特許 6382001 チップ電子部品及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6382001

(24)【登録日】2018年8月10日

(45)【発行日】2018年8月29日

(54)【発明の名称】チップ電子部品及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01F 41/04 20060101AFI20180820BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20180820BHJP

   H01F 17/04 20060101ALI20180820BHJP

   H01F 41/02 20060101ALI20180820BHJP

【ＦＩ】

   H01F41/04 C

   H01F17/00 B

   H01F17/04 F

   H01F41/02 D

【請求項の数】8

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2014-143031(P2014-143031)

(22)【出願日】2014年7月11日

(65)【公開番号】特開2015-216336(P2015-216336A)

(43)【公開日】2015年12月3日

【審査請求日】2015年12月15日

(31)【優先権主張番号】10-2014-0054423

(32)【優先日】2014年5月7日

(33)【優先権主張国】KR

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100088605

【弁理士】

【氏名又は名称】加藤 公延

(72)【発明者】

【氏名】ジョン・ドン・ジン

(72)【発明者】

【氏名】イ・キョン・ソプ

(72)【発明者】

【氏名】チェ・ヨン・ウン

【審査官】 右田 勝則

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１４−０２２７２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０２−３１０９０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０１−３１３９０８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０４９７５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−２０１３７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−００９９８５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｆ ４１／０４

Ｈ０１Ｆ １７／００

Ｈ０１Ｆ １７／０４

Ｈ０１Ｆ ４１／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１容量決定部の少なくとも一面にコイル導体を形成し、前記第１容量決定部の中央に貫通孔を形成する段階と、
前記コイル導体を被覆する第２容量決定部を形成する段階と、
前記コイル導体の上部及び下部に磁性体層を積層及び圧着することにより、前記コイル導体の内部に内部コア部が備えられた磁性体本体を形成する段階と、
前記磁性体本体の少なくとも一面に、前記コイル導体と接続されるように外部電極を形成する段階と、を含み、
前記第１容量決定部の中央に形成される前記貫通孔の面積を調節することにより前記内部コア部の体積を調節し、前記第２容量決定部の前記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆厚さを調節することにより前記内部コア部の体積を調節する、チップ電子部品の製造方法。

【請求項2】

前記内部コア部は磁性体で充填され、前記内部コア部の体積を調節することにより、前記コイル導体の内部に充填された磁性体の体積を調節する、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。

【請求項3】

前記第２容量決定部は、前記コイル導体の上部を被覆する上部被覆厚さと、前記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆厚さと、が異なるように形成する、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。

【請求項4】

前記第２容量決定部は、前記コイル導体の上部を被覆する上部被覆厚さをａ、前記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆厚さをｂとしたとき、０．０１≦ａ／ｂ≦５０を満たすように形成する、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。

【請求項5】

前記第２容量決定部は、前記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆部を含み、前記内部コア部側被覆部の最上部の被覆厚さと、最下部の被覆厚さと、が異なるように形成する、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。

【請求項6】

前記第２容量決定部は、前記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆部を含み、前記内部コア部側被覆部は、下部から上部に向かって被覆厚さが次第に厚くなるように形成する、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。

【請求項7】

前記第２容量決定部は、前記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆部を含み、前記内部コア部側被覆部の最下部の被覆厚さをｃ、前記内部コア部側被覆部の最上部の被覆厚さをｄとしたとき、０．０１≦ｃ／ｄ≦５０を満たすように形成する、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。

【請求項8】

前記第２容量決定部は、前記コイル導体の内部コア部側の被覆厚さが１０μｍ〜２００μｍを満たすように形成する、請求項１に記載のチップ電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チップ電子部品及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

チップ電子部品の一つであるインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、コイル導体で誘導された磁束が通るコイル導体内部の磁路面積によってインダクタンスが変わる。

【0003】

従来の積層型インダクタは、複数の磁性体シート上にコイル形態の導体パターンを形成し、導体パターンが形成された複数の磁性体シートを積層した構造を有する。上記導体パターンは、各磁性体シートに形成されたビア電極を介して順に接続され、積層方向に沿って重なって螺旋構造のコイルをなす。この際、積層型インダクタの場合、導体パターンを異ならせることにより、コイル導体内部の磁路面積を調節した。

【0004】

また、従来の巻線型インダクタは、磁性体コア（ｃｏｒｅ）にコイルを巻回した構造であって、磁性体コアのサイズを調整することで内部の磁路面積を調節し、インダクタンスを調節した。

【0005】

なお、薄膜型インダクタは、絶縁基板上にコイル形態の導体パターンをめっきにより形成し、磁性体との接触を防止するためにコイル導体を被覆する絶縁膜を形成した後、絶縁基板の上部及び下部に磁性体シートを積層及び圧着して製造する。

【0006】

薄膜型インダクタの場合、従来は、目標とするターゲット（Ｔａｒｇｅｔ）インダクタンスを実現するために、コイル導体などの全体的な再設計が必要であった。ターゲットインダクタンスを実現するために再設計する場合、工数及びリードタイム（Ｌｅａｄ ｔｉｍｅ）が急激に増加するという問題があった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２００５−２１００１０号公報

【特許文献2】特開２００８−１６６４５５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

本発明の一実施形態は、内部コア部の体積を調節することにより、同一設計のコイル導体を有する場合にも、目標とするインダクタンス値を微細に制御することができるチップ電子部品及びその製造方法を提供することをその目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の一実施形態によると、第１容量決定部の少なくとも一面にコイル導体を形成し、上記第１容量決定部の中央に貫通孔を形成する段階と、上記コイル導体を被覆する第２容量決定部を形成する段階と、上記コイル導体の上部及び下部に磁性体層を積層及び圧着することにより、上記コイル導体の内部に内部コア部が備えられた磁性体本体を形成する段階と、上記磁性体本体の少なくとも一面に、上記コイル導体と接続されるように外部電極を形成する段階と、を含み、上記第１容量決定部の中央に形成される上記貫通孔の面積を調節することにより上記内部コア部の体積を調節し、上記第２容量決定部の上記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆厚さを調節することにより上記内部コア部の体積を調節する、チップ電子部品の製造方法が提供される。

【0010】

上記内部コア部は磁性体で充填され、上記内部コア部の体積を調節することにより、上記コイル導体の内部に充填された磁性体の体積を調節することができる。

【0011】

上記第２容量決定部は、上記コイル導体の上部を被覆する上部被覆厚さと、上記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆厚さと、が異なるように形成することができる。

【0012】

上記第２容量決定部は、上記コイル導体の上部を被覆する上部被覆厚さをａ、上記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆厚さをｂとしたとき、０．０１≦ａ／ｂ≦５０を満たすように形成することができる。

【0013】

上記第２容量決定部は、上記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆部を含み、上記内部コア部側被覆部の最上部の被覆厚さと、最下部の被覆厚さと、が異なるように形成することができる。

【0014】

上記第２容量決定部は、上記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆部を含み、上記内部コア部側被覆部は、下部から上部に向かって被覆厚さが次第に厚くなるように形成することができる。

【0015】

上記第２容量決定部は、上記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆部を含み、上記内部コア部側被覆部の最下部の被覆厚さをｃ、上記内部コア部側被覆部の最上部の被覆厚さをｄとしたとき、０．０１≦ｃ／ｄ≦５０を満たすように形成することができる。

【0016】

上記第２容量決定部は、上記コイル導体の内部コア部側の被覆厚さが１０μｍ〜２００μｍを満たすように形成することができる。

【0017】

本発明の他の実施形態によると、コイル導体、及び上記コイル導体の内側に存在する内部コア部を有する磁性体本体と、少なくとも一面に上記コイル導体が配置され、中央に貫通孔が備えられ、上記内部コア部の体積を決定する第１容量決定部と、上記コイル導体を被覆し、上記内部コア部の体積を決定する第２容量決定部と、上記磁性体本体の少なくとも一面に配置され、上記コイル導体と接続される外部電極と、を含み、上記第１容量決定部は上記貫通孔の面積に応じて上記内部コア部の体積を決定し、上記第２容量決定部は上記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆厚さに応じて上記内部コア部の体積を決定する、チップ電子部品が提供される。

【0018】

上記内部コア部は磁性体で充填され、上記内部コア部の体積に応じて上記コイル導体の内部に充填された磁性体の体積が決定されることができる。

【0019】

上記第２容量決定部は、上記コイル導体の上部を被覆する上部被覆厚さと、上記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆厚さと、が異なるように備えられることができる。

【0020】

上記第２容量決定部は、上記コイル導体の上部を被覆する上部被覆厚さをａ、上記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆厚さをｂとしたとき、０．０１≦ａ／ｂ≦５０を満たすことができる。

【0021】

上記第２容量決定部は、上記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆部を含み、上記内部コア部側被覆部の最上部の被覆厚さと、最下部の被覆厚さと、が異なるように備えられることができる。

【0022】

上記第２容量決定部は、上記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆部を含み、上記内部コア部側被覆部は、下部から上部に向かって被覆厚さが次第に厚くなるように形成されることができる。

【0023】

上記第２容量決定部は、上記コイル導体の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆部を含み、上記内部コア部側被覆部の最下部の被覆厚さをｃ、上記内部コア部側被覆部の最上部の被覆厚さをｄとしたとき、０．０１≦ｃ／ｄ≦５０を満たすことができる。

【0024】

上記第２容量決定部は、上記コイル導体の内部コア部側の被覆厚さが１０μｍ〜２００μｍを満たすように備えられることができる。

【発明の効果】

【0025】

本発明の一実施形態のチップ電子部品及びその製造方法によると、内部コア部の体積を調節することにより、同一設計のコイル導体を有する場合にも、目標とするインダクタンス値を微細に制御することができる。

【0026】

これにより、目標インダクタンスを実現するための再設計工数を減少させ、生産性を最大限にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本発明の一実施形態によるチップ電子部品のコイル導体が現れるように示した概略斜視図である。

【図2a】図１のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。

【図2b】図２ａの本発明の一実施形態によるチップ電子部品の概略平面図である。

【図3a】本発明の一実施形態によるチップ電子部品のＬＴ方向の断面図である。

【図3b】図３ａの本発明の一実施形態によるチップ電子部品の概略平面図である。

【図4】本発明の他の一実施形態によるチップ電子部品のＬＴ方向の断面図である。

【図5】本発明の他の一実施形態によるチップ電子部品のＬＴ方向の断面図である。

【図6】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を示した工程図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。

【0029】

チップ電子部品
以下、本発明の一実施形態によるチップ電子部品を説明するにあたり、特に薄膜型インダクタを例として説明するが、これに制限されるものではない。

【0030】

図１は本発明の一実施形態によるチップ電子部品のコイル導体が現れるように示した概略斜視図である。

【0031】

図１を参照すると、チップ電子部品の一例として、電源供給回路の電源ラインに用いられる薄膜型インダクタ１００が開示される。上記チップ電子部品は、チップインダクタの他にも、チップビーズ（ｃｈｉｐ ｂｅａｄ）、チップフィルタ（ｃｈｉｐ ｆｉｌｔｅｒ）などに適切に応用されることができる。

【0032】

上記薄膜型インダクタ１００は、コイル導体４０が埋め込まれた磁性体本体５０と、上記コイル導体４０と接続されるように磁性体本体５０の両端面に配置された外部電極８０と、を含むことができる。

【0033】

磁性体本体５０は、薄膜型インダクタ１００の外観をなし、磁気特性を示す材料であれば制限されないが、例えば、フェライトまたは金属系軟磁性材料が充填されて形成されることができる。

【0034】

上記フェライトとしては、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ系フェライト、Ｌｉ系フェライトなどの公知のフェライトを用いることができる。

【0035】

また、上記金属系軟磁性材料としては、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、及びＮｉからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含む合金を用いることができる。例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系非晶質金属粒子を用いることができるが、これに制限されるものではない。

【0036】

上記金属系軟磁性材料の粒子直径は０．１μｍ〜３０μｍであり、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの高分子上に分散された形態に含まれることができる。

【0037】

磁性体本体５０は六面体形状であることができる。本発明の実施形態を明確に説明するために六面体の方向を定義すると、図１に示されたＬ、Ｗ、及びＴは、それぞれ長さ方向、幅方向、厚さ方向を示す。

【0038】

コイル導体４０の内部には、フェライトまたは金属系軟磁性材料などの磁性体で充填された内部コア部５５が存在することができる。磁性体で充填された内部コア部５５を備えることにより、インダクタンス（Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ、Ｌｓ）を向上させることができる。

【0039】

上記コイル導体４０は、第１容量決定部２０の少なくとも一面に配置されることができる。

【0040】

第１容量決定部２０は、対向する第１面及び第２面を含み、上記第１面上にコイル形状のパターンを有する第１コイル導体４１が配置され、上記第２面上にコイル形状のパターンを有する第２コイル導体４２が配置されることができる。

【0041】

上記第１及び第２コイル導体４１、４２は、スパイラル（ｓｐｉｒａｌ）形状のパターンに形成されることができる。また、第１コイル導体４１と第２コイル導体４２とは、上記第１容量決定部２０に形成されたビア電極（不図示）を介して電気的に連結されることができる。

【0042】

上記コイル導体４０及びビア電極は、電気伝導性に優れた金属を含有して形成されることができる。例えば、上記コイル導体４０及びビア電極は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、またはこれらの合金などで形成されることができる。

【0043】

上記第１容量決定部２０は、第１及び第２コイル導体４１、４２を支持し、且つ絶縁させることができるものであれば特に制限されないが、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板、または金属系軟磁性基板などで形成されることができる。

【0044】

図２ａは図１のＩ−Ｉ’線に沿った断面図であり、図２ｂは図２ａの本発明の一実施形態によるチップ電子部品の概略平面図であり、図３ａは本発明の一実施形態によるチップ電子部品のＬＴ方向の断面図であり、図３ｂは図３ａの本発明の一実施形態によるチップ電子部品の概略平面図である。

【0045】

図２ａ、図２ｂ、図３ａ、及び図３ｂを参照すると、第１容量決定部２０の中央には貫通孔７０が備えられ、上記貫通孔７０の面積に応じて上記内部コア部５５の体積が決定されることができる。

【0046】

また、上記内部コア部５５は磁性体で充填されるため、内部コア部５５の体積を調節することにより、上記コイル導体４０の内部に充填された磁性体の体積を調節することができる。

【0047】

したがって、第１容量決定部２０の貫通孔７０の面積を調節して内部コア部５５の体積を決定することにより、同一設計のコイル導体４０を有する場合にも、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）を微細に制御することができる。

【0048】

図２ａ及び図２ｂの実施形態による薄膜型インダクタ１００は、貫通孔７０の面積を大きく形成することにより、内部コア部５５の体積を増加させ、より高いインダクタンス（Ｌｓ）を実現することができる。

【0049】

一方、図３ａ及び図３ｂの実施形態による薄膜型インダクタ１００は、貫通孔７０の面積を小さく形成することにより、内部コア部５５の体積を減少させ、より低いインダクタンス（Ｌｓ）を実現することができる。

【0050】

上記貫通孔７０は、ドリル、レーザー、サンドブラスト、パンチング加工などの工程を用いることにより、所望の面積に容易に調節して形成することができる。したがって、コイル導体などを再設計しなくても、上記第１容量決定部２０の貫通孔７０の面積を容易に調節することにより、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）を微細に制御することができる。

【0051】

上記コイル導体４０は、第２容量決定部３０により被覆されることができる。

【0052】

上記第２容量決定部３０は、コイル導体４０と磁性体との接触による漏れ電流の発生を防止することができる絶縁材料であれば特に制限されないが、例えば、エポキシ系樹脂などで形成されることができる。

【0053】

第２容量決定部３０の上記コイル導体４０の内部コア部側の被覆厚さに応じて、内部コア部５５の体積が決定されることができる。

【0054】

したがって、第２容量決定部３０のコイル導体４０の内部コア部側の被覆厚さを調節して内部コア部５５の体積を決定することにより、同一設計のコイル導体４０を有する場合にも、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）を微細に制御することができる。

【0055】

図４は本発明の他の一実施形態によるチップ電子部品のＬＴ方向の断面図である。

【0056】

図４を参照すると、コイル導体４０の上部を被覆する上部被覆厚さａと、コイル導体４０の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆厚さｂと、が異なるように第２容量決定部３０を形成することにより、内部コア部５５の体積を決定することができる。

【0057】

コイル導体４０の上部被覆厚さａは、コイル導体４０が十分に絶縁される程度のみに形成し、コイル導体４０の内部コア部側被覆厚さｂを、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）に応じて調節して形成することができる。

【0058】

図４のように、コイル導体４０の上部被覆厚さａに比べてコイル導体４０の内部コア部側被覆厚さｂを厚く形成するほど、内部コア部５５の体積が減少し、より低いインダクタンス（Ｌｓ）を実現するようになる。

【0059】

上記第２容量決定部３０は、コイル導体４０の内部コア部側被覆厚さｂが１０μｍ〜２００μｍを満たすように備えられることができる。内部コア部側被覆厚さｂを１０μｍ〜２００μｍの範囲に調節することにより、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）を微細に制御することができる。

【0060】

上記第２容量決定部３０は、コイル導体４０の上部被覆厚さａ及びコイル導体４０の内部コア部側被覆厚さｂが０．０１≦ａ／ｂ≦５０を満たすように備えられることができる。ａ／ｂを０．０１〜５０の範囲に調節することにより、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）を微細に制御することができる。

【0061】

図５は本発明の他の一実施形態によるチップ電子部品のＬＴ方向の断面図である。

【0062】

図５を参照すると、第２容量決定部３０は、コイル導体４０の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆部３５を含むことができる。上記内部コア部側被覆部３５の最下部の被覆厚さｃと、最上部の被覆厚さｄと、が異なるように第２容量決定部３０を形成することにより、内部コア部５５の体積を決定することができる。

【0063】

上記内部コア部側被覆部３５は、下部から上部に向かって被覆厚さが次第に厚くなる形状を有することができる。この際、下部から上部に向かって次第に厚くなる程度を、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）に応じて調節して形成することができる。

【0064】

上記第２容量決定部３０の内部コア部側被覆部３５は、最下部の被覆厚さｃ及び最上部の被覆厚さｄが０．０１≦ｃ／ｄ≦５０を満たすように備えられることができる。ｃ／ｄを０．０１〜５０の範囲に調節することにより、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）を微細に制御することができる。

【0065】

上記第１コイル導体４１の一端部及び第２コイル導体４２の一端部は、上記磁性体本体５０の対向する両端面にそれぞれ露出することができる。また、磁性体本体５０の両端面には、磁性体本体５０の両端面に露出する上記第１及び第２コイル導体４１、４２の引出部とそれぞれ接続されるように、外部電極８０が形成されることができる。

【0066】

上記外部電極８０は、磁性体本体５０の両端面に形成され、磁性体本体５０の厚さ方向の上面及び下面、及び／または幅方向の両側面に延びて形成されることができる。

【0067】

上記外部電極８０は、電気伝導性に優れた金属を含有して形成されることができ、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、または銀（Ａｇ）などの単独またはこれらの合金などで形成されることができる。

【0068】

チップ電子部品の製造方法
図６は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造方法を示した工程図である。

【0069】

図６を参照すると、先ず、第１容量決定部２０の少なくとも一面にコイル導体４０を形成し、第１容量決定部２０の中央に貫通孔７０を形成することができる。

【0070】

上記第１容量決定部２０は、第１及び第２コイル導体４１、４２を支持し、且つ絶縁させることができるものであれば特に制限されないが、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板、または金属系軟磁性基板などで形成することができる。

【0071】

上記コイル導体４０の形成方法としては、例えば、電気めっき法が挙げられるが、これに制限されるものではない。コイル導体４０は、電気伝導性に優れた金属を含有して形成することができ、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、またはこれらの合金などを用いることができる。

【0072】

第１容量決定部２０の一部に孔を形成した後、伝導性物質を充填してビア電極（不図示）を形成することができる。第１容量決定部２０の第１面に形成した第１コイル導体４１と、第１容量決定部２０の第２面に形成した第２コイル導体４２と、が上記ビア電極を介して電気的に連結されることができる。

【0073】

第１容量決定部２０の中央に形成される貫通孔７０の面積を調節することにより、上記コイル導体４０の内部に形成される内部コア部５５の体積を調節することができる。

【0074】

また、内部コア部５５は磁性体で充填されるため、内部コア部５５の体積を調節することにより、コイル導体４０の内部に充填される磁性体の体積を調節することができる。

【0075】

したがって、第１容量決定部２０の貫通孔７０の面積を調節して内部コア部５５の体積を決定することにより、同一設計のコイル導体４０を有する場合にも、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）を微細に制御することができる。

【0076】

貫通孔７０の面積を大きく形成すると、内部コア部５５の体積が増加し、これにより、より高いインダクタンス（Ｌｓ）を実現することができるようになる。

【0077】

また、貫通孔７０の面積を小さく形成すると、内部コア部５５の体積が減少し、これにより、より低いインダクタンス（Ｌｓ）を実現することができるようになる。

【0078】

上記貫通孔７０は、ドリル、レーザー、サンドブラスト、パンチング加工などの工程を用いることにより、所望の面積に容易に調節して形成することができる。したがって、コイル導体などを再設計しなくても、容易に上記第１容量決定部２０の貫通孔７０の面積を調節することにより、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）を微細に制御することができる。

【0079】

次に、上記コイル導体４０を被覆する第２容量決定部３０を形成することができる。

【0080】

上記第２容量決定部３０は、スクリーン印刷法、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）の露光、現像を用いた工程、スプレー（ｓｐｒａｙ）塗布工程など、公知の方法で形成することができるが、これに制限されない。

【0081】

上記第２容量決定部３０は、コイル導体４０と磁性体との接触による漏れ電流の発生を防止することができる絶縁材料であれば特に制限されないが、例えば、エポキシ系樹脂などで形成することができる。

【0082】

第２容量決定部３０の上記コイル導体４０の内部コア部側被覆厚さを調節することにより、コイル導体４０の内部に形成される内部コア部５５の体積を調節することができる。

【0083】

したがって、第２容量決定部３０の内部コア部側の被覆厚さを調節して内部コア部５５の体積を調節することにより、同一設計のコイル導体４０を有する場合にも、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）を微細に制御することができる。

【0084】

コイル導体４０の上部を被覆する上部被覆厚さａと、コイル導体４０の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆厚さｂと、が異なるように第２容量決定部３０を形成することにより、内部コア部５５の体積を調節することができる。

【0085】

コイル導体４０の上部被覆厚さａは、コイル導体４０が十分に絶縁される程度のみに形成し、コイル導体４０の内部コア部側被覆厚さｂを、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）に応じて調節して形成することができる。

【0086】

コイル導体４０の上部被覆厚さａに比べてコイル導体４０の内部コア部側被覆厚さｂを厚く形成するほど、内部コア部５５の体積が減少し、より低いインダクタンス（Ｌｓ）を実現するようになる。

【0087】

上記第２容量決定部３０は、コイル導体４０の内部コア部側被覆厚さｂが１０μｍ〜２００μｍを満たすように備えられることができる。内部コア部側被覆厚さｂを１０μｍ〜２００μｍの範囲に調節することにより、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）を微細に制御することができる。

【0088】

上記第２容量決定部３０は、コイル導体４０の上部被覆厚さａ及びコイル導体４０の内部コア部側被覆厚さｂが０．０１≦ａ／ｂ≦５０を満たすように備えられることができる。ａ／ｂを０．０１〜５０の範囲に調節することにより、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）を微細に制御することができる。

【0089】

第２容量決定部３０は、コイル導体４０の内部コア部側を被覆する内部コア部側被覆部３５を含むことができる。上記内部コア部側被覆部３５の最下部の被覆厚さｃと、最上部の被覆厚さｄと、が異なるように第２容量決定部３０を形成することにより、内部コア部５５の体積を調節することができる。

【0090】

上記内部コア部側被覆部３５は、下部から上部に向かって被覆厚さが次第に厚くなる形状を有することができる。この際、下部から上部に向かって次第に厚くなる程度を、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）に応じて調節して形成することができる。

【0091】

上記第２容量決定部３０の内部コア部側被覆部３５は、最下部の被覆厚さｃ及び最上部の被覆厚さｄが０．０１≦ｃ／ｄ≦５０を満たすように備えられることができる。ｃ／ｄを０．０１〜５０の範囲に調節することにより、目標とするインダクタンス（Ｌｓ）を微細に制御することができる。

【0092】

その後、上記コイル導体４０が形成された第１容量決定部２０の上部及び下部に磁性体層を積層及び圧着することにより、上記コイル導体４０の内部に内部コア部５５が備えられた磁性体本体５０を形成することができる。

【0093】

磁性体層を積層し、ラミネート法や静水圧プレス法で圧着することにより、磁性体本体５０を形成することができる。

【0094】

この際、上記第１容量決定部２０の貫通孔７０の面積及び／または第２容量決定部３０の内部コア部側被覆厚さに応じて、形成される内部コア部５５の体積が調節されることができる。これにより、インダクタンス（Ｌｓ）を多様に実現することができる。

【0095】

続いて、磁性体本体５０の少なくとも一面に、上記コイル導体４０と接続されるように外部電極８０を形成することができる。

【0096】

上記第１コイル導体４１の一端部及び第２コイル導体４２の一端部は、上記磁性体本体５０の対向する両端面にそれぞれ露出することができる。また、磁性体本体５０の両端面には、磁性体本体５０の両端面に露出する上記第１及び第２コイル導体４１、４２の引出部とそれぞれ接続されるように、外部電極８０を形成することができる。

【0097】

上記外部電極８０は、電気伝導性に優れた金属を含有するペーストを用いて形成することができ、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、または銀（Ａｇ）などの単独またはこれらの合金などを含有する伝導性ペーストで形成することができる。

【0098】

外部電極８０の形成方法としては、外部電極８０の形状に応じて、印刷法だけでなくディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法などを用いて形成することができる。

【0099】

その他に、上述の本発明の一実施形態によるチップ電子部品の特徴と同一の部分についての説明は省略する。

【0100】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。

【符号の説明】

【0101】

１００ 薄膜型インダクタ
２０ 第１容量決定部
３０ 第２容量決定部
３５ 内部コア部側被覆部
４０ コイル導体
４１ 第１コイル導体
４２ 第２コイル導体
５０ 磁性体本体
５５ 内部コア部
７０ 貫通孔
８０ 外部電極

【図1】

【図2a】

【図2b】

【図3a】

【図3b】

【図4】

【図5】

【図6】