特許6428730IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

発光装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

このような発光装置において、発光強度を向上させ、高精細な点灯制御を可能とするために、LEDを密接配置するとともに蛍光部を密接配置することが要望されている。しかしながら、特許文献1に係る発光装置において、LEDを密接配置し且つ蛍光部を密接配置しようとすると、波長変換部材を実装する際における実装誤差が両者の位置関係に与える影響が大きくなるので、1つのLEDの直上に配置される蛍光部の数が発光装置の面内で不均一になりやすい。つまり、ある領域においては1つのLEDと1つの蛍光部が対応しているにも関わらず、他の領域においては1つのLEDが複数の蛍光部と重なって配置されることがある。また、それぞれの蛍光部を同じ大きさで作製することは比較的難しいので、1つの波長変換部材で蛍光部の大きさがばらつく恐れもある。この場合も、LEDを密接配置し且つ蛍光部を密接配置しようとすると、1つのLEDの直上に配置される蛍光部の数が発光装置の面内で不均一になりやすい。このような場合、1つのLEDを点灯させた際に光る蛍光部の数及び1つのLEDを消灯させた際に消える蛍光部の数が、点灯又は消灯させるLEDの位置によって異なるため、発光装置の点灯/消灯パターンの制御が困難になってしまう。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

基板と、基板の上方において行列状に配置された複数のLEDと、複数のLEDの上方において行列状に配置された複数の蛍光部及び複数の蛍光部の間に設けられた格子状の遮光部を有する波長変換部材と、を備える発光装置である。
【発明の効果】
これにより、高輝度であり、高精細に点灯/消灯パターンを制御可能な発光装置を実現することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】実施形態1に係る発光装置を示す模式平面図である。

【図1B】実施形態1に係る発光装置を説明するための模式平面図である。

【図1C】実施形態1に係る発光装置を説明するための模式平面図である。

【図1D】実施形態1に係る発光装置を説明するための模式平面図である。

【図2】図1B中のA−A’線におけるLEDを示す断面図である。

【図3】実施形態1に係る発光装置の配線構造を示す模式平面図である。

【図4】実施形態1に係る発光装置の配線構造を示す模式断面図である。

【図5】実施形態2に係る発光装置を示す模式平面図である。

【図6】実施形態3に係る発光装置を示す模式平面図である。

【図7】実施形態4に係る発光装置を示す模式平面図である。

【図8】実施形態5に係る発光装置を示す模式平面図である。

【図9A】実施例に係る発光装置の複数のLEDを示す画像である。

【図9B】図9Aの拡大図である。

【図10A】実施例に係る発光装置の波長変換部材を示す画像である。

【図10B】図10Aの拡大図である。

【図11】実施例に係る発光装置が発光している状態を示す画像である。

100、200、300、400、500、600 発光装置   10 LED   10a 行方向LED群   10b 列方向LED群   11 半導体構造   11a n側層   11b 発光層   11c p側層   12 誘電体層   13 遮光層   14 保護層   15 pコンタクト電極   16 nコンタクト電極   17 pパッド電極   18 nパッド電極   19a 第1樹脂層   19b 第2樹脂層   20 離間領域   20a 行方向離間領域   20b 列方向離間領域   30 波長変換部材   31 蛍光部   31a 行方向蛍光部群   31b 列方向蛍光部群   31c 内側蛍光部   31d 外側蛍光部   32 遮光部   32a 行方向遮光領域   32b 列方向遮光領域   40 基板   41 p側配線   42 n側配線   42a n側第1配線   42b n側第2配線   43 p側接続端子   44 n側接続端子

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