特許第6484328号(P6484328)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6484328バッファ層スタック上にＩＩＩ−Ｖ族の活性半導体層を備える半導体構造および半導体構造を製造するための方法
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