特許 6521517 積層セラミック電子部品及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6521517

(24)【登録日】2019年5月10日

(45)【発行日】2019年5月29日

(54)【発明の名称】積層セラミック電子部品及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20190520BHJP

   C04B 35/468 20060101ALI20190520BHJP

【ＦＩ】

   H01G4/30 516

   H01G4/30 517

   H01G4/30 515

   H01G4/30 512

   H01G4/30 513

   C04B35/468

【請求項の数】30

【全頁数】22

(21)【出願番号】特願2015-141471(P2015-141471)

(22)【出願日】2015年7月15日

(65)【公開番号】特開2016-119446(P2016-119446A)

(43)【公開日】2016年6月30日

【審査請求日】2017年10月23日

(31)【優先権主張番号】10-2014-0187399

(32)【優先日】2014年12月23日

(33)【優先権主張国】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】パーク、クム ジン

(72)【発明者】

【氏名】チョイ、チャン ハク

(72)【発明者】

【氏名】リー、チ ファ

(72)【発明者】

【氏名】シン、ミン ギ

(72)【発明者】

【氏名】キム、ウー スプ

(72)【発明者】

【氏名】ヨー、ジョン フーン

【審査官】 鈴木 駿平

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−３１９２０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０５５３１４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−３０５１２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−６８５５９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｇ ４／００−４／２２４

Ｈ０１Ｇ ４／２５５−４／４０

Ｈ０１Ｇ １３／００−１７／００

Ｃ０４Ｂ ３５／４６８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

チタン酸バリウムを含む複数の誘電体層と、
前記誘電体層上に配置され、内部にトラップされた共材を含む内部電極と、を含み、
前記共材は、添加剤がドーピングされた誘電体であって、カルシウム（Ｃａ）が添加剤としてドーピングされたチタン酸バリウム（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３）を含み、ｘは０．０１≦ｘ≦０．２であり、
前記誘電体層は前記添加剤を含み、
前記共材に含まれた前記添加剤の平均濃度は、前記誘電体層に含まれた前記添加剤の平均濃度よりも高い、積層セラミック電子部品。

【請求項2】

前記共材は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上がドーピングされた誘電体である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項3】

前記共材は、原子価アクセプタ元素のうち一つ以上及びカルシウム（Ｃａ）が共ドーピングされた誘電体である、請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項4】

前記共材は、原子価アクセプタ元素のうち一つ以上及び希土類元素のうち一つ以上が共ドーピングされた誘電体である、請求項１から３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項5】

前記共材は、希土類元素のうち一つ以上及びカルシウム（Ｃａ）が共ドーピングされた誘電体である、請求項１から４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項6】

前記共材は、原子価アクセプタ元素のうち一つ以上、希土類元素のうち一つ以上、及びカルシウム（Ｃａ）が共ドーピングされた誘電体である、請求項１から５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項7】

前記誘電体層は、厚さ方向の中心部における前記添加剤の含量より前記内部電極に隣接した領域における前記添加剤の含量が高い、請求項１から６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項8】

前記内部電極の全体断面積において前記共材が占める断面積は３％〜２０％である、請求項１から７のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項9】

前記共材の平均サイズは１〜２００ｎｍである、請求項１から８のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項10】

前記誘電体層は、前記内部電極に隣接した界面部と、前記界面部の間に配置される中央部と、を含み、前記界面部における前記添加剤の濃度が前記中央部における前記添加剤の濃度より高い、請求項１から９のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項11】

チタン酸バリウムを含む誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内において前記誘電体層上に配置され、内部にトラップされた共材を含む内部電極と、を含み、
前記共材は、添加剤がドーピングされた誘電体であって、カルシウム（Ｃａ）が添加剤としてドーピングされたチタン酸バリウム（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３）を含み、ｘは０．０１≦ｘ≦０．２であり、
前記誘電体層は前記添加剤を含み、厚さ方向において前記添加剤の濃度勾配を有し、
前記共材に含まれた前記添加剤の平均濃度は、前記誘電体層に含まれた前記添加剤の平均濃度よりも高い、積層セラミック電子部品。

【請求項12】

前記誘電体層は、前記内部電極に隣接した界面部と、前記界面部の間に配置される中央部と、を含み、前記界面部における前記添加剤の濃度が前記中央部における前記添加剤の濃度より高い、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項13】

前記誘電体層は、内部電極に隣接した界面において厚さ方向の中心部に行くほど前記添加剤の濃度が次第に減少する、請求項１１または１２に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項14】

前記添加剤は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上を含む、請求項１１から１３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項15】

前記共材は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上がドーピングされた誘電体である、請求項１２から１４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項16】

前記内部電極の全体断面積において前記共材が占める断面積は３％〜２０％である、請求項１２から１５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項17】

前記共材の平均サイズは１〜２００ｎｍである、請求項１２から１６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項18】

チタン酸バリウム粉末を含むセラミックグリーンシートを設ける段階と、
前記セラミックグリーンシートに、添加剤がドーピングされた共材を含む内部電極ペーストを塗布する段階であって、前記共材は、カルシウム（Ｃａ）が添加剤としてドーピングされたチタン酸バリウム（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３）を含み、ｘは０．０１≦ｘ≦０．２である、塗布する段階と、
前記内部電極ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを積層する段階と、
前記積層されたセラミックグリーンシートを焼成して内部電極及び誘電体層を含むセラミック本体を形成する段階であって、焼成後に前記共材に含まれた前記添加剤の平均濃度が、前記誘電体層に含まれた前記添加剤の平均濃度よりも高くなるようにする、形成する段階と、を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項19】

前記共材の一部は、焼成過程において、内部電極ペーストから抜け出して誘電体層を形成する、請求項１８に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項20】

前記内部電極ペーストに含まれた共材の２０〜８０％は、焼成過程において内部電極ペーストから抜け出して誘電体層の一部を形成する、請求項１８または１９に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項21】

前記誘電体層は、厚さ方向において前記添加剤の濃度勾配を有する、請求項１８から２０のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項22】

前記共材は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上がドーピングされた誘電体である、請求項１８から２１のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項23】

前記共材の平均サイズは１〜５０ｎｍである、請求項１８から２２のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項24】

チタン酸バリウムを含み、コアシェル構造を有する複数の誘電体グレインを含む複数の誘電体層と、
前記誘電体層上に配置され、内部にトラップされた共材を含む内部電極と、を含み、
前記共材は、添加剤がドーピングされた誘電体であり、カルシウム（Ｃａ）が添加剤としてドーピングされたチタン酸バリウム（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３）を含み、ｘは０．０１≦ｘ≦０．２であり、
前記誘電体層は前記添加剤を含み、
前記共材に含まれた前記添加剤の平均含量は、前記誘電体層に含まれた前記添加剤の平均含量よりも高い、積層セラミック電子部品。

【請求項25】

前記誘電体グレインに含まれた前記添加剤の含量は、コアシェル構造のコア部よりシェル部においてさらに高い、請求項２４に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項26】

前記添加剤は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上を含む、請求項２５に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項27】

前記添加剤の含量は、誘電体層内において内部電極に隣接した領域が誘電体層の中心部より高い、請求項２６に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項28】

前記内部電極の全体断面積において前記共材が占める断面積は３％〜２０％である、請求項２４から２７のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項29】

前記共材の平均サイズは１〜２００ｎｍである、請求項２４から２８のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項30】

それぞれの前記誘電体層は、単一層の誘電体グレインで形成される、請求項２４から２９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

キャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタまたはサーミスタなどのセラミック材料を用いる電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体、本体内部に形成された内部電極、及び上記内部電極と接続されるようにセラミック本体表面に設置された外部電極を備える。

【0003】

そのうち積層セラミックキャパシタは、通常的に、内部電極用ペーストと誘電体層用ペーストをシート法や印刷法などによって積層及び焼成することで製造される。

【0004】

従来は、積層セラミックキャパシタなどに利用される誘電体材料としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）に基づいた誘電体材料が用いられてきた。

【0005】

高信頼性が求められる分野での多くの機能が電子化され、その需要が増加することにより、これに応じて積層セラミック電子部品にも高信頼性が求められている。

【0006】

一方、積層セラミック電子部品の開発が進行するにつれて、高溶量及び高信頼性の特性をいかに具現するかが重要な問題として浮かんでいる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】韓国公開特許第１９９９−００７５８４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

本発明の一実施形態の目的は、積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の一実施形態によると、交互に配置された内部電極及び誘電体層を含む積層セラミック電子部品において、上記内部電極は内部にトラップされた共材を含み、上記共材は添加剤がドーピングされた誘電体を含んで絶縁劣化の発生が抑制され、長期信頼性が向上した積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供する。

【0010】

また、本発明の一実施形態によると、上記誘電体層は、内部電極に隣接した界面付近における添加剤の濃度が誘電体層の厚さ方向の中心付近における濃度より高いため、誘電損失（ＤＦ）が低く、高い誘電率を具現しながら信頼性を向上させた積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供する。

【発明の効果】

【0011】

本発明の一実施形態によると、容量が増加し、信頼性が向上した積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を示す斜視図である。

【図2】図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。

【図3】図２のＰ領域に対する拡大図である。

【図4】本発明の一実施形態の積層セラミック電子部品に含まれた母材主成分及び添加剤元素の濃度を説明するために、図３のＬ１−Ｌ２線に沿って母材主成分及び添加剤元素が有することができる濃度分布を概略的に示すグラフである。

【図5】本発明の他の一実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法を示す順序図である。

【図6】本発明の一実施形態によって焼成が完了した積層体を切断して内部電極及び誘電体層の断面を観察した透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）の写真である。

【図7a】本発明の実施例１によって製造された積層セラミック電子部品を切断して内部電極及び誘電体層の断面を観察した透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）の写真である。

【図7b】図７ａのｌｉｎｅ １の領域を矢印方向に分析してカルシウム（Ｃａ）の検出量を示すＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）ｌｉｎｅ ｐｒｏｆｉｌｅの分析結果を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。

【0014】

図１は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品１００を示す概略斜視図であり、図２は図１の積層セラミック電子部品１００のＡ−Ａ'線に沿った概略断面図である。

【0015】

図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品１００は、セラミック本体１１０、及び上記セラミック本体の外部面に配置される外部電極１３１、１３２を含む。

【0016】

セラミック本体１１０は、電子部品の容量形成に寄与する部分である活性層、及び上下マージン部として活性層の上下部にそれぞれ形成された上部及び下部カバー層を含む。上記活性層は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含み、内部電極１２１、１２２が印刷された誘電体層１１１が積層されて形成されることができる。

【0017】

本発明の一実施形態において、セラミック本体１１０は、その形状に特に制限されないが、実質的に六面体形状であることができる。セラミック本体１１０は、チップの焼成時にセラミック粉末の焼成収縮、内部電極パターンの有無による厚さの差異、及びセラミック本体の角部の研磨により、完全な六面体形状ではないが、実質的に六面体に近い形状を有することができる。

【0018】

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と交互に積層されることができ、内部電極の間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に絶縁される。

【0019】

内部電極１２１、１２２は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、上記第１内部電極及び上記第２内部電極は上記誘電体層上に交互に積層されることができる。

【0020】

内部電極１２１、１２２の厚さ及び積層数は用途に応じて決定されることができる。

【0021】

また、これに制限されないが、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、またはこれらの合金を含むことができる。

【0022】

第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２に含有される導電性材料は、特に限定されないが、ニッケル（Ｎｉ）を用いることができる。

【0023】

誘電体層１１１は、高誘電率を有するセラミック組成を含み、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系誘電体を含むことができる。

【0024】

上記チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系誘電体は、純粋なチタン酸バリウム、またはチタン酸バリウムのＢａサイト（Ａサイト）及びＴｉサイト（Ｂサイト）が他の添加元素でドーピングされた化合物を含む意味として理解されることができる。

【0025】

図３は図２のＰ領域を概略的に示す拡大図である。

【0026】

図３に示されているように、本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２は、内部にトラップ（ｔｒａｐ）されている共材２１を含む。

【0027】

共材２１は、添加剤がドーピングされた誘電体で、例えば、添加剤がドーピングされたチタン酸バリウム系誘電体であることができる。

【0028】

本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２の内部にトラップされている共材２１に添加剤がドーピングされているため、純粋なチタン酸バリウム誘電体を共材として用いた場合に比べて共材の耐還元性が向上し、焼成後の共材の絶縁特性が向上することができる。

【0029】

これにより、内部電極１２１、１２２内にトラップされた共材２１の耐還元性及び絶縁特性が向上して内部電極に過電流が流れることを抑制することができ、内部電極が過熱しても電極の玉化及び切れを防いで絶縁劣化の発生を減らすことができるため、積層セラミック電子部品の長期信頼性を向上させることができる。

【0030】

上記添加剤は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上の元素であることができる。

【0031】

上記原子価アクセプタ元素は、マグネシウム（Ｍｇ）及びマンガン（Ｍｎ）のうち一つ以上を含み、上記希土類元素はイットリウム（Ｙ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）のうち一つ以上を含む。

【0032】

後述の通り、本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２に含まれる共材２１の添加剤組成を通じて誘電体層１１１の組成を調節することができる。

【0033】

したがって、誘電体層１１１の物性を具現するために、上記添加剤は適切に選択されることができる。

【0034】

例えば、共材２１は、原子価アクセプタ元素のうち一つ以上及びカルシウム（Ｃａ）が共ドーピング（ｃｏ−ｄｏｐｉｎｇ）された誘電体であってよい。

【0035】

また、共材２１は、希土類元素のうち一つ以上及びカルシウム（Ｃａ）が共ドーピングされた誘電体であってよく、原子価アクセプタ元素のうち一つ以上及び希土類元素のうち一つ以上が共ドーピングされた誘電体であってもよい。

【0036】

なお、共材２１は、原子価アクセプタ元素のうち一つ以上、希土類元素のうち一つ以上、及びカルシウム（Ｃａ）が共ドーピングされた誘電体であってもよい。

【0037】

本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２の断面積において、共材２１が占める断面積は３％〜２０％であることができる。

【0038】

上記内部電極の面積において共材が占める面積が３％以下である場合、絶縁劣化の発生を減少させる効果が大きく示されず、共材が占める面積が２０％以上である場合、内部電極内の非伝導性領域の増加で内部電極の連結性が低下して容量が低くなるという問題が発生しかねない。

【0039】

本発明の一実施形態によると、誘電体層１１１は、共材２１に含まれた添加剤と同一の添加剤を含み、誘電体層の厚さ方向において上記添加剤元素が濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有する。

【0040】

例えば、上記誘電体層は、内部電極に隣接した界面において厚さ方向の中心部に行くほど添加剤の濃度が次第に減少することができる。

【0041】

誘電体層１１１内に存在する添加剤は、内部電極ペーストに含まれた共材が焼成過程において内部電極ペーストから抜け出し、誘電体層の一部を形成する過程において誘電体層に含まれることができる。

【0042】

これにより、誘電体層１１１内における上記添加剤の濃度は、誘電体層の厚さ方向の中心より誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２との界面付近（内部電極に隣接した領域）においてさらに高い。

【0043】

例えば、図３に示されているように、誘電体層１１１は、内部電極１２１、１２２に隣接した界面部１１１ｂ、及び界面部１１１ｂの間に配置される中央部１１１ａを含み、上記界面部における添加剤の濃度が上記中央部における添加剤の濃度より高い。

【0044】

界面部１１１ｂと中央部１１１ａは、誘電体層内に区分されものではなく、一体で形成されるもので、内部電極との距離で区分されることができる。

【0045】

本発明の一実施形態において、界面部１１１ｂは、上記内部電極と上記誘電体層との界面から上記誘電体層の厚さの２０％以内の領域として定義される。

【0046】

界面部１１１ｂの厚さＴ２は誘電体層１１１の厚さＴ１の２０％であることができる。

【0047】

誘電体層の材料として用いられるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）は、高誘電率を具現することができるが、耐還元性がよくないため、誘電体層及び内部電極を薄層化する際に信頼性を確保することが困難であるという問題がある。

【0048】

また、誘電体層の耐還元性及び信頼性を向上させるために、添加剤を含む誘電体層を用いる場合は、誘電率が低下し、誘電損失（ＤＦ）が増加するという問題がある。

【0049】

したがって、本発明の一実施形態は、誘電体層が添加剤元素を含み、誘電体層の厚さ方向において均一に含まれず、内部電極に隣接した誘電体層の界面部において添加剤元素がさらに多く含まれる。

【0050】

積層セラミック電子部品の使用過程において、誘電体層の損傷で生じる絶縁劣化は主に内部電極に隣接した誘電体層の界面部に酸素空孔が蓄積して発生する。したがって、本発明の一実施形態のように、チタン酸バリウムの耐還元性及び信頼性を向上させる添加剤が誘電体層の界面部１１１ｂに主に存在するようにする場合、高い誘電率及び低い誘電損失を具現しながら信頼性を向上させることができる。

【0051】

また、本発明の一実施形態によると、誘電体層において、酸素空孔が主に蓄積する内部電極の境界から全体厚さの２０％に該当する界面部における添加剤の濃度をさらに高くすることにより、高い誘電率、低い誘電損失を効率的に具現しながら信頼性を向上させることができる。

【0052】

本発明の一実施形態によると、添加剤元素が誘電体層１１１の界面部１１１ｂに主に含まれるため、上記誘電体層の界面部１１１ｂにおける添加剤の濃度が中央部１１１ａにおける添加剤の濃度より高い。

【0053】

本発明の一実施形態のように、添加剤元素が誘電体層に均一に含まれず、中央部１１１ａより界面部１１１ｂにさらに多く含まれることにより、誘電率の減少を防止し、誘電損失を減らしながら信頼性が向上した積層セラミック電子部品を提供することができる。

【0054】

積層セラミック電子部品の製造方法で後述するが、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２は、誘電体層を形成するセラミックグリーンシート上に内部電極ペーストを塗布した後、これらを積層した積層体を焼成して形成されることができる。

【0055】

本発明の一実施形態によると、内部電極を形成するための内部電極ペーストが添加剤元素がドーピングされた誘電体共材を含むことにより、内部電極に隣接した誘電体層の界面部における添加剤の濃度が誘電体層の中央部における添加剤の濃度より高くなることができる。

【0056】

上記内部電極ペーストに含まれた共材は、内部電極ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを含む積層体の焼成過程において、内部電極から抜け出してセラミックグリーンシートに移動し、誘電体層の一部を形成することができる。このとき、内部電極に隣接した誘電体層の界面部に主に配置されることができる。

【0057】

本発明の一実施形態によると、内部電極ペーストに含まれる共材は、添加剤元素がドーピングされた誘電体を含むことにより、添加剤元素を共材にドーピングさせずに別途の添加剤で内部電極ペーストに添加した場合、または添加剤を表面にコーティングした誘電体共材を内部電極ペーストに添加した場合に比べて誘電体層の界面部に添加剤元素を均一に分布させることができる。

【0058】

本発明の一実施形態とは異なって、共材において添加剤元素がチタン酸バリウム系化合物にドーピングされず別途で存在する場合は、内部電極の焼成過程において添加剤が共材または誘電体層を形成する母材誘電体主成分に完全に固溶されないため偏析として存在する可能性がある。この場合、内部電極の連結性を低下させ、誘電体内の電気的特性を悪化させる二次相を形成して容量及び信頼性の低下をもたらすおそれがある。

【0059】

しかし、本発明の一実施形態のように、内部電極ペーストより焼成温度が高い共材として添加剤元素がドーピングされた誘電体を用いる場合、内部電極の焼成過程における添加剤の偏析及び添加剤による二次相の生成が抑制されて、容量の低下を防止し、信頼性を向上させることができる。

【0060】

また、焼成過程において内部電極とセラミックグリーンシートとの界面に押し出された共材は、セラミックグリーンシートに含まれた化合物とともに誘電体層を形成して誘電体層の誘電損失を減らし、信頼性を向上させることができる。

【0061】

上記添加剤は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上の元素であることができる。

【0062】

上記原子価アクセプタ元素はマグネシウム（Ｍｇ）及びマンガン（Ｍｎ）のうち一つ以上を含み、上記希土類元素はイットリウム（Ｙ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）のうち一つ以上を含む。

【0063】

共材２１にカルシウム（Ｃａ）がドーピングされる場合、耐還元性が高くなり、酸素空孔の移動を抑制させて信頼性を向上させることができる。

【0064】

共材２１に原子価アクセプタ元素（Ｍｇ、Ｍｎ）のうち一つ以上がドーピングされる場合、還元雰囲気焼成時に誘電体が還元されて半導体化することを防止することができる。

【0065】

共材２１に希土類元素（Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｙｂ）のうち一つ以上がドーピングされる場合、希土類元素がチタン酸バリウム系誘電体のＡサイト及びＢサイトですべて置換されることができるため、焼成中にバランスを維持することができ、これにより、積層セラミック電子部品の信頼性を向上させることができる。

【0066】

本発明の一実施形態によると、図３に示されているように、上記誘電体層は誘電体グレイン（Ｇｒａｉｎ）１１を含み、上記誘電体グレインはコア部１１ａ、及び上記コア部を覆うシェル部１１ｂを含むコアシェル構造を有することができる。

【0067】

本発明の一実施形態によると、上記界面部に含まれた誘電体グレインは、コア部における添加剤元素の含量よりシェル部における添加剤元素の含量が高くてもよい。

【0068】

本発明の一実施形態によると、上記誘電体層は、厚さ方向において一層の誘電体グレインで形成されることができ、一層の誘電体グレインで誘電体層が形成されても、コア部における添加剤元素の含量よりシェル部における添加剤元素の含量が高くてもよいが、本発明はこれに制限されない。

【0069】

また、一層の誘電体グレインで誘電体層が形成される場合、シェル部において、界面部に該当する領域における添加剤元素の含量が中央部に含まれた領域における添加剤元素の含量より高くてもよい。

【0070】

上述の通り、内部電極ペーストに含まれた共材が焼成工程において内部電極とセラミックグリーンシートとの界面に押し出されて誘電体層を形成する場合、上記共材を形成する添加剤がドーピングされた誘電体は、上記セラミックグリーンシートに含まれた誘電体粉末を覆うことで誘電体グレインのシェル部を形成することができる。

【0071】

これにより、本発明の一実施形態によると、界面部１１１ｂに含まれた誘電体グレインのシェル部は添加剤がドーピングされた誘電体を含み、上記誘電体層の界面部に含まれた誘電体グレインのシェル部における添加剤の含量はコア部における添加剤の含量より高くてもよい。

【0072】

内部電極ペースト及びセラミックグリーンシートの焼成工程において内部電極ペーストから抜け出さない共材は、焼成後の内部電極内に残存して絶縁劣化の発生を減少させることができる。

【0073】

本発明の一実施形態によると、焼成後の内部電極にトラップされた共材の平均サイズは１〜２００ｎｍであることができる。

【0074】

再び図１及び図２を参照すると、セラミック本体に含まれた上部及び下部カバー層は、単一または２つ以上の誘電体層を活性層の上下面にそれぞれ上下方向に積層して形成されたものであるとみなすことができ、物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を行うことができる。

【0075】

第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２は、セラミック本体１１０の両端部にそれぞれ配置されることができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２が露出する端部とそれぞれ電気的に連結されてキャパシタ回路を構成することができる。

【0076】

これに制限されないが、上記外部電極は、導電性物質として銅（Ｃｕ）を含むことができる。また、これに制限されないが、外部電極１３１、１３２は、ガラスをさらに含むことができ、導電性物質及びガラスを含む外部電極用ペーストによって形成されることができる。上記外部電極用ペーストにおいてガラスはガラスフリットの形態で含まれることができる。

【0077】

上記外部電極は、上記外部電極用ペーストを焼成して形成されることができる。

【0078】

本発明の一実施形態によると、厚さ方向においてカルシウムの濃度が異なる誘電体層を含むことにより、容量が高く、誘電損失が低く、信頼性に優れた積層セラミック電子部品を提供することができる。

【0079】

図４は本発明の一実施形態の積層セラミック電子部品に含まれた母材主成分及び添加剤元素の濃度を説明するために、図３のＬ１−Ｌ２線に沿って母材主成分及び添加剤元素が有することができる濃度分布を概略的に示すグラフである。

【0080】

図４の（ａ）は母材主成分の元素が有することができる濃度分布を示す。上記母材主成分の元素はバリウム（Ｂａ）及びチタニウム（Ｔｉ）であることができる。

【0081】

図４の（ａ）に示されているように、誘電体層は、位置とは関係なく母材主成分元素を比較的均一に含み、内部電極内において共材が配置された領域から母材主成分元素が検出されることが確認できる。

【0082】

図４の（ｂ）は内部電極ペーストに添加される共材に含まれ、上記誘電体層を形成するための誘電体スラリー（またはセラミックグリーンシート）には含まれない添加剤元素が有することができる濃度分布を示す。

【0083】

この場合、図４の（ｂ）に示されているように、共材が配置された領域において添加剤元素が検出され、誘電体層の界面部において添加剤元素が検出されることができる。このとき、上記添加剤元素は、誘電体層の厚さ方向の中心部では検出されないか、微量検出されることができる。

【0084】

誘電体層の界面部において検出される添加剤元素は、焼成過程において内部電極ペーストに含まれた共材が抜け出して誘電体層の界面部の一部を形成して検出されることができる。

【0085】

図４の（ｃ）は内部電極ペーストに添加される共材に含まれる添加剤元素が誘電体層を形成するための誘電体スラリー（またはセラミックグリーンシート）にも含まれる場合、添加剤元素が有することができる濃度分布を示す。

【0086】

この場合、図４の（ｃ）に示されているように、共材が配置された領域において添加剤元素が検出され、誘電体層内においても添加剤元素が検出される。

【0087】

ただし、図４の（ｂ）の場合と異なって、焼成前の誘電体スラリーに添加剤元素が含まれているため、誘電体層の厚さ方向の中心部において添加剤元素が検出される。

【0088】

しかし、この場合も、上記内部電極ペーストに添加される共材に含まれる添加剤の濃度は、焼成前の誘電体スラリーに含まれた添加剤の濃度より高いため、内部電極ペーストに含まれた共材の一部が誘電体層の界面部を形成する場合、誘電体層の界面部における添加剤の濃度が誘電体層の中心部における添加剤の濃度より高い。

【0089】

また、図４の（ｂ）及び（ｃ）の場合、両方とも焼成後の誘電体層に含まれた添加剤の平均濃度より上記共材に含まれた添加剤の平均濃度が高い。

【0090】

図５は本発明の他の一実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法を示す順序図である。

【0091】

図５を参照すると、本発明の他の一実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、チタン酸バリウム系粉末を含むセラミックグリーンシートを設ける段階（Ｓ１）、上記セラミックグリーンシート上に添加剤元素がドーピングされた共材を含む内部電極ペーストを塗布する段階（Ｓ２）、上記内部電極ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する段階（Ｓ３）、及び上記積層体を焼成してセラミック本体を設ける段階（Ｓ４）を含む。

【0092】

上記複数のセラミックグリーンシートを設ける段階（Ｓ１）は、チタン酸バリウム系粉末を含む誘電体スラリーをキャリアフィルム上に塗布及び乾燥して形成することで行われることができる。

【0093】

上記セラミックグリーンシートは、上記共材に含まれる添加剤元素を含まないか、含んでも共材に含まれる添加剤元素より低い濃度で含まれて焼成後の誘電体層において濃度勾配を形成する。

【0094】

本発明の一実施形態によると、上記共材に含まれた誘電体母材に対する添加剤元素の濃度は、上記セラミックグリーンシートを形成する誘電体スラリーに含まれた誘電体母材に対する添加剤元素の濃度より高い。

【0095】

上記内部電極ペーストを塗布する段階（Ｓ２）は、内部電極を形成するためのペーストを上記セラミックグリーンシートに印刷することで行われることができるが、内部電極パターンの形成方法はこれに制限されない。

【0096】

上記内部電極を形成するためのペーストは、電極物質を用いることができ、これに制限されないが、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、またはこれらの合金を含むことができる。

【0097】

本発明の一実施形態によると、上記内部電極ペーストは共材を含み、上記共材は誘電体層で求められる物性に応じて添加剤がドーピングされた誘電体を含む。

【0098】

上記添加剤は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上を含むことができる。

【0099】

例えば、上記共材は、カルシウムがドーピングされたチタン酸バリウム（Ｂａ_１−ｘＣａ_ＸＴｉＯ_３）であることができる。これに制限されないが、上記ｘは０．０１≦ｘ≦０．２であることができる。

【0100】

本発明の一実施形態によると、内部電極ペーストに含まれる共材の粒径は１ｎｍ〜５０ｎｍであることができ、好ましくは１〜３０ｎｍであることができる。

【0101】

上記共材の粒径が１ｎｍ未満である場合、焼成過程において、内部電極ペーストに含まれた導電性物質（例えば、ニッケル）間のネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）を抑制する効果がわずかであるため内部電極の連結性が低下しかねない。

【0102】

また、上記共材の粒径が５０ｎｍを超過すると、焼成過程において、内部電極ペーストに含まれた共材が内部電極とセラミックグリーンシートとの界面に速く押し出されて内部電極の焼結抑制の機能を順調に行わないため内部電極の連結性が低下しかねない。

【0103】

上記共材の粒径が１ｎｍ〜５０ｎｍである場合、内部電極の連結性が向上し、これにより、積層セラミック電子部品の誘電特性が向上することができる。

【0104】

焼成過程において界面に押し出されない共材は内部電極内に残存するようになる。焼成後の上記内部電極内にトラップされて残存する共材の粒径は、焼成過程中に共材間の粒成長のため１〜２００ｎｍであることができ、より好ましくは１〜１００ｎｍであることができる。

【0105】

次に、上記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する（Ｓ３）。また、上部及び下部カバー層を形成するために、内部電極パターンが形成されないセラミックグリーンシートを内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシート積層体の上部及び下部に積層することができる。

【0106】

その後、上記積層体を焼成して内部電極及び誘電体層を含むセラミック本体を形成（Ｓ４）することができる。

【0107】

本発明の一実施形態によると、セラミック積層体の焼成工程前に、上記積層体を圧着し、内部電極パターンの一端が切断面を通じて交互に露出するように個別チップの形態で切断する工程をさらに含むことができる。

【0108】

本発明の一実施形態によると、上記積層体の焼成工程において内部電極ペーストに含まれた共材の一部が内部電極とセラミックグリーンシートとの界面に抜け出してセラミックグリーンシートとともに誘電体層を形成することができる。

【0109】

これにより、上記誘電体層の界面部における添加剤の濃度は上記誘電体層の中央部における添加剤の濃度より高く形成されることができる。

【0110】

本発明の一実施形態によると、焼成プロファイルを制御して、内部電極ペーストに含まれた共材の２０〜８０％が焼成過程において内部電極ペーストから抜け出して誘電体層の一部（主に界面に配置）を形成し、残りの共材は内部電極内に残存することができる。

【0111】

例えば、焼成過程の一定領域において急速昇温することにより、内部電極に含まれた電極物質と共材の焼結性の差異を用いて内部電極ペーストに含まれた共材が界面に抜け出すのを円滑にすることができる。

【0112】

図６は焼成後の積層体を切断して内部電極及び誘電体層の断面を観察した透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）の写真である。

【0113】

焼成中には内部電極ペーストに含まれた共材が内部電極と誘電体層との界面に押し出されることができる。

【0114】

図６を参照すると、焼成が完了した後、共材を形成する添加剤がドーピングされた誘電体は、グリーンシートに含まれた誘電体グレインのシェル部に吸収されて誘電体層を形成することが確認できる。

【0115】

続いて、上記セラミック本体の外部面に外部電極用ペーストを塗布して外部電極を形成することができる。上記外部電極用ペーストの塗布は上記セラミック本体を外部電極用ペーストにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）して行われることができるが、これに限定されない。

【0116】

本発明の一実施形態によると、上記外部電極用ペーストは、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金を含むことができるが、本発明はこれに限定されない。

【0117】

上記外部電極は、セラミック本体に塗布された外部電極用ペーストを焼成して形成されることができる。

【0118】

その他、本実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法に関する説明のうち上述した本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品と重複する説明は省略する。

【0119】

＜実験例＞
実施例１）カルシウム（Ｃａ）が１０％ドーピングされたＢＣＴ粉末（Ｂａ_０．９Ｃａ_０．１ＴｉＯ_３）を含む内部電極ペーストを製作した。また、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）粉末を含む誘電体原料粉末に、焼結助剤、バインダー及びエタノールなどの有機溶媒を添加し、湿式混合して誘電体スラリーを設けた後、上記誘電体スラリーをキャリアフィルム上に塗布及び乾燥してセラミックグリーンシートを形成した。

【0120】

次に、上記ＢＣＴ粉末を共材として含む内部電極ペーストを上記セラミックグリーンシートに印刷した後、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層することで積層体を形成し、上記積層体を圧着及び切断した。

【0121】

その後、切断された積層体を加熱してバインダーを除去した後、高温の還元雰囲気下において焼成してセラミック本体を形成した。本焼成過程では、一定領域において急速昇温して内部電極ペーストに存在するＢＣＴ粉末（共材）が、内部電極が焼結されることにより、内部電極と誘電体層との界面に押し出されるようにし、ＢＣＴ粉末が押し出されてからセラミックグリーンシートが速く焼結されるようにすることにより、内部電極とセラミックグリーンシートとの界面に押し出されたＢＣＴ粉末が誘電体層の中央部に拡散しないようにした。

【0122】

上記のような方法で得られたセラミック本体の両端面にガラスフリット及び銅を含む外部電極ペーストを塗布及び焼成して、内部電極と連結される外部電極を形成した。

【0123】

比較例１）カルシウム（Ｃａ）がドーピングされないＢａＴｉＯ_３（以下、ＢＴ）粉末を共材として含む内部電極ペーストを製作した。ＢＣＴ粉末の代わりにＢＴ粉末を内部電極ペーストに共材として混合したこと以外のすべての条件は実施例１と同一にした。

【0124】

比較例２）カルシウム（Ｃａ）が３％ドーピングされたＢＣＴ粉末を誘電体原料粉末としてセラミックグリーンシートを製作した。その他の条件は比較例１と同一にした。

【0125】

図７ａは本発明の実施例１によって製造された積層セラミック電子部品を切断して内部電極及び誘電体層の断面を観察した透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）の写真であり、図７ｂは図７ａのｌｉｎｅ １の領域を矢印方向に分析してカルシウム（Ｃａ）の検出量を示すＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）ｌｉｎｅ ｐｒｏｆｉｌｅの分析結果を示すグラフである。図７ｂに示されているように、実施例１による積層セラミック電子部品の誘電体層は、内部電極に隣接した界面部においてカルシウム（Ｃａ）が多量検出され、誘電体層の中央部においてカルシウム（Ｃａ）が少量検出されることが確認できる。

【0126】

下記表１は上記実施例１、比較例１及び比較例２によって製造された積層セラミック電子部品に対して誘電率（相対誘電率）、誘電損失（ＤＦ）及び絶縁破壊電圧（ｂｒｅａｋ−ｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＶＤ）の特性を測定して示すデータである。

【0127】

常温誘電率及び誘電損失はＡｇｉｌｅｎｔ ４２８４Ａで１ＫＨｚ、１Ｖの条件下において測定された。ＢＤＶはＫｅｉｔｈｅｌｙ測定器で測定し、０Ｖから１．０００００ＶずつＳｗｅｅｐ方式で電圧を印加して、電流値が１０ｍＡになる瞬間の電圧値をＢＤＶ値として測定した。

【0128】

【表1】

【0129】

上記表１を参照すると、内部電極に隣接した誘電体層の界面部においてカルシウム（Ｃａ）の含量が高い実施例１の場合、誘電体層がカルシウムを含まない比較例１または誘電体層がカルシウムを全体的に含む比較例２に比べて高い誘電率を示す。これにより、積層セラミック電子部品の容量が上昇することが確認できる。

【0130】

また、実施例１の場合、誘電体層の全般にカルシウムが存在する場合（比較例２）に比べて誘電損失（ＤＦ）が減少する。

【0131】

なお、誘電体層がカルシウムを含まないか（比較例１）、誘電体層の全般にカルシウムが存在する場合（比較例２）に比べて絶縁破壊電圧が向上することが確認できる。

【0132】

実施例２）カルシウム（Ｃａ）が１０％ドーピングされたＤｙドーピングされたＢＴ粉末（Ｂａ_０．９９Ｄｙ_０．０１ＴｉＯ_３）を含む内部電極ペーストを製作した。また、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）粉末を含む誘電体原料粉末に、焼結助剤、バインダー及びエタノールなどの有機溶媒を添加し、湿式混合して誘電体スラリーを設けた後、上記誘電体スラリーをキャリアフィルム上に塗布及び乾燥してセラミックグリーンシートを形成した。

【0133】

次に、上記ＤｙドーピングされたＢＴ粉末を共材として含む内部電極ペーストを上記セラミックグリーンシートに印刷した後、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成した後、上記積層体を圧着及び切断した。

【0134】

その後、切断された積層体を加熱してバインダーを除去した後、高温の還元雰囲気下において焼成してセラミック本体を形成した。本焼成過程では、一定領域において急速昇温して内部電極ペーストに存在するＤｙドーピングされたＢＴ粉末（共材）が、内部電極が焼結されることにより、内部電極と誘電体層との界面に押し出されるようにし、ＤｙドーピングされたＢＴ粉末が押し出されてからセラミックグリーンシートが速く焼結されるようにすることにより、内部電極とセラミックグリーンシートとの界面に押し出されたＤｙドーピングされたＢＴ粉末が誘電体層の中央部に拡散しないようにした。

【0135】

上記のような方法で得られたセラミック本体の両端面にガラスフリット及び銅を含む外部電極ペーストを塗布及び焼成して、内部電極と連結される外部電極を形成した。

【0136】

比較例３）ジスプロシウム（Ｄｙ）がドーピングされないＢａＴｉＯ_３（以下、ＢＴ）粉末を共材として含む内部電極ペーストを製作した。ＤｙドーピングされたＢＴ粉末の代わりにＢＴ粉末を内部電極ペーストに共材として混合したこと以外のすべての条件は実施例２と同一にした。

【0137】

下記表２は上記実施例２及び比較例３によって製造された積層セラミック電子部品に対して誘電率（相対誘電率）、誘電損失（ＤＦ）及び絶縁破壊電圧（ｂｒｅａｋ−ｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＶＤ）の特性を測定して示すデータである。

【0138】

常温誘電率及び誘電損失はＡｇｉｌｅｎｔ ４２８４Ａで１ＫＨｚ、１Ｖの条件下において測定された。ＢＤＶはＫｅｉｔｈｅｌｙ測定器で測定し、０Ｖから１．０００００ＶずつＳｗｅｅｐ方式で電圧を印加して、電流値が１０ｍＡになる瞬間の電圧値をＢＤＶ値として測定した。

【0139】

【表2】

【0140】

上記表２を参照すると、内部電極に隣接した誘電体層の界面部においてジスプロシウム（Ｄｙ）の含量が高い実施例２の場合、誘電体層がジスプロシウム（Ｄｙ）を含まない比較例３に比べて高い誘電率を示す。これにより、積層セラミック電子部品の容量が上昇することが確認できる。また、絶縁破壊電圧が向上することが確認できる。

【0141】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
（項目１）
複数の誘電体層と、
前記誘電体層上に配置され、内部にトラップされた共材を含む内部電極と、を含み、
前記共材は、添加剤がドーピングされた誘電体である、積層セラミック電子部品。
（項目２）
前記共材は、添加剤がドーピングされたチタン酸バリウム系誘電体である、項目１に記載の積層セラミック電子部品。
（項目３）
前記共材は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上がドーピングされた誘電体である、項目１または２に記載の積層セラミック電子部品。
（項目４）
前記共材は、原子価アクセプタ元素のうち一つ以上及びカルシウム（Ｃａ）が共ドーピングされた誘電体である、項目１から３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目５）
前記共材は、原子価アクセプタ元素のうち一つ以上及び希土類元素のうち一つ以上が共ドーピングされた誘電体である、項目１から４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目６）
前記共材は、希土類元素のうち一つ以上及びカルシウム（Ｃａ）が共ドーピングされた誘電体である、項目１から５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目７）
前記共材は、原子価アクセプタ元素のうち一つ以上、希土類元素のうち一つ以上、及びカルシウム（Ｃａ）が共ドーピングされた誘電体である、項目１から６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目８）
前記誘電体層は前記共材に含まれた添加剤と同一の添加剤を含み、
前記共材に含まれた添加剤の平均濃度は、前記誘電体層に含まれた添加剤の平均濃度より高い、項目１から７のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目９）
前記誘電体層は前記共材に含まれた添加剤と同一の添加剤を含み、
前記誘電体層は、厚さ方向の中心部における前記添加剤の含量より前記内部電極に隣接した領域における前記添加剤の含量が高い、項目１から８のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目１０）
前記内部電極の全体断面積において前記共材が占める断面積は３％〜２０％である、項目１から９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目１１）
前記共材の平均サイズは１〜２００ｎｍである、項目１から１０のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目１２）
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内において前記誘電体層上に配置され、内部にトラップされた共材を含む内部電極と、を含み、
前記誘電体層は、厚さ方向において添加剤の濃度勾配を有する、積層セラミック電子部品。
（項目１３）
前記誘電体層は、前記内部電極に隣接した界面部と、前記界面部の間に配置される中央部と、を含み、前記界面部における添加剤の濃度が前記中央部における添加剤の濃度より高い、項目１２に記載の積層セラミック電子部品。
（項目１４）
前記誘電体層は、内部電極に隣接した界面において厚さ方向の中心部に行くほど添加剤の濃度が次第に減少する、項目１２または１３に記載の積層セラミック電子部品。
（項目１５）
前記添加剤は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上を含む、項目１２から１４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目１６）
前記共材は、添加剤がドーピングされた誘電体である、項目１２から１５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目１７）
前記共材は、添加剤がドーピングされたチタン酸バリウム系誘電体である、項目１２から１６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目１８）
前記共材は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上がドーピングされた誘電体である、項目１２から１７のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目１９）
前記共材は、添加剤がドーピングされた誘電体であり、
前記共材に含まれた添加剤の平均濃度は、前記誘電体層に含まれた添加剤の平均濃度より高い、項目１２から１８のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目２０）
前記内部電極の全体断面積において前記共材が占める断面積は３％〜２０％である、項目１２から１９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目２１）
前記共材の平均サイズは１〜２００ｎｍである、項目１２から２０のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目２２）
複数の誘電体層と、
前記誘電体層上に配置され、内部にトラップされた共材を含む内部電極と、を含み、
前記誘電体層及び共材は添加剤を含み、前記共材に含まれた添加剤の平均濃度は前記誘電体に含まれた添加剤の平均濃度より高い、積層セラミック電子部品。
（項目２３）
前記共材は、添加剤がドーピングされた誘電体である、項目２２に記載の積層セラミック電子部品。
（項目２４）
前記誘電体層は、前記内部電極に隣接した界面部と、前記界面部の間に配置される中央部と、を含み、前記界面部における添加剤の濃度が前記中央部における添加剤の濃度より高い、項目２２または２３に記載の積層セラミック電子部品。
（項目２５）
前記添加剤は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上を含む、項目２２から２４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目２６）
チタン酸バリウム系粉末を含むセラミックグリーンシートを設ける段階と、
前記セラミックグリーンシートに、添加剤がドーピングされた共材を含む内部電極ペーストを塗布する段階と、
前記内部電極ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを積層する段階と、
前記積層されたセラミックグリーンシートを焼成して内部電極及び誘電体層を含むセラミック本体を形成する段階と、を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
（項目２７）
前記共材の一部は、焼成過程において、内部電極ペーストから抜け出して誘電体層を形成する、項目２６に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
（項目２８）
前記内部電極ペーストに含まれた共材の２０〜８０％は、焼成過程において内部電極ペーストから抜け出して誘電体層の一部を形成する、項目２６または２７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
（項目２９）
前記誘電体層は、厚さ方向において添加剤の濃度勾配を有する、項目２６から２８のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
（項目３０）
前記共材は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上がドーピングされた誘電体である、項目２６から２９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
（項目３１）
焼成後に、前記共材に含まれた添加剤の平均濃度は、前記誘電体に含まれた添加剤の平均濃度より高い、項目２６から３０のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
（項目３２）
前記共材の平均サイズは１〜５０ｎｍである、項目２６から３１のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
（項目３３）
コアシェル構造を有する複数の誘電体グレインを含む複数の誘電体層と、
前記誘電体層上に配置され、内部にトラップされた共材を含む内部電極と、を含み、
前記共材は、添加剤がドーピングされた誘電体である、積層セラミック電子部品。
（項目３４）
前記誘電体層は添加剤をさらに含む、項目３３に記載の積層セラミック電子部品。
（項目３５）
前記誘電体グレインに含まれた添加剤の含量は、コアシェル構造のコア部よりシェル部においてさらに高い、項目３４に記載の積層セラミック電子部品。
（項目３６）
前記誘電体層は、共材に含まれた添加剤と同一の添加剤を含む、項目３４または３５に記載の積層セラミック電子部品。
（項目３７）
前記添加剤は、カルシウム（Ｃａ）、原子価アクセプタ元素、及び希土類元素からなる群より選択される一つ以上を含む、項目３６に記載の積層セラミック電子部品。
（項目３８）
前記共材に含まれた添加剤の平均含量は、前記誘電体層に含まれた添加剤の平均含量より高い、項目３６または３７に記載の積層セラミック電子部品。
（項目３９）
前記添加剤の含量は、誘電体層内において内部電極に隣接した領域が誘電体層の中心部より高い、項目３６から３８のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目４０）
前記内部電極の全体断面積において前記共材が占める断面積は３％〜２０％である、項目３３から３９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目４１）
前記共材の平均サイズは１〜２００ｎｍである、項目３３から４０のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（項目４２）
それぞれの前記誘電体層は、単一層の誘電体グレインで形成される、項目３３から４１のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

【符号の説明】

【0142】

１００ 積層セラミック電子部品
１１０ セラミック本体
１１１ 誘電体層
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7a】

【図7b】