、任意に１つ以上のＣ₁〜Ｃ₈−アルキル基によって置換されており、
ａ及びｂは、それぞれ無関係に、０、又は１、２若しくは３であり、
Ｍ¹は、アルカリ金属原子又はアルカリ土類金属原子であり、
ｐは、Ｍ¹がアルカリ金属原子である場合には１であり、ｐは、Ｍ¹がアルカリ土類金属原子である場合には２である］の少なくとも１種の化合物を有する。

【0155】

式（ＶＩＩ）の極めて好ましい化合物は、

【化30】

であり、当該化合物は、単独種として存在してよいか、又はＬｉ_gＱ_g［式中、ｇは整数である］、例えばＬｉ₆Ｑ₆などの他の形で存在してよい。Ｑは、８−ヒドロキシキノレート配位子又は８−ヒドロキシキノレート誘導体である。

【0156】

更なる好ましい態様においては、電子輸送層は、式（ＶＩＩＩ）

【化31】

［式中、
Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶、Ｒ³⁷、Ｒ^34’、Ｒ^35’、Ｒ^36’及びＲ^37’は、それぞれ無関係に、Ｈ、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｅによって置換されており、かつ／又はＤによって中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₆〜Ｃ₂₄−アリール、Ｇによって置換されているＣ₆〜Ｃ₂₄−アリール、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−ヘテロアリール又はＧによって置換されているＣ₂〜Ｃ₂₀−ヘテロアリールであり、
Ｑは、アリーレン又はヘテロアリーレン基であり、それぞれは、任意にＧによって置換されており、
Ｄは、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−Ｏ−、−ＮＲ⁴⁰−、−ＳｉＲ⁴⁵Ｒ⁴⁶−、−ＰＯＲ⁴⁷−、−ＣＲ³⁸＝ＣＲ³⁹−若しくは−Ｃ≡Ｃ−であり、
Ｅは、−ＯＲ⁴⁴、−ＳＲ⁴⁴、−ＮＲ⁴⁰Ｒ⁴¹、−ＣＯＲ⁴³、−ＣＯＯＲ⁴²、−ＣＯＮＲ⁴⁰Ｒ⁴¹、−ＣＮ若しくはＦであり、
Ｇは、Ｅ、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｄによって中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−ペルフルオロアルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルコキシ、又はＥによって置換されており、かつ／又はＤによって中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈−アルコキシであり、ここで、
Ｒ³⁸及びＲ³⁹は、それぞれ無関係に、Ｈ、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル若しくはＣ₁〜Ｃ₁₈−アルコキシによって置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル又は−Ｏ−によって中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルであり、
Ｒ⁴⁰及びＲ⁴¹は、それぞれ無関係に、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル若しくはＣ₁〜Ｃ₁₈−アルコキシによって置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル又は−Ｏ−によって中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルであるか、又は
Ｒ⁴⁰及びＲ⁴¹は、一緒になって６員環を形成し、
Ｒ⁴²及びＲ⁴³は、それぞれ無関係に、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル若しくはＣ₁〜Ｃ₁₈−アルコキシによって置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル又は−Ｏ−によって中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルであり、
Ｒ⁴⁴は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル若しくはＣ₁〜Ｃ₁₈−アルコキシによって置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル又は−Ｏ−によって中断されているＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルであり、
Ｒ⁴⁵及びＲ⁴⁶は、それぞれ無関係に、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール又はＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルによって置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈−アリールであり、
Ｒ⁴⁷は、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール又はＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルによって置換されているＣ₆〜Ｃ₁₈−アリールである］
の少なくとも１種の化合物を有する。

【0157】

式（ＶＩＩＩ）の好ましい化合物は、式（ＶＩＩＩａ）

【化32】

［式中、Ｑは、

【化33】

であり、
Ｒ⁴⁸は、Ｈ又はＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキルであり、かつ
Ｒ^48’は、Ｈ、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキルであるか、又は

【化34】

である］
の化合物である。

【0158】

特に好ましいのは、式

【化35】

の化合物である。

【0159】

極めて好ましい更なる態様においては、電子輸送層は、式

【化36】

の化合物及び化合物ＥＴＭ−２である。

【0160】

好ましい態様においては、電子輸送層は、式（ＶＩＩ）の化合物を、９９〜１質量％、好ましくは７５〜２５質量％、より好ましくは約５０質量％の量で含み、ここで、式（ＶＩＩ）の化合物の量と式（ＶＩＩＩ）の化合物の量とを合わせると１００質量％になる。

【0161】

式（ＶＩＩＩ）の化合物の製造は、Ｊ．Ｋｉｄｏｅｔａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．（２００８）５８２１−５８２３，Ｊ．Ｋｉｄｏｅｔａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２０（２００８）５９５１−５９５３及びＪＰ２００８−１２７３２６の中で記載されるか、又は当該化合物は、上述の文献中に開示される方法と同じようにして製造することができる。

【0162】

同様に、電子輸送層において、アルカリ金属ヒドロキシキノレート錯体、好ましくはＬｉｑとジベンゾフラン化合物との混合物を使用することもできる。ＷＯ２０１１／１５７７９０が参照される。ＷＯ２０１１／１５７７９０の中で記載されるジベンゾフラン化合物Ａ−１〜Ａ−３６及びＢ−１〜Ｂ−２２が好ましく、ここで、ジベンゾフラン化合物

【化37】

が最も好ましい。

【0163】

好ましい態様においては、電子輸送層は、Ｌｉｑを、９９〜１質量％、好ましくは７５〜２５質量％、より好ましくは約５０質量％の量で含み、ここで、Ｌｉｑの量とジベンゾフラン化合物、特にＥＴＭ−１の量とを合わせると１００質量％になる。

【0164】

好ましい態様においては、電子輸送層は、少なくとも１つのフェナントロリン誘導体及び／又はピリジン誘導体を含む。

【0165】

更なる好ましい態様においては、電子輸送層は、少なくとも１つのフェナントロリン誘導体及び／又はピリジン誘導体並びに少なくとも１つのアルカリ金属ヒドロキシキノレート錯体を含む。

【0166】

更なる好ましい態様においては、電子輸送層は、ＷＯ２０１１／１５７７９０の中で記載されるジベンゾフラン化合物Ａ−１〜Ａ−３６及びＢ−１〜Ｂ−２２の少なくとも１つ、特にＥＴＭ−１を含む。

【0167】

更なる好ましい態様においては、電子輸送層は、ＷＯ２０１２／１１１４６２、ＷＯ２０１２／１４７３９７及びＵＳ２０１２／０２６１６５４の中で記載される化合物、例えば、式

【化38】

などの化合物、ＷＯ２０１２／１１５０３４の中で記載される化合物、例えば、式

【化39】

などの化合物を含む。

【0168】

正孔注入層（ｇ）
一般的に、注入層は、１つの層、例えば電極層又は電荷生成層から、隣接した有機層内への電荷キャリアの注入を改善することができる材料から構成されている。注入層は、電荷輸送機能を担うこともできる。正孔注入層は、陽極から、隣接した有機層内への正孔の注入を改善する任意の層であってよい。正孔注入層は、溶液を堆積させた材料、例えばスピンコートポリマーを含んでよいか、又はそれは、蒸着させた小分子材料、例えばＣｕＰｃ若しくはＭＴＤＡＴＡなどの材料であってよい。ポリマー型の正孔注入材料は、例えばポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、自己ドープ型ポリマー、例えばスルホン化されたポリ（チオフェン−３−［２−［（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−２，５−ジイル）（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓから市販されているＰｌｅｘｃｏｒｅ（登録商標）ＯＣＣｏｎｄｕｃｔｉｎｇＩｎｋｓ）、及びＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとも呼ばれるポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）などのコポリマーを用いることができる。

【0169】

上述の正孔注入材料は、市販されており、かつ／又は当業者に公知の方法によって製造される。

【0170】

電子注入層（ｈ）
電子注入層は、隣接した有機層内への電子の注入を改善する任意の層であってよい。リチウムを含む有機金属化合物、例えば８−ヒドロキシキノラトリチウム（Ｌｉｑ）、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＫＦ、Ｃｓ₂ＣＯ₃又はＬｉＦは、電子輸送層（ｆ）と陰極（ｂ）の間に、電子注入層（ｈ）として、動作電圧を低下させるために適用することができる。

【0171】

上述の電子注入材料は、市販されており、かつ／又は当業者に公知の方法によって製造される。

【0172】

一般に、本発明によるＯＬＥＤにおける種々の層は、存在する場合、以下の厚みを有する：
陽極（ａ）：５０〜５００ｎｍ、好ましくは１００〜２００ｎｍ
正孔注入層（ｇ）：５〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜８０ｎｍ
正孔輸送層（ｄ１）：５〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜８０ｎｍ
電子／励起子遮断層（ｄ２）：１〜５０ｎｍ、好ましくは５〜１０ｎｍ
発光層（ｃ）：１〜１００ｎｍ、好ましくは５〜６０ｎｍ
正孔／励起子遮断層（ｅ）：１〜５０ｎｍ、好ましくは５〜１０ｎｍ
電子輸送層（ｇ）：５〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜８０ｎｍ
電子注入層（ｈ）：１〜５０ｎｍ、好ましくは２〜１０ｎｍ
陰極（ｂ）：２０〜１０００ｎｍ、好ましくは３０〜５００ｎｍ

【0173】

当業者は、好適な材料をどのようにして選択する必要があるかを（例えば電気学的研究に基づき）把握している。個々の層の好適な材料は、当業者に公知であり、かつ例えばＷＯ００／７０６５５の中に開示される。

【0174】

加えて、本発明によるＯＬＥＤにおいて用いられる層のいくつかは、電荷キャリア輸送の効率を高めるために表面処理されていることが可能である。上述の各層の材料の選択は、好ましくは、高い効率及び寿命を有するＯＬＥＤを得ることによって決定される。

【0175】

本発明による有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤは、当業者に公知の方法によって製造することができる。一般に、本発明によるＯＬＥＤは、好適な基板上で個々の層を連続的に蒸着させることによって製造することができる。好適な基板は、例えば、ガラス、無機半導体又はポリマー膜である。蒸着のために、慣例的な技法、例えば熱蒸発、化学蒸着法（ＣＶＤ）、物理蒸着法（ＰＶＤ）その他を用いることが可能である。選択的なプロセスにおいては、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤの有機層を、好適な溶媒中での溶液又は分散液から、当業者に公知のコーティング技法を用いて塗布することができる。

【0176】

本発明によるＯＬＥＤにおける正孔と電子の再結合領域が陰極に相対する位置ひいてはＯＬＥＤの発光スペクトルは、数ある因子の中でも、それぞれの層の相対厚さによって影響を及ぼされ得る。つまり、電子輸送層の厚みは、好ましくは、再結合領域の位置がダイオードの光共振器特性ひいては発光体の発光波長に合わせられるように選択されるべきである。ＯＬＥＤにおける個々の層の層厚の比は、用いられる材料に依存する。用いられる追加的な層の層厚は、当業者に公知である。電子伝導性層及び／又は正孔伝導性は、それらが電気的にドープされる場合、規定される層厚より大きい厚みを有することが可能である。

【0177】

式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有する少なくとも１つのＩｒ金属−カルベン錯体の、正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料としての使用、好ましくは、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有する少なくとも１つのＩｒ金属−カルベン錯体の、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤの正孔輸送層における正孔輸送材料としての使用、並びに／又は式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有する少なくとも１つのＩｒ金属−カルベン錯体の、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤの電子遮断層における電子／励起子ブロッカー材料としての使用が、高い効率及び／又は高い安定性並びに長期寿命を有する有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤｓを得ることを可能にする。

【0178】

それゆえ、本発明は、更なる態様においては、本出願の明細書中で定義される、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体の、正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料としての使用に関する。式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有する好ましいＩｒ金属−カルベン錯体、並びに好ましい正孔輸送材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料は、前で言及している。式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体の好ましい使用も、上で言及している。

【0179】

有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤｓは、エレクトロルミネセンスが役立てられるあらゆる装置において用いることができる。好適なデバイスは、好ましくは、定置式の視覚ディスプレイユニット、例えばコンピューター、テレビの視覚ディスプレイユニット、プリンター、キッチン家電、広告パネル、情報パネル及び照明における視覚ディスプレイユニット；可搬式の視覚ディスプレイユニット、例えばスマートフォン、セルラーフォン、タブレットコンピューター、ラップトップ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤー、ビークル、キーボード並びにバス及び列車の行先表示器における視覚ディスプレイユニット；照明ユニット；衣料品におけるユニット；家具におけるユニット及び壁紙におけるユニットから成る群から選択される。

【0180】

それゆえ、本発明はさらに、本発明による少なくとも１つの有機電子デバイス、好ましくは少なくとも１つのＯＬＥＤを有するか、又は本発明による少なくとも１つの正孔輸送層若しくは少なくとも１つの電子／励起子遮断層を有する、定置式の視覚ディスプレイユニット、例えばコンピューター、テレビの視覚ディスプレイユニット、プリンター、キッチン家電、広告パネル、情報パネル及び照明における視覚ディスプレイユニット；可搬式の視覚ディスプレイユニット、例えばスマートフォン、セルラーフォン、タブレットコンピューター、ラップトップ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレーヤー、ビークル、キーボード並びにバス及び列車の行先表示器における視覚ディスプレイユニット；照明ユニット；衣料品におけるユニット；家具におけるユニット及び壁紙におけるユニットから成る群から選択される装置に関する。

【0181】

更なる態様においては、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、白色ＯＬＥＤｓにおいて用いることができる。

【0182】

さらに、ＯＬＥＤｓは、少なくとも１つの第二の発光層を有する。ＯＬＥＤｓの全体的な発光は、少なくとも２つの発光層の発光から構成されており、かつ例えばＥＰ１３１６０１９８．１の中で記載される白色光も有することができる。

【0183】

加えて、式（Ｉ）及び／又は（Ｉ’）で示される１つ、２つ又は３つの、好ましくは３つの二座配位子を有するＩｒ金属−カルベン錯体は、逆構造を有するＯＬＥＤｓにおいて用いることができる。逆ＯＬＥＤｓの構造及びその中で典型的に用いられる材料は、当業者に公知である。

【0184】

２つのＯＬＥＤｓ又は３つ以上のＯＬＥＤｓを積み重ねることも可能である（“積層デバイス構造”）。通常、これらのデバイスには、層間に介在する透明な電荷生成層、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、Ｖ₂Ｏ₅又は有機ｐ−ｎ接合体が用いられる。

【0185】

通常、積層ＯＬＥＤ（ＳＯＬＥＤ）は、少なくとも２つの個々の部分素子を含む。

【0186】

それぞれの部分素子は、少なくとも３つの層を有する：電子輸送層、発光体層及び正孔輸送層。追加的な層を、部分素子に添加してもよい。それぞれのＳＯＬＥＤ部分素子は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子／励起子遮断層、発光体層、正孔／励起子遮断層、電子輸送層、電子注入層を含んでよい。それぞれのＳＯＬＥＤ部分素子は、同じ層構造又は他の部分素子とは異なる層構造を有してよい。

【0187】

好適なＳＯＬＥＤ構造は、当業者に公知である。

【0188】

以下の例は、説明のためだけに含めており、かつ特許請求の範囲を制限するものではない。特に明記しない限り、すべての部及びパーセンテージは質量による。

【0189】

適用例
ＢＥ−１２の合成

【化40】

５，６，７，８，−テトラヒドロキノキサリン−２−オールの合成。グリシンアミド塩酸塩３３．２ｇ（０．３０モル）を、窒素下でメタノール１２０ｍｌ中に懸濁して、−３０℃より低い温度に冷却する。１，２−シクロヘキサンジオン３３．６ｇ（０．３０モルを、メタノール１２０ｍｌ中に溶解し、氷浴温度に冷却して懸濁液に添加する。結果生じる白色の懸濁液を、ゆっくりと１２．５ＮのＮａＯＨ６０ｍｌにより、−３０℃より低い温度で処理する。添加後、温度をゆっくりと室温まで上昇させ、濃縮ＨＣｌ４０ｍｌにより処理した後に、炭酸水素ナトリウム１１ｇを添加する。結果生じるベージュ色の懸濁液をろ過して、固形分を水で洗浄して、さらに水２００ｍｌ中で３回攪拌する。固形分を乾燥させて、さらにエタノール２ｌから再結晶化させた後に真空下で乾燥させることで、標題の生成物がオフホワイトの固形分として生じる（収率：２４ｇ（５４％））。¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ）：・＝１．７８〜１．９２（ｍ，４Ｈ），２．６１〜２．７３（ｍ，４Ｈ），７．８８（ｓ，１Ｈ）。

【0190】

【化41】

３−ブロモ−５，６，７，８，−テトラヒドロキノキサリン−２−オールの合成。５，６，７，８−テトラヒドロキノキサリン−２−オール３０．０ｇ（０．２０モル）を、窒素下でクロロホルム３００ｍｌ及びピリジン１６．６ｇ（０．２１モル）中に懸濁する。臭素３２ｇ（０．２０モル）を、ゆっくりと１時間のあいだ最大温度−４℃で添加する。黄色の懸濁液をさらに撹拌して、温度をゆっくりと０℃に上昇させる。黄色の溶液を水で希釈して、ジクロロメタン５００ｍｌで抽出を行った。有機層をさらに水２００ｍｌで４回抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥させることで、透明な帯黄色の溶液がもたらされる。シクロヘキサン６００ｍｌでの希釈により、白色の沈殿物が生じる。懸濁液をろ過し、固形分をさらにシクロヘキサン１００ｍｌで洗浄して真空下で乾燥させることで、標題の生成物が白色の固形分として生じる（収率：４５．８ｇ（７５％））。¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ）：・＝１．７８〜１．９０（ｍ，４Ｈ），２．５４〜２．７０（ｍ，４Ｈ）。

【0191】

【化42】

２，３−ジクロロ−５，６，７，８，−テトラヒドロキノキサリンの合成。３−ブロモ−５，６，７，８−テトラヒドロキノキサリン−２−オール２１．９ｇ（９５．６ミリモル）を、室温にて窒素下でＰＯＣｌ₃１２４．６ｇ（０．８１モル）中に懸濁した後に、トリメチルアンモニウムクロリド４５．７ｇ（０．４８モル）を添加する。懸濁液を還流下で２時間加熱する。ベージュ色の薄く混濁した懸濁液を５０℃に冷却して水５００ｍｌを注ぎ込む。混合物をさらに１５分のあいだ撹拌した後に、ろ過して固形分を大量の水により引き続き洗浄する。固形分を真空下で乾燥させて低温エタノールから再結晶化させることで、標題の生成物がオフホワイトの固形分として生じる（収率：１０．２ｇ（５３％））。融点：９３〜９４℃。¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＭｅＯＤ）：・＝１．８９−１．９９（ｍ，４Ｈ），２．８７−２．９６（ｍ，４Ｈ）。

【0192】

【化43】

Ｎ２，Ｎ３−ジフェニル−５，６，７，８，−テトラヒドロキノキサリン−２，３−ジアミンの合成。２，３−ジクロロ−５，６，７，８−テトラヒドロキノキサリン２８．４ｇ（０．１４モル）を、窒素下でアニリン２６０ｇ（２．８モル）中に懸濁して、混合物を１４８℃で６時間加熱する。メタノール２５０ｍｌを添加して、この混合物を１０℃に冷却することでこの温度で結晶化が始まった。混合物をさらに５℃で１５分のあいだ撹拌した後に、ろ過、メタノールによる洗浄及び乾燥を行う。固形分をヘキサン１２０ｍｌ中で２回撹拌し、ヘキサン１００ｍｌで２回洗浄し、ろ過して真空下で乾燥させる。固形分をエタノール２００モルから再結晶化させることで、標題の生成物がオフホワイトの固形分として生じる（収率：３６．１ｇ（８２％））。融点：１４５〜１４６℃。¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ₆−ＤＭＳＯ）：・＝１．７４−１．８４（ｍ，４Ｈ），２．６０−２．７０（ｍ，４Ｈ），６．９３（ｔ，２Ｈ），７．２９（ｄ，４Ｈ），８．３４（ｂｒ．ｓ，２Ｈ）。

【0193】

【化44】

２−エトキシ−１，３−ジフェニル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２Ｈ−イミダゾ［４，５，ｂ］キノキサリンの合成。Ｎ２，Ｎ３−ジフェニル−５，６，７，８−テトラヒドロキノキサリン−２，３−ジアミン１５．８ｇ（０．０５モル）を、窒素下でオルトギ酸トリエチル１４８．２ｇ（１．０モル）中に懸濁して１２０℃まで加熱する。加熱を２７時間継続させた後にオルトギ酸トリエチル５０ｇを添加して、同じ温度で４時間継続して撹拌することで、赤茶色の懸濁液がもたらされる。この懸濁液をろ過して、残留するろ液を真空下で濃縮することで、茶色がかった油(brownish oil)１９．６ｇが生じる。この油を高温エタノール中で撹拌し、冷却して、さらに氷浴中で１時間のあいだ撹拌する。固形分をろ過分離して、さらに低温エタノール４０ｍｌで洗浄することで、標題の生成物がライトベージュの固形分として生じる（収率：１４．５ｇ（７８％））。¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ₆−ＤＭＳＯ）：・＝０．９０（ｔ，３Ｈ），１．８１（ｂｒ．ｍ，４Ｈ），２．７１（ｂｒ．Ｍ．４Ｈ），３．１５（ｑ，２Ｈ），７．１６（ｔ，２Ｈ），７，４６（ｔ，４Ｈ），７．６８（ｓ，１Ｈ），８．０８（ｄ，４Ｈ）。

【0194】

【化45】

ＢＥ−１２の合成。２−エトキシ−１，３−ジフェニル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２Ｈ−イミダゾ［４，５，ｂ］キノキサリン９．００ｇ（２４．２ミリモル）及びクロロ（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー２．０３ｇ（３．０ミリモル）を、アルゴン下でｏ−キシレン９０ｍｌ中に懸濁する。懸濁液を４回真空引きしてアルゴン置換した後に、４時間のあいだ１３２℃で加熱する。茶色の溶液をトルエン１５０ｍｌで希釈した後に、ろ過及びトルエン５０ｍｌによる洗浄を行う。固形分をトルエン３０ｍｌ中で撹拌した後に、エタノール３０ｍｌで３回撹拌する。トルエン及びエタノール中での撹拌を２回繰り返した後に、撹拌及びヘキサンによる洗浄を行うことで、黄色の固形分がもたらされる。この固形分を７：３のトルエン／２−ブタノン混合物１５０ｍｌから再結晶化させて同じ溶媒混合物で洗浄した後に、エタノール洗浄及び真空下での乾燥を行うことで、標題の生成物が黄色の固形分として生じる（収率：４．１ｇ（５８％））。¹Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ₂Ｃｌ₂）：・＝１．９８（ｍ，１２Ｈ），２．６８〜２．８０（ｍ，３Ｈ），２．８２〜２．９２（ｍ，３Ｈ），３．０８〜３．２８（ｍ，６Ｈ），６．４１〜７．２１（ｍ，２４Ｈ），８．７９（ｄ，３Ｈ）。

【0195】

ＩＩａ及びＩＩ’’ａの合成
ＩＩａの合成は、ＷＯ２０１２１７２４８２に記載されている。カラムクロマトグラフィーによる粗反応混合物の分離により、２つの主異性体ＩＩａ及びＩＩ’’ａが純粋な形で生まれる。ＷＯ２０１２１７２４８２の中で記載される異性化の結果、９０：１０のＩＩａ及びＩＩ’’ａの混合物が得られ、これは混合物として用いられるか又はカラムクロマトグラフィーによって分離されることもできる。純粋な異性体に加えてこれらの異性体の混合物のデバイスデータを、以下で示す。

【0196】

ダイオードの例
陽極として用いられるＩＴＯ基板を、まず初めに、ＬＣＤ製造用の市販の洗浄剤（Ｄｅｃｏｎｅｘ（登録商標）２０ＮＳ、及び２５ＯＲＧＡＮ−ＡＣＩＤ（登録商標）中和剤）を使って、それから超音波浴にてアセトン／イソプロパノール混合物中で洗浄する。想定される有機残留物を除去するために、基板をさらに２５分間、オゾン炉内で連続的なオゾン流にさらす。この処理は、ＩＴＯの正孔注入特性も改善する。次に、正孔注入層ＰｌｅｘｃｏｒｅＡＪ２０−１０００を、溶液からスピンコートする。
その後、以下で規定される有機材料を、洗浄された基板に、約１０^-7〜１０^-9ｍｂａｒにて大体０．５〜５ｎｍ／分の速度で蒸着によって塗布する。

【0197】

言及されるすべての比は、質量比である。

【0198】

デバイスの電圧（Ｖ）、効率（Ｉｍ／Ｗ）及び外部量子効率（ＥＱＥ）（％）は、３００ｃｄ／ｃｍ²で測定したのに対して、比較適用例のデバイスの寿命の測定値は１００に定めている。

【0199】

ＩＩｒ（ＤＰＢＩＣ）₃を電子／励起子遮断層として；電子／励起子遮断層として及びコホストとして並びに電子／励起子遮断層としてかつ正孔輸送層に含むデバイスと、化合物ＩＩａを電子／励起子遮断層として；電子／励起子遮断層として及びコホストとして並びに電子／励起子遮断層としてかつ正孔輸送層に含むデバイスとの、外部量子効率（ＥＱＥ）の比較

【0200】

デバイス１：電子／励起子遮断層としての化合物ＩＩａ並びに電子／励起子遮断として及びコホストとしての化合物ＩＩａ

【表1】

【0201】

デバイス２：電子／励起子遮断層としてかつ正孔輸送層における式ＩＩａの化合物（異性体混合物）

【表2】

【0202】

ＩＩＩｒ（ＤＰＢＩＣ）₃を電子／励起子遮断層として；電子／励起子遮断層として及びコホストとして並びに電子／励起子遮断層としてかつ正孔輸送層に含むデバイスと、化合物ＩＩａ若しくは化合物ＩＩ’’ａを電子／励起子遮断層として；電子／励起子遮断層として及びコホストとして並びに電子／励起子遮断層としてかつ正孔輸送層に含むデバイスとの、外部量子効率（ＥＱＥ）及び寿命（ＬＴ₅₀）の比較

【0203】

デバイス３：電子／励起子遮断層としての化合物ＩＩａ（異性体混合物）

【表3】