特許 6420608 基材処理方法および基材処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6420608

(24)【登録日】2018年10月19日

(45)【発行日】2018年11月7日

(54)【発明の名称】基材処理方法および基材処理装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 9/00 20060101AFI20181029BHJP

   H01L 21/677 20060101ALI20181029BHJP

   B05C 5/00 20060101ALI20181029BHJP

   B05C 11/00 20060101ALI20181029BHJP

   B05C 13/02 20060101ALI20181029BHJP

   B65H 23/18 20060101ALI20181029BHJP

【ＦＩ】

   G03F9/00 Z

   H01L21/68 A

   B05C5/00 101

   B05C11/00

   B05C13/02

   B65H23/18

【請求項の数】6

【全頁数】16

(21)【出願番号】特願2014-194727(P2014-194727)

(22)【出願日】2014年9月25日

(65)【公開番号】特開2016-65979(P2016-65979A)

(43)【公開日】2016年4月28日

【審査請求日】2017年8月1日

(73)【特許権者】

【識別番号】000219314

【氏名又は名称】東レエンジニアリング株式会社

(72)【発明者】

【氏名】友枝 哲

(72)【発明者】

【氏名】本田 顕真

(72)【発明者】

【氏名】島谷 謙一

(72)【発明者】

【氏名】喜多 由起

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 一嘉

(72)【発明者】

【氏名】谷川 央樹

(72)【発明者】

【氏名】常吉 豪

【審査官】 今井 彰

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１３−１８３１５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−０７８４６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１１−５１３９６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−２０９４６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０４８１８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−２１２７２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−１０６５０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−０４０５９１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７、２１／３０、２１／６７−２１／６８３

Ｇ０３Ｆ ７／２０−７／２４、９／００−９／０２

Ｈ０５Ｋ ３／００−３／２６、３／３８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

可撓性を有する基材を保持する基材保持工程と、
前記基材保持工程により保持された基材の歪みを認識する歪み認識工程と、
前記歪み認識工程により認識した歪みに基づいて、保持された基材上へ処理を行う位置の情報を補正する処理位置補正工程と、
前記処理位置補正工程により補正を行った処理位置の情報に基づいて、保持された基材上に第１の処理を行う第１の処理工程と、
前記処理位置補正工程により補正を行った処理位置の情報に基づいて、保持された基材上に第２の処理を行う第２の処理工程と、
を有し、
前記処理位置補正工程後、基材を動かすことなく前記第１の処理工程および前記第２の処理工程を続けて行うことを特徴とする、基材処理方法。

【請求項2】

可撓性を有する基材を保持する基材保持工程と、
前記基材保持工程により保持された基材の歪みを認識する歪み認識工程と、
前記歪み認識工程により認識した歪みに基づいて、保持された基材を変形させて矯正する基材矯正工程と、
前記基材矯正工程により矯正された基材上に第１の処理を行う第１の処理工程と、
前記基材矯正工程により矯正された基材上に第２の処理を行う第２の処理工程と、
を有し、
前記基材矯正工程後、基材を動かすことなく前記第１の処理工程および前記第２の処理工程を続けて行うことを特徴とする、基材処理方法。

【請求項3】

前記第１の処理工程は、処理を行ったか否かが外観では認識が不可な工程であることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の基材処理方法。

【請求項4】

前記第１の処理工程は、露光工程であることを特徴とする、請求項３に記載の基材処理方法。

【請求項5】

可撓性を有する基材を保持する基材保持部と、
前記基材保持部により保持された基材の歪みを認識する歪み認識部と、
前記歪み認識部により認識した歪みに基づいて、保持された基材上へ処理を行う位置の情報を補正する処理位置補正部と、
前記基材保持部上の基材に第１の処理を行う第１の処理部と、
前記基材保持部上の基材に第２の処理を行う第２の処理部と、
を有し、
前記処理位置補正部による情報の補正を行った後、基材を動かすことなく前記第１の処理部および前記第２の処理部が前記第１の処理および前記第２の処理を続けて行うことを特徴とする、基材処理装置。

【請求項6】

可撓性を有する基材を保持する基材保持部と、
前記基材保持部により保持された基材の歪みを認識する歪み認識部と、
前記歪み認識部により認識した歪みに基づいて、前記基材保持部上の基材を変形させて矯正する基材矯正部と、
前記基材保持部上の基材に第１の処理を行う第１の処理部と、
前記基材保持部上の基材に第２の処理を行う第２の処理部と、
を有し、
前記基材矯正部による基材の矯正を行った後、基材を動かすことなく前記第１の処理部および前記第２の処理部が前記第１の処理および前記第２の処理を続けて行うことを特徴とする、基材処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、可撓性を有する基材に露光や塗布などの複数の処理を行う基材処理方法および基材処理装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

たとえば有機ＥＬディスプレイなどの画像表示機器の製造において、特許文献１に示すような基材処理システムのように基材に複数の処理を行うシステムにより基材上に電極形成、発光層形成などの工程が行われる。

【0003】

一方、画像表示機器には、近年、軽量化、薄型化および耐衝撃性の向上が要求されており、基材の材質としてガラスなどの硬いものではなく、たとえば樹脂フィルムなど可撓性を有するものが利用されることが多い。

【0004】

上記基材処理システムの一部であり、可撓性を有する基材に所定の処理を行う基材処理装置として、たとえば基材に電極を形成するものを図９に示す。図９（ａ）は基材処理装置の上面図であり、図９（ｂ）は正面図である。

【0005】

基材処理装置９０において可撓性を有する基材Ｗは、両端がロールに巻かれた状態で送り出し部９１から送り出され、また、巻き取り部９２に巻き取られて、いわゆるロールトゥロール方式で搬送される。この送り出し部９１と巻き取り部９２との間には、露光部９３と塗布部９４とが基材Ｗの搬送方向に並べて設けられており、露光部９３において基材Ｗが有する処理領域Ｓの一部が露光されて濡れ性が向上した露光パターンＰ１が形成され、露光パターンＰ１が形成された基材Ｗが塗布部９４へと搬送された後、塗布部９４においてこの露光パターンＰ１に重なるように電極材料が塗布されて電極パターンＰ２が形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１０−５０１４０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかし、上記の基材処理装置では、可撓性を有する基材に対して精度良く複数の処理を行うことができないおそれがあった。具体的には、搬送によるテンションの差、環境温度、湿度による伸縮などにより基材が歪み、複数の処理部の間で基材の状態が異なるため、複数の処理部間の相対位置精度が確保できないという問題があった。

【0008】

ここで、仮に各処理部に基材の歪みを反映させて処理を行う機構が設けられていても、複数の処理部間の相対位置精度を確保することは困難であった。図９の例では、処理領域Ｓの周囲に設けられたアライメントマークＡＭ１〜ＡＭ４の位置を確認して処理領域Ｓの歪みを認識し、その歪みを反映させて処理を行う処理位置補正部を露光部９３および塗布部９４に設け、たとえばに露光部９３においてアライメントマークＡＭ１〜ＡＭ４の位置が図１０（ａ）に示すような状態であった場合に、図１０（ｂ）に破線で示すように露光パターンＰ１の形状に処理領域Ｓの歪みが反映されるように露光位置を制御することは可能である。

【0009】

しかし、アライメントマークＡＭ１〜ＡＭ４の配置が類似していても処理領域Ｓ内の歪み具合が異なる場合もあり、その場合、露光部９３および塗布部９４のそれぞれで基材Ｗの歪みを把握して処理を行ったとしても、図１０（ｃ）示すように露光パターンＰ１と電極パターンＰ２の位置が異なることとなる。その結果、電極パターンＰ２は十分に濡れ広がることができずに、断線が生じるといった問題があった。

【0010】

特に、先の処理が露光に代表されるような、処理を行ったか否かが外観では認識が不可な工程であった場合、先の処理が行われた痕跡をなぞって後の処理を行うということができず、先の処理と後の処理の位置精度を確保することをさらに困難にさせていた。

【0011】

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、可撓性を有する基材に対して精度良く複数の処理を行うことが可能な基材処理方法および基材処理装置を提供することを目的としている。

【課題を解決するための手段】

【0012】

上記課題を解決するために本発明の基材処理方法は、可撓性を有する基材を保持する基材保持工程と、前記基材保持工程により保持された基材の歪みを認識する歪み認識工程と、前記歪み認識工程により認識した歪みに基づいて、保持された基材上へ処理を行う位置の情報を補正する処理位置補正工程と、前記処理位置補正工程により補正を行った処理位置の情報に基づいて、保持された基材上に第１の処理を行う第１の処理工程と、前記処理位置補正工程により補正を行った処理位置の情報に基づいて、保持された基材上に第２の処理を行う第２の処理工程と、を有し、前記処理位置補正工程後、基材を動かすことなく前記第１の処理工程および前記第２の処理工程を続けて行うことを特徴としている。

【0013】

上記基材処理方法によれば、可撓性を有する基材に対して精度良く第１の処理と第２の処理を行うことができる。具体的には、第１の処理工程と第２の処理工程との間で基材を動かすことなく同じ処理位置補正工程が反映された第１の処理工程と第２の処理工程を行うことにより、確実に第１の処理と第２の処理の相対位置精度を確保することができる。

【0014】

また、上記課題を解決するために本発明の基材処理方法は、可撓性を有する基材を保持する基材保持工程と、前記基材保持工程により保持された基材の歪みを認識する歪み認識工程と、前記歪み認識工程により認識した歪みに基づいて、保持された基材を変形させて矯正する基材矯正工程と、前記基材矯正工程により矯正された基材上に第１の処理を行う第１の処理工程と、前記基材矯正工程により矯正された基材上に第２の処理を行う第２の処理工程と、を有し、前記基材矯正工程後、基材を動かすことなく前記第１の処理工程および前記第２の処理工程を続けて行うことを特徴としている。

【0015】

上記基材処理方法によれば、可撓性を有する基材に対して精度良く第１の処理と第２の処理を行うことができる。具体的には、基材矯正工程により基材が矯正された状態で第１の処理工程と第２の処理工程との間で基材を動かすことなく第１の処理工程と第２の処理工程を行うことにより、確実に第１の処理と第２の処理の相対位置精度を確保することができる。

【0016】

また、前記第１の処理工程は、処理を行ったか否かが外観では認識が不可な工程であっても良い。

【0017】

このような場合であっても確実に第１の処理と第２の処理の相対位置精度を確保することができる。

【0018】

また、前記第１の処理工程は、露光工程であっても良い。

【0019】

このような場合であっても確実に第１の処理と第２の処理の相対位置精度を確保することができる。

【0020】

また、上記課題を解決するために本発明の基材処理装置は、可撓性を有する基材を保持する基材保持部と、前記基材保持部により保持された基材の歪みを認識する歪み認識部と、前記歪み認識部により認識した歪みに基づいて、保持された基材上へ処理を行う位置の情報を補正する処理位置補正部と、前記基材保持部上の基材に第１の処理を行う第１の処理部と、前記基材保持部上の基材に第２の処理を行う第２の処理部と、を有し、前記処理位置補正部による情報の補正を行った後、基材を動かすことなく前記第１の処理部および前記第２の処理部が前記第１の処理および前記第２の処理を続けて行うことを特徴としている。

【0021】

上記基材処理装置によれば、可撓性を有する基材に対して精度良く第１の処理と第２の処理を行うことができる。具体的には、第１の処理部と第２の処理部との間で基材を動かすことなく処理位置補正部により同じ補正が反映された第１の処理と第２の処理を行うことにより、確実に第１の処理と第２の処理の相対位置精度を確保することができる。

【0022】

また、上記課題を解決するために本発明の基材処理装置は、可撓性を有する基材を保持する基材保持部と、前記基材保持部により保持された基材の歪みを認識する歪み認識部と、前記歪み認識部により認識した歪みに基づいて、前記基材保持部上の基材を変形させて矯正する基材矯正部と、前記基材保持部上の基材に第１の処理を行う第１の処理部と、前記基材保持部上の基材に第２の処理を行う第２の処理部と、を有し、前記基材矯正部による基材の矯正を行った後、基材を動かすことなく前記第１の処理部および前記第２の処理部が前記第１の処理および前記第２の処理を続けて行うことを特徴としている。

【0023】

上記基材処理装置によれば、可撓性を有する基材に対して精度良く第１の処理と第２の処理を行うことができる。具体的には、基材矯正部により矯正された状態で基材を動かすことなく第１の処理と第２の処理を行うことができるため、確実に第１の処理と第２の処理の相対位置精度を確保することができる。

【発明の効果】

【0024】

本発明の基材処理方法および基材処理装置によれば、可撓性を有する基材に対して精度良く複数の処理を行うことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】本発明の一実施形態における基材処理方法を実施する基材処理装置の概略図である。

【図2】本実施形態の基材処理方法による基材への処理の様子を示す概略図である。

【図3】本実施形態の基材処理方法による基材への処理の様子を示す概略図である。

【図4】本実施形態の基材処理方法の動作フロー図である。

【図5】他の実施形態の基材処理方法における基材保持部の概略図である。

【図6】他の実施形態の基材処理方法による基材への処理の様子を示す概略図である。

【図7】他の実施形態の基材処理方法の動作フロー図である。

【図8】他の実施形態の基材処理方法による基材への処理の様子を示す概略図である。

【図9】従来の基材処理方法を実施する基材処理装置の概略図である。

【図10】従来の基材処理方法による基材への処理の様子を示す概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

本発明に係る実施の形態を図面を用いて説明する。

【0027】

本発明の一実施形態における基材処理装置を図１に示す。図１（ａ）は、基材処理装置１の上面図、図１（ｂ）は、基材処理装置１の正面図である。

【0028】

本実施形態の基材処理装置１は、送り出し装置２、巻き取り装置３、歪み認識部４、露光部５、塗布部６、および基材保持部７を有しており、送り出し装置２から送り出され巻き取り装置３によって巻き取られる帯状の基材Ｗに対し、基材保持部７において固定された基材Ｗの一部を露光部５が露光することにより露光パターンＰ１を形成し、この露光パターンＰ１に基づいて塗布部６が基材Ｗ上に電極材料を塗布することにより電極パターンＰ２を形成するものである。また、基材保持部７に保持されている基材Ｗの歪みが露光部５、塗布部６による処理の前に歪み認識部４によって認識され、その認識結果に基づいて、露光部５、塗布部６が処理を行うべき基材Ｗ上の位置の補正が行われたのち、露光部５、塗布部６による処理が行われる。

【0029】

また、基材処理装置１は、コンピュータプログラムを記憶する記憶装置等を有するコンピュータからなる制御部８を備え、この制御部８により、各種計算、基材処理装置１が有する駆動機構の動作の制御などが行われる。

【0030】

なお、以下の説明では、基材保持部７上で基材Ｗが搬送される方向をＹ軸方向と呼ぶ。また、水平面上でＹ軸方向と直交する方向をＸ軸方向とし、また、Ｘ軸方向およびＹ軸方向と直交する方向をＺ軸方向とする。

【0031】

基材Ｗ上には、四辺形状の処理領域Ｓが帯状の基材Ｗの長尺方向に並んで複数形成されている。また、この帯状の基材Ｗは基材処理装置１による電極形成工程より後の工程で処理領域Ｓ毎に裁断され、たとえば有機ＥＬディスプレイの基板となる。

【0032】

送り出し装置２は、帯状の基材Ｗが巻かれた筒状体が取り外し可能な機構を有し、また、巻き取り装置３は、基材Ｗを巻き取ってゆく筒状体が取り外し可能な機構を有する。これら筒状体を図示しない駆動機構により回転させることにより、基材Ｗは、送り出し装置２から巻き取り装置３へ送り出される。その間、塗布部６により基材Ｗへ塗布液の塗布が行われ、巻き取り装置３には、塗布液の塗布処理が完了した基材Ｗが巻き取られてゆく。

【0033】

歪み認識部４は、カメラガントリ１２に搭載されたカメラ１１と、カメラ１１をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させる駆動装置１３とを有している。

【0034】

カメラ１１は、例えばＣＣＤカメラであり、基材Ｗの処理領域Ｓの周辺に配置されたアライメントマークＡＭ１乃至アライメントマークＡＭ４を撮像する。駆動装置１３は、カメラガントリ１２をＸ軸方向に移動させる機能と、カメラ１１をカメラガントリ１２に沿ってＹ軸方向に移動させる機能とを有し、例えばリニアガイドおよびモータ等によって構成される。また、認識部４の下方には、後述の基材保持部７が設けられており、この基材保持部７が基材Ｗを保持した状態において、アライメントマークＡＭ１乃至アライメントマークＡＭ４の撮像が行われる。

【0035】

また、歪み認識部４は、駆動装置１３およびカメラ１１と関連して機能する図示しない座標取得部を備えており、この座標取得部は、カメラ１１が撮像した画像を処理する機能を有するほか、駆動装置１３によって移動したカメラ１１のＸ軸方向およびＹ軸方向の位置（座標）を制御（管理）する。このため、カメラ１１によって取得された画像に基づいて、座標取得部はアライメントマークＡＭ１乃至アライメントマークＡＭ４の座標を取得することができる。なお、座標取得部の機能は、制御部８のコンピュータプログラムが実行されることで発揮される。

【0036】

また、歪み認識部４は、座標取得部が得たアライメントマークＡＭ１乃至アライメントマークＡＭ４の座標情報をもとに、処理領域Ｓの歪み情報（処理領域Ｓがどのような形状に歪んでいるのか）を算出する歪み情報算出部を備え、この歪み情報算出部が算出した歪み情報をもとに、後述の通り露光部５、塗布部６が処理を行うべき基材Ｗ上の位置情報の補正が行われる。なお、歪み情報算出部の機能は、制御部８のコンピュータプログラムが実行されることで発揮される。

【0037】

露光部５は、本説明における第１の処理部にあたるものであり、第２の処理部（塗布部６）による処理に先立って基材Ｗへの処理を行う。

【0038】

本実施形態の露光部５は、露光ユニット２１と、露光ユニット２１をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させる駆動装置とを有しており、基材Ｗの処理領域Ｓ内の一部に露光を行い、露光パターンＰ１を形成させる。このように露光パターンＰ１が形成された部分は濡れ性が向上し、その上に電極材料が塗布された場合に、切れ目の無い電極パターンが形成されやすくなる。

【0039】

本実施形態の露光ユニット２１は、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）を用いて狭小のスポット単位で対象物に露光を行うことができるものであり、露光ユニット２１がこの狭小スポットの露光を基材Ｗに対して露光位置を移動させながら連続して行うことにより、マスクを用いることなく任意の露光パターンを形成することが可能である。また、仮にマスクを用いて露光を行う場合、後述のように基材Ｗの歪みに応じて露光パターンＰ１の形状を微調整することは困難であるが、本実施形態のようにＤＭＤを用いて露光を行う形態であれば、制御部８に記録されている基材Ｗ上へ露光処理を行う位置の情報を補正することにより容易に露光パターンＰ１の形状を微調整することが可能である。

【0040】

また、上記の通り露光ユニット２１はＸ軸方向およびＹ軸方向の移動が可能であるように基材保持部７の上方に取り付けられており、露光ユニット２１の座標を変更させながら基材Ｗへ露光を行うことによって基材Ｗに露光パターンＰ１が形成される。本実施形態では、露光ユニット２１をカメラ１１と同様にカメラガントリ１２に搭載することにより、露光ユニット２１のＸ軸方向およびＹ軸方向の移動を可能にしている。なお、露光ユニット２１とカメラ１１とは独立してＹ軸方向に移動する。

【0041】

また、露光部５は、基材保持部７に保持された基材Ｗの処理領域Ｓに対して、露光ユニット２１が相対移動し、露光を行う各種動作の制御を行う露光動作制御部を備えている。この露光動作制御部の機能は、制御部８のコンピュータプログラムが実行されることで発揮される。

【0042】

塗布部６は、本説明における第２の処理部にあたるものであり、第１の処理部（露光部５）による処理が行われた後に基材Ｗへの処理を行う。

【0043】

塗布部６は、基材Ｗの処理領域Ｓに形成された露光パターンＰ１の上にたとえば銀、銅などを含有する電極材料を塗布することにより、基材Ｗ上に電極パターンＰ２を形成する。

【0044】

塗布部６は、塗布ユニット３１と、塗布ガントリ３３と、塗布ユニット３１をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させる駆動装置とを有している。なお、本実施形態では、塗布ユニット３１を移動させる駆動装置はカメラ１１および露光ユニット２１を移動させる駆動装置１３と同一であり、駆動装置１３はカメラ１１および露光ユニット２１と独立して塗布ユニットを移動させる。また、塗布ガントリ３３には、基材保持部７の基材載置面と直交する方向（Ｚ軸方向）に回転軸を有する回転手段３４が取付けられ、この回転手段３４の回転軸に塗布ユニット３１が取付けられており、塗布ユニット３１はこの回転軸を中心に回動することが可能である。なお、本実施形態では、この回転手段３４も、駆動装置１３により駆動される。

【0045】

塗布ユニット３１には、処理領域Ｓに対して塗布液を吐出する吐出ノズル３２が一方向に等間隔で複数並んで設けられており、塗布ユニット３１が回転手段３４によって回動することにより、吐出ノズル３２の配列方向を変化させることが可能である。このように吐出ノズル３２の配列方向を変化させることにより、吐出ノズル３２のＹ軸方向の間隔を調節することが可能である。

【0046】

塗布部６による塗布動作では、塗布ユニット３１がＸ軸方向に走査（主走査）する際に、それぞれの吐出ノズル３２が吐出目標とする処理領域上の所定位置の上方に差し掛かったときに電極材料を吐出する。この動作を塗布ユニット３１のＹ軸方向の移動（副走査）を挟んで連続して行うことにより、処理領域Ｓ上に電極パターンＰ２を形成することが可能である。なお、吐出ノズル３２が処理領域Ｓ上の所定位置の上方に差し掛かるタイミングは、それぞれの所定位置の座標と、それぞれの吐出ノズル３２の位置とを制御部８が管理しておくことにより、算出することが可能である。

【0047】

また、塗布部６は、基材保持部７に保持された基材Ｗの処理領域Ｓに対して、塗布ユニット３１の吐出ノズル３２から電極材料を吐出させて塗布する各種動作の制御を行う塗布動作制御部を備えている。また、塗布動作制御部は、各吐出ノズル３２のＸ軸方向およびＹ軸方向の位置（座標）を制御（管理）することができる。この塗布動作制御部の機能は、制御部８のコンピュータプログラムが実行されることで発揮される。

【0048】

基材保持部７は、平坦面である基材載置面を有し、基材載置面上で帯状の基材Ｗの一部を水平に保持する。このように保持された基材Ｗに対して、第１の処理部（露光部５）、第２の処理部（塗布部６）が処理を行う。また、基材載置面には多数の吸引孔が設けられており、この吸引孔と図示しない真空ポンプが接続され、真空ポンプが作動することにより、基材載置面上で基材Ｗを吸着固定することができる。

【0049】

制御部８は、ＣＰＵおよびＲＡＭやＲＯＭを有するコンピュータであり、上記の通り座標取得部、歪み情報算出部、露光動作制御部、塗布動作制御部の機能を有して歪み認識部４、露光部５、塗布部６の動作の制御を行うほか、送り出し装置２、巻き取り装置３の回転速度を制御することにより基材Ｗの搬送の制御も行う。

【0050】

また、制御部８は、歪み認識部４によって得られた歪みに基づいて、基材Ｗ上へ露光パターンＰ１および電極パターンＰ２を形成するための位置情報を補正計算する処理位置補正部の機能も有している。

【0051】

また、制御部８は、ハードディスクや、ＲＡＭまたはＲＯＭなどのメモリからなる、各種情報を記憶する記憶装置を有しており、基材Ｗに露光部５、塗布部６が露光パターンＰ１および電極パターンＰ２を形成するための位置情報がこの記憶装置に記憶される。また、この記憶装置には、上記処理位置補正部の機能により補正された各処理の位置情報も一時的に記憶され、この記憶されたデータをもとに露光部５、塗布部６を動作させることができる。

【0052】

次に、本実施形態の基材処理装置を用いて基材Ｗへ処理を行う様子を図２に示す。

【0053】

図２（ａ）は、基材保持部７に搬送された直後の基材Ｗ上の処理領域Ｓである。本実施形態では処理領域Ｓは矩形の形状を有しており、この処理領域Ｓの四隅の近傍にアライメントマークＡＭ１乃至ＡＭ４が設けられている。この処理領域ＳおよびアライメントマークＡＭ１乃至ＡＭ４を含む基材Ｗが基材保持部７に保持された後、歪み認識部４のカメラ１１がアライメントマークＡＭ１乃至ＡＭ４の座標を確認し、処理領域Ｓの位置を正確に把握する。

【0054】

このように処理領域Ｓの位置が把握された後、基材保持部７が基材Ｗを動かさずに保持し続けている状態下で、制御部８に記憶されている露光処理の処理位置情報をもとに露光部５が動作し、図２（ｂ）に示すように処理領域Ｓ内の所定位置に露光パターンＰ１が形成される。なお、このように露光パターンＰ１が形成されたか否かが外観では認識が不可である。

【0055】

そして、次に基材保持部７が基材Ｗを動かさずに保持し続けている状態下で、制御部８に記憶されている塗布処理の処理位置情報をもとに、塗布部６が動作し、図２（ｃ）に示すように露光パターンＰ１に重なるように電極パターンＰ２が形成される。

【0056】

このように、２つの処理を行う間に基材Ｗを動かすことなく、２つの処理を行うことにより、１つ目の処理に対して２つ目の処理を位置精度良く行うことができる。また、たとえ１つ目の処理が外観では認識が不可な処理であったとしても、２つの処理を精度良く行うことが可能である。

【0057】

一方、本実施形態で用いる基材Ｗは、ロールトゥロールで搬送可能であり、可撓性を有している。そのため、搬送時のテンション、環境温度、湿度により基材Ｗが伸縮し、基材保持部７上で基材Ｗに歪みが生じている場合があるが、この場合であっても上記のように露光パターンＰ１に対して精度良く電極パターンＰ２を形成することが可能である。これについて、以下に説明する。

【0058】

図３は、基材Ｗが基材保持部７上で歪みを有している場合の基材Ｗへ処理を行う様子を示したものである。

【0059】

図３（ａ）は、基材保持部７に搬送されてすぐの基材Ｗ上の処理領域Ｓである。処理領域Ｓは歪みを有しており、それに応じて処理領域Ｓの四隅の近傍のアライメントマークＡＭ１乃至ＡＭ４の位置も基材Ｗが歪んでいない場合と比べてずれが生じている。この処理領域ＳおよびアライメントマークＡＭ１乃至ＡＭ４を含む基材Ｗが基材保持部７に保持された後、歪み認識部４のカメラ１１がアライメントマークＡＭ１乃至ＡＭ４の座標を確認し、処理領域Ｓの歪みが認識される。

【0060】

このように処理領域Ｓの歪みが認識された後、制御部８に記憶されている露光処理の処理位置情報が処理領域Ｓの歪み情報に基づいて補正される。そして、基材保持部７が基材Ｗを動かさずに保持し続けている状態下で、補正された露光処理位置情報をもとに露光部５が動作し、図３（ｂ）に示すように、処理領域Ｓの歪みに応じて変形した露光パターンＰ１が形成される。なお、このように露光パターンＰ１が形成されたか否かが外観では認識が不可である。

【0061】

次に、基材保持部７が基材Ｗを動かさずに保持し続けている状態下で、制御部８に記憶されている塗布処理の処理位置情報が上述の処理領域Ｓの歪み情報と同一の歪み情報に基づいて補正される。そして、補正された塗布処理位置情報をもとに、塗布部６が動作し、図３（ｃ）に示すように処理領域Ｓの歪みに応じて変形し、かつ露光パターンＰ１に重なるように電極パターンＰ２が形成される。

【0062】

このように、２つの処理を行う間に基材Ｗを動かすことなく、かつ同一の歪み情報に基づいてそれぞれの処理位置情報を補正して２つの処理を行うことにより、１つ目の処理に対して２つ目の処理を位置精度良く行うことができる。また、たとえ１つ目の処理が外観では認識が不可な処理であったとしても、２つの処理を精度良く行うことが可能である。

【0063】

次に、本実施形態の基材処理方法の動作フローを図４に示す。

【0064】

まず、送り出し装置２が可撓性を有する帯状の基材Ｗを送り出し、巻き取り装置３が基材Ｗを巻き取ることにより、基材Ｗを搬送する（ステップＳ１）。このとき、基材Ｗは基材の搬送方向において基材保持部７の両側で図示しないリフトアップロールにより持ち上げられており、搬送時に基材保持部７と擦れないようになっている。

【0065】

そして、基材Ｗの処理領域Ｓが基材保持部７に載置されるような位置まで基材Ｗが搬送された後、リフトアップロールが下り、基材保持部７が基材Ｗを吸着することにより、基材Ｗを保持する（ステップＳ２）。このように基材保持部７が基材Ｗを保持する工程を、本説明では基材保持工程と呼ぶ。

【0066】

次に、歪み認識部４のカメラ１１がＸ軸方向およびＹ軸方向に移動し、アライメントマークＡＭ１乃至ＡＭ４を撮像する。そして、歪み認識部４の座標取得部が、各アライメントマークを撮像したときのカメラ１１のＸ座標、Ｙ座標、および撮像した画像をもとに各アライメントマークの座標を算出し、取得する（ステップＳ３）。ここで、この基材処理装置１による処理よりも前の工程の処理によって処理領域Ｓにパターンが描画されている場合、この描画パターンをカメラ１１が撮像し、座標取得部が座標を取得しても良い（ステップＳ４）。数多くの描画パターンの座標を取得することにより、処理領域Ｓ内の歪みの状態をより詳細に把握することができる。

【0067】

次に、座標取得部によって得られたアライメントマークＡＭ１乃至ＡＭ４もしくは描画パターンの座標をもとに、歪み認識部４の歪み情報算出部が処理領域Ｓの歪み情報を算出する（ステップＳ５）。なお、上記ステップＳ３からステップＳ５の工程を、本説明では歪み認識工程と呼ぶ。

【0068】

次に、制御部８が記憶している露光部５（第１の処理部）が処理領域Ｓに露光処理（第１の処理）を行う位置の情報について、制御部８が上記歪み認識工程で得られた処理領域Ｓの歪み情報を反映して、露光処理位置情報の補正を行う（ステップＳ６）。

【0069】

次に、制御部８が記憶している塗布部６（第２の処理部）が処理領域Ｓに塗布処理（第２の処理）を行う位置の情報について、制御部８がステップＳ６で反映した歪み情報と同一の処理領域Ｓの歪み情報を反映して、塗布処理位置情報の補正を行う（ステップＳ７）。なお、これらステップＳ６およびステップＳ７のように制御部８が各処理の処理位置情報を補正する工程を、本説明では処理位置補正工程と呼ぶ。

【0070】

次に、制御部８により補正された処理位置の情報に基づいて、露光部５（第１の処理部）が処理領域Ｓに露光処理（第１の処理）を行う（ステップＳ８）。なお、第１の処理部が基材Ｗに第１の処理を行う工程を、本説明では第１の処理工程と呼ぶ。このように露光処理位置情報の補正を行った上で露光処理を行うことにより、処理領域Ｓの歪み応じて露光パターンＰ１をあえて歪ませて形成することができ、以降の工程で処理領域Ｓの歪みを除去した場合に正規の形状の露光パターンＰ１を得ることができる。

【0071】

次に、制御部８により補正された処理位置の情報に基づいて、塗布部６（第２の処理部）が処理領域Ｓに塗布処理（第２の処理）を行う（ステップＳ９）。なお、第２の処理部が基材Ｗに第２の処理を行う工程を、本説明では第２の処理工程と呼ぶ。このように塗布処理位置情報の補正を行った上で塗布処理を行うことにより、処理領域Ｓの歪み応じて電極パターンＰ２をあえて歪ませて形成することができ、以降の工程で処理領域Ｓの歪みを除去した場合に正規の形状の電極パターンＰ２を得ることができる。また、同一の歪み情報を反映して露光処理位置情報および塗布処理位置情報の補正を行っているため、露光処理に対して塗布処理を位置精度良く行うことができる。

【0072】

最後に、基材保持部７が基材Ｗの吸着保持を解除し（ステップＳ１０）、基材Ｗ上の次の処理領域Ｓへの一連の処理に備える。

【0073】

次に、他の実施形態における基材処理方法について説明する。この実施形態では、図５に示すように分割ステージ４１乃至４５のように基材保持部７が分割されており、移動手段４６乃至４９のように一部もしくは全部の分割ステージが独立して移動可能となっている。このような基材保持部７上に基材Ｗが吸着保持された状態で一部もしくは全部の分割ステージが移動することにより、基材Ｗを変形させることができる。

【0074】

このように基材Ｗを変形させることにより、図６（ａ）に示すように処理領域Ｓが歪んでいた場合であっても、基材Ｗの変形後、図６（ｂ）に示すように処理領域Ｓを矩形に戻すように矯正することができる。このように処理領域Ｓの歪みを戻した状態で各処理を行うことにより、図６（ｃ）の露光パターンＰ１、電極パターンＰ２で示すように、正確な位置精度で各処理を行うことができる。なお、本説明ではこのように基材Ｗの形状を矯正する機構を基材矯正部と呼び、この実施形態では基材保持部７は基材矯正部としての機能も有している。

【0075】

この実施形態における基材処理方法の動作フローを図７に示す。この基材処理方法では、基材Ｗを搬送、保持し、アライメントマークもしくは描画パターンの座標を取得して処理領域Ｓの歪み情報を算出する工程（ステップＳ１乃至ステップＳ５）までは、先の実施形態と同じである。そして、処理領域Ｓの歪み情報を算出した後、この歪み情報に基づいて、処理領域Ｓの形状が矩形となるように基材矯正部が基材Ｗの形状を矯正する（ステップＳ１６）。このように基材矯正部が基材Ｗの形状を矯正する工程を、本説明では基材矯正工程と呼ぶ。

【0076】

このように基材の形状を矯正した後、制御部８が記憶している各処理の処理位置情報に基づいて露光処理（ステップＳ８）、塗布処理（ステップＳ９）を行い、最後に基材保持部７が吸着保持を解除することにより、各処理が正確な位置に位置精度良く行われる。

【0077】

以上の基材処理方法および基材処理装置により、可撓性を有する基材に対して精度良く複数の処理を行うことが可能である。

【0078】

なお、上記の説明では、ロール状の基材Ｗを送り出し装置２で送り出し、巻き取り装置３で巻き取りながら処理を行う、ロールトゥロールの基材処理装置を対象にしているが、可撓性を有する枚葉の基材Ｗを保持して処理を行う基材処理装置に適用することも可能である。

【0079】

また、上記の説明では、第１の処理部が露光部であって第２の処理部が塗布部であり、基材に液体材料の塗布を行う基材処理装置を対象にしているが、この組み合わせに限らない。たとえば第１の処理部が塗布部であり、第２の処理部が塗布部で塗布した描画パターンの一部をレーザで除去する、レーザアブレーション部であるような組み合わせでも良い。

【0080】

また、上記の説明では、基材保持部７により基材Ｗを保持した後、基材Ｗの矯正は行わずに各処理の処理位置情報を補正してから各処理を行う形態、および基材矯正部により基材Ｗの処理領域Ｓを歪みが無い場合の形状にまで矯正し、各処理の処理位置情報を補正する必要が無い状態で各処理を行う形態を示しているが、これに限らず、たとえば、図８に示すように基材矯正部により基材Ｗの処理領域Ｓを完全に歪みが無い場合の形状にまで戻すのではなく処理位置情報の補正がしやすい状態（図８では、処理領域Ｓの一組の対辺が平行になる状態）まで矯正することによって処理位置情報の補正の負荷を軽減し、その後各処理の処理位置情報を補正してから各処理を行う形態としても良い。

【0081】

また、上記の説明では、第１の処理工程を行ったパターンに重なるように第２の処理工程を行う例を対象にしているが、それに限らず、同じ歪み認識情報を用いるのであれば、たとえば第１の処理を行ったパターンを囲むように第２の処理を行うような処理についても適用することが可能である。

【0082】

また、上記の説明では、第１の処理工程を行った直後に第２の処理工程を行っているが、それに限らず、第１の処理工程と第２の処理工程とで基材の保持状態が同じであれば、第１の処理工程と第２の処理工程との間に別の工程を設けても良い。たとえば、図１の基材処理装置１の基材保持部７の上方に乾燥装置をさらに設け、基材Ｗに露光処理（第１の処理）を行った後、基材Ｗは動かさないで基材表面を乾燥装置により乾燥し、その後に塗布処理（第２の処理）を行っても良い。

【符号の説明】

【0083】

１ 基材処理装置
２ 送り出し装置
３ 巻き取り装置
４ 歪み認識部
５ 露光部
６ 塗布部
７ 基材保持部
８ 制御部
１１ カメラ
１２ カメラガントリ
１３ 駆動装置
２１ 露光ユニット
３１ 塗布ユニット
３２ 吐出ノズル
３３ 塗布ガントリ
３４ 回転手段
４１ 分割ステージ
４２ 分割ステージ
４３ 分割ステージ
４４ 分割ステージ
４５ 分割ステージ
４６ 移動手段
４７ 移動手段
４８ 移動手段
４９ 移動手段
９０ 基材処理装置
９１ 送り出し装置
９２ 巻き取り装置
９３ 露光部
９４ 塗布部
ＡＭ１〜ＡＭ４ アライメントマーク
Ｐ１ 露光パターン
Ｐ２ 電極パターン
Ｓ 処理領域
Ｗ 基材

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】