特許 6474232 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6474232

(24)【登録日】2019年2月8日

(45)【発行日】2019年2月27日

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/302 20060101AFI20190218BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20190218BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20190218BHJP

【ＦＩ】

   G09F9/302 C

   H05B33/12 B

   H05B33/14 A

   H05B33/12 E

【請求項の数】11

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2014-225297(P2014-225297)

(22)【出願日】2014年11月5日

(65)【公開番号】特開2016-90812(P2016-90812A)

(43)【公開日】2016年5月23日

【審査請求日】2017年9月22日

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 敏浩

【審査官】 中村 直行

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１４−１８６２５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０９６５４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１４／０２５２３２１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２０１１−０７６１００（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００６／０７５５６４（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０９Ｆ ９／００ − ９／４６

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０５Ｂ ２７／３２

Ｈ０５Ｂ ３３／００−３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

所定基準よりも大きい副画素となる低精細画素と、
前記所定基準よりも小さい副画素となる高精細画素とを有して規則的に並んでいる複数の単位領域を備えた表示装置であって、
前記低精細画素には、青色画素と赤色画素とが含まれ、
前記高精細画素には、白色画素と緑色画素とが含まれ、
前記高精細画素は、前記白色画素よりも前記緑色画素を多く含む、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項2】

請求項１に記載の表示装置であって、
１つの単位領域における青色画素と赤色画素のそれぞれの数は、前記１つの単位領域における緑色画素の数よりも少ない、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項3】

請求項１に記載の表示装置であって、
前記複数の単位領域のうちの一部は、前記高精細画素として複数の緑色画素を有し、
前記複数の単位領域のうちの他の一部は、前記高精細画素として、複数の緑色画素のうちの一部に替えて白色画素を有している、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項4】

請求項１に記載の表示装置であって、
前記低精細画素は、横方向に第１のピッチを、縦方向に第２のピッチをおいてマトリクス状に配置され、
前記高精細画素は、前記低精細画素を基準として縦方向および横方向にずれた位置で、横方向に前記第１のピッチを、縦方向に第２のピッチをおいてマトリクス状になるように配置される、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項5】

請求項１に記載の表示装置であって、
前記高精細画素は、シアン色画素、マゼンダ色画素、イエロー色画素を含み、
前記複数の単位領域のそれぞれにおいて、シアン色画素、マゼンダ色画素、イエロー色画素は、緑色画素よりも少ない、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項6】

所定基準よりも大きい副画素となる低精細画素と、
前記所定基準よりも小さい副画素となる高精細画素とを有して規則的に並んでいる複数の単位領域を備えた表示装置であって、
前記低精細画素には、青色画素と赤色画素とが含まれ、
前記高精細画素には、白色画素と緑色画素とが含まれ、
前記低精細画素は、斜方格子状に配置された複数の格子点からなる第１の格子点群に対応して配置されて、
前記低精細画素に含まれる赤色画素及び青色画素は、前記第１の格子点群において最小の格子点間距離で連なる複数の格子点にて交互となるように配置され、
前記高精細画素は、前記最小の格子点間距離で交互に連なるように配列された赤色画素と青色画素の間に配置される、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項7】

請求項６に記載された表示装置であって、
前記高精細画素は、互いに異なる色度で発光する第１の緑色画素と第２の緑色画素とを含み、
前記第１の緑色画素および前記第２の緑色画素は、前記複数の単位領域のそれぞれにおいて含まれるように配置される、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項8】

請求項６に記載された表示装置であって、
前記第１の格子点群において最小の格子単位となる四角形の周方向に並ぶ第１の格子点、第２の格子点、第３の格子点、第４の格子点のそれぞれに対応して、第１の低精細画素、第２の低精細画素、第３の低精細画素、第４の低精細画素が配置され、
前記第１の低精細画素と前記第２の低精細画素の間には、第１の高精細領域が配置され、
前記第２の低精細画素と前記第３の低精細画素の間には、第２の高精細領域が配置され、
前記第３の低精細画素と前記第４の低精細画素の間には、第３の高精細領域が配置され、
前記第４の低精細画素と前記第１の低精細画素の間には、第４の高精細領域が配置され、
前記第１の格子点と前記第３の格子点を結ぶ直線と、前記第２の格子点と前記第４の格子点を結ぶ直線の交点に対応して、第５の高精細領域が配置され、
前記高精細画素は、前記第５の高精細領域から、前記第１〜４の高精細領域のいずれかまで延在する延在画素を含む、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項9】

請求項６に記載された表示装置であって、
白色画素は、前記第１の格子点群において最小の格子単位となる四角形の中央に対応する位置に配置され、
緑色画素は、前記最小の格子単位となる四角形の一辺の中点に対応する位置に配置され、
白色画素は緑色画素よりも、面積が小さくなる、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項10】

請求項６に記載された表示装置であって、
前記高精細画素には、シアン色画素、イエロー色画素、マゼンダ色画素が含まれ、
前記複数の単位領域のそれぞれにおいては、シアン色画素、イエロー色画素、マゼンダ色画素、白色画素よりも、緑色画素の画素数が多くなり、
緑色画素は、最小の格子単位となる四角形の中央に対応する位置に配置される、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項11】

所定基準よりも大きい副画素となる低精細画素と、
前記所定基準よりも小さい副画素となる高精細画素とを有して規則的に並んでいる複数の単位領域を備えた表示装置であって、
前記低精細画素には、青色画素と赤色画素とが含まれ、
前記高精細画素には、白色画素と緑色画素とが含まれ、
前記低精細画素となる青色画素は、矩形格子状に配置された複数の格子点からなる格子点群に対応して配置され、
前記低精細画素となる赤色画素は、青色画素に隣接して配置されて、
前記高精細画素は、前記格子点群において最小の格子単位となる矩形格子の対角線方向において、前記低精細画素よりも長い寸法で延在する延在画素を含み、
前記高精細画素は、互いに隣接して配置される青色画素と赤色画素の周囲を囲むようにして配置されて、互いに隣接して配置される赤色画素と青色画素の間には配置されない、
ことを特徴とする表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

表示装置においては、一般的に、主画素に対応する単位領域内で同一の面積となる赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素の３色の副画素が並置され、これら３種類の副画素は、複数の単位領域が規則的に配列された表示領域においてストライプ状に配列されることとなる。

【0003】

また、このような一般的な配列とは異なるものの、１つの主画素をＧＲまたはＧＢの２色で構成し、２種類の副画素を交互に敷き詰めた配列も知られている。この配列における各主画素では、例えば、緑画素の面積が、青画素や赤画素の面積の１／２となり、上述の一般的な配列と比べて副画素数が減少するものの、ほぼ同等の色の再現性を実現することができる。

【0004】

なお、特許文献１には、画素の開口率が向上すると同時に、画素間のギャップが効率的に設定された有機発光表示装置の画素配列構造が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１４−０５６８１９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

ここで表示装置の低消費電力化のため、ＲＧＢの画素の他、白（Ｗ）画素を単位領域に含めることが考えられる。

【0007】

しかしながら、精細度を向上するための面積が小さい緑色の副画素（高精細画素）と、表示領域内における画素の集積度合いを低減するための面積が大きい赤色と青色の副画素（低精細画素）とを１つの単位領域内に含む場合において、白色の副画素をどのように含めるようにするかが問題となる。

【0008】

本発明は、高精細画素と低精細画素とを含む単位領域が配列された表示装置において、副画素の少なくとも１つに白画素を採用することによって、低消費電力化を実現することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

（１）本発明は、上記課題に鑑みて、所定基準よりも大きい副画素となる低精細画素と、前記所定基準よりも小さい副画素となる高精細画素とを有して規則的に並んでいる複数の単位領域を備えた表示装置であって、前記低精細画素には、青色画素（Ｂ）と赤色画素（Ｒ）とが含まれ、前記高精細画素には、白色画素（Ｗ）と緑色画素（Ｇ）とが含まれる、ことを特徴とする。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】第１の実施形態にかかる表示装置を概略的に示す平面図である。

【図2】第１の実施形態における表示装置の画素の断面図である。

【図3】第１の実施形態における表示装置の画素配列を示す図である。

【図4】第１の実施形態の変形例１および変形例２における表示装置の画素配列を示す図である。

【図5】第１の実施形態の変形例３における表示装置の画素配列を示す図である。

【図6】第２の実施形態における表示装置の画素配列を示す図である。

【図7】第２の実施形態の変形例１における表示装置の画素配列を示す図である。

【図8】第２の実施形態の変形例２における表示装置の画素配列を示す図である。

【図9】第２の実施形態の変形例３における表示装置の画素配列を示す図である。

【図10】第２の実施形態の変形例４における表示装置の画素配列を示す図である。

【図11】第３の実施形態における表示装置の画素配列を示す図である。

【図12】第４の実施形態における表示装置の画素配列と、第４の実施形態の変形例１における表示装置の画素配列を示す図である。

【図13】第５の実施形態における表示装置の画素配列と、第５の実施形態の変形例１における表示装置の画素配列を示す図である。

【図14】第５の実施形態の変形例１における表示装置の透明画素の断面を示す図である。

【図15】第５の実施形態の変形例１における塗り分け方式の表示装置における画素領域の断面模式図の一例である。

【図16】各実施形態における単位領域Ｍと画像アドレスとの関係を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明の各実施形態に係る表示装置について、図面を参照しながら説明する。

【0012】

［第１の実施形態］
第１の実施形態における表示装置は、表示領域内に複数の有機エレクトロルミネッセンス素子が配列されてなる有機ＥＬ表示装置であり、図１は、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１の概略平面図を示している。有機ＥＬ表示装置１は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子が配置された素子基板Ｂ１に対向基板Ｂ２が張り合わされて構成され、素子基板Ｂ１において対向基板Ｂ２が露出した領域には、有機ＥＬ表示装置１を駆動するためのドライバＩＣが配置される。

【0013】

有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＰでは、赤色、緑色、青色、白色で発光する複数画素が後述のように規則的に配列され、各画素は、有機エレクトロルミネッセンス素子（自発光素子）を有している。図１で示されるように、表示領域ＤＰの各画素には、第１走査線ＢＧと、第２走査線ＳＧと、リセット配線Ｖｒｓｔと、映像信号線Ｄａｔａとが接続される。第１走査線ＢＧ、第２走査線ＳＧ、リセット配線Ｖｒｓｔは、それぞれＸ方向に平行となるように敷設され、映像信号線Ｄａｔａは、Ｙ方向に平行となるように敷設される。また、図１では省略されているが、各自発光素子に電源を供給する複数の電源供給線がＹ方向に平行となるように敷設される。尚、Ｘ方向とは図１において素子基板Ｂ１の短辺が延びるような横となる方向であり、Ｙ方向とは図１において素子基板Ｂ１の長辺が延びるような縦となる方向である。

【0014】

図２は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１における画素領域の断面模式図である。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、白色で発光する有機層ＯＬが表示領域ＤＰの全面にかけて各画素に共通するように形成され、ＲＧＢのカラーフィルタ層ＣＦを備えた対向基板Ｂ２（カラーフィルタ基板）にて、有機層ＯＬの発光が着色されるようになっている。したがって本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、トップエミッション型の自発光表示装置となっている。

【0015】

また有機層ＯＬは、各画素にて個別に形成された下部電極ＰＸと、表示領域ＤＰの全面にかけて形成された上部電極ＣＤとによって挟持されたものとなっており、下部電極ＰＸおよび上部電極ＣＤのそれぞれから注入されたホールと電子が再結合することで発光するようになっている。

【0016】

さらに同図で示されるように、各画素の下部電極ＰＸは、スイッチング素子によって生じる段差を解消するために有機絶縁膜で形成された平坦化膜ＰＬ上に形成され、さらに各下部電極ＰＸは、画素間を分離するためのバンク層ＢＫによって隔てられる。対向基板Ｂ２に形成されるブラックマトリクスＢＭは、このバンク層ＢＫに概ね対応しており、対向基板Ｂ２における各カラーフィルタ層ＣＦを仕切るものとなっている。上部電極ＣＤの上側には、有機層ＯＬを保護するための保護層ＰＲが形成され、対向基板Ｂ２と素子基板Ｂ１の間には充填材ＰＵが挿入される。トランジスタＴＲが平坦化膜ＰＬの下であり基板Ｂ１の上に配置される。トランジスタＴＲは特に制限されないが、ポリシリコン等で形成された半導体領域と、半導体領域上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、半導体領域に接続されゲート絶縁膜のコンタクトホール部内の金属等導電物にて形成されたソース電極と、半導体領域に接続されゲート絶縁膜のコンタクトホール部内の金属等導電物にて形成されたドレイン電極とで構成されている。ドレイン電極の上側の平坦化膜ＰＬおよびその下の絶縁膜にはコンタクトホールが形成されており、そのコンタクトホールの中にコンタクトＣＨが形成されている。このコンタクトＣＨは下部電極ＰＸに接続されている。

【0017】

ここで特に図３は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１における表示領域ＤＰの画素のレイアウトを示す図である。

【0018】

図３（ａ）で示されるように、本実施形態の表示領域ＤＰでは、所定基準よりも大きい副画素となる低精細画素と、当該所定基準よりも小さい副画素となる高精細画素が配置されるものとなっている。低精細画素は、スイッチング素子等によって構成される画素の集積度合いを低下させて製造上の負荷を少なくするためのものであり、高精細画素は、低精細画素による画素の粗さを補って精細度を向上させるものとなっている。このような低精細画素と高精細画素を表示領域ＤＰ内にレイアウトすることで、一般的なストライプ状の画素配列の場合と比べて、副画素数を少なくしつつも同等の色再現性や映像の滑らかさを実現しうることとなる。

【0019】

また、高精細画素と低精細画素とを分類する本実施形態の所定基準は、ブラックマトリクスＢＭによる開口面積となっており、低精細画素となるＲ画素とＢ画素は、高精細画素となるＧ画素とＷ画素よりも大きな開口面積となっている。そして本実施形態におけるＷ画素は、カラーフィルタレスであってブラックマトリクスＢＭ間がブランクとなっており、他色の画素よりも高い輝度で発光する。すなわち本実施形態の表示装置では、Ｗ画素が導入されることによる信号処理方式が採用されて高い効率となる発光輝度調整機能が実現され、高輝度発光となるＷ画素が、ＲＧＢの画素で形成される共通白色成分を受け持つことで、ＲＧＢの画素による発光を少なくできて消費電力を低減することができるようになっている。このようにＷ画素は、輝度を稼いで表示装置の消費電力を抑えるためのものであるため、所定基準よりも大きい低精細画素に属すようにするよりも、高精細画素に属すようにするのがよい。またＷ画素を、低精細画素ではなく高精細画素に属すようにするほうが、彩度の高い画像表示をしやすくなる。

【0020】

また低精細画素は、図３（ａ）において示されるように、横方向に第１のピッチを置いて、かつ、縦方向に第２のピッチを置いてマトリクス状に配列される。高精細画素は、低精細画素と同様のピッチでマトリクス状に配列されており、低精細画素を基準として、横方向に第１のピッチよりも小さい距離ずれて、かつ、縦方向に第２のピッチよりも小さい距離ずれた位置となっている。具体的には、図３（ｂ）で示されるように、低精細画素の画素中心は、矩形格子状（具体的には正方格子状）に配列された複数の格子点Ｆ（●）からなる第１の格子点群に重複して配置され、高精細画素の画素中心は、第１の格子点群に対して縦方向・横方向に半ピッチずれた位置にて矩形格子状に配列された複数の格子点Ｓ（○）からなる第２の格子点群に重複して配置される。

【0021】

また図３（ａ）で示されるように、低精細画素となるＲ画素およびＢ画素は、縦方向および横方向にて交互に配置されるようになっている。本実施形態における低精細画素は、斜め４５度方向よりも縦方向または横方向の画素間距離が小さくなり、低精細画素の画素間距離が小さくなる縦方向および横方向において、Ｒ画素とＢ画素が交互に配列される。換言すると、第１の格子点群における最小の格子点間距離に対応する方向でＲ画素とＢ画素が交互に配列されるようになっており、これにより、画素面積の大きいＲ画素とＢ画素とが近接して局所的に同色の発光が際立つのを避けるようにしている。

【0022】

また高精細画素は、低精細画素の格子点間距離が大きい斜め４５度方向で隣接する２つの低精細画素の間を埋めるように配置され、本実施形態では、図３（ａ）のようにＧ画素数とＷ画素数が３対１となるように配置される。Ｗ画素よりもＧ画素のほうが精細度認識への貢献が大きいものとなっており、Ｗ画素よりもＧ画素を多くすることで、精細度を向上できる。また図３（ａ）おける主画素に対応する単位領域は、例えば、破線枠Ｍのように定義されて、同一配列の副画素で構成された単位領域が、縦横方向に配列されるものとなっており、各単位領域では、Ｒ画素やＢ画素がＧ画素よりも間引かれて、Ｇ画素の個数がＲ画素の個数やＢ画素の個数よりも多くなっている。

【0023】

また副画素の開口面積としては、低精細画素のＲ画素やＢ画素よりも、高精細画素であるＧ画素やＷ画素が小さく、さらに、Ｗ画素がＧ画素よりも小さいほうが望ましい。図３においては、各副画素は、正方形が４５度方向に傾斜して配置されたダイヤモンド形状をしているが、本発明はこのような態様に限定されず、画素の開口部分が他の形状をしていてもよい。尚、図３においてＷ画素が何のハッチングもないもの、Ｇ画素が右下に延びる斜めのハッチングがあるもの、Ｂ画素が横方向のハッチングがあるもの、Ｒ画素が縦方向のハッチングがあるものである。

【0024】

次に図４（ａ）は、第１の実施形態の変形例１における表示領域ＤＰの画素のレイアウトを示す図であり、図４（ｂ）は、第１の実施形態の変形例２における表示領域ＤＰの画素のレイアウトを示す図である。変形例１においては、Ｇ画素数とＷ画素数とが７：１となっており、Ｗ画素を含む主画素となる単位領域Ｍ１と、Ｗ画素を含まない主画素となる単位領域Ｍ２が交互に配列される。換言すると、単位領域Ｍ２において複数存在するＧ画素のうちの一部が、単位領域Ｍ１ではＷ画素に置き換えられたものとなっており、これにより、図３の例に比べて画質の改善が図られている。

【0025】

変形例２においては、Ｇ画素数とＷ画素数とが３：１となっているものの、互いに隣接する単位領域Ｍ１と単位領域Ｍ２においてＷ画素の配置位置が異なっており、これにより図４の（ａ）の例と比べて画質の改善が図られている。また別の観点では、Ｗ画素が配置される高精細画素の列が１列おきに存在し、さらに、互いに近接するＷ画素を備えた高精細画素の２つの列では、Ｗ画素の配置が縦方向にずれるようになっている。

【0026】

また図５は、第１の実施形態の変形例３における表示領域ＤＰの画素のレイアウトを示す図である。同図で示されるように変形例３では、高精細画素において、Ｇ画素およびＷ画素の他に、シアン（Ｃｙ）画素、マゼンダ（Ｍｇ）画素、イエロー（Ｙ）画素を含むものとなっており、Ｃｙ画素、Ｍｇ画素、Ｙ画素が配置される高精細画素の列が一列おきに存在する。そして、ひとつの列においてはＣｙ画素、Ｍｇ画素、Ｙ画素のいずれかと、Ｇ画素が交互に配置されており、Ｃｙ画素、Ｍｇ画素、Ｙ画素が配置される高精細画素の列の間には、Ｇ画素とＷ画素が交互に配置された高精細画素の列が存在する。また、Ｃｙ・Ｍｇ・Ｙ画素と、Ｗ画素は、異なる行にて配置されるようになっており近接するのを避けることで画質が改善されるようになっている（換言すると、高精細画素の配列に対応する第２の格子点群における縦・横方向では、Ｇ画素とＷ画素とが隣接し、Ｇ画素とＣｙ・Ｍｇ・Ｙ画素とが隣接するようになっており、第２の格子点群における最小の格子点間距離では、Ｗ画素と、Ｃｙ・Ｍｇ・Ｙ画素が隣接しないようになっている）。尚、図５において、Ｙ画素が左下に延びる斜めのハッチングがあるもの、Ｃｙ画素が横方向のハッチングがあり尚且つＢ画素よりもハッチングの間隔が広いもの、Ｍｇ画素が縦方向のハッチングがあり尚且つＲ画素よりもハッチング間隔が広いものである。

【0027】

［第２の実施形態］
次に本発明の第２の実施形態について説明する。図６は、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置１における表示領域ＤＰの画素のレイアウトを示す図である。

【0028】

図６（ａ）にて示されるように、第２の実施形態の画素のレイアウトは、第１の実施形態の場合よりも低精細画素の密度が少なくなる代わりに、高精細画素数が向上して、より滑らかな画像表示が実現されるものとなっている。

【0029】

第２の実施形態では、図６（ｂ）で示されるように、Ｒ画素およびＢ画素に対応する低精細画素の画素中心は、斜方格子状に配置された複数の格子点Ｆ（●）からなる第１の格子点群に重複するように配置され、低精細画素の周囲において高精細画素が配置されるようになっている。高精細画素は、図６（ａ）においても示されるように、低精細画素の縦方向、横方向、斜め４５度方向のそれぞれに配置され、第２の実施形態における画素配列では１つの低精細画素の周囲に８個の高精細画素が配置されている。

【0030】

低精細画素に含まれるＲ画素及びＢ画素は、第１の格子点群にて最小の格子点間距離で連なる複数の格子点において交互となるように配置され（すなわち、第１の格子点群が斜方格子状の配置であるため、斜め４５度方向にて交互となるように配置され）、これにより低精細画素の発光色が固まって認識されるのが防止されている。また図６（ａ）で示されるように、Ｇ画素（後述の、Ｇ１画素とＧ２画素を合わせたもの）がＷ画素よりも多く配置されており、Ｇ画素とＷ画素の比率が３：１となっている。Ｇ画素は、斜め方向で交互に配列されるＲ画素とＢ画素の間に配置されるようになっており、Ｗ画素は、第１の格子点群にて斜方格子の一単位を構成する４つの格子点の中央となる位置に配置される。

【0031】

高精細画素の画素中心は、第１の格子点群に対して縦方向または横方向に半ピッチずれて斜方格子状に配置される複数の格子点Ｓ（○）によって構成される第２の格子点群と、縦方向および横方向のピッチが、第１の格子点群のほぼ半分となって矩形格子状に配置される複数の格子点Ｔ（◇）によって構成される第３の格子点群に重複して配置されるものとなっている（図６（ｂ）参照）。なお高精細画素としては、必ずしもこのような第２の格子点群や第３の格子点群に画素中心が配置されておらずともよく、例えば、第１の格子点群に対して縦・横方向に１／３ピッチずつずれた格子点群上に高精細画素の画素中心が配置されていてもよく、高精細画素の配置は本実施形態の配置に限定されない。

【0032】

また第２の実施形態においては、Ｗ画素と、Ｒ又はＢ画素の画素間距離が、Ｇ画素と、Ｒ又はＢ画素の画素間距離よりも広くなっており、視感度の低いＲ画素やＢ画素に対するＷ画素の影響が低減されて画質が向上するようになっている。

【0033】

また副画素の開口面積としては、低精細画素のＲ画素やＢ画素よりも、高精細画素であるＧ画素やＷ画素が小さく、さらに、Ｗ画素がＧ画素よりも小さいほうが望ましい。図３においては、各副画素は、正方形が４５度方向に傾斜して配置されたダイヤモンド形状をしているが、本発明はこのような態様に限定されず、画素の開口部分が他の形状をしていてもよい。

【0034】

また特に、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置１においては、Ｇ画素がＧ１画素とＧ２画素の２種類に対応しており、前者の画素には濃緑、後者の画素には薄緑を着色するカラーフィルタ層ＣＦが形成されている。このように２種類のＧ画素が単位領域に含まれることで、滑らかな表示が得られるようになっている。

【0035】

なおＧ１画素とＧ２画素において、同一の緑色を着色するカラーフィルタ層ＣＦを形成し、Ｇ１画素では信号処理により暗い緑で発光するようにし、Ｇ２画素では信号処理により明るい緑で発光するようにしてもよい。例えば、Ｇ１画素では第１の範囲となる輝度値で発光し、Ｇ２画素では第２の範囲となる輝度値で発光するようにし、第１の範囲における中央値が第２の範囲における中央値よりも低くなるようにしてもよい。Ｇ１画素とＧ２画素が交互に配列されていることで、なめらかな表示が得られるようになる。尚、図６において、Ｇ１画素が右下に延びる斜めのハッチングがあるもの、Ｇ２画素が右下に延びる斜めのハッチングがあり尚且つＧ１画素よりもハッチングの間隔が広いものである。

【0036】

次に、図７は、第２の実施形態の変形例１における有機ＥＬ表示装置１の画素配列を示す図である。同図で示されるように、変形例１の表示領域ＤＰでは、Ｇ画素がＧ１画素とＧ２画素の２種類に対応しており、前者の画素には濃緑、後者の画素には薄緑を着色するカラーフィルタ層ＣＦが形成されている。変形例１は、Ｇ１画素とＧ２画素が斜め４５度方向に列をなして連続的に配列されている（低精細画素の斜め方向のピッチの半分のピッチで連続的に配列されている）点にて、図６の場合と相違しており、このようにＧ１画素とＧ２画素が近接して間に他色の画素を挟まずに配列されることで、カラーフィルタ基板を作成しやすくなる。

【0037】

また、図８は、第２の実施形態の変形例２における有機ＥＬ表示装置１の画素配列を示す図である。図８（ａ）で示されるように、変形例２の表示領域ＤＰのＧ画素は、所定方向において低精細画素よりも大きなサイズで延在する延在画素として形成されている点にて、図７の場合と相違している。

【0038】

本変形例における延在画素は、図７の２つの画素（Ｇ１画素とＧ２画素）を連結させたような形状をしており、図６や図７の場合と比べて画素回路の配置に余裕ができるものとなる。

【0039】

ここで図８（ｂ）を用いて、延在画素についてさらに詳細に説明をする。図８（ｂ）に示される第１の格子点Ｆ１、第２の格子点Ｆ２、第３の格子点Ｆ３、第４の格子点Ｆ４は、斜方格子状に配置された第１の格子点群において最小の格子単位となる四角形の周方向に並ぶ４つの格子点を示している。そして、第１の格子点Ｆ１には第１の低精細画素Ｌ１が配置され、第２の格子点Ｆ２には第２の低精細画素Ｌ２が配置され、第３の格子点Ｆ３には第３の低精細画素Ｌ３が配置され、第４の格子点Ｆ４には第４の低精細画素Ｌ４が配置されており、第１の低精細画素Ｌ１と第２の低精細画素Ｌ２の間には第１の高精細領域Ｈ１が配置され、第２の低精細画素Ｌ２と第３の低精細画素Ｌ３の間には第２の高精細領域Ｈ２が配置され、第３の低精細画素Ｌ３と第４の低精細画素Ｌ４の間には第３の高精細領域Ｈ３が配置され、第４の低精細画素Ｌ４と第１の低精細画素Ｌ１の間には第４の高精細領域Ｈ４が配置される。また、第１の格子点Ｆ１と第３の格子点Ｆ３を結ぶ直線と、第２の格子点Ｆ２と第４の格子点Ｆ４を結ぶ直線の交点（最小の格子単位となる四角形の中心となる位置）には、第５の高精細領域Ｆ５が配置されており、各延在画素ＥＸは、第５の高精細領域Ｆ５と、第１〜第４の高精細領域Ｆ１〜Ｆ４のいずれかと跨るように形成されるものとなっている。

【0040】

また別の観点においては、本変形例の延在画素ＥＸは、第１の格子点群において最小の格子単位を構成する四角形の一辺における中点と、当該四角形の対角線の交点とを含むように延在するものとなっており、上述の第２の格子点群に属する１つの格子点Ｓと、当該格子点Ｓに隣接して第３の格子点群に属する１つの格子点Ｔと重複するように延在するものとなっている。

【0041】

なお、このような延在画素ＥＸとしては、必ずしも長方形状の形状をしておらずともよく、楕円状であってもよいし他の形状をしていてもよいが、少なくとも低精細画素よりも開口面積が小さくなるようにする。

【0042】

次に、図９は、第２の実施形態の変形例３における有機ＥＬ表示装置１の画素配列を示す図である。同図で示されるように、変形例３の有機ＥＬ表示装置１では、図７の場合とで、Ｗ画素とＧ画素の配置が異なるとともに、Ｗ画素がＧ画素よりも小さい開口面積となっている。

【0043】

具体的には、Ｗ画素の画素中心は、複数の格子点Ｔが属する矩形格子状の第３の格子点群に対応して配置され、Ｇ画素の画素中心は、複数の格子点Ｓが属する斜方格子状の第２の格子点群に対応して配置される。また主画素に対応する単位領域Ｍでは、Ｗ画素がＧ画素よりも多くの個数を有するようになっているが、Ｗ画素をＧ画素よりも小さな開口面積としてバランスをとることで、精細度認識への貢献の大きいＧ画素を際立たせるようにしている。

【0044】

このように、Ｇ画素よりも開口面積の小さいＷ画素を、Ｇ画素よりも多くすることで、コンタクトＣＨ等を形成するスペースを確保しやすくして製造上の負荷が低減できることとなる。また、単位領域Ｍ内の４つのＷ画素が同一輝度となるように制御してもよい。この場合においては、同一の映像信号線Ｄａｔａから４つのＷ画素に信号が分岐されて供給されてもよいし、単位領域Ｍ内の４つのＷ画素に跨る画素電極ＰＸが形成されて、当該画素電極ＰＸに１つの映像信号線Ｄａｔａから信号が供給されてもよい。また、画素電極ＰＸとしては、第３の格子点群に属する少なくとも２つの格子点Ｔを含むように形成されて、この２つの格子点Ｔを含む画素電極ＰＸに１つの映像信号線Ｄａｔａから信号が供給されてもよい。尚、コンタクトＣＨは、Ｗ画素に関してはＷ画素の開口とＧ画素の開口の間に配置され、Ｇ画素に関してはＷ画素の開口とＧ画素の開口の間に配置され、Ｂ画素に関してはＷ画素の開口とＢ画素の開口の間に配置され、Ｒ画素に関してはＷ画素の開口とＲ画素の開口の間に配置される。Ｇ画素、Ｂ画素、Ｒ画素に関してはもっとも開口に小さいＷ画素との間に設けられ、Ｗ画素に関しては隣にもっとも開口の小さいＷ画素が無いのでＧ画素との間に設けられる。このようにすることで、各画素を隣接させつつコンタクトＣＨを設けることができる。

【0045】

次に、図１０は、第２の実施形態の変形例４における有機ＥＬ表示装置１の画素配列を示す図である。同図で示されるように変形例４では、高精細画素において、Ｇ画素およびＷ画素の他に、シアン（Ｃｙ）画素、マゼンダ（Ｍｇ）画素、イエロー（Ｙ）画素を含むものとなっている。具体的には、第３の格子点群に対応する格子点Ｔにおいて、Ｃｙ・Ｍｇ・Ｙ・Ｗ画素が配置され、第２の格子点群に対応する格子点ＳにおいてＧ画素が配置されるものとなっている。このように、Ｃｙ・Ｍｇ・Ｙ画素を高精細画素に含ませるようにすることで、より高画質の有機ＥＬ表示装置１を実現できる。また高精細画素としては、着色されるカラーに基づいて開口面積を異ならせるようにしてもよい。

【0046】

以上のようにして、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置１とその変形例を説明したが、上記では第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１等との相違点を中心に説明をしており、第１の実施形態等の場合とほぼ同様になる点についての説明は適宜省略している。

【0047】

［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図１１は、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置１における表示領域ＤＰの画素のレイアウトを示す図である。

【0048】

図１１（ａ）で示されるように、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、一対のＲ画素とＢ画素の間に高精細画素が存在しないように隣接して配置されて、その周囲に、低精細画素よりも所定の方向において大きな寸法を有する高精細画素が配置されるようになっている。一対の低精細画素が近接して配置されることで、第２の実施形態の変形例２（図８）の場合と比べて、多くの延在画素を配列しやすくすることができ、画素回路の配置にさらなる余裕を持たせることができるものとなる。

【0049】

ここで図１１（ｂ）を用いて、延在画素についてさらに詳細に説明をする。本実施形態の表示領域ＤＰでは、まず複数の格子点Ｆが矩形格子状に配置された第１の格子点群に重複してＢ画素の画素中心が配置され、さらに各Ｂ画素に対しては、斜め４５度方向（第一の格子点群において最小の格子単位を構成する四角形の対角線方向）にてＲ画素が隣接するように配置される。このＲ画素は、第１の格子点群に属する格子点Ｆ（●）を基準として、縦方向に１／４ピッチ、横方向に１／４ピッチずれた格子点Ｓ（○）を基準として配置されるものとなっている。

【0050】

そして、一対のＢ画素とＲ画素の周囲を埋めるようにして配置される高精細画素は、第１の格子点群において最小の格子単位を構成する四角形の対角線方向にて、低精細画素よりも長い寸法を有する延在画素となっている。換言すると、本実施形態における延在画素は、格子点Ｆから縦方向に１／２ピッチずれた点（×）、横方向に１／２ピッチずれた点（×）、又は、縦方向および横方向に１／２ピッチずれた点（×）のいずれかから、第１の格子点群における最小の格子単位の四角形の対角線方向に延在し、これらのいずれかの点を基準として縦方向および横方向に１／４ピッチずつずれた点（△）に至るものとなっている。

【0051】

なお、このような延在画素としては、必ずしも長方形状の形状をしておらずともよく、楕円状であってもよいし他の形状をしていてもよいが、少なくとも低精細画素よりも開口面積が小さくなるようにする。

【0052】

以上のようにして、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置１を説明したが、上記では第２の実施形態等の有機ＥＬ表示装置１との相違点を中心に説明をしており、第２の実施形態等の場合とほぼ同様になる点についての説明は適宜省略している。

【0053】

［第４の実施形態］
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。図１２は、第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置１における表示領域ＤＰの画素のレイアウトを示す図である。

【0054】

図１２（ａ）で示されるように、第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、低精細画素にＷ画素が含まれるようになっており、Ｒ画素およびＢ画素がＧ画素よりも間引かれているうえに、さらにＢ画素の一部がＷ画素に置き換えられたものとなっている。また、各単位領域Ｍの低精細画素では、Ｒ画素とＢ画素とＷ画素が４：３：１の比率で存在している。また横方向で隣接する単位領域ＭではＷ画素の位置が同一となるように配列されており、縦方向で隣接する単位領域ＭではＷ画素の位置が互い違いとなるように配列されている。

【0055】

低精細画素であるＢ画素の一部がＷ画素に置き換えられることで、視感度の低い青色に白色が割り当てられることとなり解像度に対する悪影響を減少させることができる。

【0056】

図１２（ｂ）は、第４の実施形態の変形例１にかかる有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＰの画素のレイアウトを示す図である。図１２Ｂで示されるように変形例１の表示領域ＤＰでは、低精細画素のＢ画素の一部がＷ画素に置き換えられているほかに、さらに、高精細画素においてもＷ画素が含まれるようになっている点で、図１２（ａ）の場合と相違している。なお図１２（ａ）および図１２（ｂ）においては、各副画素は、正方形が４５度方向に傾斜して配置されたダイヤモンド形状をしているが、本発明はこのような態様に限定されず、画素の開口部分が他の形状をしていてもよい。

【0057】

以上のようにして、第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置１を説明したが、上記では第１の実施形態等の有機ＥＬ表示装置１との相違点を中心に説明をしており、第１の実施形態等の場合とほぼ同様になる点についての説明は適宜省略している。

【0058】

［第５の実施形態］
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。図１３は、第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置１における表示領域ＤＰの画素のレイアウトを示す図である。

【0059】

図１３（ａ）で示されるように、第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、単位領域単位領域Ｍにおいて、低精細画素と高精細画素の他に、透明画素ＴＰを含んでおり、透明ディスプレイとなっている。また図１３（ａ）における低精細画素は、第２の実施形態の図６の低精細画素の配置と同様となっており、透明画素（透明開口部）ＴＰと、高精細画素であるＧ画素とＷ画素とが、低精細画素の周囲に配置されるようになっている。

【0060】

図１３（ｂ）は、第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置１の変形例１の表示領域ＤＰの画素のレイアウトを示す図である。同図で示されるように、変形例１においてはＷ画素が配置される代わりに透明画素ＴＰがさらに配置されて、ディスプレイの透明度がさらに向上するようになっている。

【0061】

またこの変形例１においてはＷ画素が配置されないことから、対向基板Ｂ２にカラーフィルタ層ＣＦが配置されることによる着色よりも、有機層ＯＬがＲＧＢ別々に塗り分けられて着色されるようにするのが望ましい。

【0062】

図１４は、有機層ＯＬが塗り分けられて着色される変形例１の透明画素ＴＰの断面の一例を示す図である。透明画素ＴＰにおいては、有機層ＯＬや下部電極ＰＸ等が存在せず、素子基板Ｂ１側から光がそのまま対向基板Ｂ２の外側に透過するようになっており、これにより透明ディスプレイが実現される。

【0063】

なお有機層ＯＬが塗り分けられて着色される変形例１の場合には、図１４で示されるように対向基板Ｂ２にてブラックマトリクスＢＭが形成されていなくてもよい。有機層ＯＬのうちの発光層は各画素ごとに塗り分けられる形状となる。また、有機層ＯＬの一部（具体的には、電子注入層や電子輸送層、正孔輸送層や正孔注入層）が透明画素ＴＰや他の画素にて共通するように形成されていてもよい。また図１４においてはバンク層ＢＫや有機層ＯＬが形成されていないが、透明画素ＴＰにおいてもこれらが存在してもよいし、バンク層ＢＫにより有機層ＯＬが画素毎に分断されるようにして形成されていてもよい。また透明画素ＴＰとしては、バンク層ＢＫや有機層ＯＬが存在しない方が透過率の向上のために望ましい。また透過率の向上のためにも、他の画素にて下部電極ＰＸと接続される薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜が、透明画素ＴＰ内では排除されていてもよい。

【0064】

なお、上記の各実施形態の表示領域ＤＰの画素配列においてＷ画素の代わりに透明画素ＴＰが配置されていてもよいし、Ｗ画素の一部が透明画素ＴＰに置き換えられるようにしてもよい。具体的には、図３〜８、１０〜１２における全てのＷ画素が透明画素ＴＰに置き換えられてもよく、一部のＷ画素が透明画素ＴＰに置き換えられてもよい。

【0065】

図１５はＲＧＢ別々に塗り分けられた形態の有機ＥＬ表示装置における画素領域の断面模式図の一例を示すものである。

【0066】

対向基板Ｂ２上にはカラーフィルタＣＦやブラックマトリクスＢＭが無く、有機層ＯＬ１がバンク層ＢＫ上にて分断されている。（有機層ＯＬ１の材料は発光層に関しては、各色の画素ごとに別のものとなっており、その他の電子注入層や電子輸送層、正孔輸送層や正孔注入層は共通のものとなっているが、図１５においては電子注入層等の表記を省略しており、有機層ＯＬ１がバンク層ＢＫ上にて分断されている。）さらにこの形態の有機ＥＬ表示装置にはＷ画素が存在せず、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素が存在する。Ｙ画素、Ｃｙ画素、Ｍｇ画素が存在しても良い。

【0067】

図１５の形態は、図３〜８、１０〜１２における全てのＷ画素が透明画素ＴＰに置き換えられたものに適用可能である。さらに図１３の（ｂ）に適用可能である。このようにして透明ディスプレイとすることが可能となり、その透過率は透明画素ＴＰの面積密度に比例する。

【0068】

この場合透明画素ＴＰは透過率を上げるために、すくなくともＧ画素よりも開口が大きく、できればＢ画素やＲ画素よりも同じか大きい方が好ましい。

【0069】

図１５のように塗り分け方式としたために、カラーフィルタによる光量の減衰が無いためにＷ画素による低消費電力処理が原理的に不要であり、Ｗ画素が無い分、そのＷ画素の箇所を光透過部に置き換え可能であり、透明ディスプレイの透過率ＵＰを図ることが可能となる。Ｗ画素挿入に伴う画像処理も不要となり、開発コストダウン、画像処理に伴う消費電力ＵＰ、画像処理のための回路やプログラム格納領域が不要になる。Ｗ画素の有機層ＯＬ１も当然に形成する必要もない。尚、電子注入層や電子輸送層、正孔輸送層や正孔注入層は電気混色を防ぐために各色でバンク層ＢＫにて分離してもよいし、これら電子注入層や電子輸送層、正孔輸送層や正孔注入層を各画素にて共通とし、有機層ＯＬ１内の発光層のみを各画素においてバンクにて分離するようにしてもよい。また、ブラックマトリクスもないようにしたが、光学混色をより防ぐためにバンク層ＢＫ直上の対向基板Ｂ２上に設けてもよい。塗り分けの方法としてはマスクを用いて塗り分けを行ってもよく、インクジェット等のプリント方式によって塗り分けを行っても良い。

【0070】

尚、図１５においてはブラックマトリクスが存在しない。そのために発光領域ＥＲが、各画素の開口に対応するものとなる。この発光領域ＥＲは下部電極ＰＸ、有機層ＯＬ１、上部電極ＣＤが互いに接する領域であり、電流をこれら構成要素に流した時に発光する領域となる。

【0071】

また第５の実施形態の透明ディスプレイの裏側から表側への透過率は、表示領域ＤＰにおける透明画素ＴＰの面積密度に比例するものとなっている。対向基板Ｂ２においてブラックマトリクスＢＭが形成される場合には、透明画素ＴＰのブラックマトリクスＢＭによる開口面積としては、高精細画素（Ｇ画素）の開口面積よりも大きくするのが好ましく、さらに、低精細画素（Ｒ画素やＢ画素）の開口面積よりも同一か大きくなるようにするのが望ましい。また、対向基板Ｂ２においてブラックマトリクスＢＭが形成されない場合には、第１走査線ＢＧや映像信号線Ｄａｔａ等の配線によって仕切られる透明画素ＴＰの開口面積としては、Ｇ画素の有機層ＯＬによる発光面積よりも大きくするのが好ましく、さらに、Ｒ画素やＢ画素の有機層ＯＬによる発光面積と同一か大きくなるようにするのが望ましい。

【0072】

以上のようにして、第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置１を説明したが、上記では第１の実施形態等の有機ＥＬ表示装置１との相違点を中心に説明をしており、第１の実施形態等の場合とほぼ同様になる点についての説明は適宜省略している。

【0073】

また図１６は主画素としての単位領域Ｍと画像アドレスとの関係を示している。以下、図１６を用いて、各実施形態における主画素としての単位領域Ｍ内に配置される副画素について説明をする。

【0074】

Ｐ（ｘ、ｙ）は、任意の場所の画像アドレスを表している。図１６にてあらわされているように、１フレーム内にて1行目順次左から右に画像アドレスがスキャンされていき、読みだされた表示データに従って有機ＥＬ表示装置１が駆動される。次に２行目の左から右にスキャンされ、順次下の列に移っていって最終的にＰ（ｍ，ｎ）がスキャンされて、読みだされた表示データに従って有機ＥＬ表示装置１が駆動される。ここでｍ、ｎ、ｘ、ｙはそれぞれ自然数である。

【0075】

このように各々のＰ（ｘ、ｙ）に対応する有機ＥＬ表示装置１の領域が単位領域Ｍである。この単位領域Ｍに対応するＰ（ｘ、ｙ）に格納されたデータは各色ごとに同一の画素データが格納されており、違う色においては異なるデータとなる。例えば単位領域ＭにＲ画素が２つ、Ｂ画素が２つ、Ｇ画素が３つ、Ｗ画素が１つ含まれていた場合、これら単位画素Ｍ内の２つのＲ画素はＰ（ｘ、ｙ）から読みだされた同一のデータを用い、２つのＢ画素はＰ（ｘ、ｙ）から読みだされた同一のデータを用い、３つのＧ画素はＰ（ｘ、ｙ）から読みだされた同一のデータを用い、１つのＷ画素はＰ（ｘ、ｙ）から読みだされた同一のデータを用いる形となる。Ｒ画素、Ｂ画素、Ｇ画素、Ｗ画素においては各々違うＰ（ｘ、ｙ）に対応する格納領域の違うデータを用いることとなる。

【0076】

なお、上記の各実施形態における表示装置は、有機ＥＬ表示装置１となっているが、本発明はこれに限定されず、例えば、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：quantum-dot light emitting diode）のような自発光素子を表示領域ＤＰの各画素に備えた自発光表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。またボトムエミッション型の自発光表示装置であってもよい。

【0077】

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、本発明で述べた単位領域Ｍの形状については、記載した実施形態に限定されず、内部に構成される画素の位置関係を概略維持して、より単純化した矩形や多角形等としてもよい。本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。また例えば、上記の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0078】

１ 有機ＥＬ表示装置、２ ドライバＩＣ、ＢＧ 第１走査線、ＳＧ 第２走査線、Ｖｒｓｔ リセット配線、Ｄａｔａ 映像信号線、ＤＰ 表示領域、Ｂ１ 素子基板、Ｂ２ 対向基板、ＢＭ ブラックマトリクス、ＣＦ カラーフィルタ層、ＰＵ 充填材、ＰＲ 保護層、ＣＤ 上部電極、ＯＬ，ＯＬ１ 有機層、ＢＫ バンク層、ＰＬ 平坦化膜、ＰＸ 下部電極、Ｍ，Ｍ１，Ｍ２ 単位領域、Ｒ 赤色画素、Ｂ 青色画素、Ｇ，Ｇ１，Ｇ２ 緑色画素、Ｗ 白色画素、Ｙ イエロー画素、Ｃｙ シアン画祖、Ｍｇ マゼンダ画素、Ｆ 第１の格子点群に属する格子点、Ｓ 第２の格子点群に属する格子点、Ｔ 第３の格子点群に属する格子点、Ｆ１〜Ｆ４ 第１〜第４の格子点、Ｌ１〜Ｌ４ 第１〜第４の低精細画素、Ｈ１〜Ｈ５ 第１〜第５の高精細領域、ＥＸ 延在画素、ＣＨ コンタクト、ＴＲ トランジスタ、ＴＰ 透明画素、ＥＲ 発光領域。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】