特許 6386746 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6386746

(24)【登録日】2018年8月17日

(45)【発行日】2018年9月5日

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/473 20060101AFI20180827BHJP

   H01L 25/07 20060101ALI20180827BHJP

   H01L 25/18 20060101ALI20180827BHJP

   H01L 23/48 20060101ALI20180827BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20180827BHJP

   H01L 23/29 20060101ALI20180827BHJP

   H01L 23/31 20060101ALI20180827BHJP

   H01L 25/00 20060101ALI20180827BHJP

   H01L 23/36 20060101ALI20180827BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/46 Z

   H01L25/04 C

   H01L23/48 P

   H01L23/12 N

   H01L23/12 B

   H01L23/30 B

   H01L25/00 B

   H01L23/36 D

【請求項の数】16

【全頁数】22

(21)【出願番号】特願2014-35891(P2014-35891)

(22)【出願日】2014年2月26日

(65)【公開番号】特開2015-162516(P2015-162516A)

(43)【公開日】2015年9月7日

【審査請求日】2016年8月29日

(73)【特許権者】

【識別番号】507292184

【氏名又は名称】株式会社ジェイデバイス

(74)【代理人】

【識別番号】110000408

【氏名又は名称】特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ

(72)【発明者】

【氏名】宮腰 武

(72)【発明者】

【氏名】細山田 澄和

(72)【発明者】

【氏名】熊谷 欣一

(72)【発明者】

【氏名】近井 智哉

(72)【発明者】

【氏名】中村 慎吾

(72)【発明者】

【氏名】松原 寛明

(72)【発明者】

【氏名】作元 祥太朗

【審査官】 ▲吉▼澤 雅博

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００２−１９０５５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１１７４６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭６０−１７８６５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−０１４８７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−１７１９６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−０８６７３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０６−０９７３０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−２９１８２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−３０２５２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１２／０１１２１０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開昭６３−１１４１５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−０６８６０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−２２２８９０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２３／４７３

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

Ｈ０１Ｌ ２３／２９

Ｈ０１Ｌ ２３／３１

Ｈ０１Ｌ ２３／３６

Ｈ０１Ｌ ２３／４８

Ｈ０１Ｌ ２５／００

Ｈ０１Ｌ ２５／０７

Ｈ０１Ｌ ２５／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

リードフレームと、
前記リードフレーム上に配置された回路基板と、
スイッチング素子を有し、前記回路基板にバンプを介して実装されたパワーデバイスと、
前記パワーデバイスに接続された放熱部材と、
を有し、
前記放熱部材は、前記リードフレームに接続され、
前記リードフレームの前記回路基板が配置された側とは反対側は外部に露出されており、
前記パワーデバイス及び前記放熱部材は、前記パワーデバイスと前記放熱部材との間で電気的に接続され、
前記放熱部材及び前記リードフレームは、前記放熱部材と前記リードフレームとの間で電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

【請求項2】

前記リードフレーム及び前記回路基板は、前記リードフレームと前記回路基板との間で電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記パワーデバイスのソース端子は、前記リードフレームを介して、外部機器に接続される外部ソース端子に接続され、
前記パワーデバイスのドレイン端子及びゲート端子の各々は、前記回路基板に設けられた配線を介して、外部機器に接続される外部ドレイン端子及び外部ゲート端子に接続されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記回路基板は、多層配線基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記回路基板は、容量素子、抵抗素子、インダクタ素子、ダイオード素子、及びスイッチング素子を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記回路基板は、入力された入力信号に対して、前記入力信号とは異なる出力信号を出力する回路を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記リードフレーム、前記回路基板、前記パワーデバイス、及び前記放熱部材を覆う封止樹脂をさらに有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置。

【請求項8】

前記放熱部材の一部を露出するように、前記リードフレーム、前記回路基板、前記パワーデバイス、及び前記放熱部材を覆う封止樹脂をさらに有し、
前記放熱部材の前記一部の露出された表面と前記封止樹脂の表面とは、同一面であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置。

【請求項9】

前記放熱部材の一部を露出するように、前記リードフレーム、前記回路基板、前記パワーデバイス、及び前記放熱部材を覆う封止樹脂をさらに有し、
前記放熱部材の前記一部の表面及び側面は、露出されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置。

【請求項10】

前記放熱部材の前記一部の表面は、凹凸形状を有することを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体装置。

【請求項11】

前記放熱部材の前記一部に、流路が設けられていることを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体装置。

【請求項12】

前記封止樹脂は、第１樹脂と第２樹脂とを含み、
前記第１樹脂は、前記回路基板と前記パワーデバイスとの間に配置され、
前記第２樹脂は、前記第１樹脂を覆うように配置されることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか一に記載の半導体装置。

【請求項13】

前記第１樹脂の熱膨張係数は、前記第２樹脂の熱膨張係数に比べて前記バンプの熱膨張係数に近いことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。

【請求項14】

前記第１樹脂の熱伝導率は、前記第２樹脂の熱伝導率に比べて大きいことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の半導体装置。

【請求項15】

前記放熱部材は、前記パワーデバイスを基準として異なる方向に延びており、前記異なる方向において前記リードフレームに接続されることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一に記載の半導体装置。

【請求項16】

前記放熱部材は、少なくとも前記回路基板の各々の回路を覆うことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、パワーデバイスの実装技術に関する。特に、パワーデバイスで発生した熱を放出するための放熱機構に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、自動車の高性能化を実現するために、自動車用エレクトロニクスを支える半導体デバイスの一つに「パワーデバイス」が使用されている。このパワーデバイスは、自動車用エレクトロニクスの電力を制御し、例えば、ＡＢＳ（Antilock Brake System）等の油圧バルブ制御、パワーウインドウ等のモータ制御、バッテリや駆動モータの直流電圧を交流に変換するインバータなど、多くの部品に使用されている。

【0003】

現在、シリコン（Ｓｉ）半導体を用いたパワーデバイスが主流であるが、ハイブリッド車や電気自動車の発展に伴い、例えば、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）などに代表されるような、より電力損失が小さく、高温・高電圧で動作可能な次世代のパワーデバイスが要求されてきている（例えば、引用文献１）。しかし、上記の次世代のパワーデバイスは、スイッチング時の動作周波数が従来よりも高い。そのため、従来のようなワイヤボンディングによる実装では、ワイヤボンディング部におけるインダクタンス成分に起因した電気的ノイズが発生することが問題となる。最悪の場合、この電気的ノイズによってパワーデバイス自体が破壊されてしまう。

【0004】

また、特に自動車エレクトロニクス用のパワーデバイスは、使用環境によっては非常に高温になり得るエンジンルームの中で使用されることが多い。また、パワーデバイス自体も駆動時に自己発熱するため、非常に高温になる。その結果、パワーデバイスの温度は２００℃乃至２５０℃まで上昇してしまうことが想定される。パワーデバイスが高温になると、スイッチング特性に影響を及ぼすだけでなく、パワーデバイスを構成する樹脂材料を変形させてしまう。したがって、次世代のパワーデバイスは、高い放熱特性が要求される。また、エンジンルームなどの限定された空間で使用されるため、パワーデバイスの縮小化が要求されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特願２００４−３４０９１８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明は、高出力のパワーデバイスにおいて、高い放熱特性が得られる半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一実施形態に係る半導体装置は、リードフレームと、リードフレーム上に配置された回路基板と、スイッチング素子を有し、回路基板にバンプを介して実装されたパワーデバイスと、パワーデバイスに接続された金属の放熱部材と、を有する。

【0008】

また、回路基板は、多層配線基板であってもよい。

【0009】

また、回路基板は、容量素子、抵抗素子、インダクタ素子、ダイオード素子、及びスイッチング素子を有してもよい。

【0010】

また、回路基板は、入力された入力信号に対して、入力信号とは異なる出力信号を出力する回路を有してもよい。

【0011】

また、放熱部材は、リードフレームに接続されてもよい。

【0012】

また、リードフレーム、回路基板、パワーデバイス、及び放熱部材を覆う封止樹脂をさらに有してもよい。

【0013】

また、放熱部材の一部を露出するように、リードフレーム、回路基板、パワーデバイス、及び放熱部材を覆う封止樹脂をさらに有し、放熱部材の一部の露出された表面と封止樹脂の表面とは、同一面であってもよい。

【0014】

また、放熱部材の一部を露出するように、リードフレーム、回路基板、パワーデバイス、及び放熱部材を覆う封止樹脂をさらに有し、放熱部材の一部の表面及び側面は、露出されてもよい。

【0015】

また、放熱部材の一部の表面は、凹凸形状を有してもよい。

【0016】

また、放熱部材の一部に、流路が設けられてもよい。

【0017】

また、封止樹脂は、第１樹脂と第２樹脂とを含み、第１樹脂は、回路基板とパワーデバイスとの間に配置され、第２樹脂は、第１樹脂を覆うように配置されてもよい。

【0018】

また、第１樹脂の熱膨張係数は、第２樹脂の熱膨張係数に比べてバンプの熱膨張係数に近くてもよい。

【0019】

また、第１樹脂の熱伝導率は、第２樹脂の熱伝導率に比べて大きくてもよい。

【0020】

また、放熱部材は、パワーデバイスを基準として異なる方向に延びており、異なる方向においてリードフレームに接続されてもよい。

【0021】

また、放熱部材は、少なくとも回路基板の各々の回路を覆ってもよい。

【発明の効果】

【0022】

本発明に係る半導体装置によると、高出力のパワーデバイスにおいて、高い放熱特性が得られる半導体装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本発明の実施形態１に係る半導体装置の概略平面図である。

【図2】本発明の実施形態１に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。

【図3】本発明の実施形態１に係る半導体装置のパワーデバイスに含まれる横型スイッチング素子の一例の断面図である。

【図4】本発明の実施形態１に係る半導体装置のパワーデバイスに含まれる縦型スイッチング素子の一例の断面図である。

【図5】本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。

【図6】本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置の製造方法において、リードフレーム上に回路基板を実装する工程を示す断面図である。

【図7】本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置の製造方法において、回路基板上にパワーデバイスをフリップチップ法で実装する工程を示す断面図である。

【図8】本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置の製造方法において、回路基板とパワーデバイスとの間にアンダーフィル樹脂を形成する工程を示す断面図である。

【図9】本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置の製造方法において、パワーデバイスとリードフレームとを接続する金属クリップを形成する工程を示す断面図である。

【図10】本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置の製造方法において、封止樹脂を形成する工程を示す断面図である。

【図11】本発明の実施形態２に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。

【図12】本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造方法において、封止樹脂の成型金型及びリリースフィルムを準備する工程を示す断面図である。

【図13】本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造方法において、封止樹脂を成型金型に充填する工程を示す断面図である。

【図14】本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造方法において、リリースフィルムを剥離する工程を示す断面図である。

【図15】本発明の実施形態３に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。

【図16】本発明の実施形態３の変形例１に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。

【図17】本発明の実施形態３の変形例２に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。

【図18】本発明の実施形態３の変形例３に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。

【図19】本発明の実施形態３の変形例４に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。

【図20】本発明の実施形態４に係る半導体装置の概略平面図である。

【図21】本発明の実施形態４に係る半導体装置のＣ−Ｄ断面図である。

【図22】本発明の実施形態４の変形例１に係る半導体装置の概略平面図である。

【図23】本発明の実施形態４の変形例２に係る半導体装置の概略平面図である。

【図24】本発明の実施形態５に係る半導体装置の概略平面図である。

【図25】本発明の実施形態５に係る半導体装置のＥ−Ｆ断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、図面を参照して本発明に係る半導体装置について説明する。但し、本発明の半導体装置は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

【0025】

〈実施形態１〉
本発明の実施形態１に係る半導体装置の概要について、図１及び図２を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態１に係る半導体装置の概略平面図である。また、図２は、本発明の実施形態１に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。

【0026】

図１によると、半導体装置１００は、リードフレーム１１０、リードフレーム１１０上に配置された回路基板１２０、スイッチング素子を有し、回路基板１２０にバンプを介して実装されたパワーデバイス１３０、パワーデバイス１３０に接続された金属の放熱部材１４０、集積受動素子（ＩＰＤ：Integrated Passive Device）１６０、及び周辺ＩＣ（Integrated Circuit）１６５を有する。

【0027】

パワーデバイス１３０は、スイッチング素子として３端子の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）を有する。ＦＥＴの３つの端子はそれぞれソース端子、ドレイン端子、ゲート端子と呼ばれる。ＦＥＴは、ソース端子に接続されたソース電極とドレイン端子に接続されたドレイン電極との間に電圧が印加された状態で、ゲート端子に接続されたゲート電極に電圧が印加されると、ソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成されて電流を流す。ここで、ＦＥＴのソース端子は回路基板１２０の配線及びリードフレーム１１０を介して外部ソース端子１１２に接続される。ＦＥＴのドレイン端子は回路基板１２０の配線を介して回路基板１２０上に配置されたドレイン端子用パッド１２２に接続され、ドレイン端子用パッド１２２はワイヤ１２３を介して外部ドレイン端子１１４に接続される。ＦＥＴのゲート端子は回路基板１２０の配線を介して回路基板１２０上に配置されたゲート端子用パッド１２４に接続され、ゲート端子用パッド１２４はワイヤ１２５を介して外部ゲート端子１１６に接続される。

【0028】

リードフレーム１１０は、高い導電性を有し、高い放熱特性を有する材料を使用してもよい。例えば、無酸素Ｃｕ材（Ｃ１０２０）等を使用してもよい。

【0029】

回路基板１２０は、少なくとも外部ソース端子１１２、外部ドレイン端子１１４、及び外部ゲート端子１１６から供給された電圧をパワーデバイス１３０のＦＥＴのソース端子、ドレイン端子、ゲート端子に伝達するための回路を有し、多層配線基板であってもよい。また、回路基板１２０としては、有機プリント配線（ＰＷＢ：Printed Wiring Board）基板、銅回路が接合されたセラミック配線（ＤＣＢ：Direct Copper Bond）基板、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等のメタルベース配線基板、及びチップコンデンサー・チップ抵抗などを基板内に埋め込んだ部品内臓基板などを用いることができる。回路基板１２０は、単に配線で構成された回路基板であってもよく、また、容量素子、抵抗素子、インダクタ素子、ダイオード素子、及びスイッチング素子を有し、入力された入力信号に対して、入力信号とは異なる出力信号を出力する機能的な回路基板であってもよい。

【0030】

パワーデバイス１３０は、数百ボルトから数千ボルトの大きな電力を制御可能な半導体装置である。また、温度によってスイッチング特性が変動しにくい半導体装置であってもよい。例えば、自動車や家電製品等に搭載されるパワーデバイスとしては、シリコン（Ｓｉ）基板、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）基板、及びガリウムナイトライド（ＧａＮ）基板を用いたスイッチング素子を用いることができる。ここで、スイッチング素子としては、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor ＦＥＴ）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、トライアック、サイリスタ、ダイオード、及びＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）等を使用することができる。

【0031】

放熱部材１４０は、熱伝導率が高い金属材料を使用することができ、例えば銅板などを使用することができる。銅板を使用した放熱部材を金属クリップ、又は銅クリップと呼ぶことがある。また、導電性が銅よりも高いグラファイトを使用したグラファイトシートなどを使用することができる。ここで、グラファイトとは、六角形に並び網目状の面構造をした炭素原子が、層状に集まった結晶のことである。そのグラファイトをシート状に加工したものがグラファイトシートである。グラファイトシートは面方向の熱伝導率が銅の約４倍あり、高性能な放熱部材である。

【0032】

ＩＰＤ１６０は、容量素子、抵抗素子、インダクタ素子、ダイオード素子、及びスイッチング素子が集積された回路基板である。また、外部の無線装置と無線通信するために、アンテナを有していてもよい。ＩＰＤ１６０は、図１のように回路基板１２０上に別個に配置されていてもよく、また、上記のように部品内臓基板に内蔵されていてもよい。また、周辺ＩＣ１６５は、パワーデバイス１３０を制御するＬＳＩであり、パワーデバイス１３０に含まれるスイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦを制御する。

【0033】

図２によると、リードフレーム１１０と回路基板１２０とは、導電性接着部材１１８を介して接続されている。回路基板１２０とパワーデバイス１３０とは、導電性のバンプ１２８を介して接続されている。パワーデバイス１３０はフェイスダウン方式で回路基板１２０に接続される、いわゆるフリップチップ法でボンディングされる。パワーデバイス１３０と放熱部材１４０、及びリードフレーム１１０と放熱部材１４０はそれぞれ高熱伝導接着部材１３８、１３９を介して接続されている。上記のように、リードフレーム１１０、回路基板１２０、パワーデバイス１３０、及び放熱部材１４０はそれぞれ接着部材やバンプを介して接続されているが、単にそれぞれの要素が接続されている、ということもある。例えば、リードフレーム１１０と放熱部材１４０とが接続されている、ということもある。

【0034】

導電性接着部材１１８としては、はんだや焼結銀（Ａｇ）などを使用することができる。バンプ１２８としては、銅、銀、金、及びはんだなどを使用することができる。高熱伝導接着部材１３８、１３９としては、導電性接着部材としてはんだなどを使用することができ、また、絶縁性接着部材としてアルミナ等に代表される絶縁性のセラミックフィラーが配合された有機材料接着部材などを使用することができる。ここで、高熱伝導接着部材１３８、１３９は熱伝導率が高いことが要求されるが、導電性に関しては、パワーデバイス１３０のスイッチング素子の種類によって要求される場合と要求されない場合がある。詳細は後述するが、例えばスイッチング素子として縦型トランジスタが使用された場合、つまり、パワーデバイス１３０が基板の裏面（図２のＤ１方向の面）で導通を取る必要がある場合は、高熱伝導接着部材１３８、１３９ははんだなどの導電性材料を使用する必要がある。

【0035】

また、リードフレーム１１０、回路基板１２０、パワーデバイス１３０、及び放熱部材１４０を覆うように封止樹脂１５０が配置されている。封止樹脂１５０は上記の各要素を固定し、外部からの水分や不純物の混入を防止し、また、外部からの衝撃を緩和させて上記の各要素を保護する。封止樹脂１５０としては、エポキシ樹脂、シネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂などを使用することができる。

【0036】

次に、図３及び４を用いて、パワーデバイス１３０のスイッチング素子について説明する。図３は、本発明の実施形態１に係る半導体装置のパワーデバイスに含まれる横型スイッチング素子の一例の断面図である。また、図４は、本発明の実施形態１に係る半導体装置のパワーデバイスに含まれる縦型スイッチング素子の一例の断面図である。

【0037】

図３の横型スイッチング素子２００は、プレーナ型トランジスタとも呼ばれ、例えばＳｉ基板ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＮ基板ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＮ基板ＨＥＭＴなどが挙げられる。横型スイッチング素子２００の簡易的な構造は、図３に示すように、半導体基板２１０、ソース電極２２０、ドレイン電極２３０、ゲート絶縁膜２４０、及びゲート電極２５０を有する。半導体基板２１０とゲート電極２５０とはゲート絶縁膜２４０で絶縁されている。

【0038】

横型スイッチング素子は、ゲート電極２５０に電圧を印加することで、その電界によって半導体基板２１０のゲート絶縁膜２４０付近に電子が集まってチャネルを形成し、スイッチング素子がＯＮ状態となる。この状態でソース電極２２０−ドレイン電極２３０間に電圧を印加すると、その電界に従って電子が横方向に移動することで電流が流れる。このように、横型スイッチング素子では、ソース電極２２０、ドレイン電極２３０、及びゲート電極２５０は、それぞれ基板のＤ１の逆方向（表面方向）において、ソース端子２２１、ドレイン端子２３１、及びゲート端子２５１に接続される。つまり、トランジスタを駆動するための３つの端子は全て基板表面側に配置される。

【0039】

図４の縦型スイッチング素子３００は、例えばＳｉＣ基板ＭＯＳＦＥＴなどが挙げられる。縦型スイッチング素子３００の簡易的な構造は、図４に示すように、Ｎ型エピタキシャル成長層３１０、Ｐ型注入層３２０、Ｎ型注入層（ソース電極という場合もある）３２５、Ｎ型ＳｉＣ基板（ドレイン電極という場合もある）３３０、ゲート絶縁膜３４０、及びゲート電極３５０を有する。半導体基板３１０とゲート電極３５０とはゲート絶縁膜３４０で絶縁されている。また、Ｎ型注入層３２５とＰ型注入層３２０との界面はｐｎ接合が形成されている。

【0040】

縦型スイッチング素子では、Ｎ型注入層３２５とＰ型注入層３２０との界面にｐｎ接合が形成されているため、ゲート電極３５０に電圧が印加されていない状態では、Ｎ型注入層３２５からＰ型注入層３２０には電流が流れない。一方、ゲート電極３５０に電圧が印加されると、ｐｎ接合のエネルギー障壁が低くなり、Ｎ型注入層３２５からＰ型注入層３２０に電流が流れる状態（スイッチング素子がＯＮ状態）となる。この状態でＮ型注入層３２５−Ｎ型ＳｉＣ基板３３０間に電圧を印加すると、その電界に従って電子が縦方向に移動することで電流が流れる。このように、縦型スイッチング素子では、ソース電極３２５及びゲート電極３５０は、それぞれ基板のＤ１の逆方向（表面方向）において、ソース端子３２１及びゲート端子３５１に接続される。また、ドレイン電極３３０は基板のＤ１方向（裏面方向）において、ドレイン端子３３１に接続される。つまり、トランジスタを駆動するための３つの端子は、基板の表裏面側にそれぞれ配置される。

【0041】

上記のように、実施形態１に係る半導体装置によると、パワーデバイス１３０の裏面とリードフレーム１１０とが放熱部材１４０を介して接続されているため、パワーデバイス１３０に含まれるスイッチング素子の駆動によって発生した熱が、放熱部材１４０を介して効率よくリードフレーム１１０に伝達される。したがって、高出力のパワーデバイスにおいて、高い放熱特性が得られる。また、パワーデバイス１３０がフリップチップ法でバンプ１２８を介して回路基板１２０に接続されているため、ワイヤボンディングに比べて接続部におけるインダクタ成分を小さくすることができる。したがって、接続部に起因した電気ノイズを抑制することができる。また、リードフレーム１１０上に回路基板１２０を介してパワーデバイス１３０を搭載することで、半導体装置に必要な機能を有する部品を積層することができる。したがって、半導体装置を小型化することができる。

【0042】

〈実施形態１の変形例〉
本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置について、図５乃至１０を参照しながら詳細に説明する。まずは、図５を用いて、実施形態１の変形例に係る半導体装置の構造について説明する。次に、図６乃至１０を用いて、実施形態１の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、実施形態１の変形例に係る半導体装置１００の平面図は図１と同様であるので、図１を参照して説明する。

【0043】

図５は、本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。図５は、図２に類似しているが、回路基板１２０とパワーデバイス１３０との間に第１樹脂１７０が配置され、第１樹脂１７０を覆うように第２樹脂１８０が配置されている点において、図２と相違する。第１樹脂１７０は、回路基板１２０とパワーデバイス１３０とを固定するための樹脂であり、アンダーフィル樹脂とも呼ばれる。また、第２樹脂１８０は、図２における封止樹脂１５０と同じ材料が使用される。

【0044】

ここで、第１樹脂１７０の熱膨張係数は、第２樹脂１８０の熱膨張係数に比べてバンプ１２８の熱膨張係数に近くてもよい。また、第１樹脂１７０の熱伝導率は、第２樹脂１８０の熱伝導率に比べて大きくてもよい。第１樹脂１７０としては、図２の封止樹脂１５０と同じように、エポキシ樹脂、シネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂などを使用することができる。また、これらの樹脂材料に不純物を混入させて、上記のような熱膨張係数又は熱伝導率を得るように調整された樹脂材料を使用してもよい。例えば、シリカフィラーが配合されたエポキシ樹脂を使用することができる。

【0045】

上記のように、実施形態１の変形例に係る半導体装置によると、バンプ１２８を介して接続された回路基板１２０とパワーデバイス１３０との間に第１樹脂１７０を配置することで、回路基板１２０とパワーデバイス１３０との接合強度をより向上させることができる。したがって、半導体装置１００の機械的強度が向上する。ここで、例えば図２に示す構造において、バンプ１２８の熱膨張係数と封止樹脂１５０の熱膨張係数との差が大きいと、熱伸縮によって発生する応力でバンプ１２８が回路基板１２０又はパワーデバイス１３０から剥離され、回路基板１２０とパワーデバイス１３０との電気的接続が切断されてしまう場合がある。

【0046】

しかし、第１樹脂１７０が、第２樹脂１８０よりもバンプ１２８に近い熱膨張係数を有することで、熱伸縮によって発生する第２樹脂１８０とバンプ１２８との間の応力が緩和される。したがって、バンプ１２８が回路基板１２０又はパワーデバイス１３０から剥離されることを抑制することができる。また、第１樹脂１７０の熱伝導率が第２樹脂１８０の熱伝導率に比べて大きいことで、パワーデバイス１３０で発生した熱は、回路基板１２０を介してリードフレーム１１０に伝達されやすくなる。したがって、高出力のパワーデバイスにおいて、高い放熱特性が得られる。

【0047】

次に、図５に示した半導体装置の製造方法を断面図を用いて説明する。図６は、本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置の製造方法において、リードフレーム上に回路基板を実装する工程を示す断面図である。まず、リードフレーム１１０上に溶融したはんだを滴下し、固化する前に回路基板１２０を装着する。このとき、回路基板１２０の外部端子とはんだが接触するようにアライメントをとって装着する。また、はんだ以外の方法として、ナノサイズの銀の粒子が分散された溶剤を塗布し、回路基板１２０を装着した後に熱処理を行うことで固化させてもよい（焼結）。

【0048】

図７は、本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置の製造方法において、回路基板上にパワーデバイスをフリップチップ法で実装する工程を示す断面図である。図７では、パワーデバイス１３０の表面に配置された入力部（図示せず）に対応してバンプ１２８が形成され、パワーデバイス１３０がフェイスダウン、つまりパワーデバイス１３０の表面が回路基板１２０の表面と対向するように、回路基板１２０に装着される。このとき、パワーデバイス１３０は、回路基板１２０の出力部とバンプ１２８とが接触するようにアライメントをとって回路基板１２０に装着される。また、上記の方法とは異なり、回路基板１２０の表面にバンプ１２８を形成してから、回路基板１２０にパワーデバイス１３０を装着してもよい。

【0049】

図８は、本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置の製造方法において、回路基板とパワーデバイスとの間にアンダーフィル樹脂を形成する工程を示す断面図である。図８では、バンプ１２８を介して接続された回路基板１２０とパワーデバイス１３０との間にアンダーフィル樹脂として第１樹脂１７０が形成される。第１樹脂１７０は、回路基板１２０とパワーデバイス１３０との間に間隙が形成されないように、一方向から注入されてもよい。具体的には、図７に示す回路基板１２０及びパワーデバイス１３０が搭載されたリードフレーム１１０が加熱された状態で、パワーデバイス１３０の端部付近の回路基板１２０上に第１樹脂１７０が滴下される。滴下された第１樹脂１７０は、毛細管現象によって回路基板１２０とパワーデバイス１３０との間に広がる。このとき、回路基板１２０の表面が加熱されていることで、第１樹脂１７０の粘度が低下し、よりスムーズに回路基板１２０とパワーデバイス１３０との間に第１樹脂１７０を広がらせることができる。

【0050】

また、図７及び８では、バンプ１２８を介して回路基板１２０とパワーデバイス１３０とを実装し、その後に第１樹脂１７０を形成するプロセスについて例示したが、このプロセスに限定されず、回路基板１２０上に第１樹脂１７０を塗布し、その後にバンプ１２８が形成されたパワーデバイス１３０を加熱熱圧着方式により実装してもよい。また、回路基板１２０上にバンプ１２８を形成してから第１樹脂１７０を塗布し、これらに対してパワーデバイス１３０を加熱熱圧着方式により実装させてもよい。

【0051】

図９は、本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置の製造方法において、パワーデバイスとリードフレームとを接続する金属クリップを形成する工程を示す断面図である。図９では、パワーデバイス１３０の裏面及びリードフレーム１１０上に高熱伝導接着部材１３８、１３９としてはんだを滴下し、固化する前に放熱部材１４０を装着する。

【0052】

図１０は、本発明の実施形態１の変形例に係る半導体装置の製造方法において、封止樹脂を形成する工程を示す断面図である。図１０では、回路基板１２０、パワーデバイス１３０、及び放熱部材１４０が形成されたリードフレーム１１０を成型金型１８１内に設置し、成型金型１８１内に樹脂材料を流し込むことで第２樹脂１８０を形成する。図１０では、成型金型１８１を使用して第２樹脂１８０を形成したプロセスを例示したが、このプロセスに限定されず、例えば成型金型を使用せずに１回又は複数回の塗布法によって第２樹脂１８０を形成してもよい。

【0053】

上記のように、実施形態１の変形例の製造方法によると、放熱部材１４０を形成する前に、回路基板１２０とパワーデバイス１３０との間に第１樹脂１７０を形成することで、放熱部材１４０の実装工程時に回路基板１２０とパワーデバイス１３０とがずれることを抑制することができる。したがって、より安定したプロセスを供給することができ、アライメントずれによる導通不良などのない信頼性が高い半導体装置を得ることができる。

【0054】

〈実施形態２〉
本発明の実施形態２に係る半導体装置１００の概要について、図１１乃至１４を参照しながら詳細に説明する。まずは、図１１を用いて、実施形態２に係る半導体装置の構造について説明する。次に、図１２乃至１４を用いて、実施形態２に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、実施形態２に係る半導体装置１００の平面図は図１と同様であるので、図１を参照して説明する。

【0055】

図１１は、本発明の実施形態２に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。図１１は、図５と類似しているが、放熱部材１４０の一部の表面１４１が第２樹脂１８０から露出されている点において、図５とは相違する。つまり、第２樹脂１８０は、放熱部材１４０の一部を露出するように、リードフレーム１１０、回路基板１２０、パワーデバイス１３０、及び放熱部材１４０を覆っている。ここで、露出された放熱部材１４０の一部の表面１４１と第２樹脂１８０の表面とは、同一面であってもよい。

【0056】

上記のように、実施形態２に係る半導体装置によると、放熱部材１４０の一部が露出されていることで、パワーデバイス１３０で発生した熱は放熱部材１４０の露出した一部から外部に放出される。したがって、高出力のパワーデバイスにおいて、高い放熱特性が得られる。特に、パワーデバイスを含む半導体装置の実際の使用において、半導体装置１００のＤ１方向に冷却機構を設けることがある。そのような場合には、放熱部材１４０の露出した一部と冷却機構との距離を近づけることができるため、より高い放熱特性を得ることができる。また、半導体装置１００のＤ１方向の面に冷却機構を接触させる場合、露出された放熱部材１４０の一部の表面１４１と第２樹脂１８０の表面とが同一面であることで、冷却機構の不安定な接触（がたつき）を抑制することができ、半導体装置１００と外部装置の冷却機構との接触を安定させることができる。

【0057】

次に、図１１に示した半導体装置の製造方法を断面図を用いて説明する。図１２は、本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造方法において、封止樹脂の成型金型及びリリースフィルムを準備する工程を示す断面図である。図１２では、回路基板１２０、パワーデバイス１３０、及び放熱部材１４０が形成されたリードフレーム１１０を、開口部１８３が設けられた成型金型１８２内に設置する。また、成型金型１８２の上部には、放熱部材１４０の一部の表面１４１と接するようにリリースフィルム１８４を設置する。ここで、第２樹脂１８０が接着を抑制するように、リリースフィルム１８４の表面（第２樹脂１８０と接する面）に有機被膜をコーティングしてもよい。コーティングする有機被膜としては、テフロン(登録商標）樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等を使用することができる。

【0058】

図１３は、本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造方法において、封止樹脂を成型金型に充填する工程を示す断面図である。図１３では、開口部１８３を介して成型金型１８２内に樹脂材料を流し込むことで、第２樹脂１８０を形成する。このとき、空気が閉じ込められて気泡等が発生しないように、成型金型１８２及びリリースフィルム１８４の一方又は両方に通気口が設けられていてもよい。通気口は開口部１８３の逆側に設けられてもよい。また、放熱部材１４０の一部の表面１４１に第２樹脂１８０が形成されないように、放熱部材１４０の一部の表面１４１がリリースフィルム１８４と接着されていてもよい。

【0059】

図１４は、本発明の実施形態２に係る半導体装置の製造方法において、リリースフィルムを剥離する工程を示す断面図である。図１４では、成型金型１８２内に第２樹脂１８０を充填させた後に、リリースフィルム１８４を剥離する。リリースフィルム１８４の剥離は、第２樹脂１８０を硬化させた後でもよく、また、第２樹脂１８０を硬化させる前でもよい。ここで、リリースフィルム１８４の表面にコーティングされた有機被膜によって、リリースフィルム１８４を容易に剥離することができる。

【0060】

そして、図１４において、リリースフィルム１８４を剥離後に成型金型１８２から取り出すことで、図１１に示された半導体装置１００を得ることができる。

【0061】

ここで、放熱部材１４０の一部の表面１４１に第２樹脂１８０が形成されてしまう場合がある。放熱部材１４０の一部の表面１４１を確実に露出させるために、第２樹脂１８０を形成した後に、放熱部材１４０の一部の表面１４１を露出させる工程を追加してもよい。例えば、ドライエッチング、Ｏ２プラズマ処理などによって第２樹脂１８０を薄膜化してもよい。また、機械研削、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）などによって、第２樹脂１８０と放熱部材１４０との両方を削ってもよい。

【0062】

上記のように、実施形態２の製造方法によると、成型金型１８２及びリリースフィルム１８４を用いて第２樹脂１８０を形成することで、容易に放熱部材１４０の一部を露出するような第２樹脂１８０を形成することができる。したがって、より簡易的なプロセスで安価に図１１に示された半導体装置１００を製造することができる。

【0063】

〈実施形態３〉
本発明の実施形態３に係る半導体装置１００の概要について、図１５を参照しながら詳細に説明する。なお、実施形態３に係る半導体装置１００の平面図は図１と同様であるので、図１を参照して説明する。図１５は、本発明の実施形態３に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。図１５は、図１１と類似しているが、露出した放熱部材１４０の一部が第２樹脂１８０より突出している点において、図１１とは相違する。つまり、第２樹脂１８０は、放熱部材１４０の一部を露出するように、リードフレーム１１０、回路基板１２０、パワーデバイス１３０、及び放熱部材１４０を覆っている。ここで、放熱部材１４０の一部の表面及び側面は露出されている。

【0064】

図１５において、放熱部材１４０の露出した側面の厚さは、好ましくは放熱部材１４０の厚さの１／４以上であるとよい。また、より好ましくは、放熱部材１４０の露出した側面の厚さは放熱部材１４０の厚さの１／２以上であるとよい。

【0065】

また、図１５に係る半導体装置は、図１１に係る半導体装置に対して第２樹脂１８０を選択的に除去することで得られる。例えば、放熱部材１４０と第２樹脂１８０のそれぞれのエッチング速度比が大きいドライエッチングやプラズマ処理を使用することができる。

【0066】

上記のように、実施形態３に係る半導体装置によると、放熱部材１４０の一部が露出されていることで、パワーデバイス１３０で発生した熱は放熱部材１４０の露出した一部から外部に放出される。また、露出される面積が広いため、より高い放熱特性が得られる。さらに、実施形態３に係る半導体装置を水冷又は空冷する際に、露出した放熱部材１４０の一部が突出していることで、突出部付近において冷却水又は空気が対流しやすくなり、より高い冷却効果が得られる。

【0067】

〈実施形態３の変形例〉
本発明の実施形態３の変形例に係る半導体装置１００の概要について、図１６乃至１８を参照しながら詳細に説明する。図１６は、本発明の実施形態３の変形例１に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。図１７は、本発明の実施形態３の変形例２に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。図１８は、本発明の実施形態３の変形例３に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。図１９は、本発明の実施形態３の変形例４に係る半導体装置のＡ−Ｂ断面図である。

【0068】

図１６は、露出した放熱部材１４０の一部の表面１４１が粗面（梨地ともいう）である。図１６に示した放熱部材１４０の粗面は、図１５に示す半導体装置において、露出した放熱部材１４０に対してブラスト法や、やすりなどを用いた研磨法によって形成してもよい。また、始めから表面の全部または一部が粗面の材料を使用して放熱部材１４０を形成してもよい。また、図１７は、露出した放熱部材１４０の一部の表面１４１にパターン（微細形状又はテクスチャともいう）が形成されている。このパターンは、図１５に示す半導体装置において、露出した放熱部材１４０の一部の表面をフォトリソ工程及びエッチング工程によって加工することで得られる。また、始めからパターンが形成された材料を使用して放熱部材１４０を形成してもよい。

【0069】

図１６及び図１７に示す、露出した放熱部材１４０の一部の表面状態を、いずれも凹凸形状と呼んでもよい。つまり、図１６及び１７に示す半導体装置は、いずれも放熱部材１４０の一部の表面１４１が凹凸形状を有するということができる。上記のように、実施形態３の変形例１及び２によると、放熱部材１４０の一部が露出される面積が広くなるため、より高い放熱特性を得ることができる。

【0070】

図１８は、放熱部材１４０の内部に空洞の流路１４５が形成されている。この流路に冷却水又は冷却ガス（空気でもよい）を流すことで、放熱部材１４０を効率よく冷却することができる。流路１４５は、始めから放熱部材１４０に形成されていてもよく、また、図１７の放熱部材１４０の上に他の放熱部材を貼り合せることで形成されてもよい。

【0071】

図１９は、本発明の実施形態３に係る半導体装置を他の装置に取り付けた例である。放熱部材１４０の表面には凹凸形状の流路パターンが形成されている。図１９では、放熱部材１４０と他の装置の部品１９０とによって閉じられた領域に流路１４６が形成されている。図１９で示す実施形態の場合、露出した放熱部材１４０の一部の表面と第２樹脂１８０の表面が同一面であってもよい。

【0072】

図１８及び１９に示すように、放熱部材１４０が流路を有することで、流路に冷却水や冷却ガスを流すことができ、放熱部材１４０を積極的に冷却することができる。したがって、より高い放熱特性を得ることができる。

【0073】

〈実施形態４〉
本発明の実施形態４に係る半導体装置１００の概要について、図２０及び２１を参照しながら詳細に説明する。図２０は、本発明の実施形態４に係る半導体装置の概略平面図である。また、図２１は、本発明の実施形態４に係る半導体装置のＣ−Ｄ断面図である。

【0074】

図２０は、図１と類似しているが、放熱部材１４０がパワーデバイス１３０を基準として異なる２方向に延びており、その異なる２方向において、第１接続点４０１及び第２接続点４０２でリードフレーム１１０に接続される点において、図１とは相違する。図２１の断面形状を見ても分かるように、パワーデバイス１３０の裏面に接続された放熱部材１４０は第１接続点４０１及び第２接続点４０２でリードフレーム１１０に接続されている。

【0075】

上記のように、実施形態４に係る半導体装置によると、パワーデバイス１３０で発生した熱が放熱部材１４０を介して第１接続点４０１及び第２接続点４０２からリードフレームに伝達される。したがって、より高い放熱特性を得ることができる。

【0076】

〈実施形態４の変形例１〉
本発明の実施形態４の変形例１に係る半導体装置１００の概要について、図２２を参照しながら詳細に説明する。図２２は、本発明の実施形態４の変形例１に係る半導体装置の概略平面図である。

【0077】

図２２は、図２０と類似しているが、放熱部材１４０がパワーデバイス１３０を基準として異なる３方向に延びており、その異なる３方向において、第１接続点４０１、第２接続点４０２、及び第３接続点４０３でリードフレーム１１０に接続される点において、図２０とは相違する。

【0078】

上記のように、実施形態４の変形例１に係る半導体装置によると、パワーデバイス１３０で発生した熱が放熱部材１４０を介して第１接続点４０１、第２接続点４０２、及び第３接続点４０３からリードフレームに伝達される。したがって、より高い放熱特性を得ることができる。

【0079】

〈実施形態４の変形例２〉
本発明の実施形態４の変形例２に係る半導体装置１００の概要について、図２３を参照しながら詳細に説明する。図２３は、本発明の実施形態４の変形例２に係る半導体装置の概略平面図である。

【0080】

図２３は、図２０と類似しているが、放熱部材１４０がパワーデバイス１３０、ＩＰＤ１６０、及び周辺ＩＣ１６５を覆うように形成されている点において、図２０とは相違する。図２３においては、放熱部材１４０がパワーデバイス１３０、ＩＰＤ１６０、及び周辺ＩＣ１６５の全ての領域を覆う構造を例示したが、この構造に限定されず、少なくとも電磁波の影響で特製が変動する素子の一部を覆う構造であればよい。

【0081】

上記のように、実施形態４の変形例２に係る半導体装置によると、パワーデバイス１３０で発生した熱が放熱部材１４０を介して第１接続点４０１及び第２接続点４０２からリードフレームに伝達される。したがって、より高い放熱特性を得ることができる。さらに、放熱部材１４０がパワーデバイス１３０、ＩＰＤ１６０、及び周辺ＩＣ１６５を覆うため、外部からの電磁波の影響がこれらの回路の特性を変動させることを抑制することができる。したがって、環境に左右されない安定した特性を得ることができる。

【0082】

〈実施形態５〉
本発明の実施形態５に係る半導体装置１００の概要について、図２４及び２５を参照しながら詳細に説明する。図２４は、本発明の実施形態５に係る半導体装置の概略平面図である。また、図２５は、本発明の実施形態５に係る半導体装置のＥ−Ｆ断面図である。

【0083】

図２４は、図１と類似しているが、放熱部材１４０がパワーデバイス１３０上だけに存在し、リードフレーム１１０と接続されていない点において、図１とは相違する。図２４及び２５では、放熱部材１４０はパワーデバイス１３０全体を覆うように配置された構造を例示したが、この構造に限定されず、パワーデバイスの一部だけを覆う構造であってもよい。つまり、図２４において、放熱部材１４０がパワーデバイスを覆わない領域が存在してもよい。また、図２３のように、ＩＰＤ１６０及び周辺ＩＣ１６５を覆うように放熱部材１４０が配置されていてもよい。

【0084】

上記のように、実施形態５に係る半導体装置によると、より少ない放熱部材で高い放熱特性を得ることができる。したがって、放熱部材の材料消費量を低減することができるため、コスト低減の効果が得られる。

【0085】

なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。

【符号の説明】

【0086】

１００：半導体装置
１１０：リードフレーム
１１２：外部ソース端子
１１４：外部ドレイン端子
１１６：外部ゲート端子
１１８：導電性接着部材
１２０：回路基板
１２２：ドレイン端子用パッド
１２４：ゲート端子用パッド
１２８：バンプ
１３０：パワーデバイス
１３８、１３９：高熱伝導接着部材
１４０：放熱部材
１４１：放熱部材１４０の一部の表面
１４５、１４６：流路
１５０：封止樹脂
１７０：第１樹脂
１８０：第２樹脂
１８１、１８２：成型金型
１８３：開口部
１８４：リリースフィルム
１９０：他の装置の部品
２００：横型スイッチング素子
２１０：半導体基板
２２０：ソース電極
２２１：ソース端子
２３０：ドレイン電極
２３１、３３１：ドレイン端子
２４０、３４０：ゲート絶縁膜
２５０、３５０：ゲート電極
２５１、３５１：ゲート端子
３００：縦型スイッチング素子
３１０：半導体基板、Ｎ型エピタキシャル成長層
３２０：Ｐ型注入層
３２１：ソース端子
３２５：Ｎ型注入層、ソース電極
３３０：Ｎ型ＳｉＣ基板、ドレイン電極
４０１：第１接続点
４０２：第２接続点
４０３：第３接続点

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】