【図1】本発明の発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図である。

【図2】本発明の発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図１（ｂ）のＩＩ−ＩＩ線における断面図、（ｂ）は図１（ｂ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。

【図3】本発明の発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図１（ｂ）のＩＶ−ＩＶ線における断面図、（ｂ）は図１（ｂ）のＶ−Ｖ線における断面図である。

【図4】本発明の発光装置の構成を示す模式図であり、図１（ｂ）のＩ−Ｉ線における断面図である。

【図5】本発明の発光装置の層構造を示す模式的平面図であり、（ａ）はｐ型半導体層及びカバー電極の配置領域を示し、（ｂ）は光反射電極の配置領域を示す。

【図6】本発明の発光装置の層構造を示す模式的平面図であり、（ａ）は絶縁膜の配置領域を示し、（ｂ）はｎ側電極及びｐ側電極の配置領域を示す。

【図7】本発明の発光装置の層構造を示す模式的平面図であり、樹脂部材及び金属層の配置領域を示す。

【図8】本発明の発光装置を実装基板に実装する様子を説明するための模式図であり、図１（ｂ）のＶ−Ｖ線における断面図である。

【図9】本発明の発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。

【図10】本発明の発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は半導体積層体形成工程、（ｂ）は光反射電極形成工程、（ｃ）はカバー電極形成工程、（ｄ）はｎ型半導体層露出工程、（ｅ）は絶縁膜形成工程を示す。

【図11】本発明の発光装置の製造工程におけるパッド電極形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。

【図12】本発明の発光装置の製造工程におけるマスク形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。

【図13】本発明の発光装置の製造工程における樹脂部材形成工程を示す模式的断面図であり、（ａ）はサブ工程である塗布工程、（ｂ）はサブ工程である露光・現像工程を示す。

【図14】本発明の発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は金属層形成工程、（ｂ）はマスク除去工程を示す。

【図15】本発明の発光装置の製造工程におけるパッド電極分離工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。

【図16】本発明の発光装置の製造工程における成長基板除去工程を示す模式的断面図である。

【図17】本発明の実施形態の変形例に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＶＩ−ＶＩ線における断面図である。