特許第6514707号(P6514707)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6514707磁場に対する向上した応答を促すための改良されたシード層を備える磁気抵抗素子
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  • 特許6514707-磁場に対する向上した応答を促すための改良されたシード層を備える磁気抵抗素子 図000002
  • 特許6514707-磁場に対する向上した応答を促すための改良されたシード層を備える磁気抵抗素子 図000003
  • 特許6514707-磁場に対する向上した応答を促すための改良されたシード層を備える磁気抵抗素子 図000004
  • 特許6514707-磁場に対する向上した応答を促すための改良されたシード層を備える磁気抵抗素子 図000005
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