特許 6430658 半導体装置、半導体検出器並びにそれらの製造方法、半導体チップまたは基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6430658

(24)【登録日】2018年11月9日

(45)【発行日】2018年11月28日

(54)【発明の名称】半導体装置、半導体検出器並びにそれらの製造方法、半導体チップまたは基板

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20181119BHJP

   H01L 25/065 20060101ALI20181119BHJP

   H01L 25/07 20060101ALI20181119BHJP

   H01L 25/18 20060101ALI20181119BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/92 602A

   H01L21/92 602G

   H01L21/92 604A

   H01L21/92 604C

   H01L25/08 B

【請求項の数】10

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2017-549943(P2017-549943)

(86)(22)【出願日】2015年11月12日

(86)【国際出願番号】JP2015081891

(87)【国際公開番号】WO2017081798

(87)【国際公開日】20170518

【審査請求日】2018年5月9日

(73)【特許権者】

【識別番号】000001993

【氏名又は名称】株式会社島津製作所

(73)【特許権者】

【識別番号】313003358

【氏名又は名称】東北マイクロテック株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100093056

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 勉

(74)【代理人】

【識別番号】100142930

【弁理士】

【氏名又は名称】戸高 弘幸

(74)【代理人】

【識別番号】100175020

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 知彦

(74)【代理人】

【識別番号】100180596

【弁理士】

【氏名又は名称】栗原 要

(74)【代理人】

【識別番号】100195349

【弁理士】

【氏名又は名称】青野 信喜

(72)【発明者】

【氏名】岸原 弘之

(72)【発明者】

【氏名】吉牟田 利典

(72)【発明者】

【氏名】徳田 敏

(72)【発明者】

【氏名】和田 幸久

(72)【発明者】

【氏名】元吉 真

【審査官】 土谷 慎吾

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００８−１３０９９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−０１９４２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２９８０１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１１−２６０８４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０２−２７１６３４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／６０

Ｈ０１Ｌ ２５／０６５

Ｈ０１Ｌ ２５／０７

Ｈ０１Ｌ ２５／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

一方の半導体チップまたは基板に第１の電極が形成され、
他方の半導体チップまたは基板に前記第１の電極に対向する位置に第２の電極、および前記第２の電極の上に筒状電極が形成され、
前記一方の半導体チップまたは基板の前記第１の電極と、前記他方の半導体チップまたは基板の前記筒状電極とが互いに機械的・電気的に接続されるよう構造され、
前記筒状電極は、前記第１の電極に接続される側の内径および外径が、前記第２の電極側の内径および外径に対して漸減するように内側に向けて湾曲した筒状であることにより、前記第１の電極に接続される側の先端がその全周にわたって内側に押しつぶされた形状で前記第１の電極に接続されている、半導体装置。

【請求項2】

請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２の電極および前記筒状電極が同一材料により一体形成されている、半導体装置。

【請求項3】

請求項１に記載の半導体装置において、
１つの前記第１の電極に対応付けて、複数の前記第２の電極および前記筒状電極が形成される、半導体装置。

【請求項4】

請求項１に記載の半導体装置において、
前記筒状電極の高さをｔ、前記筒状電極の径をｄとしたとき、ｔ／ｄ≧１／２の条件を満足する、半導体装置。

【請求項5】

請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の構造を有し、
いずれか一方の前記半導体チップまたは基板が、光または放射線を検出し、検出されて得られた信号を、いずれか他方の前記半導体チップまたは基板から取り出すよう構造されている、半導体検出器。

【請求項6】

一方の半導体チップまたは基板に形成された第１の電極に対向する位置に、他方の半導体チップまたは基板に第２の電極を形成する工程と、前記第２の電極の上に筒状電極を形成する工程とを含む筒状電極形成工程
を備え、
前記第２の電極を形成する工程および前記筒状電極を形成する工程は、
レジストを塗布する工程と、
前記レジストに露光して開口部を形成する工程と、
前記開口部に蒸着を行うことにより、前記開口部の底面に前記第２の電極となる部分が堆積され、前記開口部の内壁に前記筒状電極となる部分が堆積される工程と、
前記レジストを除去する工程とを含む、半導体装置の製造方法。

【請求項7】

請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記開口部が、前記第１の電極に接続される側の径が、前記第２の電極側の径に対して漸減するように内側に向けて湾曲している、半導体装置の製造方法。

【請求項8】

請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記一方の半導体チップまたは基板に前記第１の電極を形成する工程と、
前記一方の半導体チップまたは基板に形成された前記第１の電極と、前記他方の半導体チップまたは基板に形成された前記筒状電極とが互いに接触するように、両方の前記半導体チップまたは基板の各電極の位置合わせを行って貼り合わせる電極接触工程と、
前記第１の電極および前記筒状電極の少なくとも一方に、圧力、熱または超音波のエネルギーを加えることにより、両方の電極を互いに接合して機械的・電気的に接続する電極接合工程と
を備え、
前記筒状電極は、前記第１の電極に接続される側の内径および外径が、前記第２の電極側の内径および外径に対して漸減するように内側に向けて湾曲した筒状で形成されることにより、前記電極接合工程において、前記第１の電極に接続される側の先端がその全周にわたって内側に押しつぶされた形状で前記第１の電極に接続される、半導体装置の製造方法。

【請求項9】

請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記蒸着がスパッタ蒸着である、半導体装置の製造方法。

【請求項10】

第１の電極が形成された他の半導体チップまたは基板に接続される、半導体チップまたは基板であって、
前記前記第１の電極に対向する位置に第２の電極が形成され、
前記第２の電極の上に筒状電極がさらに形成されており、
前記筒状電極は、前記第１の電極に接続される側の内径および外径が、前記第２の電極側の内径および外径に対して漸減するように内側に向けて湾曲した筒状であることにより、前記第１の電極に接続される側の先端がその全周にわたって内側に押しつぶされた形状で前記第１の電極と機械的・電気的に接続されるよう構造されている、半導体チップまたは基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野等に用いられる半導体装置、半導体検出器並びにそれらの製造方法、半導体チップまたは基板に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体チップの電極と信号読出し基板上の電極とを向かい合わせにして、導電性バンプ（バンプ電極）を介して両者を電気的に接続する、いわゆる「フリップチップボンディング」は図７のような構造である。この構造は、信号読出し基板１０１、半導体チップ１０２、画素電極１０３、導電性バンプ１０４、および絶縁層１０５を含む。

【0003】

信号読出し基板１０１は、例えば画素電極１０３を２次元マトリックス状に配置したＣＭＯＳ集積回路等の信号読出し基板である。なお、半導体チップの替わりに対向基板などに代表される基板を用いてもよい。画素電極１０３は信号読出し基板１０１に形成されている。導電性バンプ１０４は、画素電極１０３に対向した位置に対向画素電極として半導体チップ１０２に形成されている。

【0004】

図７に示すフリップチップボンディングは光検出器や放射線検出器に用いられ、光や放射線を検出し、検出されて得られた信号を取り出す。なお、フリップチップボンディングは、はんだバンプや金バンプなどを用いた金属接合方式の他に、有機材料を用いた接合である導電性樹脂接合や、異方性導電部材接合などの接着接合方式もある。フリップチップボンディング以外に、接合の対象として基板を両方用いる場合にも適用することができる（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】国際公開第ＷＯ２０１４／００６８１２号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、従来のフリップチップ接続の場合には、以下のような問題点がある。すなわち、（画素ピッチに一致する）電極のピッチが５０μｍ以上であれば問題なく接続可能であるが、当該ピッチが２０μｍ以下になるとバンプサイズも微細となり、均一なバンプを形成して接続するのが困難になってくるという問題がある。

【0007】

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、接続を確実に行うことができる半導体装置、半導体検出器並びにそれらの製造方法、半導体チップまたは基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
本発明の好ましい実施形態による半導体装置は、一方の半導体チップまたは基板に第１の電極が形成され、他方の半導体チップまたは基板に前記第１の電極に対向する位置に第２の電極、および前記第２の電極の上に筒状電極が形成され、前記一方の半導体チップまたは基板の前記第１の電極と、前記他方の半導体チップまたは基板の前記筒状電極とが互いに機械的・電気的に接続されるよう構造され、前記筒状電極は、前記第１の電極に接続される側の内径および外径が、前記第２の電極側の内径および外径に対して漸減するように内側に向けて湾曲した筒状であることにより、前記第１の電極に接続される側の先端がその全周にわたって内側に押しつぶされた形状で前記第１の電極に接続されている。

【0009】

筒状電極が筒状であるので、従来のバンプ形状のバンプ電極と比べて接合面積が小さくなる分、半導体チップまたは基板にかける圧力を下げることができる。また、接合面積が小さくなる分、電極の径も再現性よく形成することができ、接続を確実に行うことができる。

【0010】

また、前記筒状電極は、前記第１の電極に接続される側の内径および外径が、前記第２の電極側の内径および外径に対して漸減するように内側に向けて湾曲した筒状である。第１の電極と筒状電極とが接続される際に、筒状電極の第１の電極に接続される側が内側に向けて若干押しつぶされるので、より確実に接触させることができる。

【0011】

好ましい実施形態においては、前記第２の電極および前記筒状電極が同一材料により一体形成されている。この場合、製造工程を簡素化することができるとともに、第２の電極と筒状電極との剥離の問題もなく、確実な電気的接続を維持することができる。

【0012】

好ましい実施形態において、１つの前記第１の電極に対応付けて、複数の前記第２の電極および前記筒状電極が形成される。

【0013】

好ましい実施形態においては、前記筒状電極の高さをｔ、前記筒状電極の径をｄとしたとき、ｔ／ｄ≧１／２の条件を満足する。この構成により、確実に筒状電極が形成され得る。

【0014】

本発明の好ましい実施形態による半導体検出器は、上述した半導体装置の構造を有し、いずれか一方の前記半導体チップまたは基板が、光または放射線を検出し、検出されて得られた信号を、いずれか他方の前記半導体チップまたは基板から取り出すよう構造されている。

【0015】

本発明の好ましい実施形態による半導体装置の製造方法は、一方の半導体チップまたは基板に形成された第１の電極に対向する位置に、他方の半導体チップまたは基板に第２の電極を形成する工程と、前記第２の電極の上に筒状電極を形成する工程とを含む筒状電極形成工程を備え、前記第２の電極を形成する工程および前記筒状電極を形成する工程は、レジストを塗布する工程と、前記レジストに露光して開口部を形成する工程と、前記開口部に蒸着を行うことにより、前記開口部の底面に前記第２の電極となる部分が堆積され、前記開口部の内壁に前記筒状電極となる部分が堆積される工程と、前記レジストを除去する工程とを含むものである。

【0016】

上述したように、前記第２の電極を形成する工程および前記筒状電極を形成する工程は、レジストを塗布する工程と、前記レジストに露光して開口部を形成する工程と、前記開口部に蒸着を行うことにより、前記開口部の底面に前記第２の電極となる部分が堆積され、前記開口部の内壁に前記筒状電極となる部分が堆積される工程と、前記レジストを除去する工程とを含む。

【0017】

好ましい実施形態においては、前記開口部が、前記第１の電極に接続される側の径が、前記第２の電極側の径に対して漸減するように内側に向けて湾曲している。

【0018】

好ましい実施形態においては、前記一方の半導体チップまたは基板に前記第１の電極を形成する工程と、前記一方の半導体チップまたは基板に形成された前記第１の電極と、前記他方の半導体チップまたは基板に形成された前記筒状電極とが互いに接触するように、両方の前記半導体チップまたは基板の各電極の位置合わせを行って貼り合わせる電極接触工程と、前記第１の電極および前記筒状電極の少なくとも一方に、圧力、熱または超音波のエネルギーを加えることにより、両方の電極を互いに接合して機械的・電気的に接続する電極接合工程とを備え、前記筒状電極は、前記第１の電極に接続される側の内径および外径が、前記第２の電極側の内径および外径に対して漸減するように内側に向けて湾曲した筒状で形成されることにより、前記電極接合工程において、前記第１の電極に接続される側の先端がその全周にわたって内側に押しつぶされた形状で前記第１の電極に接続される。

【0019】

好ましい実施形態においては、前記蒸着がスパッタ蒸着である。

【発明の効果】

【0020】

この発明に係る半導体装置、半導体検出器並びにそれらの製造方法、半導体チップまたは基板によれば、筒状電極が筒状であるので、接合面積が小さくなる分、電極の径も再現性よく形成することができ、接続を確実に行うことができる。
また、半導体装置、半導体チップまたは基板によれば、前記筒状電極は、前記第１の電極に接続される側の内径および外径が、前記第２の電極側の内径および外径に対して漸減するように内側に向けて湾曲した筒状である。第１の電極と筒状電極とが接続される際に、筒状電極の第１の電極に接続される側が内側に向けて若干押しつぶされるので、より確実に接触させることができる。
また、半導体装置の製造方法によれば、レジストを塗布する工程と、前記レジストに露光して開口部を形成する工程と、前記開口部に蒸着を行うことにより、前記開口部の底面に前記第２の電極となる部分が堆積され、前記開口部の内壁に前記筒状電極となる部分が堆積される工程と、前記レジストを除去する工程とを実行することにより、第２の電極および筒状電極が形成される。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】実施例に係る半導体検出器（放射線検出器）の概略断面図である。

【図2】実施例に係る半導体検出器（放射線検出器）の信号読出し基板および対向基板の具体的な構成を示した概略断面図である。

【図3】実施例に係る半導体検出器（放射線検出器）の信号読出し基板の単位画素当たりの等価回路である。

【図4】実施例に係る対向画素電極およびウォールバンプ電極を形成する工程を示した概略断面図である。

【図5】Ａｕ（金）のウォールバンプ電極を形成した走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真であり、（ａ）は倍率が５００倍の平面ＳＥＭ、（ｂ）は倍率が４０００倍の平面ＳＥＭ、（ｃ）は倍率が７０００倍の断面ＳＥＭである。

【図6】１つの画素電極内に３つのウォールバンプ電極を形成した例の概略平面図である。

【図7】フリップチップ接続構造の概略図である。

【実施例】

【0022】

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。図１は、実施例に係る半導体検出器（放射線検出器）の概略断面図であり、図２は、実施例に係る半導体検出器（放射線検出器）の信号読出し基板および対向基板の具体的な構成を示した概略断面図であり、図３は、実施例に係る半導体検出器（放射線検出器）の信号読出し基板の単位画素当たりの等価回路である。本実施例では、半導体検出器は、放射線検出器として用いられる。なお、図２では対向画素電極およびウォールバンプ電極の図示を省略する。

【0023】

放射線検出器は、図１〜図３に示すように、信号読出し基板１と、信号読出し基板１に対向配置した対向基板２とを備えている。信号読出し基板１は、２次元マトリックス状に配置された各々の画素電極１１（第１の電極に相当）およびそれらを配列する画素配列層を含んで構成されている。一方、対向基板２は、共通電極２１，光電変換半導体層２３の順に積層形成されて構成されている。対向基板２の光電変換半導体層２３側の面が画素毎に信号読出し基板１の画素電極１１毎に電気的に接続されている。具体的には、後述するスパッタ蒸着によって形成された対向画素電極３３（第２の電極に相当）およびウォールバンプ電極３４（筒状電極に相当）により信号読出し基板１の画素電極１１と対向基板２の光電変換半導体層２３とを互いに対向させて貼り合わせる。

【0024】

信号読出し基板１はガラス基板で形成されている。信号読出し基板１には、上述の画素電極１１の他に、画素容量１２，スイッチングトランジスタ１３が２次元マトリックス状に形成され、走査線１４（図３を参照）および信号読出線１５（図３を参照）が行および列方向にそれぞれ縦横にパターン形成されている。

【0025】

具体的には、図２に示すように、信号読出し基板１上に画素容量１２の基準電極１２ａおよびスイッチングトランジスタ１３のゲート電極１３ａが積層形成され層間絶縁膜３１で覆われている。その層間絶縁膜３１に、画素容量１２の容量電極１２ｂが、層間絶縁膜３１を介在させて基準電極１２ａに対向するように積層形成され、スイッチングトランジスタ１３のソース電極１３ｂおよびドレイン電極１３ｃが積層形成され、画素電極１１が存在する部分を除いて封止材料３２で覆われている。なお、容量電極１２ｂとソース電極１３ｂとは相互に電気的に接続される。図２に示すように、容量電極１２ｂおよびソース電極１３ｂを一体的に同時形成すればよい。基準電極１３ａは接地されている。層間絶縁膜３１には、例えばプラズマＳｉＮが使用される。

【0026】

図３に示すように、走査線１４は、スイッチングトランジスタ１３のゲート電極１３ａ（図２を参照）に電気的に接続され、信号読出線１５は、スイッチングトランジスタ１３のドレイン電極１３ｃ（図２を参照）に電気的に接続されている。走査線１４は、各々の画素の行方向にそれぞれ延びており、信号読出線１５は、各々の画素の列方向にそれぞれ延びている。走査線１４および信号読出線１５は互いに直交している。図３の符号２３は、光電変換半導体層の等価回路である。これら走査線１４や信号読出線１５を含めて、画素容量１２、スイッチングトランジスタ１３および層間絶縁膜３１は、半導体薄膜製造技術や微細加工技術を用いて信号読出し基板１の表面に画素配列層としてパターン形成されている。

【0027】

光電変換半導体層２３は、ＣｄＴｅ（テルル化カドミウム），ＺｎＴｅ（テルル化亜鉛），ＣｄＺｎＴｅ（テルル化カドミウム亜鉛），ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）等で形成される。

【0028】

上述したように、信号読出し基板１の画素電極１１と対向基板２の光電変換半導体層２３とは、互いに対向させて貼り合わされる。層間絶縁膜３１で覆われていない箇所の画素電極１１に、Ａｕ（金），Ｃｕ（銅），Ａｌ（アルミニウム），Ｎｉ（ニッケル），Ｉｎ（インジウム），Ｐｂ（鉛），Ｚｎ（亜鉛）のいずれかを含んだ材料をスパッタ蒸着することにより形成された対向画素電極３３およびウォールバンプ電極３４を接続することにより、信号読出し基板１の画素電極１１と対向基板２の光電変換半導体層２３とを互いに対向させて貼り合わせる。

【0029】

放射線検出器の動作を、図１〜図３を参照して説明する。共通電極２１にバイアス電圧を印加した状態で、放射線（例えばＸ線）が入射することにより光電変換半導体層２３で電子−正孔対キャリアが生成され、画素容量１２に一旦蓄積される。必要なタイミングで走査線１４を駆動させることで、当該走査線１４に接続されたスイッチングトランジスタ１３がＯＮ状態に移行し、画素容量１２に蓄積された電子−正孔対キャリアが信号電荷として読み出され、スイッチングトランジスタ１３に接続された信号読出線１５を介して後段の信号収集回路（図示省略）に読み出される。

【0030】

各々の画素電極１１は各々の画素にそれぞれ対応しているので、画素電極１１に対応して読み出された信号電荷を画素値に変換することで、画素に応じた画素値を２次元に並べて２次元画像（２次元分布を有した放射線画像）を取得することができる。

【0031】

放射線検出器の製造方法について、図４を参照して説明する。図４は、実施例に係る対向画素電極およびウォールバンプ電極を形成する工程を示した概略断面図である。なお、図４では光電変換半導体層の図示を省略する。

【0032】

例えば、直径：φ３μｍ、高さ：３μｍのＡｕ（金）のウォールバンプ電極を形成する場合の工程を図４に示す。図４（ａ）に示すように、光電変換半導体層２３（図１および図２を参照）が形成された共通電極２１（以下、「支持基板」と総称する）に厚みが３μｍのレジストＲを塗布する。そして、図４（ｂ）に示すようにレジストＲに露光して、直径：φ３μｍの開口部Ｏを形成する。このとき、開口部Ｏの上部が下部よりも狭まるようなレジストを選択する。

【0033】

スパッタリングのＡｕソースとレジストＲとが近接しているので、図４（ｂ）の開口部ＯにＡｕのスパッタ蒸着を行うと、図４（ｃ）に示すようにＡｕの一部のみが開口部Ｏ内の底面に対向画素電極３３として堆積され、それ以外は開口部Ｏ内の底面に堆積されず、ほとんどが開口部Ｏの内壁に付着してサイドウォール（側壁）となる。このように、対向画素電極３３の上に開口部Ｏの内壁に付着してサイドウォールの筒状電極が形成される。以下、この筒状電極を「ウォールバンプ電極」と呼ぶ。なお、開口部Ｏ以外では、図４（ｃ）に示すようにＡｕの層ＭがレジストＲ上に形成される。

【0034】

開口部Ｏの形状にしたがって、図４（ｃ）に示すウォールバンプ電極３４の形状が決定される。例えば、開口部Ｏの形状が略円筒状の場合には、ウォールバンプ電極３４も略円筒形状となり、開口部Ｏの形状が略角筒状の場合には、ウォールバンプ電極３４も略角筒形状となる。開口部Ｏやウォールバンプ電極３４の形状は、特に限定されない。本実施例では、開口部Ｏの形状は、画素電極１１に接続される側（図示上側）の径が対向画素電極３３側（図示下側）の径に対して漸減するように内側に向けて湾曲している。つまり、開口部Ｏは、上側が下側よりも狭くなっている。したがって、ウォールバンプ電極３４は、画素電極１１に接続される側の内径および外径が、対向画素電極３３側の内径および外径に対して漸減するように内側に向けて湾曲した筒状に形成される。

【0035】

続いて、図４（ｃ）のＡｕの層ＭやレジストＲを除去することにより、図４（ｄ）に示すような構造の放射線検出器が形成される。すなわち、対向画素電極３３およびウォールバンプ電極３４が同一材料であるＡｕによって一体的に形成される。図１に示すように、信号読出し基板１の画素電極１１と対向基板２の光電変換半導体層２３とを互いに対向させて貼り合わせることにより、図１に示すような信号読出し基板１の画素電極１１と、対向基板２のウォールバンプ電極３４とが互いに機械的・電気的に接続された構造の放射線検出器が形成される。

【0036】

なお、両方の基板１，２を互いに対向させて貼り合わせる際には、画素電極１１，ウォールバンプ電極３４のいずれか少なくとも一方に、圧力，熱または超音波のエネルギーを加えることにより、両方の電極１１，３４を互いに接合して機械的・電気的に接続する。両方の基板１，２を互いに対向させて貼り合わせることにより、図１に示すように、ウォールバンプ電極３４は、画素電極１１に接触する側が内側に向けて若干押しつぶされるので、筒の内壁が内側に折り曲げられた構造となる。

【0037】

仮にサイドウォールではなく、開口部に通常のバンプを形成するには、スパッタ蒸着ではなく、（基板とソースとの間の距離を長くして成膜速度が遅い）ロングスローの蒸着装置を使用しなければならず、蒸着の効率が格段に下がる。スパッタ蒸着以外の通常の蒸着法では、ソースは基板の中央に設置され、基板とソースとを近接させて蒸着を行うと指向性が強く、端部において斜めに堆積される、あるいは堆積されない箇所が存在するからである。したがって、指向性を弱め通常のバンプを一様に形成するには、ロングスローの蒸着装置を採用しなければならなくなる。また、バンプの高さのバラツキも生じやすくなる。

【0038】

これに対して、スパッタ蒸着を採用することにより、図４（ｄ）に示すようなウォールバンプ電極３４を一様に形成することができる。また、ウォールバンプ電極３４の高さは、レジスト厚でほぼ決定される。

【0039】

実際に、ピッチ：２０μｍ、開口径：３μｍ、高さ：３μｍのＡｕのウォールバンプ電極を形成した走査型電子顕微鏡(SEM: Scanning Electron Microscope) 写真を図５に示す。図５（ａ）は、倍率が５００倍の平面ＳＥＭであり、図５（ｂ）は、倍率が４０００倍の平面ＳＥＭであり、図５（ｃ）は、倍率が７０００倍の断面ＳＥＭである。図５に示すように、ウォールバンプ電極が再現性よく形成され、上述したようにウォールバンプ電極の高さはレジスト厚でほぼ決まるので、図５の場合には高さのバラツキは０．２μｍ程度である。

【0040】

対向画素電極を含んだウォールバンプ電極の材料として、図５で述べたＡｕの他に、上述したようなＣｕ，Ａｌ，Ｎｉ等が挙げられる。また、ＣｄＴｅ等のように比較的軟らかい半導体を接続するには、軟らかいバンプ材料として、上述したようなＩｎ，Ｐｂ，Ｚｎ等も使用することができる。また、これらの混合物でウォールバンプ電極を形成してもよい。

【0041】

実際に、機械的・電気的に接合させるには、上述したように圧力や熱や超音波のエネルギーを加えて接合する。通常の柱状バンプに比べて接合面積は小さくなるが、その分、接合の際にかける全体の圧力を下げることができる。

【0042】

レジスト厚（≒バンプ高さ）をｔとし、バンプの直径（バンプ径）をｄとしたとき、アスペクト比ｔ／ｄはｔ／ｄ≧１／２の条件を満足するのが好ましい。ｔ／ｄ＜１／２の場合には、レジスト厚（≒バンプ高さ）ｔが低く、あるいはバンプ径ｄが大きくなり、ウォールバンプ電極の形状を維持するのが難しくなる。したがって、ｔ／ｄ≧１／２の条件を満足するならばｔ／ｄは高ければ高いほどより好ましい。ただし、ｔ／ｄが高過ぎると、ウォールバンプ電極が対向画素電極の上に形成されなくなる、あるいは対向画素電極そのものが形成されなくなる。よって、レジスト厚（≒バンプ高さ）ｔは高過ぎず、例えばバンプ径ｄが３μｍの場合には、通常、レジスト厚（≒バンプ高さ）ｔは３μｍ以下で１．５μｍ（＝ｄ／２）以上の範囲がより好ましい。なお、ｔ／ｄ≧１／２の条件を満足するならば、バンプ径ｄの大きさに応じて好適なレジスト厚（≒バンプ高さ）ｔの具体的な範囲は変わることに留意されたい。

【0043】

上述の構成を備えた本実施例に係る放射線検出器によれば、ウォールバンプ電極３４が筒状であるので、従来のバンプ形状のバンプ電極と比べて接合面積が小さくなる分、半導体チップまたは基板（本実施例では信号読出し基板１）にかける圧力を下げることができる。また、接合面積が小さくなる分、電極の径も再現性よく形成することができ、接続を確実に行うことができる。

【0044】

画素電極１１とウォールバンプ電極３４とが接続される際に、ウォールバンプ電極３４は、画素電極１１に接触する側が内側に向けて若干押しつぶされるので、より確実に接触させることができる。また、対向画素電極３３およびウォールバンプ電極３４が同一材料により一体形成されている。この場合、製造工程を簡素化することができるとともに、対向画素電極３３とウォールバンプ電極３４との剥離の問題もなく、確実な電気的接続を維持することができる。

【0045】

また、本実施例に係る放射線検出器は、上述した図１の構造を有し、いずれか一方の半導体チップまたは基板（本実施例では対向基板２）が、放射線を検出し、検出されて得られた信号を、いずれか他方の半導体チップまたは基板（本実施例では信号読出し基板１）から取り出すよう構造されている。

【0046】

画素ピッチが５０μｍ未満（本実施例では２０μｍ）になるように、画素電極１１，対向画素電極３３およびウォールバンプ電極３４が１次元もしくは２次元（本実施例では２次元）に配置されている。本実施例では、１つの画素電極内に１つの対向画素電極３３およびウォールバンプ電極３４が形成されている。

【0047】

また、本実施例に係る放射線検出器の製造方法によれば、筒状電極形成工程に相当する図４の工程では、一方の半導体チップまたは基板（本実施例では信号読出し基板１）に形成された複数の画素電極１１に対向する位置に、他方の半導体チップまたは基板（本実施例では対向基板２）に対向画素電極３３を形成する工程と、対向画素電極３３の上にウォールバンプ電極３４を形成する工程とを含む。

【0048】

本実施例に係る放射線検出器の製造方法では、第１の電極を形成する工程では、一方の半導体チップまたは基板（本実施例では信号読出し基板１）に複数の画素電極１１を形成する。そして、電極接触工程では、一方の半導体チップまたは基板（信号読出し基板１）に形成された画素電極１１、他方の半導体チップまたは基板（本実施例では対向基板２）に形成されたウォールバンプ電極３４が互いに接触するように、両方の半導体チップまたは基板（本実施例では基板１，２）の各電極（本実施例では電極１１，３４）の位置合わせを行って貼り合わせる。さらに、電極接合工程では、画素電極１１，ウォールバンプ電極３４のいずれか少なくとも一方に、圧力，熱または超音波のエネルギーを加えることにより、両方の電極１１，３４を互いに接合して機械的・電気的に接続する。

【0049】

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

【0050】

（１）上述した実施例では、半導体検出器は、放射線検出器として用いられていたが、光を検出する光検出器として用いられてもよい。具体的には、いずれか一方の半導体チップまたは基板が、光を検出し、検出されて得られた信号を、いずれか他方の半導体チップまたは基板から取り出す構造の光検出器に適用する。

【0051】

（２）上述した実施例では、半導体装置は放射線検出器に用いられていたが、必ずしも放射線検出器や光検出器などの半導体検出器に用いられる必要はない。例えば、上述したフリップチップボンディングのように半導体検出器以外の用途でもよい。

【0052】

（３）上述した実施例では、対向画素電極や筒状電極（ウォールバンプ電極）を形成する対象は基板（実施例では対向基板２）であるとともに、画素電極を形成する対象は基板（実施例では信号読出し基板１）であったが、接合の対象として基板の替わりに半導体チップを用いてもよい。例えば、上述したフリップチップボンディングのように、接合の対象の一方を基板として、接合の対象の他方を半導体チップとしてもよい。また、接合の対象として半導体チップを両方用いてもよい。半導体チップは化合物半導体で構成し、上述した実施例の光電変換半導体層と同様に、化合物半導体の材料として、ＣｄＴｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＧａＡｓ等が挙げられる。

【0053】

（４）上述した実施例では、対向画素電極や筒状電極（ウォールバンプ電極）を形成する半導体チップ／基板が放射線や光を検出し、検出されて得られた信号を、画素電極を形成する半導体チップ／基板から取り出したが、逆でもよい。つまり、画素電極を形成する半導体チップ／基板が放射線や光を検出し、検出されて得られた信号を、対向画素電極や筒状電極（ウォールバンプ電極）を形成する半導体チップ／基板から取り出してもよい。

【0054】

（５）上述した実施例では、画素ピッチが５０μｍ未満（実施例では２０μｍ）になるように、画素電極，対向画素電極および筒状電極（ウォールバンプ電極）が２次元に配置されていたが、画素電極，対向画素電極および筒状電極（ウォールバンプ電極）が１次元に配置された構造の半導体装置にも適用することができる。

【0055】

（６）上述した実施例では、１つの画素電極内に１つの対向画素電極および筒状電極（ウォールバンプ電極）が形成されていたが、接合面積を大きくするために１つの画素電極内に複数の対向画素電極および筒状電極（ウォールバンプ電極）を形成してもよい。つまり、１つの第１の電極（実施例では画素電極１１）に対応付けて、複数の第２の電極（実施例では対向画素電極３３）および筒状電極（ウォールバンプ電極）が形成される。１つの画素電極内に３つの対向画素電極およびウォールバンプ電極を形成した例を図６の概略平面図に示す。

【0056】

（７）上述した実施例では、スパッタ蒸着によって対向画素電極および筒状電極（ウォールバンプ電極）を形成したが、スパッタ蒸着以外の蒸着でもウォールバンプ電極を形成してもよい。ソースを基板の中央に設置すると、基板とソースとを近接させて蒸着を行えば、上述したように端部において斜めに堆積される、あるいは堆積されない箇所が存在する恐れがある。そこで、ソースを基板の全面にわたって設置して、基板とソースとを近接させて蒸着を行えば、指向性を弱め、かつ成膜速度が速い状態で、スパッタ蒸着以外の蒸着でもウォールバンプ電極を一様に形成することが可能である。

【符号の説明】

【0057】

１ … 信号読出し基板
１１ … 画素電極
２ … 対向基板
３３ … 対向画素電極
３４ … ウォールバンプ電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】