特許 6420704 半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6420704

(24)【登録日】2018年10月19日

(45)【発行日】2018年11月7日

(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20181029BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/60 301G

   H01L21/60 301D

【請求項の数】13

【全頁数】22

(21)【出願番号】特願2015-69375(P2015-69375)

(22)【出願日】2015年3月30日

(65)【公開番号】特開2016-189420(P2016-189420A)

(43)【公開日】2016年11月4日

【審査請求日】2017年11月17日

(73)【特許権者】

【識別番号】302062931

【氏名又は名称】ルネサスエレクトロニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002066

【氏名又は名称】特許業務法人筒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】沖嶋 和彦

【審査官】 鈴木 和樹

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１１−２１６５１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１５３４９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１４７１０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−２４３９４３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／６０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

（ａ）チップ搭載部と、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリード部とを備えたリードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記リードフレームの前記チップ搭載部に、複数の電極パッドを有する半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリード部とを複数のＡｌワイヤによってそれぞれ電気的に接続する工程、
を有し、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）ボンディングツールのウェッジにより前記半導体チップの前記電極パッドと前記Ａｌワイヤとを電気的に接続する工程、
（ｃ２）前記（ｃ１）工程の後、前記ウェッジにより前記リード部に前記Ａｌワイヤを押し付けて前記Ａｌワイヤと前記リード部とを電気的に接続する工程、
（ｃ３）前記（ｃ２）工程の後、前記ウェッジを前記リード部上から退避させた状態で、カッター部材を下降させて前記Ａｌワイヤを切断し、前記カッター部材の下降に応じて下降するストッパー部材が前記リード部に突き当たった時点で前記カッター部材による前記Ａｌワイヤの切断を終了する工程、
を含み、
前記ウェッジが前記半導体チップから遠ざかる第１方向に対して、前記ストッパー部材は、前記カッター部材を前記ウェッジとで挟むように配置されている、半導体装置の製造方法。

【請求項2】

請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ３）工程で、前記ストッパー部材が前記Ａｌワイヤの前記リード部との接続部を跨ぐように、前記ストッパー部材を前記リード部に突き当てる、半導体装置の製造方法。

【請求項3】

請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ２）工程で、前記ストッパー部材の下端部は、前記ウェッジの下端部より高い位置に配置されている、半導体装置の製造方法。

【請求項4】

請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記カッター部材の下端部は、前記ストッパー部材の前記下端部より下方に向けて突出している、半導体装置の製造方法。

【請求項5】

請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ３）工程で、前記カッター部材による前記Ａｌワイヤの切断時に、前記ウェッジの直下に空間部が形成されている、半導体装置の製造方法。

【請求項6】

請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記カッター部材と前記ストッパー部材とは、一体となって移動するように取り付けられている、半導体装置の製造方法。

【請求項7】

請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ストッパー部材の前記下端部の前記第１方向の長さは、前記ウェッジの前記下端部の前記第１方向の長さより短い、半導体装置の製造方法。

【請求項8】

（ａ）チップ搭載部と、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリード部とを備えたリードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記リードフレームの前記チップ搭載部に、複数の電極パッドを有する半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリード部とを複数のＡｌワイヤによってそれぞれ電気的に接続する工程、
を有し、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）ボンディングツールのウェッジにより前記半導体チップの前記電極パッドと前記Ａｌワイヤとを電気的に接続する工程、
（ｃ２）前記（ｃ１）工程の後、前記ウェッジにより前記リード部に前記Ａｌワイヤを押し付けて前記Ａｌワイヤと前記リード部とを接続する工程、
（ｃ３）前記（ｃ２）工程の後、前記ウェッジを前記リード部上から退避させた状態で、前記ウェッジと同一の駆動部に取り付けられたカッター部材を下降させて前記Ａｌワイヤを切断し、前記カッター部材の下降に応じて下降するストッパー部材が前記リード部に突き当たった時点で前記カッター部材による前記Ａｌワイヤの切断を終了する工程、
を含み、
前記ストッパー部材は、前記ウェッジおよび前記カッター部材と同一の前記駆動部に取り付けられている、半導体装置の製造方法。

【請求項9】

請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェッジが前記半導体チップから遠ざかる第１方向に対して、前記ストッパー部材は、前記カッター部材を前記ウェッジとで挟むように配置されている、半導体装置の製造方法。

【請求項10】

請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ３）工程で、前記ストッパー部材が前記Ａｌワイヤの前記リード部との接続部を跨ぐように、前記ストッパー部材を前記リード部に突き当てる、半導体装置の製造方法。

【請求項11】

請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ２）工程で、前記ストッパー部材の下端部は、前記ウェッジの下端部より高い位置に配置されている、半導体装置の製造方法。

【請求項12】

請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記カッター部材の下端部は、前記ストッパー部材の前記下端部より下方に向けて突出している、半導体装置の製造方法。

【請求項13】

請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ３）工程で、前記カッター部材による前記Ａｌワイヤの切断時に、前記ウェッジの直下に空間部が形成されている、半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、例えば、ウェッジを用いてワイヤボンディングを行う半導体装置の製造技術に関する。

【背景技術】

【0002】

パワー系の半導体装置では、オン抵抗を低減するために半導体チップの電極パッドと外部引き出し用のリード部とをＡｌ（アルミニウム）ワイヤで接続することがある。この場合に用いられるＡｌワイヤは、その線径が、例えば２００μｍ〜５００μｍと、Ａｕ（金）ワイヤやＣｕ（銅）ワイヤに比べて太い。

【0003】

上記のような太いＡｌワイヤを用いたワイヤボンディングでは、その接続部の面積も大きくする必要があるため、ウェッジボンディングが採用され、ボンディングツールとしてボンディングウェッジ（以降、単にウェッジと呼ぶ）が用いられる。ウェッジボンディングにおいては、ワイヤ接続後、カッター等を用いてワイヤを切断する技術が知られている。

【0004】

なお、ワイヤボンディングにおいてカッターを用いてワイヤを切断する技術が、例えば特開平７−７９０６２号公報（特許文献１）、特開２００５−３５３９０３号公報（特許文献２）および特開２００２−２６０５８号公報（特許文献３）に開示されている。また、ウェッジボンディングを採用したワイヤボンディング技術が、例えば特開平２−４４７４０号公報（特許文献４）に開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開平７−７９０６２号公報

【特許文献2】特開２００５−３５３９０３号公報

【特許文献3】特開２００２−２６０５８号公報

【特許文献4】特開平２−４４７４０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

ウェッジボンディングにおいてワイヤ接続後にカッターを用いてワイヤを切断する場合、切断を安定して行うためにはカッターがワイヤ直下のリード部に対して僅かに食い込む程度に高精度にカッターを下降させ、かつ停止させなければならない。

【0007】

そのため、ワイヤを切断する際には、カッターと同じ駆動部に取り付けられたウェッジをリード（ワイヤ）に着座させ、このウェッジの位置を基準としてカッターの下降時の停止位置を安定させており、この切断方法では、リード部の半導体チップから遠ざかる第１方向の部分において、リード部のワイヤの接続部の後方（第１方向）にウェッジを着座させるスペースを確保する必要がある。

【0008】

しかしながら、半導体装置の小型化に伴ってリード部の上記第１方向の長さを短くしようとすると、リード部にウェッジを着座させるためのスペースを確保することができず、ワイヤを切断することができない。その結果、半導体装置の小型化を図ることができなくなってしまう。

【0009】

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0010】

一実施の形態による半導体装置の製造方法は、（ａ）チップ搭載部と複数のリード部とを備えたリードフレームを準備する工程、（ｂ）上記（ａ）工程の後、上記チップ搭載部に半導体チップを搭載する工程、（ｃ）上記（ｂ）工程の後、上記半導体チップの複数の電極パッドと上記複数のリード部とを複数のＡｌワイヤによってそれぞれ電気的に接続する工程、を有するものである。また、上記（ｃ）工程は、（ｃ１）ボンディングツールのウェッジにより上記半導体チップの上記電極パッドと上記Ａｌワイヤとを電気的に接続する工程、（ｃ２）上記（ｃ１）工程の後、上記ウェッジにより上記リード部に上記Ａｌワイヤを押し付けて上記Ａｌワイヤと上記リード部とを電気的に接続する工程、を含む。さらに、上記（ｃ）工程は、（ｃ３）上記（ｃ２）工程の後、上記ウェッジを上記リード部上から退避させた状態で、カッター部材を下降させて上記Ａｌワイヤを切断し、上記カッター部材の下降に応じて下降するストッパー部材が上記リード部に突き当たった時点で上記カッター部材による上記Ａｌワイヤの切断を終了する工程、を含む。

【0011】

また、一実施の形態による他の半導体装置の製造方法は、（ａ）チップ搭載部と複数のリード部とを備えたリードフレームを準備する工程、（ｂ）上記（ａ）工程の後、上記チップ搭載部に半導体チップを搭載する工程、（ｃ）上記（ｂ）工程の後、上記半導体チップの複数の電極パッドと上記複数のリード部とを複数のＡｌワイヤによってそれぞれ電気的に接続する工程、を有するものである。また、上記（ｃ）工程は、（ｃ１）ボンディングツールのウェッジにより上記半導体チップの上記電極パッドと上記Ａｌワイヤとを電気的に接続する工程、（ｃ２）上記（ｃ１）工程の後、上記ウェッジにより上記リード部に上記Ａｌワイヤを押し付けて上記Ａｌワイヤと上記リード部とを接続する工程、を含む。さらに、上記（ｃ）工程は、（ｃ３）上記（ｃ２）工程の後、上記ウェッジを上記リード部上から退避させた状態で、上記ウェッジと同一の駆動部に取り付けられたカッター部材を下降させて上記Ａｌワイヤを切断し、上記カッター部材の下降に応じて下降するストッパー部材が上記リード部に突き当たった時点で上記カッター部材による上記Ａｌワイヤの切断を終了する工程、を含む。

【発明の効果】

【0012】

上記一実施の形態によれば、半導体装置の小型化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。

【図2】図１に示す半導体装置の内部構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。

【図3】図２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。

【図4】図１に示す半導体装置に搭載される半導体チップの主要部の構造の一例を示す断面図である。

【図5】図１に示す半導体装置の組立てに用いられるリードフレームの要部構造の一例を示す部分平面図である。

【図6】図１に示す半導体装置の組立てのダイボンディング後の構造の一例を示す部分平面図である。

【図7】図６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。

【図8】図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分平面図である。

【図9】図８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。

【図10】本実施の形態のワイヤボンディングで用いるウェッジボンダの駆動部の構造の一例を示す概略図である。

【図11】図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング工程における１ｓｔボンド後の構造の一例を示す部分平面図である。

【図12】図１１に示す構造をウェッジ動作と合わせて示す部分概略図である。

【図13】図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング工程における２ｎｄボンド後の構造の一例を示す部分平面図である。

【図14】図１３に示す構造をウェッジ動作と合わせて示す部分概略図である。

【図15】図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング工程におけるワイヤカット時の構造の一例を示す部分平面図である。

【図16】図１５に示す構造をウェッジ動作と合わせて示す部分概略図である。

【図17】図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング工程におけるワイヤカット後の構造の一例を示す部分平面図である。

【図18】図１７に示す構造をウェッジ動作と合わせて示す部分概略図である。

【図19】図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング工程におけるウェッジボンディング時のツール動作の一例を示す概略図である。

【図20】図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング工程におけるウェッジボンディング時のツール動作の一例を示す概略図である。

【図21】図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング工程におけるウェッジボンディング時のツール動作の一例を示す概略図である。

【図22】図２１のＢ矢視の構造の一例を示す概略図である。

【図23】図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング工程におけるウェッジボンディング時のツール動作の一例を示す概略図である。

【図24】図２３のＢ矢視の構造の一例を示す概略図である。

【図25】図１に示す半導体装置の組立てにおけるウェッジボンディング後のワイヤ切断によって得られる効果の一例を示す概略図である。

【図26】図１に示す半導体装置の組立ての樹脂封止後の構造の一例を示す部分平面図である。

【図27】図２６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。

【図28】図１に示す半導体装置の組立ての切断・成形後の構造の一例を示す部分平面図である。

【図29】図２８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

【0015】

さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。

【0016】

また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。

【0017】

また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

【0018】

また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａから成る」、「Ａより成る」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

【0019】

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。

【0020】

（実施の形態）
図１は実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の内部構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図４は図１に示す半導体装置に搭載される半導体チップの主要部の構造の一例を示す断面図である。

【0021】

＜半導体装置の構造＞
図１〜図３に示す本実施の形態の半導体装置は、半導体チップ（ペレットとも言う）２を封止し、かつ絶縁性の樹脂からなる封止体３を備え、さらに封止体３の内部と外部とに位置する複数のリード部１を有する半導体パッケージである。なお、複数のリード部１のそれぞれは、封止体３で覆われたインナーリード部１ａと、封止体３から外部に露出（突出）するアウターリード部１ｂとを有しており、複数（ここでは２本）のアウターリード部１ｂのそれぞれは、半導体装置の外部接続用端子（外部端子）である。

【0022】

そして、本実施の形態の半導体装置は、図２および図３に示すように、封止体３の所望の１つの側面３ａから複数のアウターリード部１ｂが突出している。さらに、図３に示すように、半導体チップ２を上面（チップ搭載面）１ｃａで支持する板状のチップ搭載部（アイランド、ダイパッド、ヘッダもしくはタブとも言う）１ｃの下面１ｃｂが、封止体３の下面３ｂから露出している。

【0023】

また、複数のリード部１のアウターリード部１ｂのそれぞれは、ガルウィング状に折り曲げられている。

【0024】

本実施の形態では、上述の構造を備えた半導体装置の一例として、パワーデバイス５を取り上げて説明する。例えば、半導体チップ２には、パワートランジスタとしてトレンチゲート型構造を有する縦型のパワーＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)が形成されている。パワーＭＩＳＦＥＴのデバイス構造は、図４に記載されているように、表面に溝を形成しその中にゲートを埋め込んだものであり、半導体チップ２の裏面２ｂに形成されたドレイン（Ｄ）電極、主面２ａに形成されたソース（Ｓ）電極、および主面２ａに形成されたゲート（Ｇ）電極を有し、半導体チップ２の裏面２ｂには、大きな電流が印加される。また、図には記載していないが、パワートランジスタがバイポーラトランジスタやＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）でも良い。

【0025】

図１〜図３を用いてパワーデバイス５の詳細構造について説明すると、上面（チップ搭載面）１ｃａ、および上面１ｃａとは反対側の下面１ｃｂを有するチップ搭載部１ｃと、接合材として用いられる半田材６を介してチップ搭載部１ｃの上面１ｃａに搭載された半導体チップ２と、を有している。この半導体チップ２は、主面２ａ、主面２ａとは反対側に位置する裏面２ｂ、主面２ａに形成された複数の電極パッド（第１電極、ボンディング電極、ボンディングパッド）２ｃ，２ｄを有しており、裏面２ｂがチップ搭載部１ｃの上面１ｃａと対向するようにチップ搭載部１ｃ上に搭載されている。

【0026】

なお、半導体チップ２の裏面２ｂは、裏面電極２ｅとなっており、本実施の形態のパワーデバイス５では、ドレイン（Ｄ）電極となっている。したがって、半導体チップ２の裏面２ｂ（裏面電極２ｅ）とチップ搭載部１ｃとは、導電性の接合材によって電気的に、かつ機械的に接続される必要がある。そこで、パワーデバイス５では、導電性の接合材として半田材６が用いられている。

【0027】

また、半導体チップ２の裏面２ｂには、ドレイン電極（裏面電極２ｅ）が形成されているため、半導体チップ２からの発熱量も多い。したがって、接合材（ダイボンド材）として半田材６を用いることで、半導体チップ２の裏面２ｂ側が放熱経路となっている。つまり、半導体チップ２の裏面２ｂ側から半田材６を介してチップ搭載部１ｃに放熱が行えるようになっており、したがって、封止体３の下面３ｂにチップ搭載部１ｃの下面１ｃｂが露出する構造となっている。

【0028】

また、図２に示すようにチップ搭載部１ｃの平面視において、その１つの辺に沿ってチップ搭載部１ｃの横に配置された複数（ここでは２本）のリード１のインナーリード部１ａと、半導体チップ２の電極パッド２ｃ，２ｄとは、それぞれ導電性のワイヤによって電気的に接続されている。なお、インナーリード部１ａのそれぞれの半導体チップ２側の端部には、リード幅が広くなった幅広部１ａａが形成されており、この幅広部１ａａにＡｌワイヤ４が接続されている。

【0029】

また、本実施の形態のパワーデバイス５における半導体チップ２の複数の接続用電極は、電極パッド（ソース電極）２ｃと、電極パッド２ｃより平面視の大きさが小さい電極パッド（ゲート電極）２ｄと、を含んでいる。

【0030】

また、図１〜３に示す封止体３は、４つの側面３ａを有しており、そのうちの１つの側面３ａから２本のアウターリード部１ｂが突出している。さらに、封止体３は、図３に示すように、チップ搭載部１ｃの下面１ｃｂが封止体３の下面３ｂに露出するように、チップ搭載部１ｃの一部（上面１ｃａ側）、かつ半導体チップ２および複数のＡｌワイヤ４を封止している。

【0031】

本実施の形態の半導体装置は、パワーデバイス５であるため、図２に示すように、封止体３の側面３ａから突出する複数のリード部１（アウターリード部１ｂ）は、ソースリード（Ｓ）１ｄとゲートリード（Ｇ）１ｅである。また、図３に示すように半導体チップ２の裏面２ｂは、上述のようにドレイン（Ｄ）電極（裏面電極２ｅ）となっており、したがって、封止体３の下面３ｂに露出するチップ搭載部１ｃの下面１ｃｂは、ドレイン（Ｄ）電極である。

【0032】

なお、複数のアウターリード部１ｂのそれぞれは、インナーリード部１ａと一体で形成されている。図２に示すようにアウターリード部１ｂのソースリード１ｄは、インナーリード部１ａのソースリード１ｄと一体で繋がっており、また、アウターリード部１ｂのゲートリード１ｅは、インナーリード部１ａのゲートリード１ｅと一体で繋がっている。

【0033】

そして、ソースリード１ｄの幅広部１ａａには、Ａｌワイヤ４ｂ（ゲートワイヤ）に比べて直径が大きなＡｌワイヤ４ａが電気的に接続され、さらに、このＡｌワイヤ４ａは、半導体チップ２の電極（ボンディング電極）のうちの電極パッド（ソース電極）２ｃに電気的に接続されている。

【0034】

すなわち、複数のリード部１のうちのソースリード１ｄには、ゲート電流に比べて大きな電流が印加されるため、ソースリード１ｄと、半導体チップ２の電極パッド（ソース電極）２ｃとが直径が大きなＡｌワイヤ４ａを介して電気的に接続されている。

【0035】

一方、インナーリード部１ａのゲートリード１ｅの幅広部１ａａには、Ａｌワイヤ４ａより直径が小さなＡｌワイヤ４ｂが電気的に接続され、さらに、このＡｌワイヤ４ｂは、半導体チップ２の電極（ボンディング電極）のうちの電極パッド（ゲート電極）２ｄに電気的に接続されている。

【0036】

また、図２に示すように、封止体３の側面３ａには、チップ搭載部１ｃと繋がる吊りリード１ｆが突出している。

【0037】

なお、チップ搭載部１ｃやこのチップ搭載部１ｃと繋がる吊りリード１ｆ、およびインナーリード部１ａとアウターリード部１ｂとを含む複数のリード部１は、例えばＣｕ（銅）を主成分とするＣｕ合金から成る。また、本実施の形態では、半導体チップ２を接続する接合材は、例えば半田材６である。そして、ワイヤは、例えばＡｌ（アルミニウム）等から成る。このとき、Ａｌワイヤ４ａの直径は、例えば３００〜５００μｍであり、Ａｌワイヤ４ｂの直径は、例えば１２５μｍ程度である。また、封止体３は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂から成る。ただし、上述の寸法や各部材の材料は、上述のものに限定されるものではない。

【0038】

＜半導体装置の製造方法＞
図５は図１に示す半導体装置の組立てに用いられるリードフレームの要部構造の一例を示す部分平面図、図６は図１に示す半導体装置の組立てのダイボンディング後の構造の一例を示す部分平面図、図７は図６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。また、図８は図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分平面図、図９は図８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。

【0039】

１．リードフレーム準備
まず、図５に示すようなリードフレーム７を準備する。リードフレーム７には、図１に示す１つのパワーデバイス５を形成可能な複数のデバイス領域７ａが形成されている。各デバイス領域７ａには、チップ搭載部１ｃと、チップ搭載部１ｃの横（近傍、周囲）に配置された複数のリード部１とが形成されている。本実施の形態のリードフレーム７では、各デバイス領域７ａに、平面視が四角形の１つのチップ搭載部１ｃと、四角形のチップ搭載部１ｃの１つの辺に対応して配置された２本のリード部１および１本の吊りリード１ｆと、が含まれている。

【0040】

また、各リード部１と吊りリード１ｆにおいて、それぞれのチップ搭載部１ｃ側と反対側の端部は、枠部７ｂに繋がっており、枠部７ｂによって支持されている。チップ搭載部１ｃは、枠部７ｂに繋がる吊りリード１ｆによって支持されている。

【0041】

そして、各リード部１のそれぞれのチップ搭載部１ｃ側の端部には、リード幅が広くなった幅広部１ａａが形成されている。この幅広部１ａａは、ワイヤが接続される領域である。

【0042】

２．ダイボンディング
リードフレーム準備後、図６および図７に示すようにダイボンディングを行う。すなわち、リードフレーム７のチップ搭載部１ｃの上面１ｃａに接合材（ダイボンド材）を介して半導体チップ２を搭載する。本実施の形態では、接合材として半田材６を用いる。これにより、半導体チップ２の裏面２ｂが半田材６によってチップ搭載部１ｃの上面１ｃａに固着される。

【0043】

なお、半導体チップ２の主面２ａには、図６に示すように複数の電極パッド２ｃ，２ｄが形成されている。

【0044】

３．ワイヤボンディング
ダイボンディング後、図８および図９に示すようにワイヤボンディングを行う。ここでは、半導体チップ２の主面２ａの電極パッド２ｃ，２ｄと、それぞれの電極パッド２ｃ，２ｄに対応するインナーリード部１ａと、をＡｌワイヤ４によって電気的に接続する。

【0045】

詳細には、半導体チップ２の電極パッド２ｃと、一方のインナーリード部１ａ（図２に示すソースリード１ｄ）とをＡｌワイヤ４ａで電気的に接続し、さらに半導体チップ２の電極パッド２ｄと、他方のインナーリード部１ａ（図２に示すゲートリード１ｅ）とをＡｌワイヤ４ｂで電気的に接続する。

【0046】

なお、本実施の形態のワイヤボンディングでは、直径が大きなＡｌワイヤ４ａを扱うため、ボンディングツールとして、後述する図１０に示すウェッジ８を用いたウェッジボンディングを採用する。

【0047】

本ワイヤボンディング工程では、まず、図２に示すソース電極（電極パッド２ｃ）のワイヤボンディングを行う。つまり、ウェッジボンディングにより、半導体チップ２の電極パッド（ソース電極）２ｃと、図２に示すソースリード１ｄ（インナーリード部１ａ）と、を直径が大きなＡｌワイヤ４ａによって電気的に接続する。

【0048】

その際、Ａｌワイヤ４ａのインナーリード部１ａ側（２ｎｄ側）の接続は、インナーリード部１ａの幅広部１ａａに対して行う。

【0049】

そして、ソース電極のワイヤボンディングを行った後、ゲート電極（電極パッド２ｄ）のワイヤボンディングを行う。すなわち、ウェッジボンディングにより、半導体チップ２の電極パッド（ゲート電極）２ｄと、図２に示すゲートリード１ｅ（インナーリード部１ａ）と、をＡｌワイヤ４ａに比べて直径が小さなＡｌワイヤ４ｂによって電気的に接続する。

【0050】

その際、Ａｌワイヤ４ｂのインナーリード部１ａ側（２ｎｄ側）の接続は、ソース電極の場合と同様にインナーリード部１ａの幅広部１ａａに対して行う。

【0051】

次に、本実施の形態のワイヤボンディング（ウェッジボンディング）の詳細について説明する。なお、ここでは、直径が大きなＡｌワイヤ４ａをウェッジボンディングする場合を一例として取り上げて説明するが、直径が小さなＡｌワイヤ４ｂについてもＡｌワイヤ４ａと同様のボンディング方法である。

【0052】

図１０は本実施の形態のワイヤボンディングで用いるウェッジボンダの駆動部の構造の一例を示す概略図、図１１は図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング工程における１ｓｔボンド後の構造の一例を示す部分平面図、図１２は図１１に示す構造をウェッジ動作と合わせて示す部分概略図である。また、図１３は図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング工程における２ｎｄボンド後の構造の一例を示す部分平面図、図１４は図１３に示す構造をウェッジ動作と合わせて示す部分概略図、図１５は図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング工程におけるワイヤカット時の構造の一例を示す部分平面図である。さらに、図１６は図１５に示す構造をウェッジ動作と合わせて示す部分概略図、図１７は図１に示す半導体装置の組立てのワイヤボンディング工程におけるワイヤカット後の構造の一例を示す部分平面図、図１８は図１７に示す構造をウェッジ動作と合わせて示す部分概略図である。

【0053】

まず、図１０を用いて本実施の形態のウェッジボンディングで用いられるウェッジボンダの駆動部の構造の一例について説明する。

【0054】

図１０に示すように、本実施の形態のウェッジボンダには、ウェッジ８と同一の第１アクチュエータ（駆動部）１１にワイヤを切断するためのカッター（カッター部材）９が取り付けられており、さらに、カッター９の下降時の停止位置を決めるストッパー（ストッパー部材）１０が設けられている。

【0055】

ストッパー１０は、ウェッジ８およびカッター９と同一の第１アクチュエータ１１に取り付けられている。

【0056】

つまり、図１０に示すウェッジボンダでは、ウェッジ８を上下動させる第１アクチュエータ１１に、ワイヤの切断を行うカッター９と、カッター９の下降時の停止位置を決めるストッパー１０とが取り付けられている。

【0057】

そして、カッター９とストッパー１０は、ウェッジ８と一体となって動くように設けられ、かつウェッジ８と同一の第１アクチュエータ（駆動部）１１に可動自在に設けられている。

【0058】

このようにカッター９とストッパー１０が、ウェッジ８と同一の第１アクチュエータ（駆動部）１１に取り付けられていることにより、装置サイズをコンパクトにすることができる。また、それぞれの動作の制御系を簡略化することができる。さらに、水平方向（Ｘ−Ｙ系）に関しては、ウェッジ８とカッター９とストッパー１０とを一体となって移動させることができる。

【0059】

また、カッター９とストッパー１０は、両者が一体となって移動できるように、ウェッジ８に取り付けられた第２アクチュエータ１２に設けられている。これにより、カッター９とストッパー１０は、ウェッジ８と一体となって移動することができ、かつＺ系（垂直方向）に関しては、ウェッジ８とは別に独立して移動することができる。

【0060】

上記構造により、第１アクチュエータ１１の駆動によってウェッジ８が上下動するのに伴ってカッター９およびストッパー１０も一緒に上下動する。さらにウェッジ８に取り付けられた第２アクチュエータ１２の駆動により、ウェッジ８を固定させた状態でカッター９およびストッパー１０を上下動させることができる。

【0061】

これにより、本実施の形態におけるウェッジボンダは、リード部１への２ｎｄボンド終了後に、ウェッジ８をリード部１上から退避させた状態でカッター９を下降させることにより、Ａｌワイヤ４ａを切断するものであり、切断時に、カッター９の下降に応じて下降するストッパー１０がリード部１に突き当たった時点でカッター９によるＡｌワイヤ４ａの切断を終了する。

【0062】

つまり、カッター９の下降を停止させるストッパー部材として、ストッパー１０が設けられており、カッター９の下降と一緒に下降するストッパー１０がリード部１に突き当たるとカッター９の下降も停止し、そこでカッター９によるワイヤ切断を終了する。

【0063】

なお、ウェッジ８とカッター９とストッパー１０は、それぞれが独立して移動可能なように取り付けられていてもよい。

【0064】

また、図１０に示すように、ウェッジ８が半導体チップ２から遠ざかる第１方向Ｐにおいて、ストッパー１０は、カッター９をウェッジ８とで挟むように配置されている。別の表現をすると、第１方向Ｐにおいて、ウェッジ８とストッパー１０との間にカッター９が配置される。さらに別の表現をすると、ストッパー１０は、カッター９より第１方向Ｐと反対の第２方向Ｑ側に配置されている。

【0065】

また、ストッパー１０の下端部（下面）１０ａおよびカッター９の下端部（刃先）９ａは、ウェッジ８の下端部（下面）８ａより高い位置に配置されている。

【0066】

さらに、カッター９の下端部（刃先）９ａは、ストッパー１０の下端部１０ａより下方に向けて僅かに突出している。

【0067】

また、ストッパー１０の下端部（下面）１０ａの第１方向Ｐに沿った方向の長さは、ウェッジ８の下端部（下面）８ａの第１方向Ｐの長さより短くなっている。

【0068】

次に、本ワイヤボンディング工程の１ｓｔボンドから２ｎｄボンドにおけるツール動作の概略手順について説明する。

【0069】

図１１および図１２に示すように、１ｓｔボンドを行う。すなわち、半導体チップ２の電極パッド２ｃに対してウェッジボンディングを行う。ここでは、半導体チップ２の電極パッド２ｃとＡｌワイヤ４ａとをウェッジ８を用いて電気的に接続する。

【0070】

この時、図１０に示すように、ストッパー１０の下端部（下面）１０ａおよびカッター９の下端部（刃先）９ａは、ウェッジ８の下端部（下面）８ａより高い位置に配置されている。これにより、ウェッジ８によってＡｌワイヤ４ａを半導体チップ２の電極パッド２ｃに対して押さえ付けてワイヤボンディングを行っている最中、カッター９の下端部（刃先）９ａおよびストッパー１０の下端部（下面）１０ａが半導体チップ２の主面２ａに接触することを阻止することができる。

【0071】

すなわち、カッター９の下端部（刃先）９ａおよびストッパー１０の下端部（下面）１０ａが、ウェッジ８の下端部（下面）８ａより上方に引っ込んだ状態であるため、ウェッジボンディング中にカッター９の刃先が半導体チップ２の表面（主面２ａ）に接触することを防止できる。

【0072】

これにより、１ｓｔボンド時（半導体チップ２へのウェッジボンディング時）に、カッター９やストッパー１０によって半導体チップ２に傷を付けることを防止できる。

【0073】

１ｓｔボンド終了後、図１３および図１４に示すように、２ｎｄボンドを行う。ここでは、ウェッジ８によりリード部１にＡｌワイヤ４ａを押し付けてＡｌワイヤ４ａとリード部１とを電気的に接続する。具体的には、図１３に示すように、インナーリード部１ａの幅広部１ａａにＡｌワイヤ４ａを接続する。

【0074】

２ｎｄ側のワイヤ接続後、図１５および図１６に示すように、カッター９によってＡｌワイヤ４ａを切断する。ここでは、ウェッジ８をリード部１（インナーリード部１ａの幅広部１ａａ）上から退避させた状態で、カッター９を下降させてＡｌワイヤ４ａを切断し、カッター９と一緒に下降するストッパー１０がリード部１に突き当たった時点でカッター９の下降も停止する。カッター９の下降が停止することによりＡｌワイヤ４ａの切断も完了となる。

【0075】

ワイヤ切断後、図１７および図１８に示すように、ウェッジ８、カッター９、ストッパー１０およびＡｌワイヤ４ａを上昇させ、リード部１から退避させる。これにより、半導体チップ２の電極パッド２ｃとリード部１とがＡｌワイヤ４ａで接続される。

【0076】

次に、本ワイヤボンディング工程の２ｎｄボンドからワイヤ切断におけるツール動作の詳細について説明する。

【0077】

図１９は図１に示す半導体装置の組立てにおけるウェッジボンディング時のツール動作の一例を示す概略図、図２０は図１に示す半導体装置の組立てにおけるウェッジボンディング時のツール動作の一例を示す概略図、図２１は図１に示す半導体装置の組立てにおけるウェッジボンディング時のツール動作の一例を示す概略図である。また、図２２は図２１のＢ矢視の構造の一例を示す概略図、図２３は図１に示す半導体装置の組立てにおけるウェッジボンディング時のツール動作の一例を示す概略図、図２４は図２３のＢ矢視の構造の一例を示す概略図、図２５は図１に示す半導体装置の組立てにおけるウェッジボンディング後のワイヤ切断によって得られる効果の一例を示す概略図である。

【0078】

１ｓｔボンド終了後、ウェッジ８を移動させて、図１９に示すように、ウェッジ８をインナーリード部１ａの幅広部１ａａ上に移動させる。なお、ウェッジ８の移動中、およびウェッジ８をインナーリード部１ａの幅広部１ａａ上に配置した際に、カッター９の下端部（刃先）９ａおよびストッパー１０の下端部（下面）１０ａは、ウェッジ８の下端部（下面）８ａより高い位置に配置されているため、Ａｌワイヤ４ａにカッター９やストッパー１０が接触することを防止できる。

【0079】

その結果、Ａｌワイヤ４ａが損傷することを低減でき、パワーデバイス５の信頼性を向上させることができる。

【0080】

ウェッジ８をインナーリード部１ａの幅広部１ａａ上に移動させた後、図２０に示すように、図１０に示す第１アクチュエータ１１の駆動により、ウェッジ８を下降させ、さらにウェッジ８によりＡｌワイヤ４ａを幅広部１ａａに押し付けてＡｌワイヤ４ａとインナーリード部１ａの幅広部１ａａとを接続する。なお、本実施の形態のウェッジボンディングでは、例えば、超音波と荷重を印加してボンディングを行う。

【0081】

なお、ボンディング中においても、カッター９の下端部（刃先）９ａおよびストッパー１０の下端部（下面）１０ａは、ウェッジ８の下端部（下面）８ａより高い位置に配置されているため、ボンディング中にＡｌワイヤ４ａにカッター９やストッパー１０が接触することを防止でき、これにより、Ａｌワイヤ４ａが損傷することを低減でき、パワーデバイス５の信頼性を向上させることができる。

【0082】

本ウェッジボンディングにより、図２１に示すように、幅広部１ａａ上にＡｌワイヤ４ａの接続部４ｃが形成され、この接続部４ｃにおいてＡｌワイヤ４ａがインナーリード部１ａの幅広部１ａａに接続される。

【0083】

Ａｌワイヤ４ａをインナーリード部１ａの幅広部１ａａに接続した後、一端、ウェッジ８、カッター９およびストッパー１０をＡｌワイヤ４ａから離れる程度に僅かに上昇させ、さらに上記上昇を維持した状態で第１方向Ｐに移動させ、ウェッジ８をリード部１上から退避させる。ウェッジ８を退避させた後、図１０に示す第１アクチュエータ１１の駆動により、ウェッジ８を下降させ、Ａｌワイヤ４ａに僅かに接触する位置でウェッジ８を停止させる。その後、第２アクチュエータ１２により、カッター９とストッパー１０とを一緒に下降させ、図２１に示すようにカッター９によってＡｌワイヤ４ａの切断を開始する。

【0084】

このＡｌワイヤ４ａの切断中も、ウェッジ８はＡｌワイヤ４ａに接触している（僅かな荷重を付与してＡｌワイヤ４ａをおさえている）。なお、図２２に示すように、ストッパー１０の下端部１０ａを含む端部には、二股に分かれた脚部１０ｂが設けられており、ワイヤ切断中においてもストッパー１０は、Ａｌワイヤ４ａの接続部４ｃに接触しない形状となっている。

【0085】

この状態でストッパー１０の脚部１０ｂの下端部１０ａがリード部１の幅広部１ａａに突き当たるまでカッター９およびストッパー１０を下降させる。そして、図２３および図２４に示すように、ストッパー１０がリード部１の幅広部１ａａに突き当たった時点でカッター９の下降も停止し、これにより、ワイヤ切断を終了する。

【0086】

なお、図２３に示すように、カッター９の下端部（刃先）９ａは、ストッパー１０の下端部１０ａより下方に向けて僅かに突出しているため、ストッパー１０の下端部１０ａがリード部１の幅広部１ａａに突き当たるのよりも僅かに早くカッター９の下端部（刃先）９ａがインナーリード部１ａの幅広部１ａａに突き当たっている。

【0087】

これにより、カッター９の下端部（刃先）９ａが幅広部１ａａに僅かに切り込み（食い込み）、幅広部１ａａにカッター９の下端部（刃先）９ａによる小さな傷（刃跡）が形成される。つまり、カッター９の下端部（刃先）９ａが幅広部１ａａに確実に切り込むまでカッター９を下降させることにより、Ａｌワイヤ４ａを確実に切断することができ、Ａｌワイヤ４ａを切り残すことを防止することができる。

【0088】

さらに、作業者は、幅広部１ａａに、カッター９の下端部（刃先）９ａによって小さな傷（刃跡）が形成されていることを確認することにより、Ａｌワイヤ４ａの切り残しの発生を防ぐことができる。

【0089】

また、図２４に示すように、ストッパー１０の下端部１０ａを含む端部の形状は、Ａｌワイヤ４ａの接続部４ｃを跨ぐように両側に配置された脚部１０ｂとなっている。言い換えると、ストッパー１０の端部には、Ａｌワイヤ４ａの接続部４ｃを跨ぐように両側に配置された脚部１０ｂが設けられており、２つの脚部１０ｂの先端がストッパー１０の下端部１０ａとなっている。

【0090】

これにより、２つに分かれた脚部１０ｂによって、ストッパー１０がＡｌワイヤ４ａの幅広部１ａａとの接続部４ｃを跨ぐように、ストッパー１０を幅広部１ａａに突き当てることができる。

【0091】

その結果、ストッパー１０の下端部１０ａがリード部１の幅広部１ａａに突き当たった際に、ストッパー１０がＡｌワイヤ４ａの接続部４ｃに接触しないようにすることができ、接続部４ｃが損傷することを防止できる。

【0092】

また、図２３に示すように、カッター９によるワイヤ切断時、ウェッジ８は、リード部１（インナーリード部１ａの幅広部１ａａ）から第１方向Ｐに向かって退避して待機しており、この時、ウェッジ８の直下には空間部１３が形成されている。そして、図２１に示すように、カッター９によるワイヤ切断時には、ウェッジ８の下端部８ａは、Ａｌワイヤ４ａに接触していることが好ましい。すなわち、ワイヤ切断時に、ウェッジ８はＡｌワイヤ４ａを軽く押圧しており、ウェッジ８が小さな荷重でＡｌワイヤ４ａを押圧した状態でカッター９によるワイヤ切断が行われることが好ましい。

【0093】

これにより、図２１のＲ部に示すように、Ａｌワイヤ４ａに対してウェッジ８の下端部８ａの形状に沿った癖を付けることができ、図１８に示すように、次工程に向けてウェッジ８が上昇した際に、ウェッジ８にＡｌワイヤ４ａを接触させた状態で次工程に向かうことができる。

【0094】

その結果、次工程で１ｓｔボンドを行う際に、空打ち（ウェッジ８の下端部８ａから外れてＡｌワイヤ４ａが無い状態でワイヤボンディング動作が行われること）が発生することを防止できる。

【0095】

リード部１に対してのワイヤ接続終了後、まず、カッター９とストッパー１０が一緒に上昇してリード部１から離脱・退避し、遅れてウェッジ８が上昇し、図１８に示すように、リード部１から、ウェッジ８、カッター９、ストッパー１０およびＡｌワイヤ４ａが上方に退避する。

【0096】

その後、同様のウェッジボンディング方法により、所望の電極パッド２ｃおよび電極パッド２ｄに対してこれらに対応するリード部１とのワイヤボンディングを実施し、ワイヤボンディング工程を完了する。

【0097】

４．樹脂封止
図２６は図１に示す半導体装置の組立ての樹脂封止後の構造の一例を示す部分平面図、図２７は図２６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。

【0098】

ワイヤボンディング後、図２６および図２７に示すように樹脂封止を行う。ここでは、図２７に示すように、封止用樹脂によって封止体３を形成し、半導体チップ２、半田材６、Ａｌワイヤ４、インナーリード部１ａおよびチップ搭載部１ｃの一部を封止体３によって封止する。この時、チップ搭載部１ｃの下面１ｃｂが封止体３の下面３ｂに露出するように樹脂封止を行う。

【0099】

なお、封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂である。

【0100】

５．めっき形成
樹脂封止後、めっき形成を行う。

【0101】

めっき形成工程では、半田めっき等のめっき膜を図３に示す複数のアウターリード部１ｂの表面、およびチップ搭載部１ｃの下面１ｃｂの表面に形成する。

【0102】

６．マーキング
めっき形成後、マーキングを行う。

【0103】

マーキング工程では、例えば封止体３の表面に所望のマーク（捺印）を形成する。上記マークは、例えば、製品の品種や型番等であり、レーザー照射等を行って上記マークを形成する。

【0104】

７．リード切断（個片化）
図２８は図１に示す半導体装置の組立ての切断・成形後の構造の一例を示す部分平面図、図２９は図２８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。

【0105】

マーキング後、リード加工を行う。

【0106】

本リード切断工程では、図５に示すリードフレーム７の枠部７ｂから図２に示す各アウターリード部１ｂおよび吊りリード１ｆを切り離し、さらに図３に示すように各アウターリード部１ｂを所定の形状（ここでは、例えばガルウィング状）に曲げ形成する。

【0107】

以上により、パワーデバイス５の組立てを完了する。

【0108】

本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、ウェッジ８によるワイヤ接続後にＡｌワイヤ４ａを切断する際に、図２１に示すように、ウェッジ８をリード部１（インナーリード部１ａの幅広部１ａａ）上から後方（第１方向Ｐ）に退避させた状態で、カッター９を下降させてＡｌワイヤ４ａを切断する。この時、カッター９と一緒に下降するストッパー１０がリード部１に突き当たった時点でカッター９の下降も停止し、そこで、カッター９によるＡｌワイヤ４ａの切断も完了となる。

【0109】

つまり、本実施の形態では、ウェッジ８をリード部１上から退避させた状態でウェッジボンディング後のＡｌワイヤ４ａの切断を行うため、リード部１にウェッジ８を着座させるスペースを確保する必要がなくなる。

【0110】

したがって、リード部１、特にインナーリード部１ａの幅広部１ａａの第１方向Ｐへの長さを短くすることができる。これにより、図１に示すパワーデバイス５の外形サイズを小さくしてパワーデバイス５の小型化を図ることができる。

【0111】

本願発明者は、パワーデバイス５の小型化を検討したところ、インナーリード部１ａの幅広部１ａａの第１方向Ｐの長さを短くしようとすると、ウェッジ８でカッター９の停止位置を決定してワイヤを切断することができなくなることに気付いた。つまり、パワーデバイス５の小型化によりインナーリード部１ａの幅広部１ａａの第１方向Ｐの長さを短くしようとすると、ウェッジ８のリード部１上での着座スペースが確保できず、ワイヤ切断が行えないことに気付いた。

【0112】

ウェッジ８の押さえ長さを小さくすることも考えられるが、その場合、ワイヤとリード部１との接続部の面積が小さくなり、ＯＮ抵抗が増加することにつながる。

【0113】

そこで、本実施の形態のように、ウェッジ８とは別のツール（ストッパー１０）でカッター９の下降時の停止位置を決定する技術思想に想到した。つまり、ウェッジ８をリード部１上から退避させた状態でウェッジボンディング後のＡｌワイヤ４ａの切断を行うため、リード部１にウェッジ８を着座させるスペースを確保する必要がなくなり、その結果、リード部１の第１方向Ｐへの長さを短くしてパワーデバイス５の小型化を図るというものである。

【0114】

また、リード部１の第１方向Ｐへの長さを短くすることができるため、チップ搭載部１ｃやチップサイズを大きくすることが可能になり、パワーデバイス５の特性を向上させることができる。

【0115】

なお、本実施の形態では、図２４に示すように、ストッパー１０は、その脚部１０ｂがＡｌワイヤ４ａのリード部１上での接続部４ｃを跨がるようにリード部１に突き当たるため、Ａｌワイヤ４ａにダメージが入らないようにすることも考慮している。

【0116】

また、図２１に示すように、ウェッジ８が図１０に示す半導体チップ２から遠ざかる第１方向Ｐにおいて、ストッパー１０は、カッター９をウェッジ８とで挟むように配置されている。つまり、第１方向Ｐにおいて、ウェッジ８とストッパー１０との間にカッター９が配置される。

【0117】

これにより、リード部１の第１方向Ｐの長さとしては、カッター９およびストッパー１０のそれぞれの第１方向Ｐの幅の合計程度に納めることができる。さらに、ストッパー１０の脚部１０ｂがＡｌワイヤ４ａの接続部４ｃを跨がるように形成されているため、接続部４ｃの上方にストッパー１０を配置することができる。

【0118】

その結果、図２５に示すように、リード部１の第１方向Ｐの長さＵを、ウェッジ８のツール長さＦＬより僅かに長い程度まで短くすることができる。

【0119】

ここで、それぞれの部材の長さの一例を示すと、例えば、ウェッジ８の第１方向Ｐのツール長さＦＬは、ＦＬ＝０．５ｍｍ、カッター９の第１方向Ｐの幅Ｔは、Ｔ＝０．１〜０．２ｍｍ、ストッパー１０の第１方向Ｐの幅Ｓは、Ｓ＝０．３〜０．４ｍｍ、リード部１の第１方向Ｐの長さＵは、Ｕ＝０．５５〜０．６ｍｍである。

【0120】

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【0121】

例えば、上記実施の形態では、ウェッジ８、カッター９およびストッパー１０を上下動させる駆動部としてアクチュエータを採用した場合を説明したが、ウェッジ８、カッター９およびストッパー１０等を上下動させる駆動部としてエアシリンダ等を採用してもよい。

【符号の説明】

【0122】

１ リード部
１ｃ チップ搭載部
２ 半導体チップ
２ｃ 電極パッド
４，４ａ Ａｌワイヤ
５ パワーデバイス（半導体装置）
８ ウェッジ
８ａ 下端部
９ カッター（カッター部材）
９ａ 下端部
１０ ストッパー（ストッパー部材）
１０ａ 下端部
１１ 第１アクチュエータ（駆動部）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】