特許第6392346号(P6392346)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6392346下部透明導体層の部分を通る電流漏れを低減するように改良された構造を有するエレクトロクロミックデバイス
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  • 特許6392346-下部透明導体層の部分を通る電流漏れを低減するように改良された構造を有するエレクトロクロミックデバイス 図000003
  • 特許6392346-下部透明導体層の部分を通る電流漏れを低減するように改良された構造を有するエレクトロクロミックデバイス 図000004
  • 特許6392346-下部透明導体層の部分を通る電流漏れを低減するように改良された構造を有するエレクトロクロミックデバイス 図000005
  • 特許6392346-下部透明導体層の部分を通る電流漏れを低減するように改良された構造を有するエレクトロクロミックデバイス 図000006
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  • 特許6392346-下部透明導体層の部分を通る電流漏れを低減するように改良された構造を有するエレクトロクロミックデバイス 図000008
  • 特許6392346-下部透明導体層の部分を通る電流漏れを低減するように改良された構造を有するエレクトロクロミックデバイス 図000009
  • 特許6392346-下部透明導体層の部分を通る電流漏れを低減するように改良された構造を有するエレクトロクロミックデバイス 図000010
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