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特許 6423706出願番号 特願 2014-254376
プラズマ処理装置
出願人 東京エレクトロン株式会社（識別番号 219967）
2026年 特許公開件数ランキング 36位 458件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 25位 495件（※）
公報発行日 2018年11月14
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6423706 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
本発明の種々の側面及び実施形態はプラズマ処理装置に関するものである。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、上述した従来技術では、排気流路において上部電極と対向する電極が存在しないので、生成されたプラズマが載置台に載置された被処理基板の中央部に集中し、基板中央部がエッチングレートが高く、周辺部のエッチングレートが低くなる。結果として、被処理基板のエッチングレートの均一性が低下するという問題がある。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一側面に係るプラズマ処理装置は、処理容器と、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理容器内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、前記載置台の上方に設けられた上部電極と、前記上部電極及び前記載置台の少なくともいずれか一方に高周波電力を供給することによって、前記処理容器内において処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記処理容器の側壁と、前記載置台の側面とに・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明の種々の側面及び実施形態によれば、被処理基板のエッチングの面内均一性を向上することができるプラズマ処理装置が実現される。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】図１は、一プラズマ処理装置の縦断面を示す図である。
【図2A】図２Ａは、導電体の設置態様の一例を示す図である。
【図2B】図２Ｂは、導電体が載置台の側面のみに設けられた状態を示す図である。
【図3】図３は、比較例のプラズマ処理装置においてプラズマが生成された状態を示す図である。
【図4】図４は、本実施形態のプラズマ処理装置においてプラズマが生成された状態を示す図である。
【図5】図５は、ウェハの有機膜を所定の処理ガスでエッチングした場合のエッチングレートを示す図である。
【図6】図６は、ウェハの酸化膜を所定の処理ガスでエッチングした場合のエッチングレートを示す図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１：プラズマ処理装置
１０：処理容器
２０：載置台（下部電極）
２５：上部電極
６２：排気流路
６５：排気装置
１０１：フォーカスリング
１０６：静電チャック
１０７：溶射膜
１０８：整流板（バッフル板）
２０１、２０２：導電体
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