特許第6517360号(P6517360)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6517360膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法
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  • 特許6517360-膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法 図000003
  • 特許6517360-膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法 図000004
  • 特許6517360-膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法 図000005
  • 特許6517360-膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法 図000006
  • 特許6517360-膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法 図000007
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