特許第6457389号(P6457389)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6457389ビスマスでドープされた半絶縁III族窒化物ウエハおよびその生産方法
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  • 特許6457389-ビスマスでドープされた半絶縁III族窒化物ウエハおよびその生産方法 図000002
  • 特許6457389-ビスマスでドープされた半絶縁III族窒化物ウエハおよびその生産方法 図000003
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