特許 6413325 アクチュエーター装置、電子機器、及び制御方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6413325

(24)【登録日】2018年10月12日

(45)【発行日】2018年10月31日

(54)【発明の名称】アクチュエーター装置、電子機器、及び制御方法

(51)【国際特許分類】

   G02B 26/00 20060101AFI20181022BHJP

   G01J 3/26 20060101ALI20181022BHJP

   B81B 3/00 20060101ALI20181022BHJP

【ＦＩ】

   G02B26/00

   G01J3/26

   B81B3/00

【請求項の数】7

【全頁数】26

(21)【出願番号】特願2014-94606(P2014-94606)

(22)【出願日】2014年5月1日

(65)【公開番号】特開2015-212722(P2015-212722A)

(43)【公開日】2015年11月26日

【審査請求日】2017年4月28日

(73)【特許権者】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000637

【氏名又は名称】特許業務法人樹之下知的財産事務所

(72)【発明者】

【氏名】廣久保 望

【審査官】 堀部 修平

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００３−２１５４７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−０８６５１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０５９４９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−２３８７５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−２２２１２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１２／０２０６８１３（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０２Ｂ ２６／００

Ｂ８１Ｂ ３／００

Ｇ０１Ｊ ３／２６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに対向する一対の基板と、
前記一対の基板間のギャップ寸法を変化させる複数の静電アクチュエーターと、
前記ギャップ寸法を検出するギャップ検出部と、
前記静電アクチュエーターの駆動を制御する駆動制御手段と、を備え、
前記複数の静電アクチュエーターの各々は、独立して駆動可能であり、前記複数の静電アクチュエーターの各々への電圧の印加により、前記一対の基板のうち少なくとも一方を他方に撓ませることで、前記ギャップ寸法を変化させ、
前記駆動制御手段は、前記複数の静電アクチュエーターの各々に印加した電圧と、前記ギャップ検出部により検出される前記ギャップ寸法と、に基づいて、前記複数の静電アクチュエーターの各々を駆動させるための駆動パラメーターとして、前記基板のばね定数、及び前記各静電アクチュエーターを構成する電極間の初期ギャップ寸法を導出し、前記ばね定数及び前記初期ギャップ寸法に基づいて、前記駆動パラメーターとして、前記一対の基板を平行に維持するための平行制御電圧を導出する
ことを特徴とするアクチュエーター装置。

【請求項2】

請求項１に記載のアクチュエーター装置において、
前記複数の静電アクチュエーターの各々は、バイアス電圧が印加されるバイアス用静電アクチュエーターであり、
前記アクチュエーター装置は、前記バイアス用静電アクチュエーターとは独立して駆動可能な制御用静電アクチュエーターを備え、
前記駆動制御手段は、前記バイアス用静電アクチュエーターに前記平行制御電圧を前記バイアス電圧として印加し、前記制御用静電アクチュエーターに前記ギャップ検出部により検出された前記ギャップ寸法に応じたフィードバック電圧を印加する
ことを特徴とするアクチュエーター装置。

【請求項3】

請求項１または請求項２に記載のアクチュエーター装置において、
前記複数の静電アクチュエーターを構成する各々の静電アクチュエーターは、前記一対の基板の互いに対向する面の法線方向に平行な駆動中心軸に対して非対称に設けられ、
前記ギャップ検出部は、前記駆動中心軸における前記ギャップ寸法を検出する
ことを特徴とするアクチュエーター装置。

【請求項4】

請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のアクチュエーター装置において、
前記一対の基板の一方に設けられた第一反射膜と、前記一対の基板の他方に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜とを備えている
ことを特徴とするアクチュエーター装置。

【請求項5】

請求項４に記載のアクチュエーター装置において、
前記複数の静電アクチュエーターを構成する各々の静電アクチュエーターは、前記一対の基板の互いに対向する面の法線方向に平行な駆動中心軸に対して非対称に設けられ、
前記第一反射膜及び前記第二反射膜は、前記駆動中心軸上に設けられている
ことを特徴とするアクチュエーター装置。

【請求項6】

請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のアクチュエーター装置と、
前記ギャップ寸法の目標値を指令して前記アクチュエーター装置を制御する制御部と、を具備する
ことを特徴とする電子機器。

【請求項7】

互いに対向する一対の基板、前記一対の基板間のギャップ寸法を変化させる複数の静電アクチュエーター、前記ギャップ寸法を検出するギャップ検出部を備え、前記複数の静電アクチュエーターの各々が独立して駆動可能であるアクチュエーター装置の制御方法であって、
前記静電アクチュエーターを順次切り替えて駆動させ、
前記静電アクチュエーターの駆動を切り替える毎に前記ギャップ検出部により検出される前記ギャップ寸法を検出し、
駆動させた前記静電アクチュエーターへの印加電圧とその際の前記ギャップ寸法とに基づいて、各静電アクチュエーターを駆動させるための駆動パラメーターを導出する
ことを特徴とする制御方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、アクチュエーター装置、電子機器、及び制御方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、互いに対向する一対の基板と、各基板にそれぞれ配置されて互いに対向する反射膜と、各基板にそれぞれ配置されて互いに対向する電極（静電アクチュエーター）と、を備えた波長可変干渉フィルターが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載のファブリーペローフィルターでは、一対の反射膜の周囲に、それぞれ独立駆動可能な４つの静電アクチュエーターを配置し、これらの静電アクチュエーターをそれぞれ検出部に接続している。そして、各静電アクチュエーターにおける静電容量を検出部で検出し、検出された静電容量に基づいて、ギャップ制御部により各静電アクチュエーターに印加する駆動電圧を制御している。このような構成では、各静電アクチュエーターにおけるギャップ寸法に基づいて、反射膜同士の平行性を維持するようにフィードバック制御することが可能となる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３−２１５４７３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、上記特許文献１の装置では、各静電アクチュエーターの静電容量を検出部で検出している。このような構成では、検出部において、各静電アクチュエーターのそれぞれに対応した検出回路を組み込む必要があるという課題がある。

【0005】

本発明は、簡素な構成で、静電アクチュエーターを用いたギャップ制御を精度よく実施可能なアクチュエーター装置、電子機器、及び制御方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本適用例のアクチュエーター装置は、互いに対向する一対の基板と、前記一対の基板間のギャップ寸法を変化させる複数の静電アクチュエーターと、前記ギャップ寸法を検出するギャップ検出部と、前記静電アクチュエーターの駆動を制御する駆動制御手段と、を備え、前記複数の静電アクチュエーターの各々は、独立して駆動可能であり、前記複数の静電アクチュエーターの各々への電圧の印加により、前記一対の基板のうち少なくとも一方を他方に撓ませることで、前記ギャップ寸法を変化させ、前記駆動制御手段は、前記複数の静電アクチュエーターの各々に印加した電圧と、前記ギャップ検出部により検出される前記ギャップ寸法と、に基づいて、前記複数の静電アクチュエーターの各々を駆動させるための駆動パラメーターとして、前記基板のばね定数、及び前記各静電アクチュエーターを構成する電極間の初期ギャップ寸法を導出し、前記ばね定数及び前記初期ギャップ寸法に基づいて、前記駆動パラメーターとして、前記一対の基板を平行に維持するための平行制御電圧を導出することを特徴とする。

【0007】

本適用例では、各静電アクチュエーターが駆動中心軸に対して非対称に設けられ、これらの静電アクチュエーターを順次駆動させる。１つの静電アクチュエーターに一定の電圧を印加すると、当該静電アクチュエーターを構成する電極間のギャップ寸法が大きい場合では、ギャップ寸法が小さい場合に比べて静電引力が小さくなり、ギャップ検出部にて検出されるギャップ寸法の変動量が小さくなる。したがって、各静電アクチュエーターについて、順次一定電圧を印加して駆動させ、ギャップ検出部により、ギャップ寸法を検出して、その変動量を求めることで、上記のようなギャップ寸法の変動量から基板の傾き状態や傾き量を求めることができる。したがって、このような基板の傾き状態や傾き量から基板を所望の姿勢（例えば平行等）に維持するための各静電アクチュエーターの駆動パラメーターを容易に算出することができる。
また、本適用例では、１つのギャップ検出部を用いてギャップ寸法の変動量を求めるので、例えば、各静電アクチュエーターにおける電極間のギャップ寸法をそれぞれ検出するような構成に比べて、構成の簡略化を図ることができる。

【0008】

本適用例のアクチュエーター装置において、前記駆動制御手段は、前記駆動パラメーターとして、前記一対の基板を平行に維持するための平行制御電圧を導出することが好ましい。

【0009】

本適用例では、駆動制御手段は、駆動パラメーターとして、各静電アクチュエーターのそれぞれに印加する平行制御電圧（駆動電圧）を導出する。したがって、導出されたそれぞれの駆動電圧を対応する静電アクチュエーターに印加することで、一対の基板を平行に維持することができる。

【0010】

本適用例のアクチュエーター装置において、複数の前記静電アクチュエーターは、電圧の印加により、前記一対の基板のうち少なくとも一方を他方に撓ませることで、前記ギャップ寸法を変化させ、前記駆動制御手段は、前記駆動パラメーターとして、前記基板のばね定数、及び前記各静電アクチュエーターを構成する電極間の初期ギャップ寸法を導出し、前記ばね定数及び前記初期ギャップ寸法に基づいて前記平行制御電圧を導出することが好ましい。

【0011】

本適用例では、静電アクチュエーターへの印加電圧及びギャップ寸法に基づいて、各静電アクチュエーターが設けられたそれぞれの領域に対する基板のばね定数と、各静電アクチュエーターのそれぞれにおける電極間の初期ギャップ寸法とを算出する。
すなわち、本適用例では、各静電アクチュエーターに対して複数種の電圧を静電アクチュエーターに印加し、かつ電圧を印加する静電アクチュエーターを順次切り替えることで、例えば簡単な連立方程式により、基板におけるばね定数の分布や、各静電アクチュエーターにおける初期ギャップを算出することが可能となる。したがって、これらのばね定数と初期ギャップ寸法を用いることで、一対の基板を所定のギャップ寸法で平行に維持するための各静電アクチュエーターに対する平行制御電圧を容易に導出することができる。

【0012】

本適用例のアクチュエーター装置において、複数の前記静電アクチュエーターは、バイアス電圧が印加されるバイアス用静電アクチュエーターであり、前記アクチュエーター装置は、前記バイアス用静電アクチュエーターとは独立して駆動可能な制御用静電アクチュエーターを備え、前記駆動制御手段は、前記バイアス用静電アクチュエーターに前記平行制御電圧を前記バイアス電圧として印加し、前記制御用静電アクチュエーターに前記ギャップ検出部により検出された前記ギャップ寸法に応じたフィードバック電圧を印加することが好ましい。

【0013】

本適用例では、複数のバイアス用静電アクチュエーターに対して上述した平行制御電圧をバイアス電圧として印加することで、一対の基板を平行に維持する。そして、ギャップ検出部により検出されたギャップ寸法と、一対の基板間のギャップ寸法の目標値とに基づいて、フィードバック電圧を制御用静電アクチュエーターに印加する。これにより、一対の基板間を平行に維持した状態で、基板間のギャップ寸法を所望の目標値に精度よく設定することができる。
ここで、上記特許文献１にて示したように、複数の静電アクチュエーターにおけるそれぞれの電極間ギャップに基づいて、各静電アクチュエーターに印加する電圧をフィードバック制御する構成では、各静電アクチュエーター間の相互作用によりフィードバック制御が困難になる。これに対して、本適用例では、１つのギャップ検出部により検出されたギャップ寸法に基づいて、各バイアス用静電アクチュエーターを駆動させて一対の基板を平行にした上で、制御用静電アクチュエーターをフィードバック制御している。このため、各バイアス用静電アクチュエーターを駆動させた際に相互作用を考慮したフィードバック電圧を算出する必要がなく、簡素な回路構成で、容易にフィードバック制御を実施できる。

【0014】

本適用例のアクチュエーター装置において、前記ギャップ検出部は、前記駆動中心軸における前記ギャップ寸法を検出することが好ましい。

【0015】

本適用例では、ギャップ検出部により、駆動中心軸におけるギャップ寸法を検出する。つまり、アクチュエーター装置において、最も精度よくギャップ制御を実施したい部分のギャップ寸法に基づいて、駆動パラメーターを算出している。したがって、本適用例では、一対の基板を平行に維持するだけでなく、そのギャップ寸法を精度よく所望の値に制御することができる。

【0016】

本適用例のアクチュエーター装置において、前記一対の基板の一方に設けられた第一反射膜と、前記一対の基板の他方に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜とを備えていることが好ましい。

【0017】

本適用例では、アクチュエーター装置は、一対の反射膜（第一反射膜、第二反射膜）を備えたファブリーペローエタロン（干渉フィルター）である。このような干渉フィルターでは、所望波長の光を出射させるために、一対の反射膜を平行に維持する必要がある。これに対して、本適用例は、上記のように、駆動制御手段により各静電アクチュエーターの駆動パラメーターを導出することで、精度よく反射膜同士を平行に維持することができ、干渉フィルターから高分解能な出射光を得ることができる。

【0018】

本適用例のアクチュエーター装置において、前記第一反射膜及び前記第二反射膜は、前記駆動中心軸上に設けられていることが好ましい。

【0019】

本適用例では、上記反射膜は、駆動中心軸上に設けられている。つまり複数の静電アクチュエーターに平行制御電圧を印加した際に、一対の基板における平行度が最も高い部分に反射膜が設けられている。したがって、一対の反射膜をより確実に平行にすることができ、干渉フィルターから、より高分解能な出射光を出射させることができる。
また、上記した発明のように、ギャップ検出部が駆動中心軸上に設けられている場合では、ギャップ制御部により、反射膜間のギャップ寸法を直接検出することが可能となる。したがって、当該検出された値に基づいて、反射膜間のギャップ寸法を精度よく目標値に設定することができ、所望の目標波長の光を高分解能で出射させることができる。

【0020】

本適用例の電子機器は、一対の基板、前記一対の基板の一方に設けられた第一反射膜、前記一対の基板の他方に設けられ前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記一対の基板間のギャップ寸法を変化させる複数の静電アクチュエーター、前記一対の基板間のギャップ寸法を検出するギャップ検出部、及び前記静電アクチュエーターの駆動を制御する駆動制御手段を備えたアクチュエーター装置と、前記ギャップ寸法の目標値を指令して前記アクチュエーター装置を制御する制御部と、を具備し、前記複数の静電アクチュエーターの各々は、独立して駆動可能であり、前記複数の静電アクチュエーターの各々への電圧の印加により、前記一対の基板のうち少なくとも一方を他方に撓ませることで、前記ギャップ寸法を変化させ、前記駆動制御手段は、前記複数の静電アクチュエーターの各々に印加した電圧と、前記ギャップ検出部により検出される前記ギャップ寸法と、に基づいて、前記複数の静電アクチュエーターの各々を駆動させるための駆動パラメーターとして、前記基板のばね定数、及び前記各静電アクチュエーターを構成する電極間の初期ギャップ寸法を導出し、前記ばね定数及び前記初期ギャップ寸法に基づいて、前記駆動パラメーターとして、前記一対の基板を平行に維持するための平行制御電圧を導出することを特徴とする。

【0021】

本適用例では、上記のように、アクチュエーター装置は、制御部からの目標値の指令に基づいて、一対の基板間のギャップ寸法を制御することができる。この際、上記発明と同様、駆動制御手段により、一対の基板を平行に維持するように、各静電アクチュエーターの駆動パラメーターが導出される。したがって、本適用例の電子機器では、基板間の平行性を高精度に維持した状態で、ギャップ量を所望の目標値に設定することができる。

【0022】

本適用例の制御方法は、互いに対向する一対の基板、前記一対の基板間のギャップ寸法を変化させる複数の静電アクチュエーター、前記ギャップ寸法を検出するギャップ検出部を備え、前記複数の静電アクチュエーターの各々が独立して駆動可能であるアクチュエーター装置の制御方法であって、前記静電アクチュエーターを順次切り替えて駆動させ、前記静電アクチュエーターの駆動を切り替える毎に前記ギャップ検出部により検出される前記ギャップ寸法を検出し、駆動させた前記静電アクチュエーターへの印加電圧とその際の前記ギャップ寸法とに基づいて、各静電アクチュエーターを駆動させるための駆動パラメーターを導出することを特徴とする。

【0023】

本適用例は、上記発明と同様に、ギャップ検出部により一対の基板間のギャップ寸法を検出するため、各静電アクチュエーターにおける電極間のギャップ寸法を検出するような構成に比べて、構成の簡略化を図ることができる。また、各静電アクチュエーターの駆動パラメーターが導出することで、一対の基板を平行に維持することができる。

【図面の簡単な説明】

【0024】

【図1】本発明に係る第一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図。

【図2】本実施形態の光学モジュールの概略構成を示す図。

【図3】本実施形態の波長可変干渉フィルターの断面図。

【図4】本実施形態の固定基板を可動基板側から見た平面図。

【図5】本実施形態の可動基板を固定基板側から見た平面図。

【図6】本実施形態の光学モジュールにおけるパラメーター設定処理を示すフローチャート。

【図7】本発明の電子機器の一例である測色装置を示す概略図。

【図8】本発明の電子機器の一例であるガス検出装置を示す概略図。

【図9】図８のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図。

【図10】本発明の電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図。

【図11】本発明の電子機器の一例である分光カメラの概略構成を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0025】

以下、本発明に係る一実施形態を図面に基づいて説明する。
［分光測定装置の構成］
図１は、本発明に係る第一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。
分光測定装置１は、本発明の電子機器であり、測定対象Ｘで反射された測定対象光における所定波長の光強度を分析し、分光スペクトルを測定する装置である。なお、本実施形態では、測定対象Ｘで反射した測定対象光を測定する例を示すが、測定対象Ｘとして、例えば液晶ディスプレイ等の発光体を用いる場合、当該発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
この分光測定装置１は、図１に示すように、本発明のアクチュエーター装置である光学モジュール１０と、ディテクター１１（検出部）と、Ｉ−Ｖ変換器１２と、アンプ１３と、Ａ／Ｄ変換器１４と、制御部２０と、を備えている。また、光学モジュール１０は、波長可変干渉フィルター５と、電圧制御部１５とを備えて構成されている。

【0026】

ディテクター１１は、光学モジュール１０の波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光し、受光した光の光強度に応じた検出信号（電流）を出力する。
Ｉ−Ｖ変換器１２は、ディテクター１１から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ１３に出力する。
アンプ１３は、Ｉ−Ｖ変換器１２から入力された検出信号に応じた電圧（検出電圧）を増幅する。
Ａ／Ｄ変換器１４は、アンプ１３から入力された検出電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、制御部２０に出力する。
電圧制御部１５は、制御部２０の制御に基づいて、波長可変干渉フィルター５を駆動させ、波長可変干渉フィルター５から所定の目的波長の光を透過させる。

【0027】

［光学モジュールの構成］
次に、光学モジュール１０の構成について、以下に説明する。
図２は、光学モジュール１０の概略構成を示すブロック図である。
光学モジュール１０は、上記のように、波長可変干渉フィルター５と、電圧制御部１５とを備えて構成される。

【0028】

［波長可変干渉フィルターの構成］
光学モジュール１０の波長可変干渉フィルター５について、以下説明する。図３は、波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す断面図である。
図４は、固定基板５１を可動基板５２側から見た平面図である。図５は、可動基板５２を固定基板５１側から見た平面図である。
波長可変干渉フィルター５は、図２及び図３に示すように、本発明の一対の基板の一方である固定基板５１、及び本発明の一対の基板の他方である可動基板５２を備えている。これらの固定基板５１及び可動基板５２は、それぞれ各種ガラスや水晶等により形成され、固定基板５１の第一接合部５１３及び可動基板の第二接合部５２３が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜５３により接合されることで、一体的に構成されている。

【0029】

固定基板５１には、本発明の第一反射膜を構成する固定反射膜５４が設けられ、可動基板５２には、本発明の第二反射膜を構成する可動反射膜５５が設けられている。これらの固定反射膜５４および可動反射膜５５は、反射膜間ギャップＧ１（図３参照）を介して対向配置されている。そして、波長可変干渉フィルター５には、この反射膜間ギャップＧ１のギャップ量を調整（変更）するのに用いられる静電アクチュエーター部５６が設けられている。この静電アクチュエーター部５６は、それぞれ独立して駆動可能な４つのバイアス用静電アクチュエーター（以降、バイアスアクチュエーターと略す場合がある）５７（５７Ａ，５７Ｂ，５７Ｃ，５７Ｄ）と制御用静電アクチュエーター（以降、制御アクチュエーターと略す場合がある）５８とを備えている。
また、固定基板５１の一端側（図２、図４における辺Ｃ３−Ｃ４）は、可動基板５２の基板端縁（図２、図５における辺Ｃ３´−Ｃ４´）よりも外側に突出している。可動基板５２の辺Ｃ１´−Ｃ２´側の基板端縁は、固定基板５１の辺Ｃ１−Ｃ３側の基板端縁より外側に突出しており、この突出部の固定基板５１側の面は、電装面５２４を構成している。
なお、以降の説明に当たり、固定基板５１または可動基板５２の基板厚み方向から見た平面視、つまり、固定基板５１、接合膜５３、及び可動基板５２の積層方向から波長可変干渉フィルター５を見た平面視を、フィルター平面視と称する。また、本実施形態では、フィルター平面視において、固定反射膜５４の中心点及び可動反射膜５５の中心点は、一致し、平面視におけるこれらの反射膜の中心点をフィルター中心点Ｏと称する。反射膜５４，５５の中心点Ｏを通る直線は、本発明の駆動中心軸となる。

【0030】

（固定基板の構成）
固定基板５１は、図４に示すように、例えばエッチング等により形成された電極配置溝５１１および反射膜設置部５１２を備える。
電極配置溝５１１は、フィルター平面視で、固定基板５１のフィルター中心点Ｏを中心とした環状に形成されている。反射膜設置部５１２は、フィルター平面視において、電極配置溝５１１の中心部から可動基板５２側に突出して形成されている。この電極配置溝５１１の溝底面には、静電アクチュエーター部５６を構成する共通電極５６１が配置される。また、反射膜設置部５１２の突出先端面には、固定反射膜５４が配置される。
また、固定基板５１には、電極配置溝５１１から、固定基板５１の辺Ｃ１−Ｃ２に向かって延出する電極引出溝５１１Ａが設けられている。

【0031】

電極配置溝５１１の溝底面には、共通電極５６１が設けられている。この共通電極５６１は、電極配置溝５１１の溝底面のうち、後述する可動部５２１に対向する領域に設けられている。具体的には、共通電極５６１は、図３に示すように、後述するバイアス電極５７１、及び制御電極５８１に対向する領域を覆って設けられている。また、共通電極５６１上に、共通電極５６１と、可動基板５２側の各電極との間の絶縁性を確保するための絶縁膜が積層される構成としてもよい。

【0032】

そして、固定基板５１には、共通電極５６１の外周縁に接続された共通引出電極５６２が設けられている。この共通引出電極５６２は、電極引出溝５１１Ａに沿って設けられている。電極引出溝５１１Ａには、可動基板５２側に向かって突設されたバンプ部５６４Ａが設けられ、共通引出電極５６２は、バンプ部５６４Ａ上まで延出する。そして、バンプ部５６４Ａ上で可動基板５２側に設けられた共通接続電極５６４に当接し、電気的に接続される。この共通接続電極５６４は、電極引出溝５１１Ａに対向する領域から電装面５２４まで延出し、電装面５２４において共通電極パッド５６４Ｐを構成する。

【0033】

反射膜設置部５１２は、上述したように、電極配置溝５１１と同軸上で、電極配置溝５１１よりも小さい径寸法となる略円柱状に形成され、当該反射膜設置部５１２の可動基板５２に対向する面に固定反射膜５４が設けられている。
この固定反射膜５４としては、例えばＡｇ等の金属膜や、Ａｇ合金等、導電性の合金膜を用いることができる。また、例えば高屈折層をＴｉＯ_２、低屈折層をＳｉＯ_２とした誘電体多層膜を用いてもよく、この場合、誘電体多層膜の最下層又は表層に導電性の金属合金膜が形成されていることが好ましい。
そして、固定基板５１には、図４に示すように、固定反射膜５４の外周縁から延出する固定ミラー接続電極５４１が設けられる。この固定ミラー接続電極５４１は、図４に示すように、共通電極５６１に接続される。
なお、固定反射膜５４が金属や合金等の導電性部材により構成されている場合は、固定ミラー接続電極５４１と固定反射膜５４とを同一素材にて構成することができる。また、固定反射膜５４とは別に、固定ミラー接続電極５４１を設けてもよい。
一方、固定反射膜５４が誘電体多層膜等の絶縁部材により構成されている場合は、固定反射膜５４上に例えばＩＴＯ等の透光性素材により構成された固定ミラー電極を成膜し、当該固定ミラー電極の一部を固定ミラー接続電極５４１とする、若しくは固定ミラー電極に接続する固定ミラー接続電極５４１を別途設ければよい。これにより、固定反射膜５４を電極としても機能させることが可能となる。

【0034】

（可動基板の構成）
可動基板５２は、図５に示すようなフィルター平面視において、フィルター中心点Ｏを中心とした円形状の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する保持部５２２と、保持部５２２の外側に設けられた基板外周部５２５と、を備えている。

【0035】

可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板５２の厚み寸法と同一寸法に形成されている。この可動部５２１は、フィルター平面視において、少なくとも反射膜設置部５１２の外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。そして、この可動部５２１には、可動反射膜５５、４つのバイアス電極５７１、制御電極５８１が設けられている。

【0036】

可動反射膜５５は、可動部５２１の中心部に、固定反射膜５４と反射膜間ギャップＧ１を介して対向して設けられる。この可動反射膜５５としては、上述した固定反射膜５４と同一の構成の反射膜が用いられる。
また、可動反射膜５５には、固定反射膜５４と同様、可動ミラー接続電極５５１が接続される。この可動ミラー接続電極５５１は、電極引出溝５１１Ａに対向する領域を通って、電装面５２４まで延出し、延出先端部が電圧制御部１５に接続されるミラー電極パッド５５Ｐとなる。ミラー電極パッド５５Ｐは、電圧制御部１５の容量検出器１５２に接続される。
本実施形態では、固定反射膜５４及び可動反射膜５５が電極としても機能し、これらの反射膜５４，５５間における静電容量を検出することで、ギャップＧ１のギャップ寸法を検出することができる。すなわち、固定反射膜５４及び可動反射膜５５により、本発明のギャップ検出部の一部が構成される。

【0037】

バイアス電極５７１（５７１Ａ，５７１Ｂ，５７１Ｃ，５７１Ｄ）は、図５に示すように、４つ設けられ、フィルター中心点Ｏを中心とした仮想円上で、フィルター中心点Ｏに対して回転対称に設けられている。これらのバイアス電極５７１には、それぞれバイアス接続電極５７２が接続されている。また、これらのバイアス接続電極５７２は、電装面５２４まで延出し、延出先端部においてバイアス電極パッド５７Ｐを構成する。これらのバイアス電極パッド５７Ｐは、それぞれ、電圧制御部１５のＤＡＣ（Digital to Analog Converter）１５１のバイアスチャンネル（Ｃｈ．ｎ（ｎ＝１〜４）に接続される。
ここで、本実施形態では、バイアス電極５７１及び共通電極５６１により、バイアスアクチュエーター５７が構成される。上記のように、各バイアス電極５７１がそれぞれ別のバイアスチャンネルに接続されるので、これらのバイアスアクチュエーター５７は、それぞれ独立して駆動可能となる。
また、これらのバイアスアクチュエーター５７は、図２に示すように、フィルター中心（駆動中心軸）を中心とした同心円上に回転対称となるように配置される。言い換えれば、１つ１つのバイアスアクチュエーターは、それぞれ、フィルター中心点Ｏを通る駆動中心軸に対して非対称に構成されることになる。

【0038】

制御電極５８１は、図５に示すように、バイアス電極５７１の外（保持部５２２側）に設けられる。制御電極５８１は、例えば略Ｃ字状（円環の一部が切欠かれた形状）に形成されている。上述した各バイアス接続電極５７２、可動ミラー接続電極５５１は、制御電極５８１のＣ字開口部を通って、電装面５２４まで引き出されている。
この制御電極５８１には、制御接続電極５８２が接続されており、当該制御接続電極５８２は、電装面５２４まで延出し、延出先端部が制御電極パッド５８Ｐを構成する。制御電極パッド５８Ｐは、電圧制御部１５の制御器１５３に接続される。

【0039】

また、可動基板５２には、上述したように、電極引出溝５１１Ａに対向する領域から電装面５２４に亘って、共通接続電極５６４が設けられている。共通接続電極５６４は、バンプ部５６４Ａにて共通引出電極５６２に接続される。また、共通接続電極５６４の先端部は、電装面５２４において、共通電極パッド５６４Ｐを構成する。
なお、本実施形態では、上述したように、電極間のギャップのギャップ寸法が反射膜間ギャップＧ１のギャップ寸法よりも大きい例を示すがこれに限定されない。例えば、測定対象光として赤外線や遠赤外線を用いる場合等、測定対象光の波長域によっては、反射膜間ギャップＧ１のギャップ寸法が、電極間のギャップのギャップ寸法よりも大きくなる構成としてもよい。

【0040】

保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイヤフラムであり、可動部５２１よりも厚み寸法が小さく形成されている。このような保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部５２１を固定基板５１側に変位させることが可能となる。この際、可動部５２１が保持部５２２よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、保持部５２２が静電引力により固定基板５１側に引っ張られた場合でも、可動部５２１の形状変化が起こらない。したがって、可動部５２１に設けられた可動反射膜５５の撓みも生じず、固定反射膜５４及び可動反射膜５５を常に平行状態に維持することが可能となる。
なお、本実施形態では、ダイヤフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、フィルター中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。

【0041】

基板外周部５２５は、上述したように、フィルター平面視において保持部５２２の外側に設けられている。この基板外周部５２５の固定基板５１に対向する面には、第一接合部５１３に対向する第二接合部５２３が設けられ、接合膜５３を介して第一接合部５１３に接合される。

【0042】

［電圧制御部の構成］
電圧制御部１５は、本発明の駆動制御手段を構成するものであり、図２に示すように、ＤＡＣ１５１と、容量検出器１５２と、制御器１５３と、マイコン１６とを備えている。
また、電圧制御部１５は、共通電極パッド５６４Ｐが接続されるグラウンド回路１５４を有し、グラウンド回路１５４により共通電極５６１を共通電位（例えば０電位）が設定される。

【0043】

ＤＡＣ１５１は、マイコン１６から入力された電圧指令信号をアナログ電圧に変換して出力する。具体的には、ＤＡＣ１５１は、図２に示すように、４つのバイアスアクチュエーター５７のそれぞれに印加する電圧を出力する４つのバイアスチャンネル（Ｃｈ．１，Ｃｈ．２，Ｃｈ．３，Ｃｈ．４）と、マイコン１６から入力された目標値を出力する目標値チャンネル（Ｃｈ．５）とを備えている。

【0044】

容量検出器１５２は、反射膜５４，５５に接続されており、反射膜５４，５５間の静電容量に基づいて反射膜間ギャップＧ１のギャップ寸法を検出する。すなわち、容量検出器１５２は、反射膜５４，５５とともに本発明のギャップ検出部を構成する。
具体的には、容量検出器１５２は、図示略のＣ−Ｖ変換回路を有し、反射膜５４，５５間の静電容量を電圧値（検出信号）に変換する。このようなＣ−Ｖ変換回路としては、例えば、スイッチト・キャパシタ回路等が挙げられる。
そして、容量検出器１５２は、検出信号を制御器１５３及びマイコン１６に出力する。
なお、容量検出器１５２は、検出信号としては、アナログ信号を出力してもよく、デジタル信号を出力してもよい。デジタル信号を出力する場合、Ｃ−Ｖ変換回路からの検出信号（アナログ信号）をＡ／Ｄ変換器（Analog to Digital Converter）に入力し、デジタル値に変換する。

【0045】

制御器１５３は、ＤＡＣ１５１の目標値チャンネル及び制御電極パッド５８Ｐに接続される。この制御器１５３は、ＤＡＣ１５１から入力された、ギャップＧ１を所定の目標値に設定する旨の目標指令信号と、容量検出器１５２から入力される検出信号とに基づいて、制御アクチュエーター５８に対してフィードバック電圧を印加する。
具体的には、制御器１５３は、目標指令信号と検出信号との偏差が所定閾値以下となるように、制御アクチュエーター５８に対する駆動電圧を増減して制御する。すなわち、制御器１５３は、目標指令信号及び検出信号に基づいて、フィードバック制御を実施する。

【0046】

マイコン１６は、メモリー等の記憶手段（図示略）を備えている。この記憶手段には、例えば波長可変干渉フィルター５を制御するための各種データや、各種プログラムが記録されている。各種データとしては、例えば、目標波長λに対する反射膜間ギャップＧ１のギャップ寸法の関係を示した関係データ等である。
また、マイコン１６は、図２に示すように、初期駆動手段１６１、パラメーター算出手段１６２、駆動指令手段１６３等として機能する。

【0047】

初期駆動手段１６１は、各バイアスアクチュエーター５７の駆動パラメーターを算出するための初期駆動動作を制御する。具体的には、初期駆動手段１６１は、各バイアスアクチュエーター５７に予め設定された所定の初期駆動電圧を順次印加させる。

【0048】

パラメーター算出手段１６２は、初期駆動動作時に容量検出器１５２から入力された検出信号に基づくギャップ寸法と、初期駆動電圧とに基づいて、駆動パラメーターを算出する。具体的には、パラメーター算出手段は、波長可変干渉フィルター５の可動基板５２のばね定数の分布、及び各バイアスアクチュエーター５７における共通電極５６１及びバイアス電極５７１間のギャップ（電極間ギャップ）の初期ギャップ寸法を算出する。
また、パラメーター算出手段１６２は、算出されたばね定数や初期ギャップ寸法に基づいて、分光測定時においてバイアスアクチュエーター５７に印加するバイアス電圧を算出する。ばね定数、初期ギャップ寸法、バイアス電圧は、本発明の駆動パラメーターとなる。

【0049】

駆動指令手段１６３は、制御部２０から入力された波長指令に基づいて、静電アクチュエーター部５６を制御する。波長指令は、波長可変干渉フィルター５から目標波長の光を出射させる指令であり、当該目標波長が含まれる。駆動指令手段１６３は、例えば記憶手段に記憶されている関係データを参照して、目標波長に対して設定すべきギャップＧ１のギャップ寸法（目標値）を取得する。
また、駆動指令手段１６３は、パラメーター算出手段１６２により算出されたバイアス電圧を各バイアスアクチュエーター５７に印加させる。
なお、マイコン１６の各機能構成におけるさらに詳細な説明は後述する。

【0050】

［制御部の構成］
図１に戻り、分光測定装置１の制御部２０について、説明する。
制御部２０は、本発明の処理部に相当し、例えばＣＰＵやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置１の全体動作を制御する。この制御部２０は、図１に示すように、パラメーター設定部２１と、波長設定部２２と、光量取得部２３と、分光測定部２４と、記憶部３０と、を備えている。記憶部３０には、分光測定装置１の全体動作を制御するための各種データや各種プログラム等が記録される。

【0051】

パラメーター設定部２１は、分光測定装置１により分光測定処理を実施する際の初期化処理を実施する。具体的には、パラメーター設定部２１は、波長可変干渉フィルター５の可動基板５２のばね定数や反射膜間ギャップＧ１の初期ギャップ寸法等を算出させる。
波長設定部２２は、波長可変干渉フィルター５により取り出す光の目的波長を設定し、設定した目的波長を波長可変干渉フィルター５から取り出す旨の波長指令を電圧制御部１５に出力する。
光量取得部２３は、ディテクター１１により取得された光量に基づいて、波長可変干渉フィルター５を透過した目的波長の光の光量を取得する。
分光測定部２４は、光量取得部２３により取得された光量に基づいて、測定対象光のスペクトル特性を測定する。

【0052】

［波長可変干渉フィルターの駆動方法］
次に、本実施形態における光学モジュール１０の駆動制御方法（本発明におけるアクチュエーター装置の制御方法）について、図面に基づいて説明する。

【0053】

（パラメーター設定処理）
図６は、光学モジュール１０の駆動制御方法（制御処理）におけるパラメーター設定処理を示すフローチャートである。
分光測定装置１において分光測定処理を実施する場合、まず、制御部２０のパラメーター設定部２１が光学モジュール１０にパラメーター設定指令を出力する。これにより、光学モジュール１０は、バイアス電圧を算出するための駆動パラメーターであるばね定数及び初期ギャップ寸法を算出するパラメーター設定処理を実施する。なお、このパラメーター算出処理は、例えば、分光測定装置１により最初の分光測定処理を実施する場合にのみ実施されてもよく、定期的に実施されてもよい。

【0054】

以下の説明にあたり、バイアスアクチュエーター５７を示す変数をｎとする。また、変数ｎの初期値を１とし、ｎ＝１はバイアスアクチュエーター５７Ａ，ｎ＝２はバイアスアクチュエーター５７Ｂ、ｎ＝３はバイアスアクチュエーター５７Ｃ，ｎ＝４はバイアスアクチュエーター５７Ｄを指す。

【0055】

パラメーター設定処理では、まず、初期駆動手段１６１は、変数ｎに対応したバイアスアクチュエーター５７に対し、予め設定された第一電圧Ｖ_１を印加し、その際のギャップＧ１の変動量（第一ギャップ変動量ｘ_ｎ１）を取得する（ステップＳ１）。
例えば、ｎ＝１の場合、ＤＡＣ１５１のバイアスチャンネル（Ｃｈ．１）からバイアス電極５７１Ａの電位をＶ_１に設定し、バイアスアクチュエーター５７Ａに第一電圧Ｖ_１を印加する。これにより、バイアスアクチュエーター５７Ａが駆動されて、ギャップＧ１のギャップ寸法が変動し、容量検出器１５２から出力される検出信号もこれに応じて変動する。初期駆動手段１６１は、入力された検出信号に基づいて、ギャップＧ１の変動量である第一ギャップ寸法ｘ_１１を取得する。

【0056】

次に、初期駆動手段１６１は、変数ｎに対応したバイアスアクチュエーター５７に対し、第一電圧Ｖ_１とは異なる第二電圧Ｖ_２を印加し、その際のギャップＧ１の変動量（第二ギャップ変動量ｘ_ｎ２）を取得する（ステップＳ２）。
なお、ステップＳ１，Ｓ２で取得したギャップ変動量ｘ_ｎ１，ｘ_ｎ２は、記憶手段に記憶する。

【0057】

次に、初期駆動手段１６１は、変数ｎがｎ≧４であるか否かを判定する（ステップＳ３）。ステップＳ３で「Ｎｏ」と判定された場合は、変数ｎに１を加算し（ステップＳ４）、ステップＳ１に戻る。
ステップＳ３で「Ｙｅｓ」と判定された場合、すなわち、各バイアスアクチュエーター５７を順次駆動させ、それぞれのバイアスアクチュエーター５７に対して第一電圧Ｖ_１及び第二電圧Ｖ_２を印加した際のギャップ変動量ｘ_ｎ１、ｘ_ｎ２が取得されると、パラメーター算出手段１６２は、各バイアスアクチュエーター５７におけるそれぞれの電極間ギャップの初期ギャップ寸法ｇ_ｎ０、及び可動基板５２のばね定数ｋ_ｎを算出する（ステップＳ５）。

【0058】

以下、パラメーター算出手段１６２により、変数ｎに対応するバイアスアクチュエーター５７における電極間ギャップの初期ギャップ寸法ｇ_ｎ０、及び、可動基板５２における当該バイアスアクチュエーター５７が設けられた領域に対するばね定数ｋ_ｎの算出方法について説明する。
ここで、バイアスアクチュエーター５７の面積（バイアス電極５７１の面積）をＳｂ（本実施形態では、各バイアス電極５７１が同一面積であるとする）、バイアス電極５７１及び共通電極５６１の間の誘電率をεとする。また、波長可変干渉フィルター５において、反射膜間ギャップＧ１のギャップ変動量と、電極間ギャップのギャップ変動量との差は極めて小さいため、電極間ギャップのギャップ変動量は、反射膜間ギャップＧ１のギャップ変動量に近似できる。
バイアスアクチュエーター５７に対して第一電圧Ｖ_１を印加した際の電極間ギャップのギャップ寸法ｇ_ｎ１は、ｇ_ｎ１＝ｇ_ｎ０−ｘ_ｎ１となる。同様に、バイアスアクチュエーター５７に対して第二電圧Ｖ_２を印加した際の電極間ギャップのギャップ寸法ｇ_ｎ２は、ｇ_ｎ２＝ｇ_ｎ０−ｘ_ｎ２となる。また、可動基板５２には、当該可動基板５２の剛性によるばね力と、バイアスアクチュエーター５７による静電引力とが釣り合うため、以下の式（１）（２）が導かれる。

【0059】

【数1】

【0060】

上記式（１）を変形すると、以下の式（３）が得られる。

【0061】

【数2】

【0062】

また、上記式（３）を式（２）に代入することで、以下に示す式（４）が得られる。

【0063】

【数3】

【0064】

この式（４）に示すように、Ａ＝ｇ_ｎ２／ｇ_ｎ１＝（ｇ_ｎ０−ｘ_ｎ２）／（ｇ_ｎ０−ｘ_ｎ１）とすると、バイアス電極５７１における初期ギャップ寸法ｇ_ｎ０は、以下の式（５）により算出することが可能となる。

【0065】

【数4】

【0066】

パラメーター算出手段１６２は、式（４）及び式（５）に基づいて、まず、各バイアスアクチュエーターにおけるそれぞれの電極間ギャップの初期ギャップ寸法ｇ_ｎ０を算出する。
そして、パラメーター算出手段１６２は、算出した初期ギャップ寸法ｇ_ｎ０を、式（３）に代入し、ばね定数ｋ_ｎを算出する。
以上により、ｎ＝１，２，３，４に対応した各バイアスアクチュエーター５７の電極間ギャップの初期ギャップ寸法ｇ_ｎ０と、可動基板５２の各バイアスアクチュエーター５７が設けられた領域におけるばね定数ｋ_ｎ（すなわち、可動基板５２におけるばね定数の分布）が算出される。ここで、初期ギャップ寸法ｇ_ｎ０の分布により、可動基板５２における可動部５２１の傾斜や傾斜量を検出でき、ばね定数ｋ_ｎの分布により、ダイヤフラムとして機能する保持部５２２の剛性分布を検出できる。

【0067】

（駆動制御処理）
次に、上記のような駆動パラメーターであるばね定数ｋ_ｎ、初期ギャップ寸法ｇ_ｎ０を用い、光学モジュール１０から所望の波長の光を出射させるための駆動制御方法について、図面に基づいて説明する。

【0068】

分光測定装置１により測定対象光に含まれる各波長の光の強度を取得するためには、まず、制御部２０は、波長設定部２２により波長可変干渉フィルター５を透過させる光の波長（目標波長）を設定する。そして、波長設定部２２は、設定した目的波長の光を透過させる旨の波長指令を電圧制御部１５に出力する。

【0069】

マイコン１６のパラメーター算出手段１６２は、制御部２０から波長指令が入力されると、目標波長の光を透過させるための反射膜間ギャップＧ１のギャップ寸法（目標値）を取得する。具体的には、目標波長に対する目標値の関係を記録した波長−目標値データを記憶手段に記憶しておき、パラメーター算出手段１６２は、この波長−目標値データに基づいて、目標波長に対応する目標値を取得する。

【0070】

この後、パラメーター算出手段１６２は、目標値に対する各バイアスアクチュエーター５７に印加するバイアス電圧Ｖ_ｂｎを算出する。
この際、マイコン１６は、制御器１５３によるフィードバック制御において、制御アクチュエーター５８への電圧印加時の感度（印加電圧に対するギャップ変位量（ｍ／Ｖ））が一定となるように、かつ、反射膜５４，５５が平行に維持されるように、各バイアス電圧Ｖ_ｂｎを設定する。
具体的には、パラメーター算出手段１６２は、下記式（６）に基づいて、各バイアス電圧Ｖ_ｂｎ（Ｖ_ｂ１，Ｖ_ｂ２，Ｖ_ｂ３，Ｖ_ｂ４）を算出する。

【0071】

【数5】

【0072】

式（６）において、Ｓ_Ｃは、制御アクチュエーター５８の有効面積、ｘは、反射膜間ギャップＧ１を目標値に設定するために必要な可動部５２１を変位させる変位量である。また、Ｒ_Ｃは、制御アクチュエーター５８における感度であり、本実施形態では、この感度Ｒ_Ｃとして、予め設定された一定値が入力される。

【0073】

この後、駆動指令手段１６３は、ＤＡＣ１５１に対して、目標値、及びステップＳ１２により算出された各バイアス電圧Ｖ_ｂｎの電圧指令信号を出力する。これにより、ＤＡＣ１５は、バイアスチャンネル（Ｃｈ．ｎ）から、各バイアスアクチュエーター５７に対して、それぞれ対応したバイアス電圧Ｖ_ｂｎを印加する。
これにより、バイアスアクチュエーター５７において、静電引力が作用し、可動部５２１が固定基板５１との平行を維持した状態で固定基板５１側に変位する。

【0074】

この後、制御器１５３によりフィードバック制御が実施される。
すなわち、制御器１５３は、容量検出器１５２から入力される検出信号と、ＤＡＣ１５１の目標値チャンネル（Ｃｈ．５）から入力される目標指令信号との偏差を算出し、その差が「０」となるように、制御アクチュエーター５８に対してフィードバック電圧を印加する。

【0075】

以上のような駆動制御処理により、波長可変干渉フィルター５から目標波長の光が出射され、ディテクター１１にて受光される。そして、制御部２０の光量取得部２３は、ディテクター１１からの入力信号に基づいて、目標波長の光の光量を取得する。
そして、以上の駆動制御処理を、目標波長を切り替えて順次実施することで、分光測定に必要な複数波長の光の光量を取得することができる。これにより、分光測定部２４は、これらの取得された各目標波長の光の光量に基づいて、測定対象に対する分光測定処理を実施することが可能となる。

【0076】

［本実施形態の作用効果］
本実施形態の分光測定装置１の光学モジュール１０では、波長可変干渉フィルター５において、４つのバイアスアクチュエーター５７が設けられ、各バイアスアクチュエーター５７は駆動中心軸に対して非対称に設けられ、マイコン１６の初期駆動手段１６１は、これらのバイアスアクチュエーター５７を順次駆動させる。１つのバイアスアクチュエーター５７に一定の電圧を印加すると、当該バイアスアクチュエーター５７の電極間ギャップのギャップ寸法の大小に応じて、作用する静電引力が変化し、これにより、容量検出器１５２により検出される検出信号も変化する。このため、パラメーター算出手段１６２は、各バイアスアクチュエーター５７について、順次第一電圧Ｖ_１、第二電圧Ｖ_２を印加し、容量検出器１５２により検出されるギャップ寸法の変動量を検出することで、可動基板５２の可動部５２１の傾き状態や傾き量を算出することができる。したがって、パラメーター算出手段１６２は、このような傾き状態に基づいて、可動部５２１を固定基板５１に対して平行に維持するためのバイアス電圧を容易に算出することができる。
そして、上記のような構成では、バイアス電圧を算出するために、４つのバイアスアクチュエーターにおけるそれぞれの電極間ギャップを検出する必要がなく、反射膜５４，５５間の反射膜間ギャップＧ１におけるギャップ寸法を検出すればよい。つまり、複数の容量検出器を設ける必要がなく、光学モジュール１０及び分光測定装置１の構成の簡略化を図ることができる。

【0077】

本実施形態の分光測定装置１では、パラメーター算出手段１６２は、駆動パラメーターとして、可動部５２１及び固定基板５１を平行に維持するためのバイアス電圧を算出する。
このように、可動部５２１及び固定基板５１を平行に維持することで、反射膜５４，５５も平行に維持されることになり、波長可変干渉フィルター５から所望の目標波長の光を高分解能で出射させることができる。

【0078】

ここで、パラメーター算出手段１６２は、上記式（３）（５）に基づいて、各バイアスアクチュエーター５７における電極間ギャップの初期ギャップ寸法ｇ_ｎ０と、可動基板５２におけるバイアスアクチュエーター５７が設けられた領域におけるばね定数ｋ_ｎを算出する。
上記のように、初期ギャップ寸法ｇ_ｎ０及びばね定数ｋ_ｎを算出することで、式（６）を用いることで容易に目標値に対して、制御アクチュエーター５８における感度Ｒ_Ｃを一定に維持したバイアス電圧Ｖ_ｂｎを算出することができる。また、これらの初期ギャップ寸法ｇ_ｎ０の分布及びばね定数ｋ_ｎの分布により、可動基板５２における可動部５２１の傾き方向や傾き量を容易に検出することができる。

【0079】

本実施形態の分光測定装置１では、波長可変干渉フィルター５に制御アクチュエーター５８が設けられている。そして、パラメーター算出手段１６２により式（６）に示すバイアス電圧を算出して、当該電圧を各バイアスアクチュエーター５７に印加することで、各バイアスアクチュエーター５７に可動部５２１の傾斜を補正するような静電引力が作用するので、反射膜５４，５５を平行に維持することができる。そして、この状態で、制御器１５３により、制御アクチュエーター５８にフィードバック電圧を印加することで、反射膜５４，５５を高精度に平行に維持した状態で、反射膜間ギャップＧ１のギャップ寸法を高度に所望の目標値に設定することができる。
また、上記のようなフィードバック制御では、例えば、各バイアスアクチュエーター５７に対する印加電圧をフィードバック制御する場合に比べて、処理が容易となる。つまり、各バイアスアクチュエーター５７をフィードバック制御する場合では、それぞれのバイアスアクチュエーターを駆動させた際の相互作用を考慮する必要があるため、フィードバック制御が困難になる。これに対して、本実施形態では、フィードバック制御を実施するアクチュエーターは、１つの制御アクチュエーターのみであり、容易、かつ高精度なフィードバック制御が可能となる。

【0080】

本実施形態では、容量検出器１５２は、駆動中心軸に位置する反射膜５４，５５間のギャップ寸法を検出している。このため、例えば、反射膜５４，５５とは離れた位置に容量検出用電極を設ける場合に比べて、構成の簡略化を図れる。また、波長可変干渉フィルター５において、最も精度よくギャップ制御を実施したい反射膜間ギャップＧ１のギャップ寸法を検出するので、検出値と目標値との比較が容易でありフィードバック制御の精度を上げることができる。
また、本実施形態では、駆動中心軸上に反射膜５４，５５が設けられる。バイアスアクチュエーター５７に算出されたバイアス電圧を印加した際に、最も平行度が高い位置に反射膜５４，５５が設けられることになり、反射膜５４，５５の平行度をより高度に維持できる。

【0081】

また、ギャップ寸法を検出する位置が、バイアスアクチュエーター５７から離れている場合、当該バイアスアクチュエーター５７における電極間ギャップの変動量と、検出位置におけるギャップ変動量との差が大きくなるため、特定のバイアスアクチュエーター５７において、可動部５２１を固定基板５１に対して平行に維持するためのバイアス電圧の精度が低下してしまう。
これに対して、本実施形態において、駆動中心軸は、各バイアスアクチュエーター５７からの距離が一定となる位置であり、反射膜間ギャップＧ１におけるギャップ変動量と、電極間ギャップにおけるギャップ変動量との差が微小であるため、精度よくバイアス電圧を算出できる。

【0082】

［その他の実施形態］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

【0083】

上記実施形態では、波長可変干渉フィルター５に制御アクチュエーター５８が設けられ、制御器１５３により、制御アクチュエーター５８にフィードバック電圧を印加する例を示したが、これに限定されない。
例えば、フィードバック制御を実施せず、バイアスアクチュエーター５７のみで波長可変干渉フィルター５を駆動させてもよい。この場合、波長可変干渉フィルター５における制御アクチュエーター５８や、制御器１５３を不要にできる。
また、このような構成では、パラメーター算出手段１６２は、各バイアスアクチュエーター５７に対して以下の式（７）により算出されるバイアス電圧を印加する。

【0084】

【数6】

【0085】

上記実施形態では、パラメーター設定処理において、４つのバイアスアクチュエーター５７を１ずつ順次駆動させる例を示したが、これに限定されない。例えば、フィルター平面視におけるフィルター中心点Ｏを中心とした同心円の周方向に沿って隣り合う２つのバイアスアクチュエーター５７を順次切り替えて、双方のバイアスアクチュエーター５７に電圧Ｖ_１，Ｖ_２を印加して駆動させ、ギャップ変動量ｇ_ｎｍ１，ｇ_ｎｍ２を取得してもよい。例えば、バイアスアクチュエーター５７Ａ，５７Ｂ、バイアスアクチュエーター５７Ｂ，５７Ｃ、バイアスアクチュエーター５７Ｃ，５７Ｄ、バイアスアクチュエーター５７Ｄ，５７Ａ、を順次駆動させて、ギャップ変動量ｇ_１２１、ｇ_１２２、ｇ_２３１、ｇ_２３２、ｇ_３４１、ｇ_３４２、ｇ_４１１、ｇ_４１２を取得する。
また、この場合、式（３）（６）（７）におけるＳ_ｂを対応する２つ分のバイアスアクチュエーターの面積（２Ｓ_ｂ）にすればよい。

【0086】

上記実施形態では、４つのバイアスアクチュエーター５７が、フィルター中心点Ｏを中心とした同心円上に配置される例を示したが、これに限定されない。例えば、２つや３つのバイアスアクチュエーター５７であってもよく、５つ以上のバイアスアクチュエーター５７が設けられていてもよい。バイアスアクチュエーター５７の数量が少ない場合、ばね定数や初期ギャップ寸法の分布が大まかとなり、基板５１，５２間を平行に維持するためのバイアス電圧の精度が低下するが、構成の簡略化を図れる。バイアスアクチュエーター５７の数量が多い場合、構成が複雑化するものの、ばね定数や初期ギャップ寸法の分布をより詳細に検出でき、バイアス電圧の精度が向上する。

【0087】

また、各バイアスアクチュエーター５７がそれぞれ同一形状、同一面積であり、フィルター中心点Ｏを通る駆動中心軸から同一距離の位置に設けられる例を示したがこれに限定されない。例えば、各バイアスアクチュエーター５７が、それぞれ異なる形状であってもよく、面積が異なってもよい。面積が異なる場合、式（３）（６）（７）におけるＳｂに対応する面積の値を代入すればよい。
また、駆動中心軸からの距離がそれぞれ異なる場合であっても、同様に駆動パラメーターであるバイアス電圧の算出が可能である。

【0088】

さらに、ギャップ検出部として、反射膜５４，５５、及び容量検出器１５２により構成される例を示したが、これに限定されない。基板５１，５２間に、反射膜５４，５５とは異なる位置に別途容量検出用電極を設けてもよい。
ただし、上述したように、基板５１，５２のギャップ寸法の検出位置のギャップ変動量を、バイアスアクチュエーター５７の電極間ギャップのギャップ変動量として近似するため、バイアスアクチュエーター５７と、ギャップ寸法の検出位置との距離が大きく離れる場合、バイアス電圧の検出精度が低下することが考えられる。このため、ギャップ検出位置としては、各バイアスアクチュエーターからの距離が予め設定された閾値以内となる位置であることが好ましい。

【0089】

また、本発明の電子機器として、上記各実施形態では、分光測定装置１を例示したが、その他、様々な分野により本発明の波長可変干渉フィルターの駆動方法、光学モジュール、及び電子機器を適用することができる。

【0090】

例えば、図７に示すように、本発明の電子機器を、色を測定するための測色装置に適用することもできる。
図７は、波長可変干渉フィルターを備えた測色装置４００の一例を示すブロック図である。
この測色装置４００は、図７に示すように、検査対象Ａに光を射出する光源装置４１０と、測色センサー４２０（光学モジュール）と、測色装置４００の全体動作を制御する制御装置４３０（処理部）とを備える。そして、この測色装置４００は、光源装置４１０から射出される光を検査対象Ａにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー４２０にて受光し、測色センサー４２０から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち検査対象Ａの色を分析して測定する装置である。

【0091】

光源装置４１０、光源４１１、複数のレンズ４１２（図７には１つのみ記載）を備え、検査対象Ａに対して例えば基準光（例えば、白色光）を射出する。また、複数のレンズ４１２には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置４１０は、光源４１１から射出された基準光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Ａに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置４１０を備える測色装置４００を例示するが、例えば検査対象Ａが液晶ディスプレイなどの発光部材である場合、光源装置４１０が設けられない構成としてもよい。

【0092】

測色センサー４２０は、図７に示すように、波長可変干渉フィルター５と、波長可変干渉フィルター５を透過する光を受光するディテクター１１と、波長可変干渉フィルター５で透過させる光の波長を可変する電圧制御部１５とを備える。また、測色センサー４２０は、波長可変干渉フィルター５に対向する位置に、検査対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー３は、波長可変干渉フィルター５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光をディテクター１１にて受光する。

【0093】

制御装置４３０は、測色装置４００の全体動作を制御する。
この制御装置４３０としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置４３０は、図７に示すように、光源制御部４３１、測色センサー制御部４３２、および測色処理部４３３などを備えて構成されている。
光源制御部４３１は、光源装置４１０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置４１０に所定の制御信号を出力して、所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４３２は、測色センサー４２０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー４２０にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー４２０に出力する。これにより、測色センサー４２０の電圧制御部１５は、制御信号に基づいて、静電アクチュエーター部５６に電圧を印加し、波長可変干渉フィルター５を駆動させる。
測色処理部４３３は、ディテクター１１により検出された受光量から、検査対象Ａの色度を分析する。

【0094】

また、本発明の電子機器の他の例として、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムが挙げられる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の波長可変干渉フィルターを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。

【0095】

図８は、波長可変干渉フィルターを備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図９は、図８のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置１００は、図８に示すように、センサーチップ１１０と、吸引口１２０Ａ、吸引流路１２０Ｂ、排出流路１２０Ｃ、及び排出口１２０Ｄを備えた流路１２０と、本体部１３０と、を備えて構成されている。
本体部１３０は、流路１２０を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー１３１、排出手段１３３、筐体１３４、光学部１３５、フィルター１３６、波長可変干渉フィルター５、及び受光素子１３７（検出部）等を含む検出装置（光学モジュール）と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部１３８（処理部）、電力を供給する電力供給部１３９等から構成されている。また、光学部１３５は、光を射出する光源１３５Ａと、光源１３５Ａから入射された光をセンサーチップ１１０側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子１３７側に透過するビームスプリッター１３５Ｂと、レンズ１３５Ｃ，１３５Ｄ，１３５Ｅと、により構成されている。
また、図９に示すように、ガス検出装置１００の表面には、操作パネル１４０、表示部１４１、外部とのインターフェイスのための接続部１４２、電力供給部１３９が設けられている。電力供給部１３９が二次電池の場合には、充電のための接続部１４３を備えてもよい。
更に、ガス検出装置１００の制御部１３８は、図９に示すように、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１４４、光源１３５Ａを制御するための光源ドライバー回路１４５、波長可変干渉フィルター５を制御するための電圧制御部１５、受光素子１３７からの信号を受信する受光回路１４７、センサーチップ１１０のコードを読み取り、センサーチップ１１０の有無を検出するセンサーチップ検出器１４８からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１４９、及び排出手段１３３を制御する排出ドライバー回路１５０などを備えている。

【0096】

次に、上記のようなガス検出装置１００の動作について、以下に説明する。
本体部１３０の上部のセンサー部カバー１３１の内部には、センサーチップ検出器１４８が設けられており、このセンサーチップ検出器１４８でセンサーチップ１１０の有無が検出される。信号処理部１４４は、センサーチップ検出器１４８からの検出信号を検出すると、センサーチップ１１０が装着された状態であると判断し、表示部１４１へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。

【0097】

そして、例えば利用者により操作パネル１４０が操作され、操作パネル１４０から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１４４へ出力されると、まず、信号処理部１４４は、光源ドライバー回路１４５に光源作動の信号を出力して光源１３５Ａを作動させる。光源１３５Ａが駆動されると、光源１３５Ａから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源１３５Ａには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部１４４へ出力される。そして、信号処理部１４４は、光源１３５Ａから入力された温度や光量に基づいて、光源１３５Ａが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路１５０を制御して排出手段１３３を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口１２０Ａから、吸引流路１２０Ｂ、センサーチップ１１０内、排出流路１２０Ｃ、排出口１２０Ｄへと誘導される。なお、吸引口１２０Ａには、除塵フィルター１２０Ａ１が設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気などが除去される。

【0098】

また、センサーチップ１１０は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ１１０では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部１３５を通ってフィルター１３６に入射し、フィルター１３６によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター５に入射する。そして、信号処理部１４４は、電圧制御部１５に対して制御信号（波長指令）を出力する。これにより、電圧制御部１５は、上記実施形態と同様の駆動方法により、波長可変干渉フィルター５を駆動させ、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５で分光させる。この後、分光した光が受光素子１３７で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１４７を介して信号処理部１４４に出力される。この場合、波長可変干渉フィルター５から目的とするラマン散乱光を精度よく取り出すことができる。
信号処理部１４４は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ＲＯＭに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部１４４は、表示部１４１にその結果情報を表示させたり、接続部１４２から外部へ出力したりする。

【0099】

なお、上記図８及び図９において、ラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置１００を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、波長可変干渉フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。

【0100】

また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。

【0101】

図１０は、波長可変干渉フィルター５を利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。
この食物分析装置２００は、図１０に示すように、検出器２１０（光学モジュール）と、制御部２２０と、表示部２３０と、を備えている。検出器２１０は、光を射出する光源２１１と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ２１２と、撮像レンズ２１２から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター５と、分光された光を検出する撮像部２１３（検出部）と、を備えている。
また、制御部２２０は、光源２１１の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部２２１と、波長可変干渉フィルター５を制御する電圧制御部１５と、撮像部２１３を制御し、撮像部２１３で撮像された分光画像を取得する検出制御部２２３と、信号処理部２２４（分析部）と、記憶部２２５と、を備えている。

【0102】

この食物分析装置２００は、システムを駆動させると、光源制御部２２１により光源２１１が制御されて、光源２１１から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ２１２を通って波長可変干渉フィルター５に入射する。波長可変干渉フィルター５は電圧制御部１５の制御により、波長可変干渉フィルター５は、上記第一実施形態に示すような駆動方法で駆動される。これにより、波長可変干渉フィルター５から精度よく目的波長の光を取り出すことができる。そして、取り出された光は、例えばＣＣＤカメラ等により構成される撮像部２１３で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部２２５に蓄積される。また、信号処理部２２４は、電圧制御部１５を制御して波長可変干渉フィルター５に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。

【0103】

そして、信号処理部２２４は、記憶部２２５に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部２２５には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部２２４は、求めたスペクトルのデータを、記憶部２２５に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、及びその含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。更に、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、更には、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部２２４は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部２３０に表示させる処理をする。

【0104】

また、図１０において、食物分析装置２００の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
更には、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。

【0105】

更には、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。

【0106】

また、電子機器としては、本発明の波長可変干渉フィルターにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルターを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図１１は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ３００は、図１１に示すように、カメラ本体３１０と、撮像レンズユニット３２０と、撮像部３３０（検出部）とを備えている。
カメラ本体３１０は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット３２０は、カメラ本体３１０に設けられ、入射した画像光を撮像部３３０に導光する。また、この撮像レンズユニット３２０は、図１１に示すように、対物レンズ３２１、結像レンズ３２２、及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター５を備えて構成されている。
撮像部３３０は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット３２０により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ３００では、波長可変干渉フィルター５により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。この時、各波長に対して、電圧制御部（図示略）が上記第一実施形態に示すような本発明の駆動方法により波長可変干渉フィルター５を駆動させることで、精度よく目的波長の分光画像の画像光を取り出すことができる。

【0107】

更には、本発明の波長可変干渉フィルターをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルターで分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明の波長可変干渉フィルターを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。

【0108】

更には、光学モジュール及び電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルターにより、物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。

【0109】

上記に示すように、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の波長可変干渉フィルターは、上述のように、１デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。

【0110】

さらに、上述した実施形態では、アクチュエーター装置として波長可変干渉フィルター５を備えた光学モジュールを例示したが、これに限定されない。
例えば、互いに対向する一対の基板を有し、これらの一対の基板間のギャップ寸法を変化させるいかなるアクチュエーター装置にも適用することができる。このような装置として、例えば、一対の基板の一方にミラーを配置し、ミラーが配置された基板（ミラー基板）の他方の基板（ベース基板）に対する角度を変化させてミラーにて反射される光の方向を変化させるミラーデバイス等が挙げられる。このようなミラーデバイスでは、基板間を平行にした初期状態からミラー基板の傾斜角度を算出して、所望の角度に設定する。したがって、初期状態において、ミラー基板をベース基板に対して平行に維持する必要がある。この際、上記実施形態と同様、ミラー基板及びベース基板間にそれぞれ独立して駆動可能な静電アクチュエーター、及び基板間のギャップ寸法を検出するギャップ検出部を設け、各静電アクチュエーターを順次駆動させることで、ミラー基板における傾斜状態を検出する構成とする。そして、検出された傾斜状態からミラー基板をベース基板に平行にするための平行制御電圧を算出する。

【0111】

その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。

【符号の説明】

【0112】

１…分光測定装置（電子機器）、３…測色センサー（アクチュエーター装置）、５…波長可変干渉フィルター、１０…光学モジュール（アクチュエーター装置）、１５…電圧制御部（駆動制御手段）、１６…マイコン、２０…制御部、５１…固定基板、５２…可動基板、５４…固定反射膜、５５…可動反射膜、５６…静電アクチュエーター部、５７，５７Ａ，５７Ｂ，５７Ｃ，５７Ｄ…バイアスアクチュエーター（バイアス用静電アクチュエーター）、５８…制御アクチュエーター（制御用静電アクチュエーター）、１００…ガス検出装置（電子機器）、１３８…制御部、１５１…ＤＡＣ、１５２…容量検出器、１５３…制御器、１５４…グラウンド回路、１６１…初期駆動手段、１６２…パラメーター算出手段、１６３…駆動指令手段、２００…食物分析装置（電子機器）、２２０…制御部、３００…分光カメラ（電子機器）、４００…測色装置（電子機器）、４２０…測色センサー（アクチュエーター装置）、４３０…制御装置、５２１…可動部、５２２…保持部、５４１…固定ミラー接続電極、５５１…可動ミラー接続電極、５６１…共通電極、５７１…バイアス電極、５８１…制御電極、５８２…制御接続電極。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】