特許6441711IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

イメージセンサーに関し、より詳細には、イメージセンサー及びその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、暗電流特性を改善するイメージセンサー及びその製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

目的を達成するためになされた本発明の一態様によるイメージセンサーは、第1面と該第1面に対向して光が入射する第2面とを有して複数の画素領域を定義し、前記第2面から前記第1面の方向に延長されて前記複数の画素領域を分離する深いトレンチを定義する基板と、前記基板の画素領域の各々に配置される光電変換部と、前記光電変換部の上に配置されるゲート電極と、前記深いトレンチの側壁の少なくとも一部及び前記基板・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明のイメージセンサーによれば、光電変換部の側面及び底面に隣接するように固定電荷膜が配置され、固定電荷膜が負の電荷を帯びているため、周辺に正孔の蓄積(hole accumulation)が発生する。これにより、暗電流の発生及びホワイトスポット(white spot)を効果的に減少させることができる。
また、本発明のイメージセンサーによれば、深い素子分離膜内にポリシリコンパターンが配置され、ポリシリコンパターンが基板をなすシリコンと実質的に同様な熱膨張率を有するため、物質の熱膨張率差によって発生する物理的ストレスを減らすことができる。
また、本発明のイメージセンサーによれば、深い素子分離膜内にエアーギャップ領域が存在するため、クロストークを改善することができる。
更に、本発明のイメージセンサーによれば、単位画素領域間に深い素子分離膜が配置されてこれらを隔離させるため、クロストークを更に制御することができる。これにより、イメージの色相再現性を高くすることができる。
本発明のイメージセンサーの製造方法によれば、予備素子分離膜を犠牲膜のように利用して深いトレンチを形成するため、誤整列を減らすか又は無くすことができる。これにより、工程収率を増大させて製造費用を低くすることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本発明の一実施形態によるイメージセンサーの回路図である。

【図2】本発明の第1実施形態によるイメージセンサーのレイアウト図である。

【図3】図2のA−A’線に沿って切断した断面図である。

【図4】図3のイメージセンサーを製造する過程を順次的に示す断面図である。

【図5】図3のイメージセンサーを製造する過程を順次的に示す断面図である。

【図6】図3のイメージセンサーを製造する過程を順次的に示す断面図である。

【図7】図3のイメージセンサーを製造する過程を順次的に示す断面図である。

【図8】図3のイメージセンサーを製造する過程を順次的に示す断面図である。

【図9】図3のイメージセンサーを製造する過程を順次的に示す断面図である。

【図10】図3のイメージセンサーを製造する過程を順次的に示す断面図である。

【図11】図3のイメージセンサーを製造する過程を順次的に示す断面図である。

【図12】図3のイメージセンサーを製造する過程を順次的に示す断面図である。

【図13】図3のイメージセンサーを製造する過程を順次的に示す断面図である。

【図14】図3のイメージセンサーを製造する過程を順次的に示す断面図である。

【図15】本発明の第2実施形態によるイメージセンサーの断面図である。

【図16】図15のイメージセンサーを製造する過程を示す断面図である。

【図17】図15のイメージセンサーを製造する過程を示す断面図である。

【図18】本発明の第3実施形態によるイメージセンサーの断面図である。

【図19】図18のイメージセンサーを製造する過程を示す断面図である。

【図20】図18のイメージセンサーを製造する過程を示す断面図である。

【図21】図18のイメージセンサーを製造する過程を示す断面図である。

【図22】本発明の第4実施形態によるイメージセンサーの断面図である。

【図23】図22のイメージセンサーを製造する過程を示す断面図である。

【図24】本発明の第5実施形態によるイメージセンサーの断面図である。

【図25】本発明の第6実施形態によるイメージセンサーの断面図である。

【図26】本発明の第7実施形態によるイメージセンサーの断面図である。

【図27】本発明の実施形態によるイメージセンサーを含む電子装置を示すブロック図である。

【図28】本発明の実施形態によるイメージセンサーが適用されるマルチメディア装置の例である。

【図29】本発明の実施形態によるイメージセンサーが適用されるマルチメディア装置の例である。

【図30】本発明の実施形態によるイメージセンサーが適用されるマルチメディア装置の例である。

【図31】本発明の実施形態によるイメージセンサーが適用されるマルチメディア装置の例である。

【図32】本発明の実施形態によるイメージセンサーが適用されるマルチメディア装置の例である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

3 基板   3a 前面   3b 後面   5 不純物注入領域   7、7a 絶縁ライナーパターン   9、9a ポリシリコンパターン   10 予備の深い素子分離膜   11、11a〜11d 深い素子分離膜   13 浅い素子分離膜   13b 下部面   13u 上部面   14 チャンネルストップ領域   15 トランジスタ   16 エッチング防止膜   17 層間絶縁膜   19 配線   21、27 パッシベーション膜   23 固定電荷膜   25 埋め込み絶縁膜   29 カラーフィルター   31 マイクロレンズ   51、52、52a〜52c 深いトレンチ   52x 底面   100 イメージセンサー   230 プロセッサ   300 メモリ   410 ディスプレー装置   500 BUS   2000 モバイルフォン又はスマートフォン   3000 タブレット又はスマートタブレット   4000 ノートブック型コンピューターコンピューター   5000 テレビジョン又はスマートテレビジョン   6000 デジタルカメラ又はデジタルカムコーダー   AG エアーギャップ領域   FD 浮遊拡散領域   M1 第1マスクパターン   M2 第2マスクパターン   PD 光電変換部   PW ウェル領域   RG リセットゲート   SF ソースフォロワゲート   SEL 選択ゲート   TG トランスファーゲート   UP 単位画素領域

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