特許6484328バッファ層スタック上にＩＩＩ−Ｖ族の活性半導体層を備える半導体構造および半導体構造を製造するための方法

発明の名称　バッファ層スタック上にＩＩＩ−Ｖ族の活性半導体層を備える半導体構造および半導体構造を製造するための方法

出願人　エピガン　ナムローゼ　フェンノートシャップ　（識別番号 514012568）

　　　　特許公開件数ランキング 30460 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 24686 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6484328

公報発行日　2019年3月13

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6484328

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特許-6484328「バッファ層スタック上にＩＩＩ−Ｖ族の活性半導体層を備える半導体構造および半導体構造を製造するための方法」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録