(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、実施形態について図面を用いて説明する。
図1は、実施形態における電力変換装置の回路構成の一例を示す図である。この電力変換装置は、直流電圧を任意の周波数及び電圧に変換して三相(UVW相)交流負荷10を駆動する。
U相の電力変換装置ユニットCNV
Uは、直流電圧V
DCを入力する。この電力変換装置ユニットCNV
Uの出力端子は、トランスTRのU相1次側巻線に接続される。
V相、W相の電力変換装置ユニットCNV
V、CNV
Wもまた、U相と共通の直流電圧V
DCを入力し、これらの電力変換装置ユニットの出力端子はトランスTRのV相、W相1次側巻線に1対1で接続される。
図1に示した電力変換装置ユニットの制御装置20は、電圧指令値及び各部の電圧値、電流値及び位相に基づいて、ゲート指令を各相の電力変換装置ユニットを構成するスイッチング素子に出力することで、各相の電力変換装置ユニットを制御する。
【0011】
次に、U相を例として各相の電力変換装置ユニットの詳細構成を説明する。
図2は、実施形態における電力変換装置ユニットCNV
Uの回路構成の一例を示す図である。
図1に示すように、電力変換装置ユニットの直流側において高電位側のコンデンサC
Pと、低電位側のコンデンサC
Nとが直列接続される。また、電力変換装置ユニットCNV
Uは、
図2に示した8つの自己消弧形スイッチング素子S
U1、S
U2、S
U3、S
U4、S
U5、S
U6、S
U7、S
U8と、全スイッチング素子に1対1で逆並列接続される8つの還流ダイオードD
U1、D
U2、D
U3、D
U4、D
U5、D
U6、D
U7、D
U8と、コンデンサC
P、C
Nの相互接続点(中性点N)に接続される4つのクランプダイオードD
U9、D
U10、D
U11、D
U12とを有する。
【0012】
この電力変換装置ユニットCNV
Uは、スイッチング素子S
U1、S
U2、S
U3、S
U4を高電位側から低電位側にかけて直列接続し、またS
U5、S
U6、S
U7、S
U8を高電位側から低電位側にかけて直列接続して2つのレグを構成し、クランプダイオードの相互接続点を中性点Nに接続したNPC(中性点クランプ形)フルブリッジ電力変換装置である。なお、スイッチング素子S
U2、S
U3の接続点電圧V
UAとスイッチング素子S
U6、S
U7の接続点電圧V
UBとの電位差V
UA−V
UBがトランスTRへ出力される。
以下、U相を例にNPCレグの構成を説明する。
U相のNPCレグは、4つの自己消弧形スイッチング素子S
U1、S
U2、S
U3、S
U4が高電位側から低電位側にかけて直列に接続され、これらのスイッチング素子と逆並列に還流ダイオードD
U1、D
U2、D
U3、D
U4が1対1で接続される。
さらに、スイッチング素子S
U1のエミッタと中性点Nとの間にクランプダイオードD
U9が接続され、中性点Nとスイッチング素子
SU3のエミッタとの間にクランプダイオードD
U10が接続される。クランプダイオードD
U9のアノードは中性点Nに接続され、クランプダイオードD
U9のカソードはスイッチング素子S
U1のエミッタに接続される。クランプダイオードD
U10のアノードはスイッチング素子S
U3のエミッタに接続され、クランプダイオードD
U10のカソードは中性点Nに接続される。
【0013】
スイッチング素子S
U2のエミッタおよびスイッチング素子S
U3のコレクタは、トランスTRのU相1次側巻線端子に接続される。スイッチング素子S
U6のエミッタおよびスイッチング素子S
U7のコレクタは、トランスTRのU相1次側巻線端子に接続される。このように、自己消弧形スイッチング素子S
U1、S
U2、S
U3、S
U4、還流ダイオードD
U1、D
U2、D
U3、D
U4、クランプダイオードD
U9、D
U10でU相のNPCレグが構成される。V相、W相のNPCレグ構成はU相のNPCレグと同様である。
V相、W相の各電力変換装置ユニットCNV
V、CNV
Wの構成は、U相の電力変換装置ユニットと同様である。
【0014】
上述したように構成された実施形態の作用を詳細に説明する。
ここでは、電力変換装置ユニット単体の電圧出力方法をU相の電力変換装置ユニットCNV
Uを例として説明する。
電力変換装置ユニットCNV
Uは上記のようにフルブリッジ構成である。この電力変換装置ユニットCNV
Uを構成するスイッチング素子S
U1、S
U2、S
U3、S
U4、S
U5、S
U6、S
U7、S
U8を制御装置20によりオン/オフ制御することによって直流電圧をV
DCとすると、電力変換装置ユニットCNV
Uは、−V
DC、−V
DC/2、0、+V
DC/2、+V
DCでなる5レベルの電圧をトランスTRに出力できる。
【0015】
図3は、実施形態における電力変換装置ユニットCNV
Uの出力電圧とスイッチング素子の状態の関係の一例を示す図である。
図3に示すように、電力変換装置ユニットCNV
Uの出力電圧ごとに設定される、スイッチング素子S
U1、S
U2、S
U3、S
U4、S
U5、S
U6、S
U7、S
U8のON/OFF状態は、9通りのパターン[1]〜[9]から成る。
また、S
U1がONのときS
U3はOFFし、S
U4がONのときS
U2はOFFし、S
U5がONのときS
U7はOFFし、S
U8がONのときS
U6はOFFする。このように、同じレグにおける複数のスイッチング素子がそれぞれ相補的に動作する。
出力電圧が0となるスイッチングパターンは[4]〜[6]の3通り、+V
DC/2及び−V
DC/2のスイッチングパターンは[2]及び[3]、[7]及び[8]のそれぞれ2通りがあり、冗長性がある。
この冗長性を利用し、制御装置20は、NPC電力変換装置ユニットの中性点電位変動を抑制できるスイッチングパターンを決定する。
【0016】
電力変換装置ユニットの2つのレグの片方のみが中性点Nに接続されているとき、つまりコンデンサC
P,C
Nのうち片方のみが電流経路に含まれているとき、中性点電位が変動する。
【0017】
すなわち、出力電圧が+V
DC/2(スイッチングパターン[2]、[3])または−V
DC/2(スイッチングパターン[7]、[8])のとき、中性点電位が変動する。中性点電位が変動する理由は、コンデンサC
P,C
Nの片方のみが充電あるいは放電されるためである。
【0018】
中性点電位の変動方向は、中性点Nに接続されているレグとトランスTRの1次側巻線電流I
Uの方向とで決定される。
出力電圧が−V
DC、+V
DCのときは、スイッチングパターンは一意に決定される上、中性点Nには電流が流入しない、つまり2つのコンデンサC
P,C
Nに同一の電流が流れるので中性点電位は変動しない。
【0019】
出力電圧が0のときは、スイッチングパターンは[4]〜[6]の3通りであるが、1組(2個)のスイッチング素子のON/OFF状態を変更することで、スイッチングパターンを[2]、[3]、[7]、[8]の何れのスイッチングパターンへ移行できるように、制御装置20は、スイッチングパターン[5]を常に選択する。
【0020】
例えば、出力電圧を0から+V
DC/2へ変化させたいとき、スイッチングパターンを[5]から[2]へ移行するためには、S
U1とS
U3とでなる1組のスイッチング素子のみを制御装置20がスイッチングすればよい。しかし、スイッチングパターンを[6]から[2]へ移行するためには、S
U1とS
U3、S
U2とS
U4、および、S
U6とS
U8の3組のスイッチング素子を制御装置20がスイッチングすることが必要となる。
このように、スイッチングパターンを[5]から[2]、[3]、[7]、および[8]へ移行するには、制御装置20が1組のスイッチング素子をON/OFFすればよいので、スイッチングの回数を最低限にできる。
【0021】
上述したスイッチングパターンに従い、低次高調波を低減した電圧をトランスTRに出力する方法について述べる。
方形波電圧には、基本波(1次)に加え、3次、5次、7次、11次、13次、17次、19次、23次、25次・・・の高調波が重畳する。尚、位相0〜πにおいて出力波形は左右対称であり、位相π〜2πにおいても出力波形は左右対称である。
このような電圧波形を電力変換装置ユニットからトランスTRに出力する場合、偶数次の高調波は発生しない。また、3次高調波は3相線間電圧において互いに打ち消し合う。
【0022】
高調波振幅の大きさは、上記の2つのレグのそれぞれに割り当てられる各電圧レベルの立ち上がり位相α
1、α
2によって決定される。そのため、高調波振幅の大きさを決定する自由度、すなわち調整可能な位相はα
1、α
2の2つである。
【0023】
高調波電圧の振幅は高調波の次数が上がるほど小さくなるので、低い次数の高調波を消去すると電圧歪みを大きく改善する効果が得られる。よって、高調波で次数が最も低い3次高調波を消去する必要があるが、前述したように3k(kは自然数)倍次の高調波、すなわち3の倍数次の高調波は、位相が120°ずれた3相の線間電圧をトランスTRに出力することによって打ち消し合う。よって、3次高調波の次に次数が高い5、7次高調波を消去するためには、以下の式(1)、式(2)を満たす必要がある。
【0024】
cos(5α
1)+cos(5α
2)=0 …式(1)
cos(7α
1)+cos(7α
2)=0 …式(2)
これらの式(1)、式(2)によりα
1、α
2は一意に算出できる。ここでは、α
1は0.09radであり、α
2は0.54radである。これら算出した位相α
1、α
2を2つのレグに1対1で割り当てることで、
図4に示すような、5、7次高調波を消去した電圧が電力変換装置ユニットからトランスTRに出力される。
【0025】
ここで、電圧利用率(直流入力電圧に対する基本波振幅の割合)Mは、以下の式(3)にて表わされる。
2(cos(α
1)+cos(α
2))/π=M …式(3)
上記の式(1)、式(2)より位相α
1、α
2は5、7次高調波を消去する値に決定されるため、電圧利用率Mは固定値である。このため、電力変換装置ユニットの出力電流を制御するために出力電圧の振幅を制御することはできない。そこで、本実施形態では、3相出力電流を有効電流成分及び無効電流成分に分離する。
【0026】
図5は、実施形態における電力変換装置の制御装置の機能構成例を示すブロック図である。
図5に示すように、制御装置20は、減算器21、電流制御器22、位相演算部23、加算器24およびゲート生成部25を有する。
減算器21は、電力変換装置ユニットの3相出力電流の有効電流指令値I
P*と電力変換装置ユニットの出力電流の有効電流成分I
Pとの差分を電流制御器22に出力する。
電流制御器22は、比例積分制御(PI制御)を行うための演算器22a,22b、加算器22cを有する。
演算器22aは、減算器21からの出力値にフィードバックゲインK
pを与えた値を加算器22cに出力する。演算器22bは、減算器21からの出力値を積分してフィードバックゲインK
iを与えた値を加算器22cに出力する。加算器22cは、演算器22a,22bからの出力値の和を位相演算部23に出力する。
【0027】
位相演算部23は、加算器22cからの出力値の逆正弦(アークサイン)を演算することで、系統電圧の基準位相θ
S対する、電力変換装置ユニットの出力電圧の位相差θ
*を演算する。
加算器24は、系統電圧の基準位相θ
Sと、この基準位相θ
Sに対する、電力変換装置ユニットの出力電圧の位相差θ
*との和をゲート生成部25に出力する。ゲート生成部25は、加算器24からの出力値と、位相α
1、α
2とに基づいて電力変換装置ユニットのスイッチング素子へのゲート制御信号を生成してスイッチング素子に出力する。
このようにして、基準位相θ
Sに対する、電力変換装置ユニットの出力電圧の位相差θ
*を制御することで、電力変換装置ユニットの出力電流の有効電流成分I
Pを制御することができる。
上記のように、電圧利用率Mが固定である場合でも、上記の位相制御を適用することで、電圧利用率Mを制御した場合と同様の電流制御が可能となる。
【0028】
図6は、実施形態における電力変換装置を用いて中性点電位変動を抑制するスイッチング方法の一例を示すフローチャートである。
図6では、電力変換装置ユニットが出力電圧として−V
DC/2又は+V
DC/2を出力するときの中性点電位変動を抑制する、制御装置20によるスイッチング方法を示す。
ここで、コンデンサC
Pの電位をV
Pとし、コンデンサC
Nの電位をV
Nとし、出力電流I
uが電力変換装置ユニットからトランスTRに向かう方向(電流方向)を正方向とする。
例えば、電力変換装置ユニットCNV
Uの出力電圧V
Uが±V
DC/2で(S1のYES)、電位V
Pが電位V
Nより大きく(S3のYES)、電流方向が正の場合(S4のYES)について説明する。
この場合、コンデンサC
Nに充電する方向に電流を流せば電位V
Nが上昇し、中性点電位変動が抑制される。
このとき、電圧−V
DC/2を出力したいときは制御装置20がスイッチングパターン [7]を選択し、電圧+V
DC/2を出力したいときは制御装置20がスイッチングパターン[2]を選択すれば、電位V
Nが電位V
Pに近づく方向に電流が流れ、中性点電位変動が抑制される(S5)。なお、出力電圧V
Uが±V
DC/2でない場合で(S1のNO)、電圧0を出力したいときは制御装置20がスイッチングパターン[5]を選択し、電圧+V
DCを出力したいときは制御装置20がスイッチングパターン[1]を選択し、−V
DCを出力したいときは制御装置20がスイッチングパターン[9]を選択すればよい
(S2)。
【0029】
また、V
P>V
Nの場合の他の例について説明する。
上記のようにV
P>V
Nで電流方向が正の場合で、コンデンサC
Pから放電する方向に電流を流せば電位V
Pが低下し、中性点電位変動が抑制される。
また、V
P>V
Nで電流方向が負の場合(S4のNO)で、コンデンサC
Pから放電する方向に電流を流せば電位V
Pが低下し、中性点電位変動が抑制される。
同じくV
P>V
Nで電流方向が負の場合で、コンデンサC
Nに充電する方向に電流を流せば電位V
Nが上昇し、中性点電位変動が抑制される。
上記のようにV
P>V
Nで電流方向が負の場合で、電圧−V
DC/2を出力したいときは制御装置20がスイッチングパターン[8]を選択し、電圧+V
DC/2を出力したいときは制御装置20がスイッチングパターン[3]を選択する(S6)。
【0030】
次に、V
P<V
Nの場合(S3のNO)の例について説明する。
V
P<V
Nで電流方向が正の場合(S7のYES)で、コンデンサC
Pに充電する方向に電流を流せば電位V
Pが上昇し、中性点電位変動が抑制される。
同じくV
P<V
Nで電流方向が正の場合で、コンデンサC
Nから放電する方向に電流を流せば電位V
Nが低下し、中性点電位変動が抑制される。
上記のようにV
P<V
Nで電流方向が正の場合で、電圧−V
DC/2を出力したいときは制御装置20がスイッチングパターン[8]を選択し、電圧+V
DC/2を出力したいときは制御装置20がスイッチングパターン[3]を選択する(S8)。
【0031】
V
P<V
Nで電流方向が負の場合(S7のNO)で、コンデンサC
Nから放電する方向に電流を流せば電位V
Nが低下し、中性点電位変動が抑制される。
同じくV
P<V
Nで電流方向が負の場合で、コンデンサC
Pに充電する方向に電流を流せば電位V
Pが上昇し、中性点電位変動が抑制される。
上記のようにV
P<V
Nで電流方向が負の場合で、電圧−V
DC/2を出力したいときは制御装置20がスイッチングパターン[7]を選択し、電圧+V
DC/2を出力したいときは制御装置20がスイッチングパターン[2]を選択する(S9)。
【0032】
尚、スイッチングパターン[3]、[7]は、スイッチング素子S
U1、S
U2、S
U3、S
U4により構成されたレグに位相α
1を閾値として与え、スイッチング素子S
U5、S
U6、S
U7、S
U8により構成されたレグに位相α
2を閾値として与えた状態である。
【0033】
同様に、スイッチングパターン[2]、[8]は、スイッチング素子S
U1、S
U2、S
U3、S
U4により構成されたレグに位相α
2を閾値として与え、スイッチング素子S
U5、S
U6、S
U7、S
U8により構成されたレグに位相α
1を閾値として与えた状態である。
すなわち、スイッチングパターン[3]、[7]とスイッチングパターン[2]、[8]の間で各レグへの位相α
1、α
2の割り当てが切り替えられることを示している。
【0034】
このようにして、制御装置20は、電位V
P、電位V
Nの大小と出力電流I
uの方向とに従って電力変換装置ユニットCNV
Uのスイッチングパターンを決定する。
【0035】
図7は、実施形態における電力変換装置ユニットCNV
Uのスイッチング素子状態と出力電圧のタイミングチャートの一例を示す図である。この
図7では、スイッチングパターンと電力変換装置ユニットCNV
Uの直流巻線電圧V
U21のタイミングチャートが示される。
電力変換装置ユニットCNV
Uは、立ち上がり位相α
1とα
2の電圧をトランスTRに出力する。
図7では、S
U1、S
U4、S
U5、S
U8のスイッチングパターンのみを示す。S
U2、S
U3、S
U6、S
U7は上記素子に対して相補的にスイッチングするので、これらの素子のスイッチングパターンは
図7に記載していない。
また、
図3に示したスイッチングパターンに対応するように、電圧V
U21に対するスイッチング素子の状態を[1]〜[9]で示した。
【0036】
同じ電圧+V
DC/2
でもスイッチングパターンが[2]と[3]の2通り存在するのは、中性点電位変動を抑制するために
図5のフローチャートに従って、制御装置20がスイッチングパターンを選択するためである。出力電圧−V
DC/2に対する2通りのスイッチングパターン[7]、[8]の選択についても同様である。
以上の電力変換装置ユニットCNVUの動作は他の相の電力変換装置ユニットにも共通する。
【0037】
以上のように、本実施形態における電力変換装置ユニットの構成および制御方法により、単相NPC電力変換装置ユニットにおけるワンパルス制御にて低次高調波の少ない電圧が得られる。
また、電圧利用率Mを固定値とした場合においても、位相制御を適用することで、電流制御が可能となる。加えて、本実施形態では、ワンパルス制御を適用しているため、電力変換装置ユニットのスイッチング回数を抑え、スイッチング損失を低減することが可能となる。
【0038】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。