(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記電圧抑制回路が、前記コンデンサとリアクトルとの直列回路、または前記コンデンサと抵抗との直列回路、または前記コンデンサとリアクトルと抵抗の直列回路のいずれかである請求項1の直流遮断装置。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、図面を参照して実施形態を詳細に説明する。
【0013】
(第1実施形態)
以下、図面を参照して実施形態を詳細に説明する。
図1は第1実施形態の直流遮断装置の構成を示す図、
図2は直流遮断装置の構成機器の動作と電流変化、
図3は開閉器11、開閉器12の印加電圧を示す図である。
【0014】
図1に示すように、第1実施形態の直流遮断装置は、通電路10と、この通電路10に並列に接続された電流遮断路30と、これら通電路10および電流遮断路30全体の電流を検出する電流検出部21と、電流検出部21により検出された電流の値に基づいて通電路10および電流遮断路30への電流の流れを制御する制御部50とを有する。
【0015】
通電路10には、第1の開閉器としての開閉器11、第2の開閉器としての開閉器12、抵抗器13、転流回路14、過渡電圧抑制回路15、電流検出部21などが設けられている。
【0016】
開閉器11と開閉器12は直列に接続されている。開閉器11は、第1の絶縁耐圧性を有しており、制御部50により閉制御または開制御されて半導体遮断器31によらずに(半導体遮断器31とは無関係に)電流の通、不通を切り替える。
【0017】
開閉器12は、第1の耐圧性より絶縁耐圧性が低い第2の耐圧性を有している。例えば数kV程度の印加電圧に対して開閉器12は絶縁耐圧性を有している。開閉器12は、制御部50により閉制御または開制御されて半導体遮断器31によらずに(半導体遮断器31とは無関係に)電流の通、不通を切り替える。
【0018】
転流回路14は、開閉器12と並列に接続されている。転流回路14は、遮断する電流(通電路10に流れる電流)の向きと逆向きの電流を出力する電流源である。
【0019】
過渡電圧抑制回路15は、開閉器12と並列に接続されている。過渡電圧抑制回路15は、例えばコンデンサ15aなどである。過渡電圧抑制回路15は、開閉器12に印加され得る過渡電圧から開閉器12を保護する。なお過渡電圧抑制回路15は、開閉器12だけでなく開閉器11と開閉器12との双方に設けてもよい。
【0020】
電流遮断路30は、半導体スイッチとしての半導体遮断器31と、この半導体遮断器31と並列に接続された非線形抵抗器32とを有する。
【0021】
制御部50は、電流検出部21により検出された電流の値が予め設定された閾値を超えた場合、開閉器11、12の電極を開動作させる開制御(遮断制御)を開始する。
【0022】
また制御部50は、電極の開制御(遮断制御)を開始した後、転流回路14を制御して通電路10に流れる電流とは逆向きの電流を開閉器12の側へ流し、開閉器12の電流を0とすることで、通電路10を流れる電流を半導体遮断器31へ転流させる。
【0023】
制御部50は、開閉器11、12の電極の開制御の開始後、オンの状態の半導体遮断器31を制御しオフに切り替える。
【0024】
以下、この直流遮断装置の動作を説明する。
この直流遮断装置の場合、通常時は、通電路10の開閉器11、12を閉じて通電路10を通して電流を流す。事故等で電流遮断を要するときは、半導体遮断器31をオン状態にする。その一方で開閉器11、12を遮断し、転流回路14より開閉器12に電流を通電し、開閉器12の電流を0とし、通電路10の電流を不通にすることにより電流遮断路30の側に電流を転流する。その後、速やかに電流遮断路30に流れている電流を限流させて遮断を完了する。
【0025】
図1において、通常時の直流電流は、一般的には、図示左から右の場合、図示右から左の場合、両者が考えられるが、その両者の場合にこの直流遮断装置は対応している。
【0026】
以下では、説明を分かりやすくするため、通常時の直流電流は、図示左から右へ流れるものとする。
【0027】
開閉器11は、半導体遮断器31によらずに電流の通、不通を切り替える開閉器であり、所定の大きな耐圧性(後述)を有している。開閉器12は半導体遮断器31によらずに電流の通、不通を切り替える開閉器であるが、耐圧性が開閉器11の耐圧性より低い。
【0028】
開閉器11と開閉器12とはこのように特性(耐圧性能)の異なる開閉器になっており役割を分担している。開閉器11と開閉器12とは直列に接続されており、制御部50により制御されてそれぞれが有する電極を開閉する。
【0029】
抵抗器13は、開閉器12と並列に接続されている。この抵抗器13としては、電流遮断時の半導体遮断器31のオン抵抗より高く、半導体遮断器31に並列接続された非線形抵抗器32の抵抗値より低くなる抵抗値のものを用いている。
【0030】
このような抵抗器13を用いた場合、電極を開状態にすると、開閉器11の両端は絶縁状態であり、両端の抵抗は、開閉器12に並列接続した抵抗器13の抵抗より十分大きいため、開閉器11と開閉器12の両端に印加される電圧の大半は開閉器11に分担され、開閉器12の絶縁破壊を防ぐことができる。
【0031】
電流検出部21は、通電路10全体に流れている電流を検出し、検出した電流の値を制御部50に伝える。このため電流検出部21は、電流が流れる回路上の通電路10と電流遮断路30との合流位置の手前に設けられている。
【0032】
電流検出部21の具体例としては、例えばごく小さい抵抗値を有する抵抗器を通電路10に挿入しその両端電圧を検出する構成が考えられる他、ホール効果を利用し回路と非接触で回路に流れる電流を検出する電流センサなどであってもよい。
【0033】
半導体遮断器31は、電流の通、不通を切り替えるスイッチであり、切り替えの制御は制御部50による。半導体遮断器31の具体例としては、図示するように、ここでは、IGBT(Insulated gate bipolar transistor)とダイオードとの逆並列接続(順方向が互いに逆になる並列接続)要素を2つ逆方向に直列に向い合せに接続して単位要素を構成し、この単位構成を多数直列に接続して全体として2つの端子を有するようにした構成物を用いている。
【0034】
IGBTは、各ダイオードそれぞれのゲートに制御部50からの制御信号に起因する電圧が印加されると各単位要素は、いずれの方向にも電流が流れる状態(つまりオン状態)になり、制御の仕方によって電流を遮断し、また電流の方向を切り替えることが可能である。
【0035】
半導体遮断器31の具体的構成物については、図示以外にも種々採用することが可能である。半導体遮断器31は一般にオン状態において等価的に抵抗(オン抵抗)があり、通電により電圧降下が生じる。
【0036】
この電圧降下は、
図1に示した半導体遮断器31の場合で言えば、上記の単位要素の直列数に依存して大きくなり、つまり半導体遮断器31全体のオン抵抗もこの直列数に依存して大きくなる。
【0037】
単位要素の直列数については、その必要な数は、この半導体遮断器31が電流遮断のためオフ状態に至ったとき以降においてこの遮断器に印加され得る高電圧に耐えられることを条件に決め得る。これは、直流電圧が数100kVの場合、一般にある程度大きな数(例えば数百など)になる。
【0038】
半導体遮断器31を切り替える制御部50による制御は、通常時は半導体遮断器31をオフ、遮断動作時には一度オンに切り替えてその後速やかにオフに戻すことが標準的な移行である。
【0039】
但し、これに限らず、通常時に半導体遮断器31をオンとするように制御しても実際にはそのオン抵抗のため電流遮断路30には電流は流れず、通電路10の側に全電流が流れることになるので、このように通常時に半導体遮断器31をオンとする制御もとり得る選択である。
【0040】
転流回路14は、開閉器12と並列に接続されている。転流回路14の電流通電動作は制御部50により制御される。転流回路14は、制御部50により制御されて、遮断する電流とは逆方向へ電流を開閉器2へ流す。
【0041】
転流回路14は、
図2に示すように、コンデンサ14aとリアクトル14bと半導体スイッチ14cを直列に接続した直列回路で構成されている。
【0042】
コンデンサ14aは、図示していない充電装置により、所定の電圧に充電される。半導体スイッチ14cは、制御部50により、開(通電)、閉(遮断)状態が制御される。電流遮断時の動作とこの動作により変化する電流の波形は下記の
図3の説明の欄で詳細に説明する。
【0043】
事故等により電流遮断が必要になった場合、制御部50は、通電路10に流れている電流を、転流回路14により電流を強制的に発生させ、遮断する電流とは逆方向へ電流を流すことで、通電路10の開閉器12を流れる電流を0として、直流遮断装置への電流を電流遮断路30に素早く転流させる。
【0044】
転流回路14が電流を強制的に流すことを、通電路10の開閉器12の電流を減じさせるための電流であることから、以下では「逆電流」と称する場合がある。
【0045】
非線形抵抗器32は、半導体遮断器31と並列に接続されている。非線形抵抗器32は、この直流遮断装置の遮断動作の最終段階で機能するものであり、具体的には通電路10が電流不通になり、半導体遮断器31も電流不通になった状態において、電流が一時的に流れる。
【0046】
一時的に流れる最初の段階では、その直前に半導体遮断器31に流れていた電流と同じ値の電流が流れる。それにより非線形抵抗器32に比較的大きな電圧降下が生じることから電流は減少し、電流が減少すると抵抗の非線形性により抵抗値が増大し、増大した抵抗値により実質的に電流ゼロに至って電流遮断が完了する。
【0047】
なお、制御部50には、電流検出部21で検出した電流が伝えられる。そして、制御部50は、開閉器11、12の電極開閉を制御し、半導体遮断器31のオンオフを切り替え制御し、転流回路14のオンオフ制御をするとともにその出力電流を制御する。
【0048】
制御部50の内部には、これらの各制御に対応してそれぞれ下位の制御部が存在するが、それらの下位の制御部は互いに接続され、それらの制御に必要な情報が互いに共有されるように伝えられる。
【0049】
過渡電圧抑制回路15を設けていない場合、開閉器12の電流を0とした瞬時に、開閉器11、12に急峻な電圧が生じるが、この例のように過渡電圧抑制回路15を設けることで、電流を0とした瞬時(
図3の時刻Eの付近)に生じる過渡的な電圧の発生を抑えることができる。
【0050】
次に、
図3を参照して第1実施形態の直流遮断装置の時系列的な動作を説明する。
図3は直流遮断装置の各部の電流の時系列的な変化を示す図である。
【0051】
図3では、通電路10に流れる電流と電流遮断路30に流れる電流との和の電流である全電流41、半導体遮断器31の電流42、開閉器12の電流43、直流遮断器への電流44それぞれの時系列的な変化を示す。
【0052】
事故が発生する時刻A以前の最初の段階では、通常時の電流が流れているものとする。
【0053】
その内訳は、開閉器12の電流を示し、すべて通電路10の側に流れている電流である。当然ながら、この最初の段階では半導体遮断器31の側(および電流遮断路30)には電流42が流れていない。
【0054】
そして、時刻Aにおいて、直流送電系統に事故が発生すると、全電流41は増加していく。そして、電流検出部21により検出された通電路10を流れる電流の値が予め設定されている閾値を超えた場合、制御部50は、時刻Bの時点で異常と判定、つまり事故発生を検出する。
【0055】
時刻Bの時点で事故が検出された場合、制御部50は、時刻Cの時点で、開閉器11、12に対してそれぞれの電極を開動作(遮断動作)させるための遮断制御(電極開制御)を開始する。
開閉器11、12の遮断制御(電極開制御)が開始されると、これらの開閉器11、12において電極間は物理的に離間していくが、離間当初は電極間にアークが生じ電流が流れ続ける。
【0056】
遮断制御(電極開制御)の開始後、制御部50は、転流回路14を制御し、転流回路14から開閉器12の側に逆電流を通電する。逆電流を通電すると(時刻D)、開閉器12の電流43は減少し、時刻Eの時点でゼロに至る。これにより通電路10を流れる電流の電流遮断路30への転流が完了する。
【0057】
時刻Eから時刻Fまでの期間においては、半導体遮断器31に流れる電流42によりそのオン抵抗のため、ある程度の電圧降下44が生じており、これがこの直流遮断装置への印加電圧45になっている。
【0058】
上述したように、開閉器12は、例えば数kV程度の印加電圧に対して絶縁耐圧性を有している。時刻Eから時刻Fまでは、可能性として半導体遮断器31の両端間の電圧がほぼそのまま開閉器12に印加され得る状態になっている。開閉器11の側の電極開状態がまだ最終的に確立していない可能性があるためである。
【0059】
時刻Eの後、開閉器11、12の電極開状態が最終的に確立したと考えられる時点以後(時刻F)で、半導体遮断器31をオフ(電流の流れを遮断した状態)にすべく、制御部50は半導体遮断器31をオフ制御する。時刻Eの時点で既に通電路10には電流が不通とされており、時刻Fで半導体遮断器31はオフ制御されて電流を不通にする状態に切り換えられるため、時刻F以降、非線形抵抗器32に電流が一時的に流れる。
【0060】
非線形抵抗器32に一時的に電流が流れる最初の段階では、その直前に半導体遮断器31に流れていた電流と同じ値の電流が流れる。これにより非線形抵抗器32に比較的大きな電圧降下(例えば500kV)が生じることから電流は減少する。
【0061】
電流が減少すると、非線形抵抗器32の抵抗の非線形性により抵抗値が増大し、増大した抵抗値により時刻Gの時点で全電流41が実質的にゼロに至って電流遮断が完了する。
【0062】
時刻G以降は、この直流送電系統に応じた直流電圧(例えば300kV)44がこの直流遮断装置に印加された状態になる。
【0063】
図3に示したような標準的なタイミングで直流遮断装置を動作させることで、開閉器11または開閉器12において、その電極開制御後に電極間にアーク電流が流れて、電気抵抗が増加する。この結果、通電路10の電流をより素早く電流遮断路30の側に遮断すべき電流として転流することができる。すなわち、その分だけ高速性のある直流遮断装置になる。
【0064】
ここで、
図4を参照して過渡電圧抑制回路15の効果について説明する。
図4に示すように、過渡電圧抑制回路15を設けていない場合(過渡電圧抑制回路15なしの場合)、転流が完了したとき(時刻E)、高い過渡電圧51が突発的に発生するが、過渡電圧抑制回路15を設けることで、コンデンサにより過渡的な電圧が吸収されるため、低い過渡電圧52となる。
【0065】
このようにこの第1実施形態の直流遮断装置によれば、通電路10には半導体を用いた開閉器である半導体遮断器31を使わないことから、通電時の電力損失を大きく減じることができる。また、開閉器12の両端に並列に転流回路14を設けたため、通電路10の電流を、強制的に素早く(一例として数ms程度で)電流遮断路30の側に遮断すべき電流として転流させることができる。
【0066】
したがって、電流遮断路30の側で遮断すべき電流の値を小さくすることが可能になり、遮断器として大型化を回避できる。より具体的には、半導体遮断器31の電流定格を小さく抑えることにより大型化を回避できる。
【0067】
すなわち、遮断すべき電流が大きい場合であっても、小型で通常時の通電損失を低く抑えることができるようになる。
【0068】
上記第1実施形態では、過渡電圧抑制回路15に、コンデンサ15aを用いたが、この他、例えば
図5に示すように、コンデンサ15aとリアクトル15bの直列回路、
図6に示すように、コンデンサ15aと抵抗15cの直列回路、
図7に示すように、コンデンサ15aとリアクトル15bと抵抗15cの直列回路としてもよい。
【0069】
これらの例のように、過渡電圧抑制回路15を、コンデンサ15aとリアクトル15bの直列回路、コンデンサ15aと抵抗15cの直列回路、コンデンサ15aとリアクトル15bと抵抗15cの直列回路とすることで、リアクトル15bまたは抵抗15cにより、開閉器12の電極間に流れる電流を抑制することができ、放電による電極の損傷を抑制することができる。
【0070】
これらの例の場合、開閉器12を開状態から閉状態とする過程で、開閉器12の電極間距離が狭まると、過渡電圧抑制回路15のコンデンサ15aに蓄えられた電荷が放電され、開閉器12の電極間に電流が流れるので、電流遮断時の時刻Eの電圧抑制効果はコンデンサ15aを単独で用いた場合と同様である。
【0071】
また上記第1実施形態では、抵抗器13として抵抗値が固定の抵抗器を用いたが、これ以外に例えば非線形抵抗器を用いてもよい。非線形抵抗器としては例えば避雷器素子を適用する。
【0072】
抵抗器13として用いる非線形抵抗器は、この非線形抵抗に生じる電圧が、半導体遮断器31のオン抵抗による電圧より高く、半導体遮断器31に並列接続された非線形抵抗器32より低くなる特性のものを使用する。またこの抵抗器13として用いる非線形抵抗器の抵抗は、開閉器12の絶縁耐圧の限界より低い電圧で低下する特性となるよう設定する。
【0073】
開閉器12に、絶縁耐圧より高い電圧が印加されると、抵抗器13として用いた非線形抵抗の抵抗値が低くなり、開閉器12に印加される電圧が低減され、開閉器12の絶縁破壊を防ぐことができる。
【0074】
次に、
図8を参照して第2実施形態の電流遮断装置を説明する。この第2実施形態は
図1に示した第1実施形態の直流遮断装置の開閉器12近傍の回路を変形した例であり、第1実施形態と同じ構成には同一の符号を付しその説明は省略する。
【0075】
この第2実施形態は、開閉器12と直列に可飽和リアクトル16を接続している。転流回路14はコンデンサ14aと半導体スイッチ14cとの直列回路で構成している。
【0076】
すなわちこの第2実施形態は、開閉器12に可飽和リアクトル16が直列接続された直列回路と、コンデンサとスイッチの直列接続体である転流回路14と、抵抗器13とを並列に接続したものである。なお、この例では、転流回路14にリアクトル14b(
図2参照)を設けていないが、
図2のようにリアクトル14bを設けてもよい。
【0077】
この第2実施形態では、転流回路14、可飽和リアクトル16、開閉器12を含む回路により閉回路が構成されている。可飽和リアクトル16は、開閉器12で遮断すべき電流以下の電流値にて飽和状態と非飽和状態の変化点を持つ。この電流値は、通常の状態で通電される電流程度である。
【0078】
以下、
図9を参照してこの第2実施形態の直流遮断装置の電流遮断時の動作のうち第1実施形態と電流の変化が異なる部分を説明する。
【0079】
この第2実施形態の場合、制御部50は、時刻Cにおいて開閉器12を開制御(遮断)した後、時刻Dの時点で転流回路14を制御して逆電流を通電する。
【0080】
これにより、可飽和リアクトル16には、開閉器12と同値の電流が流れ、この電流が減少し、飽和状態から非飽和状態に遷移すると、可飽和リアクトル16のインダクタンスが増加し、
図9に示す半導体遮断器31に流れる電流42の時系列的な変化のうちで、時刻Dから時刻Eの間、例えば位置62などで電流の変化が緩やかになる。このため、開閉器12を流れる電流43の変化率が電流零点直前の位置63で緩やかになる。
【0081】
このようにこの第2実施形態によれば、第1実施形態と同様の効果が得られると共に、開閉器12と直列に可飽和リアクトル15を接続したことで、電流遮断時に開閉器12を流れる電流の変化率が電流零点直前で緩やかになり、小電流状態の期間が生じ、電流零点で確実に電流を電流遮断路30の側に転流させることができる。
【0082】
以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、通常時の通電損失を低く抑えかつ装置構成の大型化を回避することができる。
【0083】
本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。