発明の名称 窒化物半導体及びその製造方法
出願人 独立行政法人科学技術振興機構 (識別番号 503360115)
特許公開件数ランキング 12122 位(0件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 672 位(8件)(共同出願を含む)
公報番号 特許-6432004
公報発行日 2018年11月28
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6432004
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