発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

近年の大規模集積回路（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ；ＬＳＩ）の高集積化および大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路寸法は狭小化の一途を辿っており、マスクに形成されるパターンにおいても微細化が進んでいる。しかしながら、パターンが微細になると線幅を正確に求めることが困難となり、線幅誤差の値が実際より大きくなることが起こり得る。また、マスクパターンの光学画像は、光源からの光をマスクに照射し、マスクを透過またはマスクで反射した光をセンサに入射させることにより撮像される。このとき、光源の光量が変動しても、線幅誤差の値は実際とは異なるようになる。 本発明は、以上の点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、正確な線幅誤差を取得する方法を提供することにある。 また、本発明の目的は、正確な線幅誤差を取得することのできる線幅誤差取得装置を提供することにある。 さらに、本発明の目的は、正確な線幅誤差を取得する機能を備えた検査システムを提供することにある。 本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第１の態様の線幅誤差取得方法によれば、正確な線幅誤差を取得することが可能となる。 本発明の第２の態様の線幅誤差取得方法によれば、正確な線幅誤差を取得することが可能となる。 本発明の第３の態様によれば、正確な線幅誤差を取得することのできる線幅誤差取得装置が提供される。 本発明の第４の態様によれば、正確な線幅誤差を取得する機能を備えた検査システムが提供される。