(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0025】
実施形態の説明に先立ち、本発明の作用効果について説明する。
本発明のリードフレームの製造方法は、金属板の一方の側の面、又は、表裏両面の所定位置に第1のめっき層を形成する工程と、第1のめっき層を形成した後に、金属板の表側と裏側にそれぞ
れ剥離時間の異なるレジストマスクを、少なくとも第1のめっき層を覆うように形成する工程と
、剥離時間の異なるレジストマスクを形成した後に、金属板の表側の面と裏側の面のそれぞれにおける、レジストマスクで覆われていない領域に対し、エッチング加工を行う工程と、エッチング加工を行った後に、金属板に形成したレジストマスクのうち
、剥離時間の短いレジストマスクを除去する工程と
、剥離時間の短いレジストマスクを除去した後に
、剥離時間の短いレジストマスクの除去により露出した面と、エッチングが施されることにより露出した金属板の面とに対し、第2のめっき層を形成する工程と、第2のめっき層を形成した後に
、剥離時間の長いレジストマスクを除去する工程と、を有する。
【0026】
本発明のリードフレームの製造方法のように、第1のめっき層を形成した後に、金属板の表側と裏側にそれぞ
れ剥離時間の異なるレジストマスクを、少なくとも第1のめっき層を覆うように形成する工程を備えれば、その後、金属板に対するエッチング加工を行った後に、金属板に形成したレジストマスクのうち、一方の側の面に形成し
た剥離時間の短いレジストマスクのみを除去し、他方の側の面に形成し
た剥離時間の長いレジストマスクを残すことができ
、剥離時間の長いレジストマスクを金属板の表側の面と裏側の面のそれぞれにおける、レジストマスクで覆われていない領域に対するエッチング加工と
、剥離時間の短いレジストマスクの除去により露出した面とエッチングが施されることにより露出した金属板の面とに対する第2のめっき層の形成と、におけるレジストマスクとして兼用することができ、その分、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減することができるようになる。
【0027】
また、本発明のリードフレームの製造方法のように
、剥離時間の短いレジストマスクの除去により露出した面と、エッチングが施されることにより露出した金属板の面とに対し、第2のめっき層を形成する工程を備えれば、金属板の表側の面と裏側の面とで、形成するめっき層の構成を異ならせたリードフレームを製造することができる。
【0028】
また、本発明のリードフレームの製造方法のように、第1のめっき層を形成した後に、金属板の表側と裏側にそれぞ
れ剥離時間の異なるレジストマスクを、少なくとも第1のめっき層を覆うように形成してエッチング加工を行い、エッチング加工後には第2のめっき層を形成するようにすれば、金属板の表側の面や裏側の面に形成するめっき層をエッチングレジストとして用いずに済み、めっき層がエッチング液の影響を受けず、表面に凹凸が形成されることなく平滑に保つことができる。このため、本発明のリードフレームの製造方法を用いて、LED搭載側のめっき層の表層に光沢Agめっき層を形成するLED用リードフレームを製造する場合、光沢Agめっき層の反射率の低下を防止できる。
【0029】
なお、本発明のリードフレームの製造方法を用いて、金属板の表側の面と裏側の面とで、形成するめっき層の構成を異ならせたリードフレームを製造する具体例としては、例えば、次のものが挙げられる。
【0030】
例えば、第1のめっき層を形成する工程では、金属板の表裏両面の所定箇所に順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成し、第2のめっき層を形成する工程では、Agめっき層を形成する。
このようにすれば、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表裏のうちの一方の側の面に、Ni/Pd/Au/Agの順にめっき層が形成され、金属板の側面にAgめっき層が形成され、金属板の表裏のうちの他方の側の面にNi/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
【0031】
また、例えば、第1のめっき層を形成する工程では、金属板の表側の面の所定箇所にAgめっき層、又は、
順に下地めっき層
、Agめっき層を形成し
、剥離時間の異なるレジストマスクを形成する工程では
、剥離時間の短いレジストマスクを金属板の裏側の面
、剥離時間の長いレジストマスクを金属板の表側の面にそれぞれ形成し、第2のめっき層を形成する工程では、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成する。
このようにすれば、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表側の面にAgめっき層、又は、下地めっき
/Agめっき
の順にめっき層が形成され、金属板の側面及び裏側の面にNi/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
【0032】
また、例えば、第1のめっき層を形成する工程では、金属板の裏側の面の所定箇所に順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成し
、剥離時間の異なるレジストマスクを形成する工程では
、剥離時間の短いレジストマスクを金属板の表側の面
、剥離時間の長いレジストマスクを金属板の裏側の面にそれぞれ形成し、第2のめっき層を形成する工程では、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層、Agめっき層を形成する。
このようにすれば、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表側の面及び側面にNi/Pd/Au/Agの順にめっき層が形成され、金属板の裏側の面にNi/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
なお、第2のめっき層を形成する工程では、Agめっき層、又は、
順に下地めっき層
、Agめっき層を形成してもよい、このようにした場合は、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表側の面及び側面にAgめっき層、又は、下地めっき
/Agめっき
の順にめっき層が形成され、金属板の裏側の面にNi/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
【0033】
また、例えば、第1のめっき層を形成する工程では、金属板の表側の面の所定箇所に、Agめっき層、又は、
順に下地めっき層
、Agめっき層を形成し
、剥離時間の異なるレジストマスクを形成する工程では
、剥離時間の短いレジストマスクを金属板の裏側の面
、剥離時間の長いレジストマスクを金属板の表側の面にそれぞれ形成し、第2のめっき層を形成する工程では、順にAgめっき層
、Niめっき層、Pdめっき層、Auめっき層、又は
、順に下地めっき層
、Agめっき層、Niめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成する。
このようにすれば、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表側の面にAgめっき層、又は、下地めっき
/Agめっき
の順にめっき層が形成され、金属板の裏側の面及び側面にAg
/Ni/Pd/Auの順、又は
、下地
/Ag/Ni/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
【0034】
また、本発明のリードフレームの製造方法においては、好ましくは、さらに
、剥離時間の長いレジストマスクを除去した後に、第3の層を形成する工程を有する。
第3の層を形成する工程としては、例えば、有機皮膜保護層の形成工程や、全面Auフラッシュを行う工程が挙げられる。
第3の層を形成する工程として、有機皮膜保護層を形成する工程を設ければ、例えば、LED用リードフレームを製造した場合におけるLED素子搭載側の反射用めっき層の表層を形成するAgめっき層の表面の曇りを防止して、反射率を維持できる。
また、第3の層を形成する工程として、全面Auフラッシュめっきを施す工程を設ければ、製造後のリードフレームにおいて外部に露出する金属の酸化を防止でき、外部接続用めっき層の半田濡れ性が向上する。
【0035】
また、本発明のリードフレームの製造方法においては、好ましくは、さらに、エッチング加工を行う工程
と剥離時間の短いレジストマスクを除去する工程の間に、エッチングが施されることによって露出した金属板の面に対し、粗化処理を行う工程を有する。
このようにすれば、例えば、リフレクタ樹脂部や透明樹脂部を形成したときの樹脂部の密着性が向上する。
【0036】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。
第1実施形態
図1は本発明の第1実施形態にかかるリードフレームの製造方法により製造されるリードフレームの概略構成を示す断面図である。
図2は本発明の第1実施形態にかかるリードフレームの製造方法における製造工程を示す説明図である。
【0037】
第1実施形態のリードフレームの製造方法における製造工程により製造されるリードフレームは、例えば、
図1に示すように、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10の表側の面に、第1のめっき層3と第2のめっき層4が形成され、側面(
図1の例では、金属板10の側面及び金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面)には、第2のめっき層4が形成され、裏側の面には、第1のめっき層3が形成されている。
金属板10は、例えば、Cu材で構成される。
第1のめっき層3は、例えば、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成される。
また、第2のめっき層4は、例えば、Agめっき層で構成される。
なお、第2のめっき層4は、金属板10の裏側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されるようにしてもよい。
【0038】
このように構成される第1実施形態のリードフレームは、例えば、次のようにして製造する。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、周知の処理であるので便宜上説明を省略する。
【0039】
まず、リードフレームの基材となる金属板10(例えば、Cu材)を用いて(
図2(a)参照)、金属板10の表裏両面の夫々の所定領域に第1のめっき用レジストマスク6を形成し、金属板10の表裏両面の夫々における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成する(
図2(b)参照)。
【0040】
なお、本実施形態及び後述の実施例のリードフレームの製造工程において用いるレジストマスクの形成は、例えば金属板の表側の面と裏側の面に、それぞ
れ剥離時間の異なるドライフィルムレジストをラミネートし、表裏両面のドライフィルムレジストに対し、所定位置に、所定のリードフレーム形状のパターンが形成されたガラスマスクを用いて、表裏両面を露光・現像することによって行う。なお、露光・現像は従来公知の方法により行う。例えば、ガラスマスクで覆った状態で紫外線を照射し、ガラスマスクを通過した紫外線が照射されたドライフィルムレジストの部位の現像液に対する溶解性を低下させて、それ以外の部分を除去することで、レジストマスクを形成する。なお、ここでは、レジストとしてネガ型のドライフィルムレジストを用いたが、レジストマスクの形成には、ポジ型のドライフィルムレジストを用いて、ガラスマスクを通過した紫外線が照射されたレジストの部分の現像液に対する溶解性を増大させて、その部分を除去することでレジストマスクを形成するようにしてもよい。
【0041】
次に、金属板10の表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を剥離する(
図2(c)参照)。
【0042】
次に、金属板10の一方の側(例えば、半導体素子が搭載される表側)における少なくとも第1のめっき層3を覆う所定領域に
、剥離時間が短い所定形状のレジストマスク1を形成し、他方の側(例えば、半導体素子が搭載されない裏側)における少なくとも第1のめっき層3を覆う所定領域には
、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2を形成する(
図2(d)参照)。
図2(d)の例では
、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面全体を覆うように形成されている。なお、第2のめっき層4が、金属板10の裏側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されたリードフレームを製造する場合は
、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面のうち、金属板10とは反対側の面のみを覆い、側面を覆わないように形成する。
【0043】
次に、金属板10の表側と裏側に形成したレジストマスク1とレジストマスク2をエッチング用マスクとして使用し、レジストマスク1,2のいずれにも覆われずに露出している金属板10の領域に対してエッチング加工を行い、所定のリードフレーム形状を形成する(
図2(e)参照)。
次に、金属板10の一方の側に形成し
た剥離時間が短いレジストマスク1を除去し、他方の側に形成し
た剥離時間の長いレジストマスク2は残す(
図2(f)参照)。
【0044】
次に、めっき加工を行い
、剥離時間の短いレジストマスク1の除去により露出した面(例えば、金属板10の表側の面に形成した第1のめっき層3の上面および側面や、金属板10の表側の面における、第1のめっき層3が形成されず、かつ、エッチングも施されていない領域など)と、エッチング処理が施されることによって露出した金属板10の面(例えば、金属板10の側面、さらにエッチング加工がハーフエッチング加工を含む場合は凹部)に、第2のめっき層4としてAgめっき層を形成する(
図2(g)参照)。
次に、金属板10の他方の側に形成し
た剥離時間が長いレジストマスク2を除去する(
図2(h)参照)。
これにより、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10における、表側の面に、第1のめっき層3(Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)と第2のめっき層4(Agめっき層)が形成され、側面(さらには凹部)には、第2のめっき層4(Agめっき層)が形成され、裏側の面には、第1のめっき層3(Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)が形成された、
図1に示すリードフレームが得られる。
【0045】
このように、
図2に示した第1実施形態のリードフレームの製造方法では、製造工程における、第1のめっき層3を形成後の、金属板10へのレジストマスク1,2の形成は1回であり
、剥離時間の長いレジストマスク2は、エッチング加工と、めっき加工に兼用される。
【0046】
第1実施形態のリードフレームの製造方法によれば、第1のめっき層3を形成した後に、金属板10の表側と裏側にそれぞ
れ剥離時間の異なるレジストマスク1,2を、少なくとも第1のめっき層3を覆うように形成する工程を備えたので、その後、金属板10に対するエッチング加工を行った後に、金属板10に形成したレジストマスク1,2のうち、一方の側の面に形成し
た剥離時間の短いレジストマスク1のみを除去し、他方の側の面に形成し
た剥離時間の長いレジストマスク2を残すことができ
、剥離時間の長いレジストマスク2を金属板10の表側の面と裏側の面のそれぞれにおける、レジストマスク1,2で覆われていない領域に対するエッチング加工と
、剥離時間の短いレジストマスク1の除去により露出した面とエッチングが施されることにより露出した金属板10の面とに対する第2のめっき層4の形成と、におけるレジストマスクとして兼用することができ、その分、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減することができる。
【0047】
また、第1実施形態のリードフレームの製造方法によれば
、剥離時間の短いレジストマスク1の除去により露出した面(例えば、金属板10の表側の面に形成した第1のめっき層3の上面および側面や、金属板10の表側の面における、第1のめっき層3が形成されず、かつ、エッチングも施されていない領域など)と、エッチングが施されることによって露出した金属板10の面とに対し、第2のめっき層4を形成する工程を備えたので、金属板10の表側の面と裏側の面とで、形成するめっき層の構成を異ならせたリードフレームを製造することができる。
また、第1実施形態のリードフレームの製造方法によれば、第1のめっき層3を形成した後に、金属板10の表側と裏側にそれぞ
れ剥離時間の異なるレジストマスク1,2を、少なくとも第1のめっき層3を覆うように形成してエッチング加工を行い、エッチング加工後には第2のめっき層4を形成するようにしたので、金属板10の表側の面や裏側の面に形成するめっき層をエッチングレジストとして用いずに済み、めっき層がエッチング液の影響を受けず表面に凹凸が形成されることなく平滑に保つことができる。このため、LED搭載側のめっき層の表層に光沢Agめっき層を形成するLED用リードフレームを製造する場合、光沢Agめっき層の反射率の低下を防止できる。
【0048】
第2実施形態
図3は本発明の第2実施形態にかかるリードフレームの製造方法により製造されるリードフレームの概略構成を示す断面図である。
図4は本発明の第2実施形態にかかるリードフレームの製造方法における製造工程を示す説明図である。
【0049】
第2実施形態のリードフレームの製造方法における製造工程により製造されるリードフレームは、例えば、
図3に示すように、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10の表側の面に、第1のめっき層3が形成され、側面及び裏側の面には、第2のめっき層4が形成されている。
金属板10の構成は、第1実施形態におけるものと略同じである。
第1のめっき層3は、例えば、Agめっき層、又は、
順に形成された、下地めっき層
とAgめっき層で構成される。
第2のめっき層4は、例えば、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成される。
なお、第2のめっき層4は、金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されるようにしてもよい。
【0050】
このように構成される第2実施形態のリードフレームは、例えば、次のようにして製造する。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、周知の処理であるので便宜上説明を省略する。
【0051】
まず、リードフレームの基材となる金属板10(例えば、Cu材)を用いて(
図4(a)参照)、金属板10の表側の面の所定領域と、裏側の面の全領域に第1のめっき用レジストマスク6を形成し、金属板10の表側の面における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、Agめっき層、又は、
順に下地めっき層
、Agめっき層を形成する(
図4(b)参照)。
【0052】
次に、金属板10の表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を剥離する(
図4(c)参照)。
【0053】
次に、金属板10の表側における少なくとも第1のめっき層3を覆う所定領域に
、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2を形成し、裏側には
、剥離時間が短い所定形状のレジストマスク1を形成する(
図4(d)参照)。
図4(d)の例では
、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面全体を覆うように形成されている。なお、第2のめっき層4が、金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されたリードフレームを製造する場合は
、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面のうち、金属板10とは反対側の面のみを覆い、側面を覆わないように形成する。
【0054】
次に、金属板10の表側と裏側に形成したレジストマスク1とレジストマスク2をエッチング用マスクとして使用し、レジストマスク1,2のいずれにも覆われずに露出している金属板10の領域に対してエッチング加工を行い、所定のリードフレーム形状を形成する(
図4(e)参照)。
次に、金属板10の裏側に形成し
た剥離時間が短いレジストマスク1を除去し、表側に形成し
た剥離時間の長いレジストマスク2は残す(
図4(f)参照)。
【0055】
次に、めっき加工を行い
、剥離時間の短いレジストマスク1の除去により露出した面(例えば、金属板10の裏側の面全体)と、エッチング処理が施されることによって露出した金属板10の面(例えば、金属板10の側面、さらにエッチング加工がハーフエッチング加工を含む場合は凹部)に、第2のめっき層4として、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成する(
図4(g)参照)。
次に、金属板10の表側に形成し
た剥離時間が長いレジストマスク2を除去する(
図4(h)参照)。
これにより、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10における、表側の面に、第1のめっき層3(Agめっき層、又は、下地めっき
/Agめっき
の順に形成されためっき層)が形成され、側面(さらには凹部)及び裏側の面には、第2のめっき層4(Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)が形成された、
図3に示すリードフレームが得られる。
【0056】
第2実施形態のリードフレームの作用効果は、第1実施形態のリードフレームと略同じである。
【0057】
第3実施形態
図5は本発明の第3実施形態にかかるリードフレームの製造方法により製造されるリードフレームの概略構成を示す断面図である。
図6は本発明の第3実施形態にかかるリードフレームの製造方法における製造工程を示す説明図である。
【0058】
第3実施形態のリードフレームの製造方法における製造工程により製造されるリードフレームは、例えば、
図5に示すように、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10の表側の面及び側面に、第2のめっき層4が形成され、裏側の面には、第1のめっき層3が形成されている。
金属板10の構成は、第1実施形態におけるものと略同じである。
第1のめっき層3は、例えば、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成される。
第2のめっき層4は、例えば、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層とAgめっき層で構成される。
なお、第2のめっき層4は、金属板10の裏側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されるようにしてもよい。
また、第2のめっき層4は、Agめっき層、又は、下地めっき
/Agめっき
の順に形成されためっき層の構成であってもよい。
【0059】
このように構成される第3実施形態のリードフレームは、例えば、次のようにして製造する。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、周知の処理であるので便宜上説明を省略する。
【0060】
まず、リードフレームの基材となる金属板10(例えば、Cu材)を用いて(
図6(a)参照)、金属板10の表側の面の全領域と、裏側の面の所定領域に第1のめっき用レジストマスク6を形成し、金属板10の裏側の面における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成する(
図6(b)参照)。
【0061】
次に、金属板10の表裏両面に形成された第1のめっき用レジストマスク6を剥離する(
図6(c)参照)。
【0062】
次に、金属板10の表側に
、剥離時間が短い所定形状のレジストマスク1を形成し、裏側における少なくとも第1のめっき層3を覆う所定領域には
、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2を形成する(
図6(d)参照)。
図6(d)の例では
、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面全体を覆うように形成されている。なお、第2のめっき層4が、金属板10の裏側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されたリードフレームを製造する場合は
、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面のうち、金属板10とは反対側の面のみを覆い、側面を覆わないように形成する。
【0063】
次に、金属板10の表側と裏側に形成したレジストマスク1とレジストマスク2をエッチング用マスクとして使用し、レジストマスク1,2のいずれにも覆われずに露出している金属板10の領域に対してエッチング加工を行い、所定のリードフレーム形状を形成する(
図6(e)参照)。
次に、金属板10の表側に形成し
た剥離時間が短いレジストマスク1を除去し、裏側に形成し
た剥離時間の長いレジストマスク2は残す(
図6(f)参照)。
【0064】
次に、めっき加工を行い
、剥離時間の短いレジストマスク1の除去により露出した面(例えば、金属板10の表側の面全体)と、エッチング処理が施されることによって露出した金属板10の面(例えば、金属板10の側面、さらにエッチング加工がハーフエッチング加工を含む場合は凹部)に、第2のめっき層4として、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層、Agめっき層を形成する(
図6(g)参照)。なお、第2のめっき層4は、Agめっき層、又は、
順に下地めっき層
、Agめっき層を形成してもよい。
次に、金属板10の裏側に形成し
た剥離時間が長いレジストマスク2を除去する(
図6(h)参照)。
これにより、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10における、表側の面及び側面(さらには凹部)に第2のめっき層4(Ni/Pd/Au/Agの順に形成されためっき層、又は、Agめっき層、又は、下地めっき
/Agめっき
の順に形成されためっき層)が形成され、裏側の面には、第1のめっき層3(Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)が形成された、
図5に示すリードフレームが得られる。
【0065】
第3実施形態のリードフレームの作用効果は、第1実施形態のリードフレームと略同じである。
【0066】
第4実施形態
図7は本発明の第4実施形態にかかるリードフレームの製造方法により製造されるリードフレームの概略構成を示す断面図である。
図8は本発明の第4実施形態にかかるリードフレームの製造方法における製造工程を示す説明図である。
【0067】
第4実施形態のリードフレームの製造方法における製造工程により製造されるリードフレームは、例えば、
図7に示すように、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10の表側の面に、第1のめっき層3が形成され、側面及び裏側の面には、第2のめっき層4が形成されている。
金属板10の構成は、第1実施形態におけるものと略同じである。
第1のめっき層3は、例えば、Agめっき層、又は、下地めっき
/Agめっき
の順に形成されためっき層で構成される。
第2のめっき層4は、例えば、順に形成された、Agめっき層
とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層、又は
、順に形成された、下地めっき層
とAgめっき層とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成される。
なお、第2のめっき層4は、金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されるようにしてもよい。
【0068】
このように構成される第4実施形態のリードフレームは、例えば、次のようにして製造する。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、周知の処理であるので便宜上説明を省略する。
【0069】
まず、リードフレームの基材となる金属板10(例えば、Cu材)を用いて(
図8(a)参照)、金属板10の表側の面の所定領域と、裏側の面の全領域に第1のめっき用レジストマスク6を形成し、金属板10の表側の面における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、Agめっき層、又は、
順に下地めっき層
、Agめっき層を形成する(
図8(b)参照)。
【0070】
次に、金属板10の表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を剥離する(
図8(c)参照)。
【0071】
次に、金属板10の表側における少なくとも第1のめっき層3を覆う所定領域に
、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2を形成し、裏側には
、剥離時間が短い所定形状のレジストマスク1を形成する(
図8(d)参照)。
図8(d)の例では
、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面全体を覆うように形成されている。なお、第2のめっき層4が、金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されたリードフレームを製造する場合は
、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面のうち、金属板10とは反対側の面のみを覆い、側面を覆わないように形成する。
【0072】
次に、金属板10の表側と裏側に形成したレジストマスク1とレジストマスク2をエッチング用マスクとして使用し、レジストマスク1,2のいずれにも覆われずに露出している金属板10の領域に対してエッチング加工を行い、所定のリードフレーム形状を形成する(
図8(e)参照)。
次に、金属板10の裏側に形成し
た剥離時間が短いレジストマスク1を除去し、表側に形成し
た剥離時間の長いレジストマスク2は残す(
図8(f)参照)。
【0073】
次に、めっき加工を行い
、剥離時間の短いレジストマスク1の除去により露出した面(例えば、金属板10の裏側の面全体)と、エッチング処理が施されることによって露出した金属板10の面(例えば、金属板10の側面、さらにエッチング加工がハーフエッチング加工を含む場合は凹部)に、第2のめっき層4として、順にAgめっき層
、Niめっき層、Pdめっき層、Auめっき層、又は
、順に下地めっき層
、Agめっき層、Niめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成する(
図8(g)参照)。
次に、金属板10の表側に形成し
た剥離時間が長いレジストマスク2を除去する(
図8(h)参照)。
これにより、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10における、表側の面に、第1のめっき層3(Agめっき層、又は、下地めっき
/Agめっき
の順に形成されためっき層)が形成され、側面(さらには凹部)及び裏側の面には、第2のめっき層4(Ag
/Ni/Pd/Auの順、又は
、下地
/Ag/Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)が形成された、
図7に示すリードフレームが得られる。
【0074】
第4実施形態のリードフレームの作用効果は、第1実施形態のリードフレームと略同じである。
【0075】
なお、上記各実施形態のリードフレームの製造方法においては、好ましくは、さらに
、剥離時間の長いレジストマスクを除去した後に、第3の層を形成する工程を有するようにしてもよい。
例えば、上記各実施形態のリードフレームの製造方法におけ
る剥離時間の長いレジストマスクを除去した後の第3の層を形成する工程として、有機皮膜保護層を形成する工程を設けてもよい。
有機皮膜保護層を形成する工程を設ければ、例えば、LED用リードフレームを製造した場合におけるLED素子搭載側の反射用めっき層の表層を形成するAgめっき層の表面の曇りを防止して、反射率を維持できる。
また、例えば、上記各実施形態のリードフレームの製造方法におけ
る剥離時間の長いレジストマスクを除去した後の第3の層を形成する工程として、全面Auフラッシュめっきを施す工程を設けてもよい。
全面Auフラッシュめっきを施す工程を設ければ、製造後のリードフレームにおいて外部に露出する金属の酸化を防止でき、外部接続用めっき層の半田濡れ性が向上する。
なお、第3の層として全面Auフラッシュめっきを施す工程を設ける場合、上記各実施形態における、第1のめっき層3を形成する工程、又は、第2のめっき層4を形成する工程での、Ni/Pd/Auの順でのめっき層の形成を、Ni/Pdの順でのめっき層の形成までで止めておき、第3の層を形成する工程において全面Auフラッシュめっき層を形成するようにしてもよい。
より詳しくは、例えば、第1実施形態における第1のめっき層3を形成する工程での金属板10の表側の面と裏側の面に形成するめっき層、第2実施形態における第2のめっき層4を形成する工程での金属板10の側面及び裏側の面に形成するめっき層、第3実施形態における第1のめっき層3を形成する工程での金属板10の裏側の面に形成するめっき層、第4実施形態における第2のめっき層4を形成する工程での金属板10の側面及び裏側の面に形成するめっき層におけるAg又は下地
/Agめっき層の上に形成するめっき層を、Ni/Pd/Auの順で形成する代わりに、Ni/Pdの順までの形成で止めておき、第3の層を形成する工程において、全面Auフラッシュめっきを施すことにより,Ni/Pdの順に形成されためっき層の上にAuめっき層を形成するようにしてもよい。
【0076】
また、上記各実施形態のリードフレームの製造方法においては、好ましくは、さらに、エッチング加工を行う工程
と剥離時間の短いレジストマスクを除去する工程の間に、エッチングが施されることによって露出した金属板10の面に対し、粗化処理を行う工程を有するようにしてもよい。
このようにすれば、例えば、リフレクタ樹脂部や透明樹脂部を形成したときの樹脂部の密着性が向上する。
【0077】
実施例
次に、本発明の実施例として、上記各実施形態のリードフレームの製造方法を用いて製造された多列型LED用リードフレーム及びその製造例について説明する。
【0078】
実施例1
図9は本発明の実施例1にかかるリードフレームの製造方法の製造工程を経て製造されたリードフレームを用いた、樹脂付き多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、(a)は個々のリードフレーム領域におけるパッド部とリード部の配置を上面側からみた部分平面図、(b)は(a)に示すリードフレーム基材のA−A断面図、(c)は1つのリードフレーム領域に形成される樹脂付きリードフレームの断面図である。
図10は
図9に示す多列型LED用リードフレームの製造方法における製造工程の一例を示す説明図である。
【0079】
実施例1のリードフレームは、第1実施形態のリードフレームの製造方法を用いて製造された、LEDパッケージの製造に使用されるリードフレームである。そして、
図9(a),
図9(b)に示すように、多数のLEDパッケージを一度に得るために、パッド部11とリード部12の組合せからなる個々のリードフレーム領域(
図9(a)においては夫々一点鎖線の矩形で示すパッケージ外形ラインが相当する。)がマトリックス状に配列され、夫々連結部17を介して繋げられた多列型リードフレームとして形成されている。
個々のリードフレーム領域は、
図9(c)に示すように、金属板10の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3と第2のめっき層4とが形成されてなる反射用めっき層13aと、金属板10の裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3が形成されてなる外部接続用めっき層13bを有している。
また、金属板10にエッチング加工により形成されたパッド部11及びリード部12の側面と、連結部17の全面と、ハーフエッチング加工により形成された凹部には、第2のめっき層4が形成されている。
第1のめっき層3は、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成されている。
第2のめっき層4は、Agめっき層で構成されている。
また、実施例1の多列型LED用リードフレームは、貫通エッチング及びハーフエッチングにより、金属板10から、夫々連結部17を備える所定形状に形成されたパッド部11とリード部12とに区画されるとともに、当該リードフレーム領域と隣り合う他のリードフレーム領域とに区画されている。個々のリードフレーム領域におけるパッド部11とリード部12との間は離れている。なお、
図9(a)中、18は多列型リードフレーム製造用の金属板10における外枠部である。
【0080】
なお、
図9(c)中、15は実施例1の多列型LED用リードフレームを形成後に設けたリフレクタ樹脂部である。リフレクタ樹脂部15は、パッド部11及びリード部12の側面と、連結部17の全面と、連結部17にハーフエッチング加工により形成された凹部に密着している。また、リフレクタ樹脂部15は、連結部17を覆い、パッド部11とリード部12との間を、面一となるように介在するとともに、パッド部11及びリード部12の外周をパッド部11のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲んでいる。
【0081】
このように構成される実施例1の多列型LED用リードフレームは、例えば、次のようにして製造した。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、周知の処理であるので便宜上説明を省略する。
【0082】
最初に、帯状で厚さ0.2mmのCu系材料を、リードフレームの基材をなす金属板10として準備し(
図10(a))、外枠部における縁部にパイロットホールを形成した後、ドライフィルムレジストを用いて表裏両面にレジスト層を形成した。
次に、リードフレームの基材の表側の面には、反射用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、裏側の面には、外部接続用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、先に形成したパイロットホールを基準にガラスマスクの位置を決定して露光・現像を行うことでリードフレームの基材の表裏両面に第1のめっき用レジストマスク6を形成した。
次に、リードフレームの基材の表裏両面の夫々における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成し(
図10(b)参照)、第1のめっき層3を形成後、表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を
剥離液により膨潤させて剥離した(
図10(c)参照)。
なお、第1のめっき層3は、まず、設定厚さ2μmのNiめっきを形成し、その上に設定厚さ0.03μmのPdめっきを形成し、次に、設定厚さ0.01μmのAuめっきを形成することによって得た。
【0083】
次に、ドライフィルムレジストを用いてリードフレームの基材の表側
に剥離時間としての浸漬時間が1分弱のレジスト層を形成し、露光・現像を行い、レジストマスク1を、少なくとも第1のめっき層3を覆う所定領域に形成した。また、ドライフィルムレジストを用いてリードフレームの基材の裏側
に剥離時間としての浸漬時間が5分弱のレジスト層を形成し、露光・現像を行い、レジストマスク2を、少なくとも第1のめっき層3を覆う所定領域に形成した。
次に、エッチング液を用いてエッチング処理を行い、夫々連結部を備える所定形状に形成されたパッド部11とリード部12とに区画され、パッド部11とリード部12との間が貫通するとともに、当該リードフレーム領域と隣り合う他のリードフレーム領域とが連結部17を備えて区画されたリードフレーム形状を形成した(
図10(d)参照)。
なお、連結部17におけるパッド部11とリード部12のそれぞれの外周を区画するハーフエッチングの深さは約0.12mmであった。
【0084】
次に
、剥離液に1分間浸漬して、リードフレームの基材の表側に形成したレジストマスク1を
膨潤させて除去し、裏側に形成したレジストマスク2は残した。
次に、リードフレームの基材の表側の面に形成した第1のめっき層3の上面および側面と、リードフレームの基材の表側の面における、第1のめっき層3が形成されず、かつ、エッチングも施されていない領域と、エッチング処理が施されることによって露出したリードフレームの基材の側面と、リードフレームの基材におけるハーフエッチングが施された凹部に、第2のめっき層4を形成した(
図10(e))。
なお、第2のめっき層4は、設定厚さ2.0μmのAgめっきを形成することによって得た。
【0085】
次に
、剥離液に4分間浸漬して、リードフレームの基材の裏側に残存するレジストマスク2を
膨潤させて剥離し、リードフレームの基材の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、順に、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層とAgめっき層が形成され、裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、順に、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層が形成され、側面と、ハーフエッチング加工された凹部にAgめっき層が形成された、
図9(c)に示すリフレクタ樹脂部15が設けられる前段階の連結部17付きのパッド部11とリード部12を備えた多列型LED用リードフレームを得た(
図10(f)参照)。
【0086】
実施例2
図11は本発明の実施例2にかかるリードフレームの製造方法の製造工程を経て製造された、多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、1つのリードフレーム領域に形成されるリードフレームの断面図である。
図12は
図11に示すリードフレームの製造方法における製造工程の一例を示す説明図である。
【0087】
実施例2のリードフレームは、第2実施形態のリードフレームの製造方法を用いて製造された、LEDパッケージの製造に使用されるリードフレームであり、実施例1と同様、パッド部とリード部の組合せからなる個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型リードフレームとして形成されている。
個々のリードフレーム領域は、
図11に示すように、金属板10の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3が形成されてなる反射用めっき層13aと、金属板10の裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第2のめっき層4が形成されてなる外部接続用めっき層13bを有している。
また、金属板10にエッチング加工により形成されたパッド部11及びリード部12の側面と、連結部17の全面と、ハーフエッチング加工により形成された凹部には、第2のめっき層4が形成されている。
第1のめっき層3は、Agめっき層、又は、
順に形成された、下地めっき層
とAgめっき層で構成されている。
第2のめっき層4は、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成されている。
その他の構成は、実施例1の多列型LED用リードフレームと略同じである。
【0088】
このように構成される実施例2の多列型LED用リードフレームは、例えば、次のようにして製造した。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、周知の処理であるので便宜上説明を省略する。
【0089】
実施例1と同様に、リードフレームの基材をなす金属板10の準備(
図12(a))から表裏両面へのレジスト層への形成までを行った後、リードフレームの基材の表側の面には、反射用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、裏側の面には、全領域を覆うレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、先に形成したパイロットホールを基準にガラスマスクの位置を決定して露光・現像を行うことでリードフレームの基材の表裏両面に第1のめっき用レジストマスク6を形成した。
次に、リードフレームの基材の表側の面における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、Agめっき層、又は、
順に下地めっき層
、Agめっき層を形成し(
図12(b)参照)、第1のめっき層3を形成後、表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を
剥離液により膨潤させて剥離した(
図12(c)参照)。
なお、第1のめっき層3は、設定厚さ2.0μmのAgめっきを形成することによって得た。
また、第1のめっき層3は、例えば、Cuストライクめっき厚さ0.1μmの層とその上のAgめっき厚さ2.0μmの層との積層構造であっても良い。
【0090】
次に、ドライフィルムレジストを用いてリードフレームの基材の裏側
に剥離時間としての浸漬時間が1分弱のレジスト層を形成し、露光・現像を行い、レジストマスク1を、リードフレームの基材の裏側における所定領域に形成した。また、ドライフィルムレジストを用いてリードフレームの基材の表側
に剥離時間としての浸漬時間が5分弱のレジスト層を形成し、露光・現像を行い、レジストマスク2を、リードフレームの基材の表側における少なくとも第1のめっき層3を覆う所定領域に形成した。
次に、実施例1と同様のエッチング処理を行い、実施例1と同様のリードフレーム形状を形成した(
図12(d)参照)。
【0091】
次に
、剥離液に1分間浸漬して、リードフレームの基材の裏側に形成したレジストマスク1を
膨潤させて除去し、表側に形成したレジストマスク2は残した。
次に、リードフレームの基材の裏側の面全体と、エッチング処理が施されることによって露出したリードフレームの基材の側面と、リードフレームの基材におけるハーフエッチングが施された凹部に、第2のめっき層4を形成した(
図12(e))。
なお、第2のめっき層4は、まず、設定厚さ2μmのNiめっきを形成し、その上に設定厚さ0.03μmのPdめっきを形成し、次に、設定厚さ0.01μmのAuめっきを形成することによって得た。
【0092】
次に
、剥離液に4分間浸漬して、リードフレームの基材の表側に残存するレジストマスク2を
膨潤させて剥離し、リードフレームの基材の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、Agめっき層、又は、
順にCuストライクめっき層
とAgめっき層が形成され、裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、順に、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層が形成され、側面と、ハーフエッチング加工された凹部に順に、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層が形成された、
図11に示す連結部17付きのパッド部11とリード部12を備えた多列型LED用リードフレームを得た(
図12(f)参照)。
【0093】
実施例3
図13は本発明の実施例3にかかるリードフレームの製造方法の製造工程を経て製造された、多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、1つのリードフレーム領域に形成されるリードフレームの断面図である。
図14は
図13に示すリードフレームの製造方法における製造工程の一例を示す説明図である。
【0094】
実施例3のリードフレームは、第3実施形態のリードフレームの製造方法を用いて製造された、LEDパッケージの製造に使用されるリードフレームであり、実施例1と同様、パッド部とリード部の組合せからなる個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型リードフレームとして形成されている。
個々のリードフレーム領域は、
図13に示すように、金属板10の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第2のめっき層4が形成されてなる反射用めっき層13aと、金属板10の裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3が形成されてなる外部接続用めっき層13bを有している。
また、金属板10にエッチング加工により形成されたパッド部11及びリード部12の側面と、連結部17の全面と、ハーフエッチング加工により形成された凹部には、第2のめっき層4が形成されている。
第1のめっき層3の構成は、実施例1におけるものと略同じである。
第2のめっき層4は、Agめっき層
、又は、順に形成された、下地めっき
層とAgめっき層、又は、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層とAgめっき層で構成されている。
その他の構成は、実施例1の多列型LED用リードフレームと略同じである。
【0095】
このように構成される実施例3の多列型LED用リードフレームは、例えば、次のようにして製造した。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、周知の処理であるので便宜上説明を省略する。
【0096】
実施例1と同様に、リードフレームの基材をなす金属板10の準備(
図14(a))から表裏両面へのレジスト層への形成までを行った後、リードフレームの基材の表側の面には、全領域を覆うレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、裏側の面には、外部接続用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、先に形成したパイロットホールを基準にガラスマスクの位置を決定して露光・現像を行うことでリードフレームの基材の表裏両面に第1のめっき用レジストマスク6を形成した。
次に、リードフレームの基材の裏側の面における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成し(
図14(b)参照)、第1のめっき層3を形成後、表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を
剥離液により膨潤させて剥離した(
図14(c)参照)。
なお、第1のめっき層3は、実施例1と同様にNi/Pd/Auの順でめっきを形成することによって得た。
【0097】
次に、ドライフィルムレジストを用いてリードフレームの基材の表側
に剥離時間としての浸漬時間が1分弱のレジスト層を形成し、露光・現像を行い、レジストマスク1を、リードフレームの基材の表側における所定領域に形成した。また、ドライフィルムレジストを用いてリードフレームの基材の裏側
に剥離時間としての浸漬時間が5分弱のレジスト層を形成し、露光・現像を行い、レジストマスク2を、リードフレームの基材の裏側における少なくとも第1のめっき層3を覆う所定領域に形成した。
次に、実施例1と同様のエッチング処理を行い、実施例1と同様のリードフレーム形状を形成した(
図14(d)参照)。
【0098】
次に
、剥離液に1分間浸漬して、リードフレームの基材の表側に形成したレジストマスク1を
膨潤させて除去し、裏側に形成したレジストマスク2は残した。
次に、リードフレームの基材の表側の面全体と、エッチング処理が施されることによって露出したリードフレームの基材の側面と、リードフレームの基材におけるハーフエッチングが施された凹部に、第2のめっき層4を形成した(
図14(e))。
なお、第2のめっき層4は、Agめっき2.0μmの層
、又は、Cuストライクめっき0.1μm
とAgめっき2.0μmの積層、又は、設定厚さ2μmのNiめっき、設定厚さ0.03μmのPdめっき、設定厚さ0.01μmのAuめっき、設定厚さ2.0μmのAgめっきの積層を形成することによって得た。
【0099】
次に
、剥離液に4分間浸漬して、リードフレームの基材の裏側に残存するレジストマスク2を
膨潤させて剥離し、リードフレームの基材の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、Agめっき層
、又は、Cuストライクめっき層
とAgめっき層、又は、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層とAgめっき層が形成され、裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、順に、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層が形成され、側面と、ハーフエッチング加工された凹部にAgめっき層
、又は、Cuストライクめっき層
とAgめっき層、又は、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層とAgめっき層が形成された、
図13に示す連結部17付きのパッド部11とリード部12を備えた多列型LED用リードフレームを得た(
図14(f)参照)。
【0100】
実施例4
図15は本発明の実施例4にかかるリードフレームの製造方法の製造工程を経て製造された、多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、1つのリードフレーム領域に形成されるリードフレームの断面図である。
図16は
図15に示すリードフレームの製造方法における製造工程の一例を示す説明図である。
【0101】
実施例4のリードフレームは、第4実施形態のリードフレームの製造方法を用いて製造された、LEDパッケージの製造に使用されるリードフレームであり、実施例1と同様、パッド部とリード部の組合せからなる個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列され、夫々連結部を介して繋げられた多列型リードフレームとして形成されている。
個々のリードフレーム領域は、
図15に示すように、金属板10の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3が形成されてなる反射用めっき層13aと、金属板10の裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第2のめっき層4が形成されてなる外部接続用めっき層13bを有している。
また、金属板10にエッチング加工により形成されたパッド部11及びリード部12の側面と、連結部17の全面と、ハーフエッチング加工により形成された凹部には、第2のめっき層4が形成されている。
第1のめっき層3は、Agめっき層、又は、
順に形成された、下地めっき層
、Agめっき層で構成されている。
第2のめっき層4は、順に形成された、Agめっき層
とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層、又は
、順に形成された、下地めっき層
とAgめっき層とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成されている。
その他の構成は、実施例1の多列型LED用リードフレームと略同じである。
【0102】
このように構成される実施例4の多列型LED用リードフレームは、例えば、次のようにして製造した。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、周知の処理であるので便宜上説明を省略する。
【0103】
実施例1と同様に、リードフレームの基材をなす金属板10の準備(
図16(a))から表裏両面へのレジスト層への形成までを行った後、リードフレームの基材の表側の面には、反射用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、裏側の面には、全領域を覆うレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、先に形成したパイロットホールを基準にガラスマスクの位置を決定して露光・現像を行うことでリードフレームの基材の表裏両面に第1のめっき用レジストマスク6を形成した。
次に、リードフレームの基材の表側の面における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、Agめっき層、又は、
順に下地めっき層
、Agめっき層を形成し(
図16(b)参照)、第1のめっき層3を形成後、表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を
剥離液により膨潤させて剥離した(
図16(c)参照)。
なお、第1のめっき層3は、設定厚さ2.0μmのAgめっきを形成することによって得た。
また、第1のめっき層3は、例えば、Cuストライクめっき厚さ0.1μmの層とその上のAgめっき厚さ2.0μmの層との積層構造であっても良い。
【0104】
次に、ドライフィルムレジストを用いてリードフレームの基材の裏側
に剥離時間としての浸漬時間が1分弱のレジスト層を形成し、露光・現像を行い、レジストマスク1を、リードフレームの基材の裏側における所定領域に形成した。また、ドライフィルムレジストを用いてリードフレームの基材の表側
に剥離時間としての浸漬時間が5分弱のレジスト層を形成し、露光・現像を行い、レジストマスク2を、リードフレームの基材の表側における少なくとも第1のめっき層3を覆う所定領域に形成した。
次に、実施例1と同様のエッチング処理を行い、実施例1と同様のリードフレーム形状を形成した(
図16(d)参照)。
【0105】
次に
、剥離液に1分間浸漬して、リードフレームの基材の裏側に形成したレジストマスク1を
膨潤させて除去し、表側に形成したレジストマスク2は残した。
次に、リードフレームの基材の裏側の面全体と、エッチング処理が施されることによって露出したリードフレームの基材の側面と、リードフレームの基材におけるハーフエッチングが施された凹部に、第2のめっき層4を形成した(
図16(e))。
なお、第2のめっき層4は、Agめっき2.0μmの層
と、設定厚さ2μmのNiめっきの層と、設定厚さ0.03μmのPdめっきの層と、設定厚さ0.01μmのAuめっきの層、又は、Cuストライクめっき0.1μm
とAgめっき2.0μmの積層と、設定厚さ2μmのNiめっきの層と、設定厚さ0.03μmのPdめっきの層と、設定厚さ0.01μmのAuめっきの層を形成することによって得た。
【0106】
次に
、剥離液に4分間浸漬して、リードフレームの基材の表側に残存するレジストマスク2を
膨潤させて剥離し、リードフレームの基材の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、Agめっき層、又は、
順にCuストライクめっき層
とAgめっき層が形成され、裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、順に、Agめっき層
とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層、又は
、順に、Cuストライクめっき層
とAgめっき層とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層が形成され、側面と、ハーフエッチング加工された凹部に順に、Agめっき層
とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層、又は
、順に、Cuストライクめっき層
とAgめっき層とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層が形成された、
図15に示す連結部17付きのパッド部11とリード部12を備えた多列型LED用リードフレームを得た(
図16(f)参照)。
【0107】
次に、本発明のリードフレームの製造方法により製造されるリードフレームを用いた、樹脂付きリードフレーム、半導体装置の製造工程を説明する。
図17は
図10に示す製造工程を経て得た多列型LED用リードフレームを用いた、樹脂付き多列型LED用リードフレーム、LEDパッケージの製造工程の一例を示す説明図である。
まず、モールド金型を用いてLED用リードフレームのリード部12とパッド部11との間、表側及び裏側のハーフエッチングが施された部位とその他の必要な箇所に、リフレクタ樹脂を充填してリフレクタ樹脂部15を形成し、樹脂付きの多列型LED用リードフレームを得る(
図17(a)参照)。
【0108】
次に、リフレクタ樹脂部15が形成されたLED用リードフレームのパッド部11にLED素子20を搭載・固定する(
図17(b)参照)とともに、LED素子20とリード部12とをワイヤボンディングし(
図17(c)参照)、さらに、リフレクタ樹脂部15に囲まれるLED素子20が搭載された内部空間に透明樹脂を充填し、LED素子20とボンディングワイヤ14を封止する透明樹脂部16を形成する(
図17(d)参照)。
次に、リフレクタ樹脂部15における、パッド部11及びリード部12の外周を囲む部位を連結部17とともに切断する。これにより、LEDパッケージが完成する。
なお、
図17では便宜上、実施例1の製造工程を経て得た多列型リードフレームを用いたが、実施例2、実施例3、実施例4の製造工程を経て得た多列型リードフレームを用いた場合も同様である。