(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6386573
(24)【登録日】2018年8月17日
(45)【発行日】2018年9月5日
(54)【発明の名称】出力電力制御装置
(51)【国際特許分類】
H03G 3/30 20060101AFI20180827BHJP
【FI】
H03G3/30 B
【請求項の数】2
【全頁数】7
(21)【出願番号】特願2016-549930(P2016-549930)
(86)(22)【出願日】2015年9月14日
(86)【国際出願番号】JP2015004676
(87)【国際公開番号】WO2016047090
(87)【国際公開日】20160331
【審査請求日】2017年3月15日
(31)【優先権主張番号】特願2014-197159(P2014-197159)
(32)【優先日】2014年9月26日
(33)【優先権主張国】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】301072650
【氏名又は名称】NECスペーステクノロジー株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100109313
【弁理士】
【氏名又は名称】机 昌彦
(74)【代理人】
【識別番号】100124154
【弁理士】
【氏名又は名称】下坂 直樹
(72)【発明者】
【氏名】坂田 智
【審査官】
及川 尚人
(56)【参考文献】
【文献】
実開昭63−074817(JP,U)
【文献】
特開平01−321709(JP,A)
【文献】
特開平05−191180(JP,A)
【文献】
特開昭54−140442(JP,A)
【文献】
特開昭59−175207(JP,A)
【文献】
実開平02−126421(JP,U)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H03G 3/30
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
入力信号を電力増幅して出力する際に、出力の電力レベルを自動制御する出力電力制御装置であって、
前記入力信号を、利得制御端子に入力された制御信号に基づき増幅する増幅器と、
前記増幅器の出力を検出し、これを検出信号として出力する検波回路と、
前記検出信号が入力するツェナーダイオードを含み、前記検出信号が小さく前記ツェナーダイオードの両端にかかる電圧がツェナー電圧より小さい場合には、該検出信号の大きさに応じて前記制御信号を小さくして出力し、前記検出信号が大きく前記ツェナーダイオードの両端にかかる電圧が前記ツェナー電圧より大きい場合には、所定の最小値の前記制御信号を出力する制御回路と、
を備え、
前記制御回路は、第1バイポーラトランジスタ、第2バイポーラトランジスタ、第1抵抗、第2抵抗、第3抵抗を含み、
前記第1バイポーラトランジスタのコレクタが接地され、ベースが前記ツェナーダイオードのカソードに接続され、コレクタが第1抵抗を介して前記ベースに接続され、かつ、
前記第2バイポーラトランジスタのコレクタが電源に接続され、ベースが第2抵抗を介して前記第1バイポーラトランジスタのエミッタに接続され、コレクタが前記増幅器の前記利得制御端子に接続されていることを特徴とする出力電力制御装置。
【請求項2】
請求項1に記載の出力電力制御装置であって、
前記増幅器は、電界効果トランジスタからなり、前記利得制御端子が前記電界効果トランジスタのドレイン端子に接続されていることを特徴とする出力電力制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、出力電力制御装置に関する。
【背景技術】
【0002】
今日、出力電力を自動制御する機能を備えた高周波電力増幅回路が組み込まれた、自動車電話機、携帯電話機等の電子機器が増えている。
【0003】
例えば、特開2001−102881号公報等には、
図2に示すような構成が開示されている。この構成では、高周波電力増幅器114の出力端子102からの出力信号(Pout)はカプラ115、フィルタ116を通ってアンテナ117から電波として放射される。このとき、出力信号はカプラ115により検出される。そして、検出された信号は、検波器118で検波されて送信電力制御回路119に入力する。一方、送信電力制御回路119には基準電圧Vrefが入力している。そこで、送信電力制御回路119は、検波器118からの信号と、基準電圧Vrefとを比較し、その結果に基づく信号Vapcを生成して、ベースバイアス回路122を介して高周波電力増幅器114のベースに印加している。従って、高周波電力増幅器114のベース電圧は、信号Vapcに応じて変化して、高周波電力増幅器114の出力信号の電力が制御される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2001−102881号公報
【特許文献2】特開2003−17954号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記構成では、部品点数が多くなると共に、ベースバイアス回路122は2系統の電源を必要とする差動増幅器であるため、装置の大型化、重量化を招くと共に、高価になってしまう問題があった。
【0006】
そこで、本発明の主目的は、部品点数を抑制して簡単な回路構成にすることで、小型化、軽量化を実現すると共に安価な出力電力制御装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するため、入力信号を電力増幅して出力する際に、出力の電力レベルを自動制御する出力電力制御装置にかかる発明は、入力信号を、利得制御端子に入力された制御信号に基づき増幅する増幅器と、増幅器の出力を検出し、これを検出信号として出力する検波回路と、検出信号が入力するツェナーダイオードを含み、検出電圧がツェナーダイオードのツェナー電圧より小さい場合には、該検出信号の大きさに応じて制御信号を小さくして出力し、検出信号がツェナー電圧より大きい場合には、所定の最小値の制御信号を出力する制御回路と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、検出電圧がツェナーダイオードのツェナー電圧より小さい場合には、検出信号の大きさに応じて制御信号を小さくして出力し、検出信号がツェナー電圧より大きい場合には、所定の最小値の制御信号を出力するようにしたので、部品点数が少なくできると共に、簡単な回路構成で、小型化、軽量化、かつ、安価な出力電力制御装置が提供できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【
図1】本実施形態にかかる出力電力制御装置の回路図である。
【
図2】関連技術の説明に適用される無線通信装置のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本発明の実施形態を説明する。
図1は、本実施形態にかかる出力電力制御装置2の回路図である。この出力電力制御装置2は、増幅器10、検波回路20、制御回路30を備える。
【0011】
増幅器10は、入力端子10a、出力端子10b、利得制御端子10cを備えて、入力端子10aに入力した高周波信号(RF_IN)を利得制御端子10cに入力した利得信号G1に基づき増幅し、出力端子10bから高周波出力信号(RF_OUT)として出力する。以下においては、増幅器10はMOSFET(metal−oxide−semiconductor field−effect transistor)により構成されている場合を例に説明する。この場合、入力端子10aはMOSFETのゲート端子、出力端子10bはソース端子に対応させることができる。そして、利得制御端子10cは、ドレイン端子に対応させることができる。
【0012】
検波回路20は、検波部21とフィルタ部22とを備える。
【0013】
検波部21は、増幅器10の出力信号(RF_OUT)を検波する検波器21a、該検波器21aで検出された信号を半波整流するダイオード21b、このダイオード21bのアノード側を接地電位(グラウンドに接続)にする抵抗21cを備えて、検波した信号を検波信号G2として出力する。
【0014】
フィルタ部22は、抵抗22a、コンデンサ22bを備えて、検波部21からの検波信号G2を平滑化して、直流の検出信号G3として出力する。このときダイオード21bのカソードがフィルタ部22に接続されているので、検出信号G3は、正極性の信号となる。以下、検出信号G3の信号レベルをV0と記載する。
【0015】
制御回路30は、電圧レベル検出部31、利得制御部32を備える。
【0016】
電圧レベル検出部31は、抵抗31a、ツェナーダイオード31bを備える。そして、抵抗31aの一端はフィルタ回路22に接続され、他端はツェナーダイオード31bのアノードに接続されている。またツェナーダイオード31bのカソードは利得制御部32に接続されている。
【0017】
利得制御部32は、第1抵抗32a、第1バイポーラトランジスタ32b、第2抵抗32c、第3抵抗32d、第2バイポーラトランジスタ32eを備える。
【0018】
そして、第1抵抗32aは第1バイポーラトランジスタ32bのエミッタとベースとに接続され、第2抵抗32cは第1バイポーラトランジスタ32bのエミッタと第2バイポーラトランジスタ32eのベースとに接続され、第3抵抗32dは第2バイポーラトランジスタ32eのエミッタとベースとに接続されている。
【0019】
また、第1バイポーラトランジスタ32bのベースはツェナーダイオード31bに接続され、コレクタは接地され、エミッタは第2抵抗32cと第1抵抗32aとの接続点に接続されている。
【0020】
さらに、第2バイポーラトランジスタ32eのベースは第2抵抗32cと第3抵抗32dとの接続点に接続され、エミッタは第3抵抗32dと電源VDとに接続され、コレクタは増幅器10の利得制御端子10cに接続されている。
【0021】
上述したように、第1バイポーラトランジスタ32bのエミッタは、第2抵抗32c〜第3抵抗32dを介して電源(電圧をVdとする)VDに接続されると共に、ベースはツェナーダイオード31bのカソードに接続され、また第1抵抗32aを介してエミッタと接続されている。さらに、第2バイポーラトランジスタ32eのエミッタも電源VDに接続され、ベースは第3抵抗32dを介してエミッタに接続されている。
【0022】
次に、このような構成の出力電力制御装置2の動作を説明する。電圧レベル検出部31に入力した検出信号G3の信号レベルがゼロの場合(V0=0V)、第1バイポーラトランジスタ32bと第2バイポーラトランジスタ32eとのベース−エミッタ間には、所定の電圧値VFB_1,VFB_2の電圧が印加され、これにより第1バイポーラトランジスタ32b及び第2バイポーラトランジスタ32eはONする。このとき、第2バイポーラトランジスタ32eのコレクタ電流IC_2は最大となり、増幅器10の利得制御端子10cには電圧Vdが印加される(最大の利得信号)。従って、増幅器10は、最も大きな利得で電力増幅する。
【0023】
一方、検出信号G3が大きくなると(0<V0<Vz;Vzはツェナー電圧)、第1バイポーラトランジスタ32bのエミッタ−ベース間電圧VFB_1が小さくなるので、ベース電流IB_1も小さくなる。従って、第2バイポーラトランジスタ32eのベース電流IB_2が小さくなり、コレクタ電流IC_2も小さくなる。即ち、増幅器10の利得制御端子10cに印加される電圧Vdは小さくなって、増幅器10の利得も最大利得より小さくなる(利得信号が最大の利得信号より小さくなる)。
【0024】
さらに、検出信号G3がツェナーダイオード31bのツェナー電圧Vzより大きくなり(等しくなる場合を含む)(V0≧Vz)、検出信号G3とツェナー電圧Vzとの和(V0+Vz)が電源VDの電圧Vdと等しくなると(V0+Vz=Vd)、第2バイポーラトランジスタ32eのコレクタ電流IC_2は小さくなる。即ち、利得信号G1は最小となり、増幅器10の利得は最小となる。
【0025】
このような動作により、出力電力制御装置2の出力は自動制御(ALC:Automatic Level Control)されるようになる。
【0026】
なお、ALC動作時のコレクタ電流IC_2は、
IC_2=hFE_1*hFE_2*(Vd−V0−Vz−VFB_1−VFB_2)/(R2+R3) …(1)
の式1で与えられる。ここで、hFE_1及びhFE_2は第1バイポーラトランジスタ32b及び第2バイポーラトランジスタ32eの電流増幅率、VFB_1及びVFB_2は第1バイポーラトランジスタ32b及び第2バイポーラトランジスタ32eのベースエミッタ間電圧、Vzはツェナーダイオード31bのツェナー電圧、R2及びR3は第2抵抗32c及び抵抗31aの抵抗値である。
【0027】
以上説明したように、オペアンプ等の外部電源を必要とする部品を用いず、かつ、部品点数を抑制したので、簡単な回路構成で、増幅器からの出力に応じて、当該増幅器の利得を自動制御できるようになる。従って、軽量化及び低コスト化が可能になる。また、バイポーラトランジスタを用いて制御するので、高速動作が可能になり、信頼性の高い高品質な出力電力制御が可能になる。
【0028】
なお、利得制御部32をデプレッション型のMOSFETにより構成することも可能である。この場合には、検波部21におけるダイオード21bのアノードをフィルタ部22側に接続する。これにより、検出信号G3は、負極性の信号となる。そして、デプレッション型のMOSFETのベース端子を電圧レベル検出部31の出力(ツェナーダイオード31bのカソード)に接続し、ドレイン端子を電源VDに接続し、ソース端子を増幅器10のドレイン端子に接続する。これにより、上述したと同様の利得の自動制御が可能になる。
【0029】
以上、実施形態(及び実施例)を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態(及び実施例)に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【0030】
この出願は、2014年9月26日に出願された日本出願特願2014−197159を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【符号の説明】
【0031】
2 出力電力制御装置
10 増幅器
10a 入力端子
10b 出力端子
10c 利得制御端子
20 検波回路
21 検波部
21a 検波器
21b ダイオード
21c 抵抗
22 フィルタ部
22a 抵抗
22b コンデンサ
30 制御回路
31 電圧レベル検出部
31a 抵抗
31b ツェナーダイオード
32 利得制御部
32a 第1抵抗
32b 第1バイポーラトランジスタ
32c 第2抵抗
32d 第3抵抗
32e 第2バイポーラトランジスタ