特許第6402079号(P6402079)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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  • 特許6402079-β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法 図000002
  • 特許6402079-β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法 図000003
  • 特許6402079-β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法 図000004
  • 特許6402079-β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法 図000005
  • 特許6402079-β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法 図000006
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