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特許 6493955出願番号 特願 2014-208420
半導体装置及び半導体装置の製造方法
出願人 ラピスセミコンダクタ株式会社（識別番号 308033711）
2026年 特許公開件数ランキング 9703位 1件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 4693位 3件（※）
出願人 国立大学法人豊橋技術科学大学（識別番号 304027349）
2026年 特許公開件数ランキング 1327位 15件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 1195位 23件（※）
公報発行日 2019年4月3
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6493955 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の技術では、センサ領域に設けられた開口部にセンサ部が形成されているため、センサ領域の表面に該開口部に起因する凹凸が生じている。 本発明は、上述した問題を解決するために提案されたものであり、センサ領域の平坦度を向上させた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】第１の実施の形態の半導体装置の一例を示す概略構成図である。
【図2】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法の一例における第１工程〜第８工程を示した説明図である。
【図3】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法の一例における第９工程〜第１３工程を示した説明図である。
【図4】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法の一例における第１４工程〜第１７工程を示した説明図である。
【図5】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法の一例における第１８工程及び第１９工程を示した説明図である。
【図6】第２の実施の形態の半導体装置の製造方法の一例における第１４工程を示した説明図である。
【図7】半導体装置のその他の一例を示す概略構成図である。
【図8】従来の半導体装置の一例を示す概略構成図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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