特許 6437668 半導体装置およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6437668

(24)【登録日】2018年11月22日

(45)【発行日】2018年12月12日

(54)【発明の名称】半導体装置およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20181203BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/60 301D

   H01L21/60 301G

【請求項の数】6

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2017-548836(P2017-548836)

(86)(22)【出願日】2016年11月2日

(86)【国際出願番号】JP2016082698

(87)【国際公開番号】WO2017078109

(87)【国際公開日】20170511

【審査請求日】2018年5月2日

(31)【優先権主張番号】特願2015-217215(P2015-217215)

(32)【優先日】2015年11月5日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000146722

【氏名又は名称】株式会社新川

(72)【発明者】

【氏名】長谷川 裕

(72)【発明者】

【氏名】関根 直希

(72)【発明者】

【氏名】萩原 美仁

【審査官】 土谷 慎吾

(56)【参考文献】

【文献】 特許第５７１４１９５（ＪＰ，Ｂ２）

【文献】 特開２０１１−０１８８４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭５９−０１９３４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２００８−５３３８９９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／６０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体装置の製造方法であって、
キャピラリにより基板上の第１位置にワイヤをボンディングし、
前記キャピラリから前記ワイヤを繰り出しながら前記キャピラリを第１高さまで上昇させる第１上昇工程と、
前記第１位置から第１距離だけ離間した基板上の第２位置の方向に向かって前記キャピラリを円弧状に移動させる円弧移動の後に前記キャピラリから前記ワイヤを繰り出しながら前記キャピラリを上昇させる上昇移動を行って前記ワイヤに曲げ癖をつける円弧上昇工程と、
前記キャピラリを前記第１距離よりも長い第２距離だけ前記第１位置の方向に向かって円弧状に移動させる円弧移動工程と、
前記キャピラリから前記ワイヤを繰り出しながら前記第１高さより高い第２高さまで前記キャピラリを上昇させる第２上昇工程と、
前記キャピラリを前記第２位置までルーピングするルーピング工程と、を含み、
前記第２位置に前記ワイヤをボンディングすることで所定の高さを有するワイヤループを基板上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項2】

請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記円弧上昇工程を複数回行うこと、を特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項3】

請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記キャピラリは、テーパー形の根元部と、前記根元部よりも細い先部と、を有する段付円錐形状であり、
前記ワイヤループは、基板からの高さが前記キャピラリの先部の長さよりも高い山形形状であり、基板の仮想垂線に対する前記ワイヤループの第２位置側の傾斜部の角度は、前記キャピラリの中心軸に対する前記根元部の外面の広がり角度よりも大きく、
前記第１高さは、前記ワイヤループの高さの６０〜９０％であり、
前記第１距離は、前記ワイヤループの高さの５０〜８０％であり、
前記第２距離は、前記ワイヤループの高さの１１０〜１３０％であり、
前記第２高さは、前記ワイヤループの高さの１６０〜２１０％であること、
を特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項4】

基板上の第１位置と前記第１位置から第１距離だけ離間した基板上の第２位置との間を接続する所定高さの山形のワイヤループを有する半導体装置であって、
キャピラリによってワイヤを前記第１位置に接合することにより形成される第１接合部と、
前記第１接合部を形成後、前記キャピラリから前記ワイヤを繰り出しながら前記キャピラリを第１高さまで上昇させ、その後、前記第１位置から前記第２位置の方向に向かって前記キャピラリを円弧状に移動させる円弧移動の後に前記キャピラリから前記ワイヤを繰り出しながら前記キャピラリを上昇させる上昇移動を行った後、前記キャピラリを前記第１距離よりも長い第２距離だけ前記第１位置の方向に向かって円弧状に移動させ、その後、前記キャピラリから前記ワイヤを繰り出しながら前記第１高さより高い第２高さまで上昇させた後に前記キャピラリを前記第２位置までルーピングさせることによって形成される頂部と、
前記第２位置に前記ワイヤをボンディングすることにより形成される第２接合部と、を備えることを特徴とする半導体装置。

【請求項5】

請求項４に記載の半導体装置であって、
前記第１位置から前記第２位置の方向に向かって前記キャピラリを円弧状に移動させる前記円弧移動と、前記円弧移動の後に前記キャピラリから前記ワイヤを繰り出しながら前記キャピラリを上昇させる上昇移動とをそれぞれ複数回行うことによって形成されることを特徴とする半導体装置。

【請求項6】

請求項４または５に記載の半導体装置であって、
前記キャピラリは、テーパー形の根元部と、前記根元部よりも細い先部と、を有する段付円錐形状であり、
前記ワイヤループは、基板からの高さが前記キャピラリの先部の長さよりも高い山形形状であり、基板の仮想垂線に対する前記ワイヤループの第２位置側の傾斜部の角度は、前記キャピラリの中心軸に対する前記根元部の外面の広がり角度よりも大きく、
前記第１高さは、前記ワイヤループの高さの６０〜９０％であり、
前記第１距離は、前記ワイヤループの高さの５０〜８０％であり、
前記第２距離は、前記ワイヤループの高さの１１０〜１３０％であり、
前記第２高さは、前記ワイヤループの高さの１６０〜２１０％であること、
を特徴とする半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、高さの高いワイヤループを有する半導体装置及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体チップの電極と基板の電極とを金線等のワイヤで接続するワイヤボンディング装置が多く用いられている。これらのワイヤボンディング装置では、ワイヤを電極に押圧、接合するボンディングツールとしてキャピラリが用いられている。近年は、半導体のファインピッチ化に対応するため、キャピラリの先端を細く伸ばした形状としたボトルネック形（段付円錐形状）のキャピラリが用いられている。このボトルネック形のキャピラリは、先端の細く延びた部分（先部）の高さが形成するワイヤの高さよりも高くなっており、隣接するワイヤとの間隔が狭い場合でも好適にボンディングを行えるような形状としたものである（例えば、特許文献１の図４参照）。

【0003】

一方、ＲＦトランジスタと出力補償回路とプリマッチング回路をワイヤループで接続した高周波パワーデバイスが用いられている。このような高周波パワーデバイスにおいて、ワイヤループの抵抗とプリマッチング回路に接続された他のワイヤループの抵抗および浮遊容量との間の相互誘導結合によって高周波パワーデバイスの特性を最適化する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】米国特許第５，４２１，５０３号明細書

【特許文献2】特開２００８−５３３８９９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、近年、高周波デバイスにおいて、ワイヤループの高さを高くし、その長さを長くすることによりワイヤループの抵抗を調整し、高周波デバイスの周波数特性を安定化する方法が用いられている。このような高周波デバイスに用いられるワイヤループは、キャピラリの先端の細く延びた部分（先部）の高さよりも高くなっており、ワイヤボンディングの際にキャピラリがボンディング中のワイヤ或いは、ボンディングの終了した隣接するワイヤに接触してしまい、ループ形状が安定しないという問題があった。

【0006】

そこで、本発明は、キャピラリによって、より高さの高いワイヤループを安定して形成することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の半導体装置の製造方法は、キャピラリにより基板上の第１位置にワイヤをボンディングし、キャピラリからワイヤを繰り出しながらキャピラリを第１高さまで上昇させる第１上昇工程と、第１位置から第１距離だけ離間した基板上の第２位置の方向に向かってキャピラリを円弧状に移動させる円弧移動の後にキャピラリからワイヤを繰り出しながらキャピラリを上昇させる上昇移動を行ってワイヤに曲げ癖をつける円弧上昇工程と、キャピラリを第１距離よりも長い第２距離だけ第１位置の方向に向かって円弧状に移動させる円弧移動工程と、キャピラリからワイヤを繰り出しながら第１高さより高い第２高さまでキャピラリを上昇させる第２上昇工程と、キャピラリを第２位置までルーピングさせるルーピング工程と、を含み、第２位置にワイヤをボンディングすることで所定の高さを有するワイヤループを基板上に形成することを特徴とする。

【0008】

本発明の半導体装置の製造方法において、円弧上昇工程を複数回行うこと、としても好適である。

【0009】

本発明の半導体装置の製造方法において、キャピラリは、テーパー形の根元部と、根元部よりも細い先部と、を有する段付円錐形状であり、ワイヤループは、基板からの高さがキャピラリの先部の長さよりも高い山形形状であり、基板の仮想垂線に対するワイヤループの第２位置側の傾斜部の角度は、キャピラリの中心軸に対する根元部の外面の広がり角度よりも大きく、第１高さは、ワイヤループの高さの６０〜９０％であり、第１距離は、ワイヤループの高さの５０〜８０％であり、第２距離は、ワイヤループの高さの１１０〜１３０％であり、第２高さは、ワイヤループの高さの１６０〜２１０％であること、としても好適である。

【0010】

本発明の半導体装置は、基板上の第１位置と第１位置から第１距離だけ離間した基板上の第２位置との間を接続する所定高さの山形のワイヤループを有する半導体装置であって、キャピラリによってワイヤを第１位置に接合することにより形成される第１接合部と、第１接合部を形成後、キャピラリからワイヤを繰り出しながらキャピラリを第１高さまで上昇させ、その後、第１位置から第２位置の方向に向かってキャピラリを円弧状に移動させる円弧移動の後にキャピラリからワイヤを繰り出しながらキャピラリを上昇させる上昇移動を行った後、キャピラリを第１距離よりも長い第２距離だけ第１位置の方向に向かって円弧状に移動させ、その後、キャピラリからワイヤを繰り出しながら第１高さより高い第２高さまで上昇させた後にキャピラリを第２位置までルーピングさせることによって形成される頂部と、第２位置にワイヤをボンディングすることにより形成される第２接合部と、を備えることを特徴とする。

【0011】

本発明の半導体装置において、第１位置から第２位置の方向に向かってキャピラリを円弧状に移動させる円弧移動と、円弧移動の後にキャピラリからワイヤを繰り出しながらキャピラリを上昇させる上昇移動とをそれぞれ複数回行うことによって形成されること、としても好適である。

【0012】

本発明の半導体装置において、キャピラリは、テーパー形の根元部と、根元部よりも細い先部と、を有する段付円錐形状であり、ワイヤループは、基板からの高さがキャピラリの先部の長さよりも高い山形形状であり、基板の仮想垂線に対するワイヤループの第２位置側の傾斜部の角度は、キャピラリの中心軸に対する根元部の外面の広がり角度よりも大きく、第１高さは、ワイヤループの高さの６０〜９０％であり、第１距離は、ワイヤループの高さの５０〜８０％であり、第２距離は、ワイヤループの高さの１１０〜１３０％であり、第２高さは、ワイヤループの高さの１６０〜２１０％であること、としても好適である。

【発明の効果】

【0013】

本発明は、キャピラリによって、より高さの高いワイヤループを安定して形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の実施形態におけるワイヤボンディング方法によってボンディングしたワイヤループとキャピラリとを示す立面図である。

【図2】本発明の実施形態におけるワイヤボンディング方法によってボンディングしたワイヤループとキャピラリとを示す斜視図である。

【図3】従来技術のワイヤボンディング方法によってボンディングしたワイヤループとキャピラリとを示す立面図である。

【図4】従来技術のワイヤボンディング方法によってボンディングしたワイヤループとキャピラリとを示す斜視図である。

【図5】本発明の実施形態におけるキャピラリの先端の移動を示す軌跡図である。

【図6】本発明の他の実施形態におけるワイヤボンディング方法によってボンディングしたワイヤループとキャピラリとを示す立面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態のワイヤボンディング方法について説明する。まず、図１を参照しながら、本実施形態のワイヤボンディング方法に用いられるキャピラリ２０と、形成されるワイヤループ３０について説明する。

【0016】

図１に示すように、キャピラリ２０は、テーパー形の根元部２１と、根元部２１よりも細い先部２２と、を有する段付円錐形状である。根元部２１と先部２２との間には角部２６が形成されており、図１において角部２６よりも上側が根元部２１であり、角部２６よりも下側が先部２２である。従って、先部２２の長さは、図１に示す長さＤ１である。

【0017】

根元部２１と先部２２にはワイヤを挿通する孔が設けられており、キャピラリ２０は、図示しないワイヤボンディング装置のボンディングヘッドによって基板１０に対して垂直方向に接離動作すると共に水平方向に移動し、先部２２の先端２３から延出したワイヤを基板１０にボンディングしてワイヤループ３０を形成する。根元部２１の外面の中心軸２５に対する広がり角度は角度φ０である。なお、角度φ０は、５°から１５°の範囲であり、更に好適には、６°〜８°の範囲である。

【0018】

なお、図１において、一点鎖線は、ワイヤループ３０の形成を開始する際のキャピラリ２０を示し、実線はワイヤループ３０の形成が終了した際のキャピラリ２０の位置を示しており、キャピラリ２０の中心軸２５は、ワイヤループ３０を含む垂直面と同一面に位置している。また、図１おいて、第２位置１４から第１位置１３に向かう方向を第１方向、第１位置１３から第２位置１４に向かう方向を第２方向とする。他の図においても同様である。

【0019】

図１に示すワイヤループ３０は、ワイヤによって基板１０に形成された第１電極１１と、第１電極１１から距離Ｌ５だけ離間し、基板１０に形成された第２電極１２との間を接続する山形を形成する。ワイヤループ３０は、第１電極１１の上に形成された第１接合部１６と、第１電極側の第１傾斜部３１と、第２電極側の第２傾斜部３３と、頂部３２と、第２電極１２の上に形成された第２接合部１７と、を含んでいる。頂部３２の基板１０からの高さ（ワイヤループ３０の高さ）は、キャピラリ２０の先部２２の長さＤ１よりも高いＤ２である。なお、ワイヤループ３０の高さＤ２は、５００μｍ〜３０００μｍの範囲であり、さらに好適には、７００μｍ〜１６００μｍである。

【0020】

ここで、第１電極１１の中心は第１電極１１にワイヤをボンディングする際にキャピラリ２０の中心軸２５が来る第１位置１３であり、第２電極１２の中心は、第２電極１２にワイヤをボンディングする際にキャピラリ２０の中心軸２５が来る第２位置１４である。第１位置１３と第２位置１４との間隔は、第１電極１１と第２電極１２と同様、距離Ｌ５であり、距離Ｌ５は、ワイヤループ３０の高さＤ２の５０〜８０％の長さである。なお、距離Ｌ５のワイヤループ３０の高さＤ２に対する比率は、具体的には、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％であり、これらの比率のいずれか２つの範囲内であってもよい。

【0021】

第１傾斜部３１の基板１０の表面に垂直な仮想垂線１５に対する角度は角度φ１であり、第２傾斜部３３の仮想垂線１５に対する角度は角度φ２である。角度φ１、角度φ２はいずれもキャピラリ２０の根元部２１の角度φ０よりも大きい。なお、本実施形態では、φ１とφ２とは略同様の大きさであるが、根元部２１の角度φ０より大きければ同様の大きさで無くてもよい。角度φ１、角度φ２は、１０°〜４０°の範囲であり、さらに好適には、１５°〜３０°の範囲である。

【0022】

図１の一点鎖線で示す位置にキャピラリ２０がいる場合には、ワイヤループ３０はまだ形成されていないので、キャピラリ２０とワイヤループ３０との間隔は問題にならない。一方、図１に実線で示すように、キャピラリ２０の先端２３が第２電極１２の表面まで降下して、ワイヤを第２電極１２にボンディングし、ワイヤループ３０の形成が終了した時には、ワイヤループ３０とキャピラリ２０の表面との距離が最も小さくなる。この場合でも、図１に実線で示すキャピラリ２０の根元部２１の角度φ０は、ワイヤループ３０の第２傾斜部３３の角度φ２よりも小さい。そのため、ワイヤループ３０の形成が終了した際にも、根元部２１の表面は第２傾斜部３３と接することは無く、少し隙間があいている。

【0023】

図２に示すように、ワイヤループ３０は、狭いピッチＰで幅方向に何本も並列して形成される。図２において、実線で示すワイヤループ３０は、ボンディングの終了したワイヤループ３０を示し、一点鎖線はこれからボンディングを行うワイヤループ３０を示す。図２のキャピラリ２０は、実線で示すワイヤループ３０のボンディングを終了し、一点鎖線で示す次のワイヤループ３０のボンディングを開始する状態にある。キャピラリ２０の中心軸２５は、一点鎖線で示すワイヤループ３０の第１電極１１の上にあり、先端２３はワイヤを第１電極１１に押圧している。従って、キャピラリ２０の中心軸２５は、実線で示すワイヤループ３０を含む垂直面からピッチＰだけ幅方向にずれている。

【0024】

図２において、キャピラリ２０のハッチング部２７は、実線で示すワイヤループ３０を含む垂直面でキャピラリ２０を切断した場合の断面を示す。図２に示すように、実線で示すワイヤループ３０の第１傾斜部３１とキャピラリ２０のハッチング部２７とは離れている。そのため、一点鎖線で示すワイヤループ３０のボンディングを開始する際に、キャピラリ２０が隣接するボンディングの終了した実線で示すワイヤループ３０と接触することはない。

【0025】

以上、説明したように、図１，２に示すキャピラリ２０を用いて、図１，２に示すような形状のワイヤループ３０を形成する場合には、ボンディング終了時にボンディングしたワイヤループ３０にキャピラリ２０の表面が接触することは無く、また、ボンディング開始時に隣接するボンディングの終了したワイヤループ３０にキャピラリ２０の表面が接触することもない。

【0026】

一方、ワイヤループ３０の高さＤ２が高くなると、その長さも長くなることから、キャピラリ２０の動作方法によっては、例えば、図３に示すように、ワイヤループ３０が第２方向に傾く。そのため、第２傾斜部３３の仮想垂線１５に対する角度φ３がキャピラリ２０の根元部２１の角度φ０よりも小さくなって、ボンディング終了の際にキャピラリ２０の根元部２１の表面と第２傾斜部３３とが接触してしまう。また、図４に示すように、ワイヤループ３０が第１方向に膨らんだ形状となった場合には、一点鎖線で示す次のワイヤループ３０のボンディングを開始する際に、キャピラリ２０の根元部２１の表面が隣接するボンディングの終了したワイヤループ３０の第１傾斜部３１と接触してしまう。このため、より高さＤ２の高いワイヤループ３０を狭いピッチＰで並列に形成するには、ワイヤループ３０の形状が安定して図１，２に示すような形状となるように、キャピラリ２０の先端２３を移動させていくことが必要となる。

【0027】

そこで、本実施形態では、ワイヤボンディング装置（半導体製造装置）の制御部によってボンディングヘッドを駆動し、図５に示すように、キャピラリ２０の先端２３を特別な軌跡で移動させることによって、ワイヤループ３０の形状が安定して図１，２に示すような形状となるようにしている。制御部は、内部にＣＰＵと動作プログラム、動作データ等を内部に含むコンピュータである。以下、図５を参照してキャピラリ２０の先端２３の特別な移動軌跡について説明する。なお、図５において、Ｌ１からＬ５は第１位置１３からの距離を示す。

【0028】

図５に示すように、制御部は、先端２３で基板１０の第１位置１３にワイヤをボンディングして第１接合部１６を形成した後、先端２３からワイヤを繰り出しながら点５１まで先端２３を上昇させる（第１上昇工程）。点５１の高さＨ１（第１高さ）はワイヤループ３０の高さＤ２の６０〜９０％の高さである。なお、点５１の高さＨ１のワイヤループ３０の高さＤ２に対する比率は、具体的には、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％であり、これらの比率のいずれか２つの範囲内であってもよい。

【0029】

次に、制御部は、点５１から第２方向に向かって先端２３を円弧状に点５２まで円弧移動させた後、先端２３からワイヤを繰り出しながら点５３まで上昇移動させる最初の円弧上昇工程６１を行う。次に、点５３から第２方向に向かって先端２３を円弧状に点５４まで円弧移動させた後、先端２３からワイヤを繰り出しながら点５５まで上昇移動させる二回目の円弧上昇工程６２を行う。更に、点５５から第２方向に向かって先端２３を円弧状に点５６まで円弧移動させた後、先端２３からワイヤを繰り出しながら点５７まで上昇させる三回目の円弧上昇工程６３を行う（円弧上昇工程）。

【0030】

制御部は、３回の円弧上昇工程６１〜６３により、先端２３を点５１から点５７まで、第２方向に向かって距離Ｌ３だけ移動させると共に、高さＨ２だけ上昇させる。ここで、距離Ｌ３は、ワイヤループ３０の高さＤ２の５０〜７０％の距離であり、高さＨ２は、ワイヤループ３０の高さＤ２の２０〜４０％の距離である。なお、距離Ｌ３のワイヤループ３０の高さＤ２に対する比率は、具体的には、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％であり、これらの比率のいずれか２つの範囲内であってもよい。また、高さＨ２のワイヤループ３０の高さＤ２に対する比率は、具体的には、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％であり、これらの比率のいずれか２つの範囲内であってもよい。この３回の円弧上昇工程６１〜６３は、先に図３を参照して説明したように、ワイヤループ３０が第２方向或いは第１方向に傾いたり、図４を参照して説明したようにワイヤループ３０の形状が外側に膨らんだりすることを抑制する。

【0031】

なお、本実施形態では、制御部は、３回の円弧上昇工程６１〜６３を行うこととして説明したが、１回或いは２回の円弧上昇工程で先端２３を点５１から点５７まで、第２方向に向かって距離Ｌ３だけ移動させると共に、高さＨ２だけ上昇させるようにしてもよい。また、制御部は、４回以上の円弧上昇工程によって先端２３を第２方向に距離Ｌ３、高さＨ２だけ上昇させるようにしてもよい。

【0032】

次に、制御部は、点５７から点５８まで先端２３を第１方向に距離（Ｌ３＋Ｌ４）だけ円弧上に移動させる（円弧移動工程）。ここで、距離（Ｌ３＋Ｌ４）は、ワイヤループ３０の高さＤ２の１１０〜１３０％の距離である。この動作は、図１に示すワイヤループ３０の頂部３２の曲げ半径を規定するものであり、距離（Ｌ３＋Ｌ４）が長くなると頂部３２の曲げ半径が小さくなり、距離（Ｌ３＋Ｌ４）が短くなると頂部３２の曲げ半径が大きくなる。なお、点５８は、ワイヤループ３０の頂部３２となる。

【0033】

次に、制御部は、点５８から点５９まで、先端２３からワイヤを繰り出しながら先端２３を高さＨ３だけ上昇させる（第２上昇工程）。この高さＨ３は、ワイヤループ３０の高さＤ２の１００〜１２０％の距離である。なお、高さＨ３のワイヤループ３０の高さＤ２に対する比率は、具体的には、１００％、１０５％、１１０％、１１５％、１２０％であり、これらの比率のいずれか２つの範囲内であってもよい。また、点５９の基板１０の表面からの高さＨ４は、ワイヤループ３０の高さＤ２の１６０〜２１０％である。この高さＨ４は、第２高さである。その後、点５９から第２位置１４まで先端２３を円弧状にルーピングさせて（ルーピング工程）、第２位置１４にワイヤをボンディングし、第２接合部１７を形成する。

【0034】

以上説明したような方法によってボンディングを行うことにより、角度φ１及び角度φ２を角度φ０よりも小さくすることが可能になる。そのため、ボンディング時にキャピラリ２０がワイヤループ３０に接触することを抑制できる。よって、高さの高いワイヤループ３０を安定して形成することができる。

【0035】

次に、図６を参照しながら、本発明の他の実施形態について説明する。図１〜５を参照して説明したと同様の部分には、同様の符号を付して説明は省略する。先に説明した実施形態では、図１に示すような角度φ１と角度φ２とが略等しい二等辺三角形に近いワイヤループ３０を形成することとして説明したが、円弧上昇工程６１〜６３による第１方向への距離Ｌ３、高さＨ２を大きくすることにより、第１傾斜部３１にキンク３５を形成してもよい。キンク３５により、ワイヤループ３０の形状を安定したものとすることができる。

【0036】

さらに、点５７から点５８への移動距離（Ｌ３＋Ｌ４）を大きくすることによって頂部３２の曲げ半径を小さくし、図６に示すように、頂部３２が尖ったワイヤループ３０とし、第２傾斜部３３の仮想垂線１５に対する角度φ５が先に図１を参照して説明した第２傾斜部３３の角度φ２よりも大きくなるようにしてもよい。この場合、角度φ５は、先に図１，２を参照して説明した実施形態よりも根元部２１の角度φ０との差が大きく、よりワイヤループ３０の第２傾斜部３３との接触が起こらない。

【0037】

図６に一点鎖線で示すキャピラリ２０は、ワイヤループ３０の形成を開始する際のキャピラリ２０を示している。この時、キャピラリ２０は、ワイヤループ３０を含む垂直面に位置している。図６に示すように、この状態でも一点鎖線で示すキャピラリ２０の根元部２１の表面と第１傾斜部３１との間には隙間が開いている。ピッチＰだけ離れた位置にあるボンディングの終了した隣接するワイヤループ３０の第１傾斜部３１と図６に一点鎖線で示すキャピラリ２０の根元部２１の表面とは、図６に示す場合より離れていることから、ワイヤループ３０のボンディングを開始する際に、キャピラリ２０が隣接するボンディングの終了した実線で示すワイヤループ３０と接触することはない。

【0038】

本実施の形態によれば、角度φ２をより大きくすることが可能になる。そのため、ボンディング終了時にキャピラリ２０の表面がボンディングしたワイヤループ３０に接触することを抑制できる。また、キンク３５を設けることにより、ボンディング開始時に隣接するボンディングの終了したワイヤループ３０にキャピラリ２０の表面が接触することをより効果的に抑制することができる。従って、高さの高いワイヤループ３０の形状をより安定して形成することができる。

【符号の説明】

【0039】

１０ 基板、１１ 第１電極、１２ 第２電極、１３ 第１位置、１４ 第２位置、１５ 仮想垂線、１６ 第１接合部、１７ 第２接合部、２０ キャピラリ、２１ 根元部、２２ 先部、２３ 先端、２５ 中心軸、２６ 角部、２７ ハッチング部、３０ ワイヤループ、３１ 第１傾斜部、３２ 頂部、３３ 第２傾斜部、３５ キンク、５１〜５９ 点、６１〜６３ 円弧上昇動作。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】