(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6495983
(24)【登録日】2019年3月15日
(45)【発行日】2019年4月3日
(54)【発明の名称】ロスレス定常状態の動作を有する過渡抑制
(51)【国際特許分類】
G05F 1/10 20060101AFI20190325BHJP
H02J 7/00 20060101ALI20190325BHJP
【FI】
G05F1/10 B
H02J7/00 302A
【請求項の数】18
【全頁数】9
(21)【出願番号】特願2017-159271(P2017-159271)
(22)【出願日】2017年8月22日
(62)【分割の表示】特願2016-501710(P2016-501710)の分割
【原出願日】2014年3月12日
(65)【公開番号】特開2017-228309(P2017-228309A)
(43)【公開日】2017年12月28日
【審査請求日】2017年8月30日
(31)【優先権主張番号】61/780,192
(32)【優先日】2013年3月13日
(33)【優先権主張国】US
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】508233401
【氏名又は名称】クアンタンス, インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110001195
【氏名又は名称】特許業務法人深見特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ビナヤク,ビカス
(72)【発明者】
【氏名】ドゥロギ,セルジュ・フランソワ
【審査官】
麻生 哲朗
(56)【参考文献】
【文献】
国際公開第2009/031405(WO,A1)
【文献】
特開2010−081707(JP,A)
【文献】
特開2010−193590(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G05F 1/10
H02J 7/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
負荷過渡抑制回路であって、前記負荷過渡抑制回路は、
電圧源および電子デバイスに結合して、前記電子デバイスに電力を提供するように構成された電源端子と、
過渡負荷状態中に出力電流を提供するために前記電源端子に結合された出力を有する演算増幅器と、
前記演算増幅器のバイアス入力および前記演算増幅器の前記出力に結合されたバイアスキャパシタとを備え、前記バイアスキャパシタは、バイアス電流を前記演算増幅器に提供するために前記過渡負荷状態中に放電し、
前記電源端子を公称負荷状態中に前記演算増幅器の前記バイアス入力に結合し、前記過渡負荷状態中に前記バイアス入力から前記電源端子を切り離すためのスイッチをさらに備える、負荷過渡抑制回路。
【請求項2】
前記負荷過渡抑制回路は、
前記演算増幅器の前記出力と前記電源端子との間に結合され、前記過渡負荷状態中に前記電子デバイスへ放電電流を提供して、前記電源端子が閾値電圧を下回る電圧に低下するのを防ぐ出力キャパシタをさらに備える、請求項1に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項3】
前記バイアスキャパシタおよび前記出力キャパシタは、前記過渡負荷状態の前記電源端子における予想される最大の電圧降下および予想される前記過渡負荷状態の最大継続時間に基づいて、公称負荷状態中に電荷量を集合的に蓄積するよう構成される、請求項2に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項4】
前記負荷過渡抑制回路は、
前記演算増幅器の正の入力端子へ第1の電圧を提供し、前記演算増幅器の負の入力端子へ第2の電圧を提供する演算増幅器入力回路をさらに備え、
公称負荷状態中は前記第2の電圧が前記第1の電圧よりも大きく、前記第2の電圧は、前記過渡負荷状態に応答して前記第1の電圧を下回り、これにより前記過渡負荷状態中に、前記演算増幅器に前記出力電流を提供させる、請求項1に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項5】
前記演算増幅器入力回路は、
第1の時定数を有する第1のRC回路を備え、前記第1のRC回路は前記電源端子に結合され、前記第1のRC回路は前記演算増幅器の前記正の端子へ前記第1の電圧を提供し
、前記演算増幅器入力回路は、
第2の時定数を有する第2のRC回路をさらに備え、前記第2のRC回路は前記電源端子に結合され、前記第2のRC回路は前記演算増幅器の前記負の端子へ前記第2の電圧を提供する、請求項4に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項6】
前記電源端子および前記演算増幅器の前記バイアス入力の間に結合された抵抗をさらに備える、請求項1に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項7】
負荷過渡抑制回路であって、前記負荷過渡抑制回路は、
電圧源および電子デバイスに結合して、前記電子デバイスに電力を提供するように構成された電源端子と、
過渡負荷状態中に出力電流を提供するために前記電源端子に結合された出力を有する演算増幅器と、
前記演算増幅器のバイアス入力および前記演算増幅器の前記出力に結合されたバイアスキャパシタとを備え、前記バイアスキャパシタは、前記過渡負荷状態中に放電してバイアス電流を前記演算増幅器に提供し、
前記電源端子と前記演算増幅器の前記バイアス入力との間に結合され、前記過渡負荷状態中に、前記電源端子から、前記演算増幅器の前記バイアス入力および前記バイアスキャパシタの少なくとも一方へと流れる電流の量を制限する電流制限素子と、
前記電源端子を公称負荷状態中に前記演算増幅器の前記バイアス入力に結合し、前記過渡負荷状態中に前記バイアス入力から前記電源端子を切り離すためのスイッチとをさらに備える、負荷過渡抑制回路。
【請求項8】
前記演算増幅器の前記出力と前記電源端子との間に結合され、前記過渡負荷状態中に前記電子デバイスへ放電電流を提供して、前記電源端子が閾値電圧を下回る電圧に低下するのを防ぐ出力キャパシタをさらに備える、請求項7に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項9】
前記バイアスキャパシタおよび前記出力キャパシタは、前記過渡負荷状態の前記電源端子における予想される最大の電圧降下および予想される前記過渡負荷状態の最大継続時間に基づいて、公称負荷状態中に電荷量を集合的に蓄積するよう構成される、請求項8に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項10】
前記負荷過渡抑制回路は、
前記演算増幅器の正の入力端子へ第1の電圧を提供し、前記演算増幅器の負の入力端子へ第2の電圧を提供する演算増幅器入力回路をさらに備え、
公称負荷状態中は前記第2の電圧が前記第1の電圧よりも大きく、前記第2の電圧は、前記過渡負荷状態に応答して前記第1の電圧を下回り、これにより前記過渡負荷状態中に、前記演算増幅器に前記出力電流を提供させる、請求項7に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項11】
前記演算増幅器入力回路は、
第1の時定数を有する第1のRC回路を備え、前記第1のRC回路は前記電源端子に結合され、前記第1のRC回路は前記演算増幅器の前記正の端子へ前記第1の電圧を提供し、前記演算増幅器入力回路は、
第2の時定数を有する第2のRC回路をさらに備え、前記第2のRC回路は前記電源端子に結合され、前記第2のRC回路は前記演算増幅器の前記負の端子へ前記第2の電圧を提供する、請求項10に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項12】
前記電流制限素子は、スイッチである、請求項7に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項13】
前記電流制限素子は、抵抗である、請求項7に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項14】
電子デバイスに電力を提供するための負荷過渡抑制回路であって、
電圧源および前記電子デバイスに結合して、前記電子デバイスに電力を提供するように構成された電源端子と、
差動入力電圧を受け、前記差動入力電圧が正であることに応答して出力電流を生成するための演算増幅器と、
前記演算増幅器へ前記差動入力電圧を提供するための演算増幅器入力回路とを備え、前記差動入力電圧は過渡負荷状態中に正であり、前記差動入力電圧は公称負荷状態中に負であり、前記負荷過渡抑制回路は、
前記演算増幅器のバイアス入力および前記演算増幅器の前記出力に結合されたバイアスキャパシタとを備え、前記バイアスキャパシタは、前記過渡負荷状態中に前記演算増幅器の前記バイアス入力にバイアス電流を提供して、前記演算増幅器が前記出力電流を提供することを可能にし、
前記電源端子を公称負荷状態中に前記演算増幅器の前記バイアス入力に結合し、前記過渡負荷状態中に前記バイアス入力から前記電源端子を切り離すためのスイッチをさらに備える、負荷過渡抑制回路。
【請求項15】
前記演算増幅器の出力と前記電源端子との間に結合され、前記過渡負荷状態中に前記演算増幅器によって生成される前記出力電流に応じて前記電子デバイスへ放電電流を供給する出力キャパシタをさらに備え、前記放電電流は前記電源端子が電圧において閾値電圧を下回るのを防ぐのに足りる、請求項14に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項16】
前記バイアスキャパシタおよび前記出力キャパシタは、前記過渡負荷状態の前記電源端子における予想される最大の電圧降下および予想される前記過渡負荷状態の最大継続時間に基づいて、前記公称負荷状態中に電荷量を集合的に蓄積するよう構成される、請求項15に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項17】
前記演算増幅器入力回路は、前記演算増幅器の正の入力端子へ第1の電圧を提供し、前記演算増幅器の負の入力端子へ第2の電圧を提供することによって、前記演算増幅器に前記差動入力電圧を提供し、前記第2の電圧は前記公称負荷状態中に前記第1の電圧よりも大きく、前記第2の電圧は、前記過渡負荷状態であることに応じて前記第1の電圧を下回る、請求項14に記載の負荷過渡抑制回路。
【請求項18】
前記電源端子および前記演算増幅器の前記バイアス入力の間に結合された抵抗をさらに備える、請求項14に記載の負荷過渡抑制回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願はVikas VinayakとSerge Francois Drogiとによって2013年3月13日に出願された“Transient Suppression with Lossless Steady State Operation(ロスレス定常状態動作を有する過渡抑制)”と題する米国仮特許出願第61/780,192号の利益を主張し、その内容は、参照により本明細書中に組み込まれる。
【0002】
背景
1.技術分野
本明細書に開示された実施形態は、電源に関し、より具体的には電源における過渡負荷電流の管理に関する。
【背景技術】
【0003】
2.関連技術の説明
ノートパソコン、スマートフォン、タブレットなどの現代のモバイルデバイスは、一般的に内部の電子デバイスに電力を供給するために再充電可能なバッテリを含む。バッテリは、多くの場合、携帯機器を小型・軽量化するために、できるだけ小さく保たれる。結果として、これらのバッテリは、限りある容量、負荷に電流を供給するための限りある能力を有する。
【0004】
電流を供給するためのバッテリの能力は、バッテリの内部抵抗によって定量化される。バッテリがいずれの負荷回路にも接続されない場合には、「開路電圧」と呼ばれる、その端子間に特定の電圧が示されるだろう。負荷回路がバッテリに接続されると、電流は負荷回路を介してバッテリから流れる。この電流の増加により、バッテリの端子間電圧がその開回路電圧よ
り垂下する。大きな内部抵抗のバッテリは、与えられた負荷電流の大きな電圧
の垂下を生成する。
【0005】
これらの負荷電流は、アプリケーション・プロセッサ、デジタル・ベースバンド・プロセッサ、画像プロセッサ、などといった1つのバッテリから動作する複数の回路を含む最新の電子デバイスでは特に大きくなることがある。起動中またはバッテリから大電流の流出は他の過渡状態の下で、電圧がもはや負荷回路の動作を維持するのに足りなくなるまでバッテリの電圧が落ちることがあり、装置全体がリセットされることを引き起こす。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0006】
図面の簡単な説明
本明細書に開示される実施形態の教示は、添付の図面とともに以下の詳細な説明を検討されると容易に理解され得る。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【
図1】負荷過渡抑制回路の第1の実施形態を示す回路図である。
【
図2】負荷過渡抑制回路の動作に関する例の波形を示す波形図である。
【
図3】負荷現象抑制回路の第2の実施形態を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
詳細な説明
図および以下の説明は、一例としてのみさまざまな実施形態に関する。なお、以下の記載から、本明細書に開示される構造および方法の代替的な実施形態が、本明細書に記載される原則から逸脱せずに採用され得る実施可能な代替物として容易に認識されるであろう。
【0009】
ここで、いくつかの実施形態を詳しく参照し、これらの例が添付の図に示される。なお、可能な限り、図において同様の参照番号が使用され、これらは同様の機能を示し得る。図は、例示目的でのみさまざまな実施形態を図示する。当業者であれば、以下の説明から、本明細書に例示される構造および方法の代替的な実施形態が、本明細書に記載される原則から逸脱せずに採用され得ることを容易に認識されるであろう。
【0010】
電源は、効率的にバッテリ電圧が落ち込むのを防止し、電荷を蓄積し、過渡事象中に過渡に実質的に等しいが反対量の割合で電荷を放出することによって過渡電圧を抑制する。一実施形態では、蓄積された電荷は、過渡において予想される電荷量の最大値、または、この予想される最大値の所定の範囲内の電荷を有する。説明される電源は、過渡抑制のための従来のアーキテクチャに比べて改善された効率を提供し、これによりバッテリの充電間の時間の長さを増加させ、より優れたユーザエクスペリエンスを作成する。
【0011】
図1は、バッテリ110および電子デバイス130に並列に結合された負荷過渡抑制回路120の第1の実施形態を示す。バッテリ110は、電圧Voと内部抵抗R4を生成する電圧源102として
図1に表わされ、電子デバイス130に接続される全体的なバッテリ電圧Vddをもたらす。負荷過渡抑制回路120は、電圧Vddが過渡負荷中に閾値電圧(たとえば、電子デバイス130の最小動作電圧)を下回らないことを保証する。
【0012】
負荷過渡抑制回路120は、演算増幅器X1と、キャパシタC3−C4と、抵抗R3と、演算増幅器入力回路とを備え、演算増幅器入力回路140は、抵抗R1−R2と、キャパシタC1−C2と、電圧減算回路104とを含む。演算増幅器入力回路140は、差動電圧V+、V−を生成し、過渡状態下で正の差動電圧、公称状態下で負の差動電圧を演算増幅器X1に供給するために提供される。電圧減算回路104は、たとえば、電圧減算構成の差動増幅器のような、任意の従来の技術を使用して実施することができる。公称負荷状態中、電圧降下V1に起因して、演算増幅器X1の正の入力ノードの電圧V+は、負の入力ノードの電圧V−以下である。このため、演算増幅器X1の出力は(たとえば、Vout=0V)の公称状態中にグランドにレールされる。このように、公称状態中に、演算増幅器X1は、そのバイアス電流以外の任意の他の電流を提供または消費しない。演算増幅器X1の電源端子は、電源電圧Vccを受ける。電源電圧Vccは、公称状態下でVddに近づき、C4およびC3の両方が大よそVddに充電される。R4が小さいと仮定すると、Vddは大よそVoである。
【0013】
デバイス電流Ioutが急上昇する過渡的状態の下では、電圧Vddは、バッテリ110の内部抵抗R4に起因して低下し始めるだろう。これは、演算増幅器X1の負入力ノードでの電圧V−および正の入力ノードでのV+を、それぞれR
1C
1およびR
2C
2の時定数に関するそれぞれの割合で降下することを引き起こす。抵抗R1、R2およびキャパシタC1、C2の値は、たとえばτ
1=R
1C
1<<τ
2=R
2C
2である、ように選択され、ここで、τ
1は、演算増幅器X1の負の入力ノードに結合された抵抗R1およびキャパシタC1のRC時定数であり、τ
2は、演算増幅器X1の正の入力ノードに結合された抵抗R2およびキャパシタC2のRC時定数である。時定数の差に起因して、演算増幅器X1の負の入力ノードでの電圧V−は、演算増幅器X1の正の入力ノードの電圧V+よりも速く降下し、V−は、V+を下回る。これは、演算増幅器X1の出力電圧Voutが、過渡負荷状態中に0Vを超えて上昇することを引き起こす。Vddはその後、電流がVoutを介してキャパシタC3を介して流れ始めるにつれて、押し戻される。
【0014】
演算増幅器X1からの電流は、演算増幅器X1の電源電圧Vccから到来する。この電流を供給するために、C4は放電を開始する。抵抗R3は、C3から流れる電流がVddを昇圧し、C4を充電しないことを保証する。C3およびC4は、両方のキャパシタがおよそVo/2(C3=C4を仮定。)になるまで、出力電圧をVddに維持し続けるだろう。C3およびC4の値は、過渡期間の終わりまでそれらの両端の電圧がVo/2に到達しないように選択される。過渡期間が終了すると、キャパシタC3およびC4が徐々に充電して約Voに戻る。
【0015】
所望の機能を達成するために、R3はR4よりも概して大きい。R3が小さすぎると、キャパシタC3によって汲み出される電荷は、大部分において抵抗R3によって消費され得る。R3がR4に比べて大きい場合には、キャパシタC3からの電荷のほとんどは装置130に流入する。しかし、R3の値が大きいほど、過渡事象の後にキャパシタC4を充電するのにかかる時間は長くなる。したがって、R3の正確な値は、所望のトレードオフに基づいて決定され得る。
【0016】
図2は、
図1の負荷過渡抑制回路120の動作を示す波形例を示す。この例では、バッテリ110は、Vo=3Vの電圧を生成し、過渡的状態の下でR4=0.5オームの内部抵抗を持つ。公称状態下では、電子デバイス130は100ミリアンペアの電流Ioutを流し、その結果Vdd=2.95Vが生じる。時刻t
1において、負荷電流Ioutは5Aまで急上昇して、Vddを降下させ始める。Vddの降下は、電圧V+が電圧V−を超えて上昇することを引き起こし、次いでVoutの上昇開始をもたらす。Voutの上昇がVddを安定化させ、Vddがさらに降下するのを防ぐことができる。特に、上昇するVoutは過渡状態中(
図2の時刻t
1および時刻t
2の間)にキャパシタC3を介して電流を増加させる。C3は、さらに、デバイス130に電流を供給し、Vddの落ち込みを防ぐために放電する。Vccはまた、t
1およびt
2の間にC4の放電につれて低下する。時刻t2において、過渡期間が終了し、出力電流Ioutが下がり100ミリアンペアに戻る。これが発生すると、C3およびC4は、再び充電を開始し、これによりVoutが降下し、Vccが増加して約3Vまで戻る。Voutが約0Vに達し、時刻t3でキャパシタC3が完全に充電されると、Vddは上昇して約3Vに戻る。
【0017】
C3およびC4の合計容量は、過渡電圧Vddが与えられたバッテリ電圧用の電子デバイス130の最小動作電圧より常に上にあるように選択される。たとえば、上記の例では700μFの合計容量(たとえば、C3=C4=350μF)は、3Vのバッテリに対しVddが2.7V以上残っていることを保証する。
【0018】
図3は、負荷過渡抑制回路320の別の実施形態を示す。本実施形態では、抵抗R3は、過渡事象の検出に基づいて制御されるスイッチS1(たとえば、トランジスタ)と置換されるが、それ以外は、
図3の実施形態は、
図2のものと同様である。一実施形態において、センス回路322は、電圧Vddまたは電流Ioutをモニタリングすることによって過渡事象を感知する。たとえば、センス回路322は、Vddが閾値電圧を下回るか、またはVddの変化率の大きさが閾値速度を超えて下回ったときに、過渡状態を検出する。Ioutがほぼ閾値電流に上昇、またはIoutの変化率の大きさが閾値速度を上回るときに、センス回路322は、過渡状態を検出してもよい。過渡状態の検出に応答して、センス回路322はスイッチS1をオフに切り替え、これにより演算増幅器X1のVCCノードがキャパシタC4から電流を引き寄せることをもたらす。センス回路322は、過渡状態が終了したことを検知すると、スイッチS1がオンに戻されている。スイッチS1は公称状態中にオンに留まり、これによりキャパシタC4が約Vddに戻るまで充電することを可能とする。
【0019】
本開示を読むと、当業者であれば、負荷過渡抑制回路のためのさらなる追加の代替的な設計を認識するであろう。したがって、特定の実施形態および用途について図示し、説明してきたが、本明細書に記載される実施形態は、本明細書に開示される厳密な構成および構成要素に限定されるものではなく、本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく、本明細書に開示される方法および装置の配置、操作および詳細において、当業者に明らかとなるさまざまな改良、変更およびバリエーションがなされ得ることが理解されるべきである。