特許6510678予備パターン化された底部電極及び酸化障壁上に強誘電体ランダムアクセスメモリを製造する方法

発明の名称　予備パターン化された底部電極及び酸化障壁上に強誘電体ランダムアクセスメモリを製造する方法

出願人　サイプレス　セミコンダクター　コーポレーション　（識別番号 507364997）

　　　　特許公開件数ランキング 2800 位（2件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 11821 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6510678

公報発行日　2019年5月8

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6510678

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