特許第6444414号(P6444414)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6444414半導体素子の製造方法、半導体素子、およびフィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）
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