発明の名称 磁界に対する応答が改善された磁気抵抗素子
出願人 アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー (識別番号 501105602)
特許公開件数ランキング 4110 位(1件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 1172 位(4件)(共同出願を含む)
出願人 コミサリア タ レネルジー アトミック エ オー エネルジー アルテルナティーヴ (識別番号 591150395)
特許公開件数ランキング 12122 位(0件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 10056 位(0件)(共同出願を含む)
公報番号 特許-6530757
公報発行日 2019年6月12
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6530757
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