特許 6473353 基板処理装置及びそのチャック洗浄方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6473353

(24)【登録日】2019年2月1日

(45)【発行日】2019年2月20日

(54)【発明の名称】基板処理装置及びそのチャック洗浄方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20190207BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20190207BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/304 642Z

   H01L21/304 643Z

   H01L21/30 562

   H01L21/30 502J

【請求項の数】3

【全頁数】17

(21)【出願番号】特願2015-47240(P2015-47240)

(22)【出願日】2015年3月10日

(65)【公開番号】特開2016-167553(P2016-167553A)

(43)【公開日】2016年9月15日

【審査請求日】2017年12月22日

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100093056

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 勉

(74)【代理人】

【識別番号】100142930

【弁理士】

【氏名又は名称】戸高 弘幸

(74)【代理人】

【識別番号】100175020

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 知彦

(74)【代理人】

【識別番号】100180596

【弁理士】

【氏名又は名称】栗原 要

(72)【発明者】

【氏名】山本 滋

【審査官】 今井 聖和

(56)【参考文献】

【文献】 実開平０７−０３６４４２（ＪＰ，Ｕ）

【文献】 特開２００４−３２１９７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０４−１３０７２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 実開平０４−０９２６４４（ＪＰ，Ｕ）

【文献】 特開平０７−３３５７１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１１−３１７３９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−２２３４５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０６９９７９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｈ０１Ｌ ２１／６６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、
基板に対して処理液による処理を行う処理部と、
絶縁体で構成されたチャックを備え、前記チャックで基板を保持して前記処理部に対して基板を搬送する基板搬送部と、
純水よりも比抵抗が低い除電用洗浄液を貯留し、前記チャックを浸漬させて前記チャックの洗浄を行う洗浄槽を有するチャック洗浄部と、
前記基板搬送部を操作して前記処理部に基板を搬送させるとともに、前記基板搬送部のチャックを前記チャック洗浄部で洗浄させる制御を行う制御部と、
を備えており、
前記チャック洗浄部は、
前記洗浄槽の上方に配置され、乾燥気体を供給する気体ノズルと、
前記洗浄槽と前記気体ノズルとの間に配置され、純水を供給する純水ノズルと、
を備え、
前記制御部は、前記純水ノズルから純水を供給させて前記チャックを洗浄させた後、前記純水ノズルからの純水の供給を停止させるとともに、前記チャックを前記洗浄槽内に下降させ、その後、前記気体ノズルから乾燥気体を供給させた状態で、前記チャックを上方へ移動させた後、前記チャックの下端部だけが除電用洗浄液面に接触するように前記チャックを再び下降させ、その後、前記チャックを前記気体ノズルより上方へ移動させて前記チャックを洗浄乾燥させることを特徴とする基板処理装置。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理装置において、
前記除電用洗浄液は、炭酸ガスを純水に混合して生成された炭酸ガス混合純水、常温よりも高温の高温純水、過酸化水素水を混合した過酸化水素水混合純水のいずれかであることを特徴とする基板処理装置。

【請求項3】

基板に対して所定の処理を行う基板処理装置のチャック洗浄方法において、
基板に処理液による処理を行う処理部に対して、基板搬送部が、絶縁体で構成されたチャックで基板を保持して前記処理部に搬送する動作を行った後、純水よりも比抵抗が低い除電用洗浄液を貯留する洗浄槽を有するチャック洗浄部に前記チャックを移動させる過程と、
前記チャックを前記洗浄槽内の除電用洗浄液に浸漬させて前記チャックを洗浄する過程と、
を実施し、
前記チャックを洗浄する過程は、
前記洗浄槽の上方に配置された純水ノズルから純水を供給する過程と、
前記純水により洗浄された前記チャックを前記純水ノズルの上方から前記洗浄槽内へ移動させる過程と、
前記洗浄槽内へ移動された前記チャックを前記洗浄槽内に所定時間位置させて前記チャックを前記除電用洗浄液で洗浄する過程と、
前記純水ノズルの上方に配置された気体ノズルから乾燥気体を供給する過程と、
前記乾燥気体を供給した状態で、前記チャックを上方へ移動させた後、前記チャックの下端部だけが除電用洗浄液面に接触するように前記チャックを再び下降させ、その後、前記チャックを前記気体ノズルの上方へ移動させる過程と、
を実施することを特徴とする基板処理装置のチャック洗浄方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板（以下、単に基板と称する）に対して、所定の処理を行う基板処理装置及びそのチャック洗浄方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、この種の装置として、複数個の処理部と、基板を処理する複数個の搬送部と、チャック洗浄部とを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。複数個の処理部は、基板に対して薬液や純水により処理を行う。搬送部は、複数枚の基板をチャックで把持して搬送する。このチャックは、薬液に耐性を有するフッ素樹脂製である。チャック洗浄部は、チャックに対して洗浄処理を行う。

【0003】

このような構成の基板処理装置では、例えば、処理部で薬液による処理を終えた基板を搬送すると、チャックに薬液が付着する。この状態で他の基板を搬送すると、薬液が他の基板に付着してしまうので、他の基板を搬送する前にチャック洗浄部でチャックを洗浄する。具体的には、チャック洗浄部は、洗浄槽、気体ノズルと、シャワーノズルとを備えている。洗浄槽は、純水を底部から供給され、溢れた純水が排出されている。シャワーノズルは、洗浄槽の上部に配置され、チャックに対して純水を供給する。気体ノズルは、シャワーノズルの上方に配置されており、ドライ窒素ガスを噴射する。

【0004】

チャックの洗浄は、シャワーノズルから純水を供給している状態で、チャックを下降させ、チャックを洗浄槽の純水に浸漬させる。これにより、チャックが純水で洗浄される。次に、気体ノズルからドライ窒素を噴射させた状態で、チャックを気体ノズルの上方へと上昇させる。これにより、チャックが液切りされて乾燥される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００８−２１０９５６号公報（図１）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、チャックに付着した液滴が除去されにくく、乾燥不良が生じるという問題がある。チャックにおいて乾燥不良が生じると、そのチャックで基板を保持した際に基板に対して悪影響が生じる。

【0007】

なお、このような問題は、チャックを純水で洗浄する場合だけに生じるものではない。例えば、処理液を供給するノズルの先端部を純水で洗浄する待機ポットにおいてもノズルの先端部に乾燥不良が生じ得る。また、基板に処理液を供給する処理液供給ノズルを移動させるアームにおいても同様の問題が生じ得る。

【0008】

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、部材における乾燥不良を防止できる基板処理装置及びそのチャック洗浄方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明者は、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
すなわち、比抵抗の大きな純水が、絶縁体であるフッ素樹脂で構成されたチャックに供給されたり、絶縁体であるフッ素樹脂で構成されたチャックが、比抵抗の大きな純水に浸漬されたりする。すると、このときに摩擦が生じてチャックが帯電し、チャックの洗浄時においてチャックに付着した水滴が静電気による吸着力で除去されにくくなる。そのため、チャックに乾燥不良が生じことがわかった。このような知見に基づく本発明は、次のように構成されている。

【0010】

すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、基板に対して処理液による処理を行う処理部と、絶縁体で構成されたチャックを備え、前記チャックで基板を保持して前記処理部に対して基板を搬送する基板搬送部と、純水よりも比抵抗が低い除電用洗浄液を貯留し、前記チャックを浸漬させて前記チャックの洗浄を行う洗浄槽を有するチャック洗浄部と、前記基板搬送部を操作して前記処理部に基板を搬送させるとともに、前記基板搬送部のチャックを前記チャック洗浄部で洗浄させる制御を行う制御部と、を備えており、前記チャック洗浄部は、前記洗浄槽の上方に配置され、乾燥気体を供給する気体ノズルと、前記洗浄槽と前記気体ノズルとの間に配置され、純水を供給する純水ノズルと、を備え、前記制御部は、前記純水ノズルから純水を供給させて前記チャックを洗浄させた後、前記純水ノズルからの純水の供給を停止させるとともに、前記チャックを前記洗浄槽内に下降させ、その後、前記気体ノズルから乾燥気体を供給させた状態で、前記チャックを上方へ移動させた後、前記チャックの下端部だけが除電用洗浄液面に接触するように前記チャックを再び下降させ、その後、前記チャックを前記気体ノズルより上方へ移動させて前記チャックを洗浄乾燥させることを特徴とするものである。

【0011】

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、基板搬送部が処理部に基板を搬送する等の動作によってチャックが帯電しても、制御部がチャックを洗浄槽の除電用洗浄液で洗浄するので、チャックの帯電が除去される。したがって、チャックに付着した液滴が静電気の吸着力で除去されにくくなる現象が生じないので、チャックの乾燥不良を防止できる。また、制御部は、純水ノズルから純水を供給させてチャックを洗浄させる。このとき純水ノズルからチャックに純水が供給されるので、チャックが純水で清浄にされる一方で、チャックが帯電する。しかし、チャックを洗浄槽内に下降させると、洗浄槽内の除電用洗浄液によってチャックが洗浄及び除電される。そして、純水ノズルからの純水の供給を停止させるとともに、気体ノズルから乾燥気体を供給させた状態で、チャックを気体ノズルより上方へ移動させてチャックを乾燥させる。これにより、チャックに付着している除電用洗浄液が気体ノズルの乾燥気体で容易に除去されるので、チャックの乾燥不良を防止できる。さらに、チャックが除電用洗浄液に浸漬された後に上昇されると、チャックの上部は気体ノズルからの乾燥気体によって乾燥されるが、その下部及び下端部に付着していた液滴は乾燥し難い。そこで、一旦チャックを下降させて、その下端部を除電用洗浄液面に接触させる。これにより、チャックの下部に付着していた液滴が表面張力によって引かれるように下端部に滞留していた液滴に流下して集められる。そして、チャックを再び上昇させると、気体ノズルからの乾燥気体によってまとめて除去することができる。したがって、除去させ難い箇所の液滴も確実に除去できる。

【0012】

（削除）

【0013】

（削除）

【0014】

（削除）

【0015】

（削除）

【0016】

（削除）

【0017】

（削除）

【0018】

また、本発明において、前記除電用洗浄液は、炭酸ガスを純水に混合して生成された炭酸ガス混合純水、常温よりも高温の高温純水、過酸化水素水を混合した過酸化水素水混合純水のいずれかであることが好ましい（請求項２）。

【0019】

炭酸ガス混合純水、高温の純水、過酸化水素水混合純水のいずれかによって純水の比抵抗を下げることができるので、除電効果を生じさせることができる。

【0020】

また、請求項３に記載の発明において、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置のチャック洗浄方法において、基板に処理液による処理を行う処理部に対して、基板搬送部が、絶縁体で構成されたチャックで基板を保持して前記処理部に搬送する動作を行った後、純水よりも比抵抗が低い除電用洗浄液を貯留する洗浄槽を有するチャック洗浄部に前記チャックを移動させる過程と、前記チャックを前記洗浄槽内の除電用洗浄液に浸漬させて前記チャックを洗浄する過程と、を実施し、前記チャックを洗浄する過程は、前記洗浄槽の上方に配置された純水ノズルから純水を供給する過程と、前記純水により洗浄された前記チャックを前記純水ノズルの上方から前記洗浄槽内へ移動させる過程と、前記洗浄槽内へ移動された前記チャックを前記洗浄槽内に所定時間位置させて前記チャックを前記除電用洗浄液で洗浄する過程と、前記純水ノズルの上方に配置された気体ノズルから乾燥気体を供給する過程と、前記乾燥気体を供給した状態で、前記チャックを上方へ移動させた後、前記チャックの下端部だけが除電用洗浄液面に接触するように前記チャックを再び下降させ、その後、前記チャックを前記気体ノズルの上方へ移動させる過程と、を実施することを特徴とするものである。

【0021】

［作用・効果］請求項３に記載の発明によれば、基板搬送部のチャックで基板を保持して搬送した後、チャック洗浄部にチャックを移動させる。次いで、チャックを除電用洗浄液で洗浄するので、チャックの帯電が除去される。したがって、チャックに付着した液滴が静電気の吸着力で除去されにくくなる現象が生じないので、チャックの乾燥不良を防止できる。また、純水ノズルから純水を供給させてチャックを洗浄させる。このとき純水ノズルからチャックに純水が供給されるので、チャックが純水で清浄にされる一方で、チャックが帯電する。しかし、チャックを洗浄槽内に下降させると、洗浄槽内の除電用洗浄液によってチャックが洗浄及び除電される。そして、純水ノズルからの純水の供給を停止させるとともに、気体ノズルから乾燥気体を供給させた状態で、チャックを気体ノズルより上方へ移動させてチャックを乾燥させる。これにより、チャックに付着している除電用洗浄液が気体ノズルの乾燥気体で容易に除去されるので、チャックの乾燥不良を防止できる。さらに、チャックが除電用洗浄液に浸漬された後に上昇されると、チャックの上部は気体ノズルからの乾燥気体によって乾燥されるが、その下部及び下端部に付着していた液滴は乾燥し難い。そこで、一旦チャックを下降させて、その下端部を除電用洗浄液面に接触させる。これにより、チャックの下部に付着していた液滴が表面張力によって引かれるように下端部に滞留していた液滴に流下して集められる。そして、チャックを再び上昇させると、気体ノズルからの乾燥気体によってまとめて除去することができる。したがって、除去させ難い箇所の液滴も確実に除去できる。

【0022】

（削除）

【0023】

（削除）

【発明の効果】

【0024】

本発明に係る基板処理装置によれば、基板搬送部が処理部に基板を搬送する等の動作によってチャックが帯電しても、制御部がチャックを洗浄槽の除電用洗浄液で洗浄するので、チャックの帯電が除去される。したがって、チャックに付着した液滴が静電気の吸着力で除去されにくくなる現象が生じないので、チャックの乾燥不良を防止できる。また、制御部は、純水ノズルから純水を供給させてチャックを洗浄させる。このとき純水ノズルからチャックに純水が供給されるので、チャックが純水で清浄にされる一方で、チャックが帯電する。しかし、チャックを洗浄槽内に下降させると、洗浄槽内の除電用洗浄液によってチャックが洗浄及び除電される。そして、純水ノズルからの純水の供給を停止させるとともに、気体ノズルから乾燥気体を供給させた状態で、チャックを気体ノズルより上方へ移動させてチャックを乾燥させる。これにより、チャックに付着している除電用洗浄液が気体ノズルの乾燥気体で容易に除去されるので、チャックの乾燥不良を防止できる。さらに、チャックが除電用洗浄液に浸漬された後に上昇されると、チャックの上部は気体ノズルからの乾燥気体によって乾燥されるが、その下部及び下端部に付着していた液滴は乾燥し難い。そこで、一旦チャックを下降させて、その下端部を除電用洗浄液面に接触させる。これにより、チャックの下部に付着していた液滴が表面張力によって引かれるように下端部に滞留していた液滴に流下して集められる。そして、チャックを再び上昇させると、気体ノズルからの乾燥気体によってまとめて除去することができる。したがって、除去させ難い箇所の液滴も確実に除去できる。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。

【図2】実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示したブロック図である。

【図3】チャックを正面から見た状態における動作説明図である。

【図4】チャックの側面図である。

【図5】チャック洗浄部の概略構成を示す図である。

【図6】チャックの洗浄動作の説明に供する図である。

【図7】チャックの洗浄動作の説明に供する図である。

【図8】チャックの洗浄動作の説明に供する図である。

【図9】チャックの洗浄動作の説明に供する図である。

【図10】チャックの洗浄動作の説明に供する図である。

【図11】チャックの洗浄動作の説明に供する図である。

【図12】チャックの洗浄動作の説明に供する図である。

【図13】チャックの洗浄動作の説明に供する図である。

【図14】（ａ）〜（ｃ）は、チャックの下端部の洗浄動作の説明に供する図である。

【図15】高温純水及び炭酸ガス混合純水によるチャックの帯電の関係を示すデータである。

【図16】過酸化水素水混合純水によるチャックの帯電の関係を示すデータである。

【図17】高温純水及び炭酸ガス混合純水によるチャックの帯電の関係を示すグラフである。

【図18】実施例２における基板処理装置の概略構成を示した側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

本発明に係る基板処理装置について以下に説明する。

【実施例1】

【0027】

以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図であり、図２は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示したブロック図である。

【0028】

この基板処理装置は、例えば、基板Ｗに対して薬液処理及び洗浄処理及び乾燥処理を施すための装置である。基板Ｗは複数枚（例えば２５枚）がＦＯＵＰ１に対して水平姿勢で収納されている。未処理の基板Ｗを収納したＦＯＵＰ１は、投入部３に載置される。投入部３は、カセット１を載置される載置台５を二つ備えている。投入部３に隣接する位置には、払出部７が配備されている。この払出部７は、処理済みの基板ＷをＦＯＵＰ１に収納してＦＯＵＰ１ごと払い出す。このように機能する払出部７は、投入部３と同様に、ＦＯＵＰ１を載置するための二つの載置台９を備えている。

【0029】

投入部３と払出部７に沿った位置には、これらの間を移動可能に構成された第１搬送機構１１が配置されている。第１搬送機構１１は、載置台５に載置されたＦＯＵＰ１から複数枚の基板Ｗを取り出し、第２搬送機構１３に対して搬送する。

【0030】

第２搬送機構１３は、第３搬送機構ＷＴＲに対して複数枚の基板Ｗを搬送する。また、第３搬送機構ＷＴＲから処理済みの基板Ｗを受け取った後に、第１搬送機構１１に搬送する。第３搬送機構ＷＴＲは、基板処理装置の長手方向に向けて移動可能に構成されているとともに、複数枚の基板Ｗを保持するためのチャック１５を備えている。このチャック１５は、例えば、絶縁性の部材で構成されている。絶縁性の部材としては、耐薬品性に優れるフッ素樹脂が挙げられる。

【0031】

なお、上述した第３搬送機構ＷＴＲが本発明における「基板搬送部」に相当する。

【0032】

上述した第３搬送機構ＷＴＲの移動方向における最も手前側には、複数枚の基板Ｗを乾燥させるための乾燥処理部ＬＰＤが配備されている。この乾燥処理部ＬＰＤは、基板を低圧のチャンバ内に収容して乾燥させるものである。

【0033】

第３搬送機構ＷＴＲの移動方向であって、乾燥処理部ＬＰＤに隣接する位置には、第１処理部１９が配備されている。この第１処理部１９は、複数枚の基板Ｗに対して純水洗浄処理を施すための純水洗浄処理部ＯＮＢ１を備えているとともに、複数枚の基板Ｗに対して処理液によって薬液処理を施すための薬液処理部ＣＨＢ１を備えている。また、純水洗浄処理部ＯＮＢ１は、第３搬送機構ＷＴＲとの間で基板Ｗを受け渡すとともに、純水洗浄処理部ＯＮＢ１内の処理位置と、その上方にあたる受け渡し位置とにわたって昇降自在に構成されたリフタＬＦ１を備えている。同様に、薬液処理部ＣＨＢ１はリフタＬＦ２を備えている。

【0034】

第１処理部１９に隣接した位置には、第２処理部２１が配備されている。この第２処理部２１は、上述した第１処理部１９と同様の構成である。つまり、純水洗浄処理部ＯＮＢ２と、薬液処理部ＣＨＢ２と、リフタＬＦ３，ＬＦ４とを備えている。

【0035】

載置台９に隣接する位置には、チャック洗浄部ＣＨＣＬが配備されている。このチャック洗浄部ＣＨＣＬは、第３搬送機構ＷＴＲのチャック１５を純水などで洗浄した後、乾燥処理を行う機能を備えている。

【0036】

上記のように構成されている基板処理装置は、図２のブロック図に示すように制御部３１によって統括的に制御される。

【0037】

制御部３１は、ＣＰＵやメモリ等から構成されており、基板Ｗをどのように処理するかを規定したレシピの格納や、レシピに基づいてどのように基板Ｗのロットを搬送して各処理部で処理を行わせるかを規定したスケジュールの作成などを行う。また、上述した各部の制御を行うとともに、後述するチャック洗浄部ＣＨＣＬにおける制御を行う。

【0038】

次に、図３及び図４を参照して、チャック１５について説明する。なお、図３は、チャックを正面から見た状態における動作説明図であり、図４は、チャックの側面図である。

【0039】

第３搬送機構ＷＴＲが備えているチャック１５は、例えば、アーム部３３と、ガイド部３５と、下端部３７とを備えている。アーム部３３は、上方に設けられた基端部（不図示）から下方へ向けて垂下して形成されている。ガイド部３５は、アーム部３３の下部に形成されている。ガイド部３５は、縦方向に所定間隔で形成された複数個の溝３９を備えている。これらの溝３９は、基板Ｗの側縁を当接して基板Ｗを鉛直姿勢で保持する。下端部３７は、ガイド部３５の下部に形成された先絞り形状を呈する。チャック１５は、図３に示すように、下端部３７の反対側にあたる基端部（不図示）に揺動軸を備え、下端部３７をほぼ鉛直姿勢にした保持位置と、下端部３７を互いに外側方向へ移動させた開放位置とにわたって揺動される。

【0040】

次に、図５を参照して、チャック洗浄部ＣＨＣＬについて説明する。なお、図５は、チャック洗浄部の概略構成を示す図である。

【0041】

チャック洗浄部ＣＨＣＬは、洗浄槽４１と、槽供給系４３と、ノズル供給系４５とを備えている。洗浄槽４１は、一対のチャック１５を収容する一対の浸漬槽４７と、浸漬槽４７から溢れた洗浄液を回収する回収槽４９とを有する。浸漬槽４７は、洗浄液を下部から供給され、洗浄液をオーバフローさせつつチャック１５を洗浄する。回収槽４９は、浸漬槽４７から溢れた洗浄液を回収して排出する。

【0042】

槽供給系４３は、純水供給源５１と、供給管５３とを備えている。純水供給源５１は、常温の純水を供給する。供給管５３は、一端側が純水供給源５１に連通接続され、他端側が浸漬槽４７の底部に連通接続されている。供給管５３は、純水供給源５１側から順に流量調整弁５５と、ミキシングバルブ５７とを配設されている。流量調整弁５５は、流体の流通と遮断とを切り換えるとともに、流通時の流量を調整する。ミキシングバルブ５７は、供給管５３を流通する流体に対して他の流体を混合する。なお、ミキシングバルブ５７に代えてスタティックミキサを採用してもよい。

【0043】

ミキシングバルブ５７と流量調整弁５５との間には、分岐管５９の一端側が連通接続され、分岐管５９の他端側が温水供給源６１に連通接続されている。分岐管５９には、流量調整弁６３が配設されている。分岐管５９には、温水供給源６１から温水が供給され、流量調整弁６３を操作して浸漬槽４７に供給される純水の温度を調整する。

【0044】

ミキシングバルブ５７には、分岐管６５の一端側が連通接続され、その他端側が炭酸ガス供給源６７に連通接続されている。炭酸ガス供給源６７は、炭酸ガスを貯留し、分岐管６５に設けられた流量調整弁６９に応じた流量の炭酸ガスを供給する。また、ミキシングバルブ５７には、分岐管７１の一端側が連通接続され、その他端側が過酸化水素水供給源７３に連通接続されている。分岐管７１には、流量調整弁７３が設けられ、過酸化水素の流量が調整される。

【0045】

上述した温水供給源６１と、炭酸ガス供給源６７と、過酸化水素水供給源７３とは、いずれか一つが純水供給源５１とともに用いられる。温水供給源６１を用いて「除電用洗浄液」として高温純水を用いる場合には、例えば、浸漬槽４７における純水の温度が３０℃を越えて６０℃程度、好ましくは、４０℃〜５０℃となるように流量調整弁５５，６３が調整されることが好ましい。また、炭酸ガス供給源６７を用いて「除電用洗浄液」として炭酸ガス混合純水を用いる場合には、例えば、毎分３５リットルの純水に毎分２リットルの炭酸ガスが混合されるように流量調整弁５５，６９が調整されることが好ましい。また、過酸化水素水供給源７３を用いて「除電用洗浄液」として過酸化水素水混合純水を用いる場合には、例えば、純水：過酸化水素水が５：１となるように流量調整弁５５，７５が調整されることが好ましい。

【0046】

ノズル供給系４５は、気体ノズル７７と、ドライ窒素ガス供給源７９と、供給管８１と、流量調整弁８３と、純水ノズル８５と、純水供給源８７と、供給管８９と、流量調整弁９１とを備えている。気体ノズル７７は、洗浄槽４１の上方、換言すると、浸漬槽４７の上方に、浸漬槽４７の上縁から離間して配置されている。気体ノズル７７は、平面視で一対の浸漬槽４７を挟んで対向するように一対配置され、各々のガスの噴射方向が中央斜め下方に向けられている。気体ノズル７７からのドライ窒素ガスの供給量は、流量調整弁８３によって調整される。また、純水ノズル８５は、浸漬槽４７と気体ノズル７７との間に配設されている。純水ノズル８５も気体ノズル７７と同様に一対配置され、各々の純水の噴射方向が中央斜め下方に向けられている。

【0047】

なお、上述した各流量調整弁５５，６３，６９，７５は、以下に説明するように制御部３１によって操作される。

【0048】

次に、図６〜図１４を参照して、上述したチャック洗浄部ＣＨＣＬによるチャック１５の洗浄について説明する。なお、図６〜図１３は、チャックの洗浄動作の説明に供する図であり、図１４（ａ）〜（ｃ）は、チャックの下端部の洗浄動作の説明に供する図である。

【0049】

ここでチャック１５は、例えば、薬液で処理された基板Ｗを搬送し、チャック１５に薬液が付着した清浄でない状態にあるものとする。また、以下の説明においては、「除電用洗浄液」として高温純水を用いるものとする。

【0050】

制御部３１は、まず、第３搬送機構ＷＴＲをチャック洗浄部ＣＨＣＬに移動させる。そして、流量調整弁５５，６３を操作して、浸漬槽４７に４０℃の純水が供給されるようにしておく。次に、流量調整弁９１を操作して、純水ノズル８５から純水を噴射させる。この状態で、第３搬送機構ＷＴＲを操作し、純水ノズル８５と浸漬槽４７との間で所定回数だけチャック１５を昇降させて、ガイド部３５を純水で洗浄する（図６，図７）。なお、このとき純水ノズル８５から噴射された純水は、ガイド部３５の溝３９にも供給される。但し、このとき比抵抗が大きな純水と絶縁性材料で構成されたチャック１５との摩擦によってチャック１５が帯電する。

【0051】

次に、制御部３１は、流量調整弁９１を閉止するとともに、チャック１５を下降させて浸漬槽４７の除電用洗浄液に浸漬させる（図８）。このときチャック１５の保持部３５が液面下となるように下降させる。除電用洗浄液は、高温純水であるので、比抵抗が小さくなっており、チャック１５を除電できる。

【0052】

制御部３１は、チャック１５を浸漬槽４７内から低速で上昇させ始め（図９）、流量調整弁８３を操作して気体ノズル７７からドライ窒素ガスを噴射させる（図１０）。この気体ノズル７７からのドライ窒素ガスはガイド部３５及び溝３９に吹き付けられるので、付着していた除電用洗浄液が飛散される。ガイド部３５及び溝３９は、既に除電されているので、除電用洗浄液の液滴が静電気の吸着力で除去されにくくなる現象が生じないので、チャック１５の乾燥不良を防止できる。

【0053】

次に、制御部３１は、再びチャック１５を下降させる。具体的には、ガイド部３５の下端部３７が浸漬槽４７の液面に接触する位置まで下降させる（図１１）。そして、制御部３１は、チャック１５をドライ窒素ガスが供給されている中を上昇させ（図１２）、気体ノズル７７の上方の洗浄待機位置まで上昇させる。

【0054】

なお、上述したように、ガイド部３５が浸漬槽４７に浸漬された状態からチャック１５が上昇されて（図８、図９）、ドライ窒素ガスが噴射されると（図１０）、ガイド部３５の下端部３７は、図１４（ａ）に示すように、ガイド部３５からの液滴がガイド部３５の下部と下端部３７に向かって流下して滞留した状態となりやすい。このような状態では、気体ノズル７７からのドライ窒素ガスの噴射では十分に飛散させることができないことがある。そこで、上述したように、下端部３７を浸漬槽４７の液面に接触させると、図１４（ｂ）に示すように、液滴が表面張力で引かれ、図１４（ｃ）に示すように、ガイド部３５の下部と下端部３７に滞留していた液滴が下端部３７の下面に流下して集められる。その後、チャック１５を上昇させることにより、下端部３７の下面に集められた液滴を一気にドライ窒素ガスによって飛散させる。なお、流下して集められた液滴を確実に飛散させるために、このときのドライ窒素ガスの流量を大きくしておくことが好ましい。

【0055】

ここで、図１５〜図１７を参照して、除電用洗浄液による効果について説明する。なお、図１５は、高温純水及び炭酸ガス混合純水によるチャックの帯電の関係を示すデータであり、図１６は、過酸化水素水混合純水によるチャックの帯電の関係を示すデータである。また、図１７は、高温純水及び炭酸ガス混合純水によるチャックの帯電の関係を示すグラフである。

【0056】

まず、図１５を参照する。この図１５は、高温純水（図１５中の温水）として３０℃、４０℃、５０℃のものを利用し、炭酸ガス混合純水（図１５中の炭酸ガス）として毎分３５リットルの純水と毎分２リットルの炭酸ガスを混合したものを利用し、チャック１５を複数回洗浄した際の液残りと帯電を測定したものである。このデータ中において洗浄回数が０回となっているのは、浸漬槽４７に浸漬させず、純水ノズル８５で純水洗浄しただけの状態である。このデータから、高温純水の３０℃では、液残りが多く発生し、しかも帯電が４［−ｋＶ］以上となっている。一方、高温純水の４０℃、５０℃では、洗浄を行うことで液残りがなくなり、帯電も４［−ｋＶ］より小さくなっている。つまり、帯電が抑制されて除電されていることがわかる。また、炭酸水混合純水でも液残りがなくなり、帯電も４［−ｋＶ］程度のものが散見されるものの、ほぼ４［−ｋＶ］より小さくなっている。

【0057】

次に、図１６を参照する。この図１６は、過酸化水素水混合純水として純水：過酸化水素水の混合比が５：１となるようにしたものを利用している。このデータから、過酸化水素水混合純水では、洗浄を行うことで液残りがなくなり、帯電も４［−ｋＶ］より小さくなっている。つまり、帯電が抑制されて除電されていることがわかる。

【0058】

ここで図１７を参照する。このグラフは、縦軸を帯電量とし、横軸を洗浄回数としたものであり、図１５のデータをプロットしたものである。このグラフからも、高温純水（温水（３０℃））に対して、高温純水（温水（４０℃）、温水（５０℃））及び炭酸ガス混合純水（炭酸ガス）は帯電量が低くなり、優位性を有することがわかる。

【0059】

本実施例１によると、第３搬送機構ＷＴＲのチャック１５が帯電しても、制御部３１がチャック１５を洗浄槽４１の除電用洗浄液で洗浄するので、チャック１５の帯電が除去される。したがって、チャック１５に付着した液滴が静電気の吸着力で除去されにくくなる現象が生じないので、チャック１５の乾燥不良を防止できる。

【実施例2】

【0060】

次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。
図１８は、実施例２における基板処理装置の概略構成を示した側面図である。

【0061】

この基板処理装置は、基板Ｗを一枚ずつ処理するいわゆる枚葉式の処理装置である。基板Ｗは、スピンチャック１０１によって水平姿勢で保持される。スピンチャック１０１は、円板状の保持板１０３の上面の円周方向に保持ピン１０５を立設されている。スピンチャック１０１は、保持板１０３の下面に回転軸１０７の一端側が連結され、回転軸１０７の他端側が電動モータ１０９の回転軸に連結されている。電動モータ１０９は、スピンチャック１０１を水平面内で回転させる。スピンチャック１０１は、その下方と側方とが飛散防止カップ１１１に囲われている。飛散防止カップ１１１は、基板Ｗに供給された処理液が遠心力で周囲に飛散することを防止する。

【0062】

スピンチャック１０１の上方には、処理液供給ノズル１１３が配備されている。この処理液供給ノズル１１３は、基板Ｗに対して処理液を供給する。処理液供給ノズル１１３は、ノズル１１３ａとアーム１１３ｂとから構成され、図１８に示す供給位置と、回転中心から外れた待機位置との間でノズル１１３ａを移動可能に構成されている。処理液供給ノズル１１３は、フォトレジスト供給源１１５と供給管１１７で連通接続されている。供給管１１７には、流量調整弁１１９が設けられている。

【0063】

処理液供給ノズル１１３の待機位置には、待機ポット１１９が配備されている。この待機ポット１１９は、待機時におけるノズル１１３ａの乾燥を防止するために、有機溶剤雰囲気にノズル１１３ａを保つ。また、待機ポット１１９には、除電用洗浄液供給源１２１から除電用洗浄液が供給される。除電用洗浄液供給源１２１は、上述した実施例１で用いた除電用洗浄液を供給する。

【0064】

図１８に示すチャック洗浄ノズル１２３と、アーム洗浄ノズル１２５は、供給管１２７，１２９で除電用洗浄液供給源１２１に連通接続されている。供給管１２７は、流量調整弁１３１を設けられ、供給管１２９は、流量調整弁１３３が設けられている。アーム洗浄ノズル１２５は、アーム１１３ｂの長軸方向に移動可能に構成されている。また、チャック洗浄ノズル１２３は、スピンチャック１０１の上方と側方とにわたって移動可能に構成されている。

【0065】

制御部１３５は、電動モータ１０９の回転、処理液供給ノズル１１３の移動、流量調整弁１１９，１３１，１３３の開閉などを統括的に制御する。

【0066】

なお、上述した待機ポット１１９と、チャック洗浄ノズル１２３と、アーム洗浄ノズル１２５が本発明における「洗浄手段」に相当する。

【0067】

上述した基板処理装置では、基板Ｗがスピンチャック１０１に保持されると、制御部１３５が電動モータ１０９を作動させ、所定の速度で基板Ｗを回転させる。そして、処理液供給ノズル１１３を供給位置に移動させ、流量調整弁１１９を開放して、フォトレジストを基板Ｗに供給する。所定量の供給が終わると、制御部１３５は、流量調整弁１１９を閉止させる。制御部１３５は、電動モータ１０９の回転数を高くして、フォトレジストを基板Ｗの全面に塗り拡げるとともに、余分なフォトレジストを振り切る。そして、制御部１３５は、電動モータ１０９を停止させて基板Ｗを搬出させる。

【0068】

このような処理を行って順次に基板Ｗに処理を施してゆくが、処理液供給ノズル１１３が基板Ｗの入れ替えのたびに揺動するので、乾燥空気との摩擦でアーム１１３ｂ及びノズル１１３ａが帯電することがある。また、処理液供給ノズル１１３がフォトレジストの飛散によって汚染されるので、それを除去するために純水等で洗浄されることがあり、その際に帯電する場合がある。このように処理液供給ノズル１１３が帯電すると、待機ポット１１９で待機している際に液滴が除去されにくくなって、乾燥不良を生じる恐れがある。そこで、制御部１３５は、除電用洗浄液供給源１２１から除電用洗浄液を待機ポット１１９に供給し、ノズル１１３ａの除電を行う。したがって、待機ポット１１９内におけるノズル１１３ａの乾燥不良が防止できる。

【0069】

また、制御部１３５は、流量調整弁１３１を操作してアーム洗浄ノズル１２５から除電用洗浄液をアーム１１３ｂに供給する。これにより、帯電に起因するアーム１１３ｂでの乾燥不良を防止できる。また、制御部１３５は、流量調整弁１３３を操作してチャック洗浄ノズル１２３から除電用洗浄液をスピンチャック１０１に供給する。これにより、スピンチャック１０１における乾燥不良を防止できる。

【0070】

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

【0071】

（１）上述した実施例１では、図１に示すような構成の基板処理装置を例にとって説明したが、本発明はそのような構成に限定されない。本発明は、基板を保持して搬送するチャックを有する装置であれば適用できる。

【0072】

（２）上述した実施例１では、チャック１５の下端部３７を除電用洗浄液の液面に接触させた後、再び上昇させてドライ窒素ガスで飛散させる制御を行っているが、本発明にこのような制御は必須ではない。浸漬槽４７に浸漬させていたチャック１５を上昇させてドライ窒素ガスにより下端部３７の液滴を十分に飛散させることができれば、このような制御は不要である。

【0073】

（３）上述した実施例２では、スピンチャック１０１と、ノズル１１３ａと、アーム１１３ｂの全てに対して除電用洗浄液を供給しているが、本発明はいずれか一つに対して除電用洗浄液を供給すればよい。

【0074】

（４）上述した実施例２では、処理液供給ノズル１１３からフォトレジストを供給する構成を例にとって説明したが、本発明はこのような構成に限定されない。本発明は、例えば、基板Ｗに洗浄液を供給して基板Ｗを洗浄する装置などにも適用できる。

【符号の説明】

【0075】

Ｗ … 基板
１ … ＦＯＵＰ
１１ … 第１搬送機構
１３ … 第２搬送機構
ＷＴＲ … 第３搬送機構
１５ … チャック
ＣＨＣＬ … チャック洗浄部
３１ … 制御部
３３ … アーム部
３５ … ガイド部
３９ … 溝
４１ … 洗浄槽
４３ … 槽供給系４３
４５ … ノズル供給系
４７ … 浸漬槽
４９ … 回収槽
５７ … ミキシングバルブ
７７ … 気体ノズル
８５ … 純水ノズル

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】