特許 6489479 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6489479

(24)【登録日】2019年3月8日

(45)【発行日】2019年3月27日

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/306 20060101AFI20190318BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20190318BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/306 R

   H01L21/304 643A

【請求項の数】4

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2015-64802(P2015-64802)

(22)【出願日】2015年3月26日

(65)【公開番号】特開2016-184696(P2016-184696A)

(43)【公開日】2016年10月20日

【審査請求日】2017年12月22日

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100087701

【弁理士】

【氏名又は名称】稲岡 耕作

(74)【代理人】

【識別番号】100101328

【弁理士】

【氏名又は名称】川崎 実夫

(74)【代理人】

【識別番号】100170324

【弁理士】

【氏名又は名称】安田 昌秀

(72)【発明者】

【氏名】西村 優大

(72)【発明者】

【氏名】小林 健司

(72)【発明者】

【氏名】澤島 隼

(72)【発明者】

【氏名】林 豊秀

【審査官】 長谷川 直也

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−１３００１４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−２１７２２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１１−１６５１１４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０４５９７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１１−２６０７１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−２３１１３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０２２６７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２００９５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−２０７２６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−２３１７３２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７、２１／３０、２１／３０４−２１／３０６３、

２１／３０８、２１／４６、２１／４６５−２１／４６７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持ユニットと、
供給流路と、複数の上流流路と、複数の下流ヒータと、集合流路と、スリット吐出口と、を含み、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理液を供給する処理液供給システムとを含み、
前記供給流路は、前記複数の上流流路に分岐しており、処理液を前記複数の上流流路に向けて案内し、
前記複数の上流流路は、前記回転軸線に直交する径方向に平面視で並んだ複数の副下流端を有する複数の副上流流路と、前記複数の副下流端よりも前記回転軸線側に配置された主下流端を有する主上流流路とを含み、
前記複数の下流ヒータは、前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の副下流端に供給される処理液の温度が前記回転軸線から前記副下流端までの距離が増加するにしたがって高まるように前記複数の副上流流路を流れる処理液を加熱し、
前記集合流路の上流端は、前記複数の副上流流路の前記副下流端に接続されており、
前記集合流路の上流端の幅は、前記副上流流路の前記副下流端の幅以上であり、
前記集合流路の幅は、前記集合流路の上流端から前記集合流路の下流端まで減少しており、
前記スリット吐出口は、前記複数の副上流流路よりも下流の位置で前記集合流路に接続されており、平面視で前記基板の上面中央部と前記基板の上面周縁部との間で径方向に延びるスリット状であり、前記集合流路から供給された処理液を前記基板の上面に向けて吐出する、基板処理装置。

【請求項2】

前記スリット吐出口は、平面視で前記基板の上面中央部から前記基板の上面周縁部まで径方向に延びている、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記スリット吐出口の長手方向に直交する水平方向への長さを意味する前記スリット吐出口の幅は、平面視において、前記副上流流路の前記副下流端の幅よりも小さい、請求項１または２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記処理液供給システムは、複数のリターン流路と、下流切替ユニットとをさらに含み、
前記複数のリターン流路は、前記複数の下流ヒータよりも下流の位置で前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、
前記下流切替ユニットは、前記供給流路から前記複数の上流流路に供給された処理液が前記スリット吐出口に供給される吐出状態と、前記供給流路から前記複数の上流流路に供給された処理液が前記複数のリターン流路に供給される吐出停止状態と、を含む複数の状態のいずれかに切り替わる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、半導体ウエハ等の基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。前記基板処理装置は、基板を水平に保持しながら回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面中央部に向けて室温よりも高温の処理液を吐出するノズルとを備えている。ノズルから吐出された高温の処理液は、基板の上面中央部に着液した後、回転している基板の上面に沿って外方に流れる。これにより、高温の処理液が基板の上面全域に供給される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００６−３４４９０７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

回転している基板の上面中央部に着液した処理液は、基板の上面に沿って中央部から周縁部に流れる。その過程で、処理液の温度が次第に低下していく。そのため、温度の均一性が低下し、処理の均一性が悪化してしまう。ノズルから吐出される処理液の流量を増加させれば、処理液が基板の上面周縁部に達するまでの時間が短縮されるので、処理液の温度低下が軽減されるが、この場合、処理液の消費量が増加してしまう。

【0005】

そこで、本発明の目的の一つは、基板に供給される処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

前記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に処理液を供給する処理液供給システムとを含む、基板処理装置である。
前記処理液供給システムは、供給流路と、複数の上流流路と、複数の下流ヒータと、集合流路と、スリット吐出口と、を含む。前記供給流路は、前記複数の上流流路に分岐しており、処理液を前記複数の上流流路に向けて案内する。前記複数の上流流路は、前記回転軸線に直交する径方向に平面視で並んだ複数の副下流端を有する複数の副上流流路と、前記複数の副下流端よりも前記回転軸線側に配置された主下流端を有する主上流流路とを含む。前記複数の下流ヒータは、前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記複数の副下流端に供給される処理液の温度が前記回転軸線から前記副下流端までの距離が増加するにしたがって高まるように前記複数の副上流流路を流れる処理液を加熱する。前記集合流路の上流端は、前記複数の副上流流路の前記副下流端に接続されている。前記集合流路の上流端の幅は、前記副上流流路の前記副下流端の幅以上である。前記集合流路の幅は、前記集合流路の上流端から前記集合流路の下流端まで減少している。前記スリット吐出口は、前記複数の副上流流路よりも下流の位置で前記集合流路に接続されており、平面視で前記基板の上面中央部と前記基板の上面周縁部との間で径方向に延びるスリット状であり、前記集合流路から供給された処理液を前記基板の上面に向けて吐出する。集合流路は、２つ以上の副上流流路に接続されていれば、全ての副上流流路に接続されていなくてもよい。

【0007】

この発明によれば、処理液が、供給流路から複数の上流流路に供給される。複数の上流流路に含まれる複数の副上流流路に供給された処理液は、複数の下流ヒータによって加熱される。複数の下流ヒータによって加熱された処理液は、複数の副上流流路から集合流路に供給され、スリット吐出口から基板の上面に向けて吐出される。これにより、基板の上面中央部と基板の上面周縁部との間で径方向に延びる帯状の液膜が、スリット吐出口と基板との間に形成され、基板の上面内の直線状の領域に着液する。

【0008】

径方向に並んだ複数の吐出口から基板の上面に向けて処理液を吐出させると、処理液は、径方向に離れた複数の着液位置（処理液が最初に基板に接触する位置）に着液する。処理液がエッチング液である場合、着液位置でのエッチングレート（単位時間あたりのエッチング量）は、隣接する２つの着液位置の間の位置でのエッチングレートよりも高い。そのため、処理の均一性が低下してしまう。したがって、スリット吐出口から吐出された処理液を径方向に連続した直線状の領域に着液させることにより、このような均一性の低下を防止できる。

【0009】

また、複数の副上流流路の複数の副下流端に供給される処理液の温度は、回転軸線から副下流端までの距離が増加するにしたがって高まる。複数の副下流端の真下の位置には、複数の副下流端に供給された処理液と同じまたはほぼ同じ温度の処理液が着液する。これに対して、前記真下の位置の間の位置には、隣接する２つの複数の副下流端に供給された処理液の混合液が着液する。つまり、互いに異なる温度の処理液が隣接する２つの複数の副下流端に供給され、この２つの温度の間の温度の処理液が、前記真下の位置の間の位置に着液する。

【0010】

このように、スリット吐出口の各位置での処理液の温度が、回転軸線から離れるにしたがって段階的または連続的に増加するので、均一な温度の処理液をスリット吐出口から吐出させる場合と比較して、基板上での処理液の温度の均一性を高めることができる。これにより、処理の均一性をさらに高めることができる。したがって、基板の上面中央部だけに処理液を着液させる場合と比較して、基板に供給される処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることができる。

【0011】

また、基板の処理において、同一品質の処理液を基板の各部に供給することは、処理の均一性向上に対して重要である。上流流路ごとにタンクやフィルター等が設けられている場合、ある上流流路に供給される処理液とは品質が異なる処理液が他の上流流路に供給され得る。これに対して、本実施形態では、同じ流路（供給流路）内の処理液を各上流流路に供給する。これにより、同一品質の処理液を基板の各部に供給することができる。さらに、上流流路ごとにタンクやフィルター等が設けられている構成と比較して、部品点数を削減でき、メンテナンス作業を簡素化できる。

【0012】

請求項２に記載の発明は、前記スリット吐出口は、平面視で前記基板の上面中央部から前記基板の上面周縁部まで径方向に延びている、請求項１に記載の基板処理装置ある。
この発明によれば、スリット吐出口が、平面視で基板の上面中央部および上面周縁部に重なっている。スリット吐出口から吐出された処理液は、基板の上面中央部および上面周縁部を含む直線状の領域に同時に着液する。スリット吐出口は、回転している基板の上面に向けて処理液を吐出する。基板と前記直線状の領域との相対的な位置関係は、基板の回転によって変化する。これにより、処理液が基板の上面全域に着液するので、処理の均一性を高めることができる。

【0013】

請求項３に記載の発明は、前記スリット吐出口の長手方向に直交する水平方向への長さを意味する前記スリット吐出口の幅は、平面視において、前記副上流流路の前記副下流端の幅、たとえば前記副下流端の幅の最大値よりも小さい、請求項１または２に記載の基板処理装置ある。幅は、径方向（スリット吐出口の長手方向）に直交する水平方向への長さを意味する。
この発明によれば、スリット吐出口の幅が狭いので、副上流流路に供給された処理液の一部は、スリット吐出口に到達する前に集合流路内で長手方向に広がり、副上流流路に供給された残りの処理液は、集合流路内でスリット吐出口の長手方向に広がることなくスリット吐出口に到達する。そのため、処理液の一部は、他の副上流流路に供給された処理液と集合流路の内部または基板とスリット吐出口との間の空間で混ざり合う。これにより、基板に供給される処理液の温度を、回転軸線から離れるにしたがって段階的または連続的に増加させることができる。

【0014】

前記集合流路の下流端の幅は、前記スリット吐出口の幅と等しい。前記集合流路の上流端の幅は、前記副下流端の幅以上であることが好ましい。前記集合流路の幅は、上流端から下流端まで連続的に減少していてもよいし、段階的に減少していてもよい。集合流路の上流端の幅が副下流端の幅以上である場合、集合流路内での処理液の流れが、集合流路の上流端で妨げられにくい。したがって、集合流路の上流端の幅が副下流端の幅未満である場合と比較して、スリット吐出口から吐出される処理液の圧力低下を低減できる。

【0015】

請求項４に記載の発明は、前記処理液供給システムは、複数のリターン流路と、下流切替ユニットとをさらに含み、前記複数のリターン流路は、前記複数の下流ヒータよりも下流の位置で前記複数の副上流流路にそれぞれ接続されており、前記下流切替ユニットは、前記供給流路から前記複数の上流流路に供給された処理液が前記スリット吐出口に供給される吐出状態と、前記供給流路から前記複数の上流流路に供給された処理液が前記複数のリターン流路に供給される吐出停止状態と、を含む複数の状態のいずれかに切り替わる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置ある。

【0016】

処理液の温度は、基板の処理に大きな影響を及ぼす場合がある。吐出停止中に下流ヒータを停止させると、下流ヒータの運転を再開したときに、下流ヒータによって加熱された処理液の温度が意図する温度で安定するまでに時間がかかる。そのため、直ぐに処理液の吐出を再開することができず、スループット（単位時間あたりの基板の処理枚数）が低下する。したがって、吐出停止中であっても、下流ヒータに液体を加熱させることが好ましい。

【0017】

この発明によれば、吐出停止中に、処理液を上流流路に供給し、下流ヒータに加熱させる。下流ヒータによって加熱された処理液は、スリット吐出口から吐出されずに、上流流路からリターン流路に流れる。したがって、吐出停止中であっても、下流ヒータの温度が安定した状態を維持できる。そのため、直ぐに処理液の吐出を再開できる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理液供給システムを示す模式図であり、吐出状態の処理液供給システムを示している。

【図2】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理液供給システムを示す模式図であり、吐出停止状態の処理液供給システムを示している。

【図3】基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を示す模式的な正面図である。

【図4】基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を示す模式的な平面図である。

【図5】水平に見た複数のノズルおよびノズルヘッドを示す模式的な部分断面図である。

【図6】複数のノズルおよびノズルヘッドを示す模式的な平面図である。

【図7】複数のノズルおよびノズルヘッドを示す模式的な斜視図である。

【図8】基板処理装置によって実行される基板の処理の一例を説明するための工程図である。

【図9】基板のエッチング量の分布を示すグラフである。

【図10】前記実施形態の第１変形例に係る複数のノズルを示す模式的な平面図である。

【図11】前記実施形態の第２変形例に係る複数のノズルを示す模式図である。図１１（ａ）は、複数のノズルを示す模式的な正面図であり、図１１（ｂ）は、複数のノズルを示す模式的な平面図である。

【図12】本発明の他の実施形態に係る複数のノズルおよびノズルヘッドを水平に見たときの模式的な部分断面図である。

【図13】処理前後における薄膜の厚みと基板に供給される処理液の温度とのイメージを示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１および図２は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の処理液供給システムを示す模式図である。図１は、吐出状態の処理液供給システムを示しており、図２は、吐出停止状態の処理液供給システムを示している。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する処理ユニット２と、処理ユニット２に基板Ｗを搬送する搬送ロボット（図示せず）と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。制御装置３は、演算部と記憶部とを含むコンピュータである。

【0020】

基板処理装置１は、処理ユニット２に対する処理液の供給および供給停止を制御するバルブ５１等の流体機器を収容する複数の流体ボックス５と、流体ボックス５を介して処理ユニット２に供給される処理液を貯留するタンク４１を収容する複数の貯留ボックス６とを含む。処理ユニット２および流体ボックス５は、基板処理装置１のフレーム４の中に配置されている。処理ユニット２のチャンバー７と流体ボックス５とは、水平方向に並んでいる。貯留ボックス６は、フレーム４の外に配置されている。貯留ボックス６は、フレーム４の中に配置されていてもよい。

【0021】

図３は、処理ユニット２の内部を示す模式的な正面図である。図４は、処理ユニット２の内部を示す模式的な平面図である。
図３に示すように、処理ユニット２は、箱型のチャンバー７と、チャンバー７内で基板Ｗを水平に保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック１１と、基板Ｗから排出された処理液を受け止める筒状のカップ１５と含む。

【0022】

図４に示すように、チャンバー７は、基板Ｗが通過する搬入搬出口８ａが設けられた箱型の隔壁８と、搬入搬出口８ａを開閉するシャッター９とを含む。シャッター９は、搬入搬出口８ａが開く開位置と、搬入搬出口８ａが閉じられる閉位置（図４に示す位置）との間で、隔壁８に対して移動可能である。図示しない搬送ロボットは、搬入搬出口８ａを通じてチャンバー７に基板Ｗを搬入し、搬入搬出口８ａを通じてチャンバー７から基板Ｗを搬出する。

【0023】

図３に示すように、スピンチャック１１は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１２と、スピンベース１２の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン１３と、複数のチャックピン１３を回転させることにより回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンモータ１４とを含む。スピンチャック１１は、複数のチャックピン１３を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１２の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。

【0024】

図３に示すように、カップ１５は、スピンチャック１１を回転軸線Ａ１まわりに取り囲む筒状のスプラッシュガード１７と、スプラッシュガード１７を回転軸線Ａ１まわりに取り囲む円筒状の外壁１６とを含む。処理ユニット２は、スプラッシュガード１７の上端がスピンチャック１１による基板Ｗの保持位置よりも上方に位置する上位置（図３に示す位置）と、スプラッシュガード１７の上端がスピンチャック１１による基板Ｗの保持位置よりも下方に位置する下位置との間で、スプラッシュガード１７を鉛直に昇降させるガード昇降ユニット１８を含む。

【0025】

図３に示すように、処理ユニット２は、スピンチャック１１に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を下方に吐出するリンス液ノズル２１を含む。リンス液ノズル２１は、リンス液バルブ２３が介装されたリンス液配管２２に接続されている。処理ユニット２は、処理位置と待機位置との間でリンス液ノズル２１を移動させるノズル移動ユニットを備えていてもよい。

【0026】

リンス液バルブ２３が開かれると、リンス液が、リンス液配管２２からリンス液ノズル２１に供給され、リンス液ノズル２１から吐出される。リンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Ｄeionized water）である。リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。

【0027】

図４に示すように、処理ユニット２は、薬液を下方に吐出する複数のノズル２６（第１ノズル２６Ａ、第２ノズル２６Ｂ、第３ノズル２６Ｃ、および第４ノズル２６Ｄ）と、複数のノズル２６のそれぞれを保持するホルダ２５と、ホルダ２５を移動させることにより、処理位置（図４で二点鎖線で示す位置）と待機位置（図４で実線で示す位置）との間で複数のノズル２６を移動させるノズル移動ユニット２４とを含む。

【0028】

薬液の代表例は、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）などのエッチング液や、ＳＰＭ（硫酸および過酸化水素水を含む混合液）などのレジスト剥離液である。薬液は、ＴＭＡＨおよびＳＰＭに限らず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、ＴＭＡＨ以外の有機アルカリ、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。

【0029】

図３に示すように、各ノズル２６は、ホルダ２５によって片持ち支持されたノズル本体２７と、他のノズル２６と共有のノズルヘッド３３とを含む。ノズル本体２７は、ホルダ２５から水平な長手方向Ｄ１に延びるアーム部２８と、アーム部２８の先端２８ａから下方に延びる先端部２９とを含む。アーム部２８の先端２８ａは、平面視においてホルダ２５から長手方向Ｄ１に最も遠い部分を意味する。ノズルヘッド３３は、各ノズル本体２７の先端部２９に支持されている。

【0030】

図４に示すように、複数のアーム部２８は、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で、長手方向Ｄ１に直交する水平な配列方向Ｄ２に並んでいる。複数のアーム部２８は、同じ高さに配置されている。配列方向Ｄ２に隣接する２つのアーム部２８の間隔は、他のいずれの間隔と同じであってもよいし、他の間隔の少なくとも一つと異なっていてもよい。図４は、複数のアーム部２８が等間隔で配置されている例を示している。

【0031】

長手方向Ｄ１への複数のアーム部２８の長さは、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で短くなっている。複数のノズル２６の先端（複数のアーム部２８の先端２８ａ）は、長手方向Ｄ１に関して第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で並ぶように長手方向Ｄ１にずれている。複数のノズル２６の先端は、平面視で直線状に並んでいる。
ノズル移動ユニット２４は、カップ１５のまわりで鉛直に延びるノズル回動軸線Ａ２まわりにホルダ２５を回動させることにより、平面視で基板Ｗを通る円弧状の経路に沿って複数のノズル２６を移動させる。これにより、処理位置と待機位置との間で複数のノズル２６が水平に移動する。処理ユニット２は、複数のノズル２６の待機位置の下方に配置された有底筒状の待機ポット３５を含む。待機ポット３５は、平面視でカップ１５のまわりに配置されている。

【0032】

処理位置は、ノズルヘッド３３から吐出された薬液が基板Ｗの上面に着液する位置である。処理位置では、ノズルヘッド３３と基板Ｗとが平面視で重なり、複数のノズル２６の先端が、平面視において、回転軸線Ａ１側から第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で径方向Ｄｒに並ぶ。このとき、第１ノズル２６Ａの先端は、平面視で基板Ｗの中央部に重なり、第４ノズル２６Ｄの先端は、平面視で基板Ｗの周縁部に重なる。

【0033】

待機位置は、ノズルヘッド３３と基板Ｗとが平面視で重ならないように、複数のノズル２６が退避した位置である。待機位置では、複数のノズル２６の先端が、平面視でカップ１５の外周面（外壁１６の外周面）に沿うようにカップ１５の外側に位置し、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で周方向（回転軸線Ａ１まわりの方向）に並ぶ。複数のノズル２６は、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で、回転軸線Ａ１から遠ざかるように配置される。

【0034】

次に、図５〜図７を参照して、複数のノズル２６について説明する。その後、処理液供給システムについて説明する。図５〜図７は、複数のノズル２６が処理位置に配置されている状態を示している。
以下の説明では、第１ノズル２６Ａに対応する構成の先頭および末尾に、それぞれ「第１」および「Ａ」を付ける場合がある。たとえば、第１ノズル２６Ａに対応する上流流路４８を、「第１上流流路４８Ａ」という場合がある。第２ノズル２６Ｂ〜第４ノズル２６Ｄに対応する構成についても同様である。

【0035】

また、以下の説明では、上流ヒータ４３による処理液の加熱温度を上流温度といい、下流ヒータ５３による処理液の加熱温度を下流温度という場合がある。第２下流ヒータ５３〜第４下流ヒータ５３による処理液の加熱温度を、それぞれ、第２下流温度〜第４加熱温度という場合もある。
図５に示すように、ノズル本体２７は、処理液を案内する樹脂チューブ３０と、樹脂チューブ３０を取り囲む断面筒状の芯金３１と、芯金３１の外面を覆う断面筒状の樹脂コーティング３２とを含む。吐出口が形成された樹脂チューブ３０の下面は、ノズルヘッド３３の内部に配置されている。

【0036】

ノズル本体２７は、ノズル本体２７に沿って延びる１つの流路を形成している。ノズル本体２７の流路は、後述する上流流路４８の一部に相当する。図６に示すように、第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄは、回転軸線Ａ１からの距離が異なる複数の位置にそれぞれ配置されており、平面視で径方向Ｄｒに並んでいる。
第１上流流路４８Ａの下流端４８ｄは、第２上流流路４８Ｂ〜第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄよりも回転軸線Ａ１側に配置されている。第１上流流路４８Ａは、主上流流路の一例であり、第２上流流路４８Ｂ〜第４上流流路４８Ｄは、複数の副上流流路の一例である。第１上流流路４８Ａの下流端４８ｄは、主下流端の一例であり、第２上流流路４８Ｂ〜第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄは、複数の下流端の一例である。

【0037】

図５に示すように、ノズルヘッド３３は、複数のノズル本体２７から供給された処理液を案内する１つの流路（集合流路５２）と、ノズルヘッド３３の下面で開口するスリット状のスリット吐出口３４とを形成している。スリット吐出口３４は、基板Ｗの上面と平行である。スリット吐出口３４は、各上流流路４８Ａ〜４８Ｄの下流端４８ｄの下方に配置されている。

【0038】

図６に示すように、スリット吐出口３４は、平面視で基板Ｗの上面中央部から基板Ｗの上面周縁部まで径方向Ｄｒに延びている。スリット吐出口３４の幅Ｗ１（幅は、径方向Ｄｒに直交する水平方向への長さを意味する。以下同様。）は、スリット吐出口３４の一端からスリット吐出口３４の他端まで一定である。スリット吐出口３４の幅Ｗ１は、各上流流路４８Ａ〜４８Ｄの下流端４８ｄの直径よりも小さい。各上流流路４８Ａ〜４８Ｄの下流端４８ｄの一部は、平面視でスリット吐出口３４に重なっており、残りの部分は、平面視でスリット吐出口３４に重なっていない。スリット吐出口３４は、集合流路５２から供給された薬液を基板Ｗの上面に対して垂直な吐出方向に吐出する。

【0039】

図７に示すように、集合流路５２は、各上流流路４８Ａ〜４８Ｄの下流端４８ｄをスリット吐出口３４に接続している。集合流路５２の幅は、集合流路５２の上流端５２ｕから集合流路５２の下流端５２ｄまで連続的に減少している。集合流路５２の上流端５２ｕの幅Ｗ２は、各上流流路４８Ａ〜４８Ｄの下流端４８ｄの直径以上である。集合流路５２の下流端５２ｄの幅は、スリット吐出口３４の幅Ｗ１と等しい。

【0040】

集合流路５２の高さ、つまり、集合流路５２の下流端５２ｄから集合流路５２の上流端５２ｕまでの鉛直方向の距離は、集合流路５２の上流端５２ｕの幅Ｗ２よりも大きい。径方向Ｄｒへの集合流路５２の長さは、第１上流流路４８Ａの下流端４８ｄから第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄまでの径方向Ｄｒへの距離よりも長い。径方向Ｄｒにおける集合流路５２の両端は、ノズルヘッド３３によって閉じられている。

【0041】

各上流流路４８Ａ〜４８Ｄに供給された処理液は、集合流路５２内に供給される。スリット吐出口３４の幅Ｗ１が狭いので、各上流流路４８Ａ〜４８Ｄの下流端４８ｄに供給された処理液の一部は、スリット吐出口３４に達する前に集合流路５２内で長手方向に広がり、残りの処理液は、集合流路５２内で長手方向に広がることなくスリット吐出口３４から吐出される。そのため、ある上流流路４８に供給された処理液の一部は、他の上流流路４８に供給された処理液と集合流路５２の内部または基板Ｗとスリット吐出口３４との間の空間で混ざり合う。これにより、スリット吐出口３４の全域またはほぼ全域に処理液が供給され、径方向Ｄｒに延びる帯状の液膜が、スリット吐出口３４と基板Ｗとの間に形成される。

【0042】

次に、図１および図２を参照して、処理液供給システムについて詳細に説明する。
処理液供給システムは、薬液を貯留する薬液タンク４１と、薬液タンク４１から送られた薬液を案内する薬液流路４２と、薬液流路４２内を流れる薬液を室温（たとえば２０〜３０℃）よりも高い上流温度で加熱することにより薬液タンク４１内の薬液の温度を調整する上流ヒータ４３と、薬液タンク４１内の薬液を薬液流路４２に送るポンプ４４と、薬液流路４２内の薬液を薬液タンク４１に戻す循環流路４０とを含む。

【0043】

処理液供給システムは、薬液流路４２を開閉する供給バルブ４５と、循環流路４０を開閉する循環バルブ４６と、薬液流路４２に接続された供給流路４７とを含む。上流切替ユニットは、供給バルブ４５を含む。
処理液供給システムは、供給流路４７から供給された薬液をスリット吐出口３４に向けて案内する複数の上流流路４８と、複数の上流流路４８から供給された薬液をスリット吐出口３４に供給する集合流路５２とを含む。処理液供給システムは、さらに、複数の上流流路４８内を流れる液体の流量を検出する複数の流量計４９と、複数の上流流路４８内を流れる液体の流量を変更する複数の流量調整バルブ５０と、複数の上流流路４８をそれぞれ開閉する複数の吐出バルブ５１とを含む。図示はしないが、流量調整バルブ５０は、流路を開閉するバルブ本体と、バルブ本体の開度を変更するアクチュエータとを含む。アクチュエータは、空圧アクチュエータまたは電動アクチュエータであってもよいし、これら以外のアクチュエータであってもよい。

【0044】

処理液供給システムは、第１上流流路４８Ａ以外の複数の上流流路４８内を流れる薬液を上流温度よりも高い下流温度で加熱する複数の下流ヒータ５３を含む。処理液供給システムは、さらに、複数の下流ヒータ５３よりも下流の位置で第１上流流路４８Ａ以外の複数の上流流路４８にそれぞれ接続された複数のリターン流路５４と、複数のリターン流路５４をそれぞれ開閉する複数のリターンバルブ５５とを含む。下流切替ユニットは、複数の吐出バルブ５１と、複数のリターンバルブ５５とを含む。

【0045】

処理液供給システムは、複数のリターン流路５４から供給された薬液を冷却するクーラー５６と、クーラー５６から薬液タンク４１に薬液を案内するタンク回収流路５７とを含む。複数のリターン流路５４からクーラー５６に供給された薬液は、クーラー５６によって上流温度に近づけられた後、タンク回収流路５７を介して薬液タンク４１に案内される。クーラー５６は、水冷ユニットまたは空冷ユニットであってもよいし、これら以外の冷却ユニットであってもよい。

【0046】

次に、図１を参照して、スリット吐出口３４が薬液を吐出する吐出状態の処理液供給システムについて説明する。図１では、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。
薬液タンク４１内の薬液は、ポンプ４４によって薬液流路４２に送られる。ポンプ４４によって送られた薬液は、上流ヒータ４３によって加熱された後、薬液流路４２から供給流路４７に流れ、供給流路４７から複数の上流流路４８に流れる。複数の上流流路４８に供給された薬液は、集合流路５２を介して複数の上流流路４８からスリット吐出口３４に供給される。これにより、複数の上流流路４８に供給された薬液がスリット吐出口３４から基板Ｗの上面に向けて吐出される。

【0047】

第１上流流路４８Ａ以外の複数の上流流路４８に供給された薬液は、スリット吐出口３４に供給される前に、下流ヒータ５３によって加熱される。下流ヒータ５３による処理液の加熱温度（下流温度）は、上流ヒータ４３による処理液の加熱温度（上流温度）よりも高い。第２〜第４下流温度は、第２〜第４下流温度の順番で高くなっている。したがって、第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄ（図５参照）に供給される薬液の温度は、第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄの順番で段階的に増加する。

【0048】

次に、図２を参照して、スリット吐出口３４からの薬液の吐出が停止された吐出停止状態の処理液供給システムについて説明する。図２では、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。
薬液タンク４１内の薬液は、ポンプ４４によって薬液流路４２に送られる。ポンプ４４によって送られた薬液の一部は、上流ヒータ４３によって加熱された後、循環流路４０を介して薬液タンク４１に戻る。ポンプ４４によって送られた残りの薬液は、薬液流路４２から供給流路４７に流れ、供給流路４７から第１上流流路４８Ａ以外の複数の上流流路４８に流れる。

【0049】

第２上流流路４８Ｂ内の薬液は、第２上流流路４８Ｂに対応する下流ヒータ５３によって加熱された後、リターン流路５４を介してクーラー５６に流れる。第３上流流路４８Ｃおよび第４上流流路４８Ｄについては、第２上流流路４８Ｂと同様である。クーラー５６に供給された薬液は、クーラー５６で冷却された後、タンク回収流路５７を介して薬液タンク４１に戻る。これにより、ポンプ４４によって薬液流路４２に送られた全ての薬液が、薬液タンク４１に戻る。

【0050】

処理液の温度は、基板Ｗの処理に大きな影響を及ぼす場合がある。吐出停止中に下流ヒータ５３を停止させると、下流ヒータ５３の運転を再開したときに、下流ヒータ５３によって加熱された処理液の温度が意図する温度で安定するまでに時間がかかる。そのため、直ぐに処理液の吐出を再開することができず、スループットが低下する。
前述のように、吐出停止中であっても、薬液を下流ヒータ５３に流し続け、下流ヒータ５３に薬液を加熱させる。これにより、下流ヒータ５３の温度が安定した状態を維持できる。さらに、下流ヒータ５３によって加熱された薬液を薬液タンク４１に戻すので、薬液の消費量を低減できる。しかも、クーラー５６によって冷却した薬液を薬液タンク４１に戻すので、薬液タンク４１内の薬液の温度の変動を抑えることができる。

【0051】

図８は、基板処理装置１によって実行される基板Ｗの処理の一例を説明するための工程図である。以下の各動作は、制御装置３が基板処理装置１を制御することにより実行される。以下では図３および図４を参照する。図８については適宜参照する。
処理ユニット２によって基板Ｗが処理されるときには、複数のノズル２６がスピンチャック１１の上方から退避しており、スプラッシュガード１７が下位置に位置している状態で、搬送ロボットのハンド（図示せず）によって、基板Ｗがチャンバー７内に搬入される。これにより、表面が上に向けられた状態で基板Ｗが複数のチャックピン１３の上に置かれる。その後、搬送ロボットのハンドがチャンバー７の内部から退避し、チャンバー７の搬入搬出口８ａがシャッター９で閉じられる。

【0052】

基板Ｗが複数のチャックピン１３の上に置かれた後は、複数のチャックピン１３が基板Ｗの周縁部に押し付けられ、基板Ｗが複数のチャックピン１３によって把持される。また、ガード昇降ユニット１８が、スプラッシュガード１７を下位置から上位置に移動させる。これにより、スプラッシュガード１７の上端が基板Ｗよりも上方に配置される。その後、スピンモータ１４が駆動され、基板Ｗの回転が開始される。これにより、基板Ｗが所定の液処理速度（たとえば数百ｒｐｍ）で回転する。

【0053】

次に、ノズル移動ユニット２４が、複数のノズル２６を待機位置から処理位置に移動させる。これにより、ノズルヘッド３３が平面視で基板Ｗに重なる。その後、複数の吐出バルブ５１等が制御され、薬液が複数のノズル２６から同時に吐出される（図８のステップＳ１）。複数のノズル２６は、ノズル移動ユニット２４が複数のノズル２６を静止させている状態で薬液を吐出する。複数の吐出バルブ５１が開かれてから所定時間が経過すると、複数のノズル２６からの薬液の吐出が同時に停止される（図８のステップＳ２）。その後、ノズル移動ユニット２４が、複数のノズル２６を処理位置から待機位置に移動させる。

【0054】

複数のノズル２６から吐出された薬液は、基板Ｗの上面内の直線状の領域に同時に着液する（図７参照）。複数のノズル２６は、回転している基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する。そのため、基板Ｗと直線状の領域との相対的な位置関係は、基板Ｗの回転によって変化する。これにより、薬液が基板Ｗの上面全域に着液する。このようにして、薬液が基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域を覆う薬液の液膜が基板Ｗ上に形成される。これにより、基板Ｗの上面全域が薬液で処理される。また、基板Ｗ上の薬液は、基板Ｗの上面周縁部から基板Ｗの周囲に飛散し、スプラッシュガード１７の内周面に受け止められる。

【0055】

複数のノズル２６からの薬液の吐出が停止された後は、リンス液バルブ２３が開かれ、リンス液ノズル２１からのリンス液（純水）の吐出が開始される（図８のステップＳ３）。これにより、基板Ｗ上の薬液がリンス液によって洗い流され、基板Ｗの上面全域を覆うリンス液の液膜が形成される。リンス液バルブ２３が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ２３が閉じられ、リンス液ノズル２１からのリンス液の吐出が停止される（図８のステップＳ４）。

【0056】

リンス液ノズル２１からのリンス液の吐出が停止された後は、基板Ｗがスピンモータ１４によって回転方向に加速され、液処理速度よりも大きい乾燥速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗが回転する（図８のステップＳ５）。これにより、基板Ｗに付着しているリンス液が基板Ｗの周囲に振り切られ、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ１４および基板Ｗの回転が停止される。

【0057】

基板Ｗの回転が停止された後は、ガード昇降ユニット１８が、スプラッシュガード１７を上位置から下位置に移動させる。さらに、複数のチャックピン１３による基板Ｗの保持が解除される。搬送ロボットは、複数のノズル２６がスピンチャック１１の上方から退避しており、スプラッシュガード１７が下位置に位置している状態で、ハンドをチャンバー７の内部に進入させる。その後、搬送ロボットは、ハンドによってスピンチャック１１上の基板Ｗを取り、この基板Ｗをチャンバー７から搬出する。

【0058】

図９は、基板Ｗのエッチング量の分布を示すグラフである。
図９に示す測定値Ａ〜測定値Ｂにおける基板Ｗの処理条件は、薬液を吐出するノズルを除き、同一である。
測定値Ａは、ノズルヘッド３３が取り外された複数のノズル２６を静止させながら、複数のノズル２６に薬液を吐出させて、基板Ｗをエッチングしたときのエッチング量の分布を示している。すなわち、測定値Ａは、４本のノズル本体２７にそれぞれ設けられた４つの吐出口（第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄに相当するもの）に薬液を吐出させたときのエッチング量の分布を示している。

【0059】

測定値Ｂは、１つの吐出口（第１上流流路４８Ａの下流端４８ｄに相当するもの）だけに薬液を吐出させ、薬液の着液位置を基板Ｗの上面中央部で固定したときのエッチング量の分布を示している。
測定値Ｂでは、基板Ｗの中央部から離れるにしたがってエッチング量が減少しており、エッチング量の分布が山形の曲線を示している。つまり、エッチング量は、薬液の着液位置で最も大きく、着液位置から離れるにしたがって減少している。これに対して、測定値Ａでは、測定値Ｂと比較して、基板Ｗの中央部以外の位置でのエッチング量が増加しており、エッチングの均一性が大幅に改善されている。

【0060】

測定値Ａでは、７つの山が形成されている。真ん中の山の頂点は、最も内側の着液位置に対応する位置であり、その外側の２つの山の頂点は、内側から２番目の着液位置に対応する位置である。さらに外側の２つの山の位置は、内側から３番目の着液位置に対応する位置であり、最も外側の２つの山の位置は、内側から４番目の着液位置に対応する位置である。

【0061】

このように、径方向Ｄｒに並んだ複数の吐出口から基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出させると、薬液は、径方向Ｄｒに離れた複数の着液位置に着液する。着液位置でのエッチングレートは、隣接する２つの着液位置の間の位置でのエッチングレートよりも高い。そのため、処理の均一性が低下してしまう。したがって、スリット吐出口３４から吐出された薬液を径方向Ｄｒに連続した直線状の領域に着液させることにより、このような均一性の低下を防止できる。

【0062】

以上のように本実施形態では、処理液が、供給流路４７から全ての上流流路４８に供給され、全ての上流流路４８から集合流路５２に供給される。集合流路５２に供給された処理液は、スリット吐出口３４から基板Ｗの上面に向けて吐出される。これにより、基板Ｗの上面中央部と基板Ｗの上面周縁部との間で径方向Ｄｒに延びる帯状の液膜が、スリット吐出口３４と基板Ｗとの間に形成され、基板Ｗの上面内の直線状の領域に着液する。したがって、径方向Ｄｒに並んだ複数の吐出口から処理液を吐出させる場合と比較して、処理の均一性を高めることができる。

【0063】

また、第１上流流路４８Ａ〜第４上流流路４８Ｄの下流端４８ｄに供給される処理液の温度は、回転軸線Ａ１から下流端４８ｄまでの距離が増加するにしたがって高まる。複数の下流端４８ｄの真下の位置には、複数の下流端４８ｄに供給された処理液と同じまたはほぼ同じ温度の処理液が着液する。これに対して、前記真下の位置の間の位置には、隣接する２つの複数の下流端４８ｄに供給された処理液の混合液が着液する。つまり、互いに異なる温度の処理液が隣接する２つの複数の下流端４８ｄに供給され、この２つの温度の間の温度の処理液が、前記真下の位置の間の位置に着液する。

【0064】

このように、スリット吐出口３４の各位置での処理液の温度が、回転軸線Ａ１から離れるにしたがって段階的または連続的に増加するので、均一な温度の処理液をスリット吐出口３４から吐出させる場合と比較して、基板Ｗ上での処理液の温度の均一性を高めることができる。これにより、処理の均一性をさらに高めることができる。したがって、基板Ｗの上面中央部だけに処理液を着液させる場合と比較して、基板Ｗに供給される処理液の消費量を低減しながら、処理の均一性を高めることができる。

【0065】

また本実施形態では、スリット吐出口３４が、平面視で基板Ｗの上面中央部および上面周縁部に重なっている。スリット吐出口３４から吐出された処理液は、基板Ｗの上面中央部および上面周縁部を含む直線状の領域に同時に着液する。スリット吐出口３４は、回転している基板Ｗの上面に向けて処理液を吐出する。基板Ｗと直線状の領域との相対的な位置関係は、基板Ｗの回転によって変化する。これにより、処理液が基板Ｗの上面全域に着液するので、処理の均一性を高めることができる。

【0066】

また本実施形態では、スリット吐出口３４の幅Ｗ１が狭いので、上流流路４８に供給された処理液の一部は、スリット吐出口３４に到達する前に集合流路５２内で長手方向に広がり、上流流路４８に供給された残りの処理液は、集合流路５２内でスリット吐出口３４の長手方向に広がることなくスリット吐出口３４に到達する。そのため、処理液の一部は、他の上流流路４８に供給された処理液と集合流路５２の内部または基板Ｗとスリット吐出口３４との間の空間で混ざり合う。これにより、基板Ｗに供給される処理液の温度を、回転軸線Ａ１から離れるにしたがって段階的または連続的に増加させることができる。

【0067】

また本実施形態では、複数のアーム部２８の先端２８ａが平面視で径方向Ｄｒに並んでいる（図４参照）。複数のアーム部２８の先端２８ａが平面視で径方向Ｄｒに並ぶように、同じ長さの複数のノズル２６を長手方向Ｄ１に直交する水平方向に並べると、複数のノズル２６全体の幅が増加する（図１０参照）。複数のアーム部２８の先端２８ａが平面視で径方向Ｄｒに並ぶように、長さが異なる複数のノズル２６を鉛直方向に並べると、複数のノズル２６全体の高さが増加する（図１１参照）。

【0068】

これに対して、本実施形態では、複数のアーム部２８を長手方向Ｄ１に直交する水平な配列方向Ｄ２に並べる。さらに、複数のアーム部２８の先端２８ａが長手方向Ｄ１に関して回転軸線Ａ１側から第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの順番で並ぶように、複数のアーム部２８の先端２８ａを長手方向Ｄ１にずらす（図４参照）。これにより、複数のノズル２６全体の幅および高さの両方を抑えながら、第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄの先端２８ａを平面視で径方向Ｄｒに並べることができる。

【0069】

また本実施形態では、複数の上流流路４８の上流端が流体ボックス５内に配置されている。供給流路４７は、流体ボックス５内で複数の上流流路４８に分岐している。したがって、供給流路４７が流体ボックス５よりも上流の位置で複数の上流流路４８に分岐している場合と比較して、各上流流路４８の長さ（液体が流れる方向の長さ）を短縮できる。これにより、処理液から上流流路４８への伝熱による処理液の温度低下を抑制できる。

【0070】

本発明の実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前記実施形態では、ノズル２６の数が、４本である場合について説明したが、ノズル２６の数は、２または３本であってもよいし、５本以上であってもよい。
前記実施形態では、スリット吐出口３４が基板Ｗの上面に対して垂直な吐出方向に処理液を吐出する場合について説明したいが、スリット吐出口３４は、基板Ｗの上面に対して斜めに傾いた吐出方向に処理液を吐出してもよい。

【0071】

前記実施形態では、スリット吐出口３４の幅Ｗ１が一定である場合について説明したが、スリット吐出口３４の幅Ｗ１は一定でなくてもよい。たとえば、スリット吐出口３４の幅Ｗ１は、回転軸線Ａ１から離れるにしたがって段階的または連続的に増加していてもよい。
前記実施形態では、ノズルヘッド３３が、全てのノズル（第１ノズル２６Ａ〜第４ノズル２６Ｄ）に接続されている場合について説明したが、４本のノズルの１本または２本が、ノズルヘッド３３に接続されていなくてもよい。たとえば図１２に示すように、ノズルヘッド３３は、第２ノズル２６Ｂ〜第４ノズル２６Ｄだけに接続されていてもよい。この場合、第１ノズル２６Ａに供給された処理液は、第１上流流路４８Ａの下流端４８ｄから基板Ｗの上面中央部に向けて吐出される。

【0072】

前記実施形態では、薬液タンク４１に向かってリターン流路５４を流れる薬液をクーラー５６で冷却する場合について説明したが、クーラー５６を省略してもよい。
制御装置３は、吐出停止状態のときに供給流路４７から複数の上流流路４８に供給される処理液の流量を、吐出状態のときに供給流路４７から複数の上流流路４８に供給される処理液の流量よりも減少させてもよい。この場合、吐出停止中にリターン流路５４から薬液タンク４１に戻る薬液の流量が減少するので、薬液タンク４１内の薬液に与えられる熱量を低減でき、液温の変動を抑えることができる。

【0073】

前記実施形態では、吐出停止中に下流ヒータ５３によって加熱された液体を、上流流路４８からリターン流路５４に流す場合について説明したが、吐出停止中に下流ヒータ５３を停止させる場合は、リターン流路５４を省略してもよい。
前記実施形態では、下流ヒータ５３が第１上流流路４８Ａに設けられておらず、第１上流流路４８Ａ以外の全ての上流流路４８に下流ヒータ５３が設けられている場合について説明したが、第１上流流路４８Ａを含む全ての上流流路４８に下流ヒータ５３が設けられていてもよい。

【0074】

前記実施形態では、複数のノズル２６を静止させながら、複数のノズル２６に薬液を吐出させる場合について説明したが、複数のノズル２６をノズル回動軸線Ａ２まわりに回動させながら、複数のノズル２６に薬液を吐出させてもよい。
前記実施形態では、供給流路４７に薬液を供給する薬液流路４２が設けられている場合について説明したが、供給流路４７に液体を供給する複数の処理液流路が設けられていてもよい。

【0075】

たとえば、第１液体が第１液体流路から供給流路４７に供給され、第２液体が第２液体流路から供給流路４７に供給されてもよい。この場合、第１液体および第２液体が供給流路４７で混合されるので、第１液体および第２液体を含む混合液が、供給流路４７から複数の上流流路４８に供給される。第１液体および第２液体は、同種の液体であってもよいし、異なる種類の液体であってもよい。第１液体および第２液体の具体例は、硫酸および過酸化水素水の組み合わせと、ＴＭＡＨおよび純水の組み合わせである。

【0076】

制御装置３は、基板Ｗの表面の各部に供給される処理液の温度を処理前の薄膜の厚みに応じて制御することにより、処理後の薄膜の厚みを均一化してもよい。
図１３は、処理前後における薄膜の厚みと基板Ｗに供給される処理液の温度とのイメージを示すグラフである。図１３の一点鎖線は、処理前の膜厚を示しており、図１３の二点鎖線は、処理後の膜厚を示している。図１３の実線は、基板Ｗに供給される処理液の温度を示している。図１３の横軸は、基板Ｗの半径を示している。処理前の膜厚は、基板処理装置１以外の装置（たとえば、ホストコンピュータ）から基板処理装置１に入力されてもよいし、基板処理装置１に設けられた測定機によって測定されてもよい。

【0077】

図１３に示す例の場合、制御装置３は、処理液の温度が処理前の膜厚と同様に変化するように、基板処理装置１を制御してもよい。具体的には、制御装置３は、複数の上流流路４８での処理液の温度が、処理前の膜厚に応じた温度となるように、複数の下流ヒータ５３を制御してもよい。
この場合、処理前の膜厚が相対的に大きい位置に相対的に高温の処理液が供給され、処理前の膜厚が相対的に小さい位置に相対的に低温の処理液が供給される。基板Ｗの表面に形成された薄膜のエッチング量は、高温の処理液が供給される位置で相対的に増加し、低温の処理液が供給される位置で相対的に減少する。そのため、処理後の薄膜の厚みが均一化される。

【0078】

前述の全ての構成の２つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の２つ以上が組み合わされてもよい。

【符号の説明】

【0079】

１ ：基板処理装置
１１ ：スピンチャック（基板保持ユニット）
２６Ａ〜２６Ｄ ：第１〜第４ノズル
２７ ：ノズル本体
２８ ：アーム部
２９ ：先端部
３３ ：ノズルヘッド
３４ ：スリット吐出口
４１ ：薬液タンク
４２ ：薬液流路
４３ ：上流ヒータ
４５ ：供給バルブ
４７ ：供給流路
４８Ａ ：第１上流流路（主上流流路）
４８Ｂ ：第２上流流路（副上流流路）
４８Ｃ ：第３上流流路（副上流流路）
４８Ｄ ：第４上流流路（副上流流路）
４８ｄ ：上流流路の下流端
５１ ：吐出バルブ（下流切替ユニット）
５２ ：集合流路
５３ ：下流ヒータ
５４ ：リターン流路
５５ ：リターンバルブ（下流切替ユニット）
Ａ１ ：回転軸線
Ｄｒ ：径方向
Ｗ ：基板
Ｗ１ ：スリット吐出口の幅

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】