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特許6533757イオン交換ガラス処理されたインターポーザを伴う過渡的な電子デバイス
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6533757
(24)【登録日】2019年5月31日
(45)【発行日】2019年6月19日
(54)【発明の名称】イオン交換ガラス処理されたインターポーザを伴う過渡的な電子デバイス
(51)【国際特許分類】
H01L 23/15 20060101AFI20190610BHJP
H01L 23/32 20060101ALI20190610BHJP
G06F 21/75 20130101ALI20190610BHJP
【ＦＩ】
H01L23/14 C
H01L23/32 D
G06F21/75
【請求項の数】5
【全頁数】17
(21)【出願番号】特願2016-76215(P2016-76215)
(22)【出願日】2016年4月5日
(65)【公開番号】特開2016-208017(P2016-208017A)
(43)【公開日】2016年12月8日
【審査請求日】2019年4月3日
(31)【優先権主張番号】14/694,132
(32)【優先日】2015年4月23日
(33)【優先権主張国】US
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】504407000
【氏名又は名称】パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100086771
【弁理士】
【氏名又は名称】西島 孝喜
(74)【代理人】
【識別番号】100088694
【弁理士】
【氏名又は名称】弟子丸 健
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100067013
【弁理士】
【氏名又は名称】大塚 文昭
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100109335
【弁理士】
【氏名又は名称】上杉 浩
(74)【代理人】
【識別番号】100120525
【弁理士】
【氏名又は名称】近藤 直樹
(74)【代理人】
【識別番号】100167911
【弁理士】
【氏名又は名称】豊島 匠二
(72)【発明者】
【氏名】スコット・ジェイ・エイチ・リム
(72)【発明者】
【氏名】グレゴリー・エル・ホワイティング
【審査官】
河合 俊英
(56)【参考文献】
【文献】
特開２０１５−２３１９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１４−８２４４７（ＪＰ，Ａ）
【文献】
国際公開第２０１５／１１６７４９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
特開２００８−１５３３２５（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開平１−２７３１３７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｈ０１Ｌ ２３／１５
Ｇ０６Ｆ ２１／７５
Ｈ０１Ｌ ２３／３２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子回路が形成されている半導体基板、および、第１のパターンで前記半導体基板の表面上に配置されるＩＣ接触パッド、を含む集積回路（ＩＣ）ダイであって、前記ＩＣ接触パッドは前記電子回路と動作可能に結合される、集積回路ダイと、
パッケージ基板、第２のパターンで第１の表面上に配置される複数の第１のパッケージ接触構造、第２の表面上に配置される複数の第２のパッケージ接触構造、および、前記第１および第２の表面の間にパッケージ構造を介して延びる複数のパッケージ導体であって、それにより、前記パッケージ導体の各々は関連する第１のパッケージ接触構造および関連する第２のパッケージ接触構造の間に電気経路を形成する、複数のパッケージ導体、を含むパッケージ構造と、
前記第１のパターンで第１の表面上に配置される複数の第１の接触点、第２の表面上に配置される複数の第２の接触点、および、複数のインターポーザ導体、を含むガラス基板を備えるインターポーザであって、前記インターポーザ導体の各々は関連する第１の接触点および関連する第２の接触点の間に電気経路を形成するよう構成される、インターポーザと、
前記インターポーザと付着され、トリガ信号に応答して前記ガラス基板上に初期の破砕強度を生成および印加するよう構成される、トリガデバイスと、
を備える過渡的な電子デバイスであって、
前記インターポーザは前記パッケージ基板に固定され、それにより、前記第２の表面上に配置される前記第２の接触点の各々は、対応する第１のパッケージ接触構造と電気的に接続され、
前記ガラス基板は相当量のイオンを含有し、それにより、第２の破砕が前記初期の破砕強度に応答して前記ガラス基板に生成されて前記ガラス基板全体に伝搬し、したがって、前記ガラス基板が粉末化され、および、
前記ＩＣダイは前記ガラス基板に固定的に付着され、それにより、前記第２の破砕が前記ＩＣダイ内に、前記ＩＣダイを粉末化するのに十分なエネルギーで伝搬する、
過渡的な電子デバイス。
パッケージ基板、第２のパターンで第１の表面上に配置される複数の第１のパッケージ接触構造、第２の表面上に配置される複数の第２のパッケージ接触構造、および、前記第１および第２の表面の間にパッケージ構造を介して延びる複数のパッケージ導体であって、それにより、前記パッケージ導体の各々は関連する第１のパッケージ接触構造および関連する第２のパッケージ接触構造の間に電気経路を形成する、複数のパッケージ導体、を含むパッケージ構造と、
前記第１のパターンで第１の表面上に配置される複数の第１の接触点、第２の表面上に配置される複数の第２の接触点、および、複数のインターポーザ導体、を含むガラス基板を備えるインターポーザであって、前記インターポーザ導体の各々は関連する第１の接触点および関連する第２の接触点の間に電気経路を形成するよう構成される、インターポーザと、
前記インターポーザと付着され、トリガ信号に応答して前記ガラス基板上に初期の破砕強度を生成および印加するよう構成される、トリガデバイスと、
を備える過渡的な電子デバイスであって、
前記インターポーザは前記パッケージ基板に固定され、それにより、前記第２の表面上に配置される前記第２の接触点の各々は、対応する第１のパッケージ接触構造と電気的に接続され、
前記ガラス基板は相当量のイオンを含有し、それにより、第２の破砕が前記初期の破砕強度に応答して前記ガラス基板に生成されて前記ガラス基板全体に伝搬し、したがって、前記ガラス基板が粉末化され、および、
前記ＩＣダイは前記ガラス基板に固定的に付着され、それにより、前記第２の破砕が前記ＩＣダイ内に、前記ＩＣダイを粉末化するのに十分なエネルギーで伝搬する、
過渡的な電子デバイス。
【請求項2】
前記ガラス基板は１００μｍ〜３００μｍの範囲の厚さを備える、請求項１に記載の過渡的な電子デバイス。
【請求項3】
前記ガラス基板はケイ酸塩ガラスを備える、請求項２に記載の過渡的な電子デバイス。
【請求項4】
前記ガラス基板は、前記第１の表面および前記第２の表面の間に延びる複数のガラス貫通ビアを規定する、請求項２に記載の過渡的な電子デバイス。
【請求項5】
前記トリガデバイスは、前記初期の破砕強度の放出を外部から供給されるトリガ信号に応答して制御するよう構成される作動メカニズムを備える、請求項１に記載の過渡的な電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は過渡的な電子機器に関し、より具体的には、過渡的な電子組立において利用されるインターポーザに関する。
【背景技術】
【0002】
広域の感知は、様々な軍事的、生態学的、および、商業的な利益にとって重要であり、歴史的に、中央長距離センサの使用を介して機能してきた。しかしながら、電子システムの小型化が急速に進んだことにより、小型センサデバイスの性能が大幅に向上している。これらのマイクロセンサは、運用の適応性、近接近でのみ可能な従来と異なる検知手順、向上した感度およびネットワーク化された知能を介する知識抽出において利点を有する、「大Ｎ」分散ネットワークを作成する可能性を有する。
【0003】
分散ネットワークシステムは非常に有望な見込みを有する一方で、実際の使用は、環境内への蓄積、検出および無効化、および、積極的な制御を維持できないことによる搾取と関連付けられるリスクにより、限定される（中央長距離センサと異なる）。
【0004】
「過渡的な電子機器」という語句は、設定された期間内に消滅する（分解および消失する）電子デバイスの比較的に新しい群を指し、理想的には、分散ネットワークシステムに適用させる。従来の過渡的な電子システムは、典型的に、可溶性基板および電子材料（シルクなど）の使用に依存する。溶媒（典型的には、水）内に置かれると、これらの従来の基板および電子機器は、ゆっくり溶液内に溶解する。したがって、従来の過渡的な電子デバイスで構成される分散ネットワークシステムは、比較的に短い時間で（例えば、周期的な降雨の後）「消滅」することが予期され得る。
【0005】
従来の過渡的な電子手法は、電子機器を使用後に「消滅」させるという目的を達成するが、完全に分解および消失するのに長い溶解期間が必要なため、従来の手法は命令下で急速かつ完全に分解することが必要な個別の（例えば、軍事的な）用途には不向きである。さらに、従来の手法は、既存の集積回路製造および組立技術に適合しない材料を利用しているため、新しいＩＣ製造プロセスを膨大なコストで開発する必要がある。
【0006】
インターポーザは、半導体デバイスパッケージとの関連において既知の電気的インタフェースであり、典型的には、ＩＣダイ（チップ）と、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージまたはピングリッドアレイ（ＰＧＡ）パッケージなどの標準化された半導体パッケージ構造と、の間に配置される。インターポーザは、典型的に、２つの異なるパターンで対向する基板表面上に配置される対応する接触構造（点）の間に、複数の金属導体が延びる、平坦な絶縁体基板（例えば、ＦＲ４などの硬質絶縁体、または、ポリイミドなどの軟質絶縁体のいずれか）を含む。すなわち、インターポーザ基板の１つの側部上に配置される接触点の第１のセットが、対応する接触パッドと合致するパターンでＩＣダイ上に形成され、（例えば、表面搭載技術による）ＩＣとインターポーザとの接続が容易になる。さらに、インターポーザの対向する側部上における接触点の第２のセットが、ホストパッケージの内部表面上に配置される対応する接触構造と合致する第２の（異なる）パターンで並べられ、インターポーザのホストパッケージへの表面搭載が容易になる。金属導体はインターポーザ基板を通過して、第１および第２のセットの対応する接触構造の間に信号経路を提供する。この配列を伴って、ホストパッケージ構造が、例えば、電気システムの印刷回路基板（ＰＣＢ）と実質的に接続されると、インターポーザにより、ＩＣダイ（複数可）と電気システムとの間の信号の通過が、ホストパッケージのＩ／Ｏピン／ボールにより容易になる。
【0007】
インターポーザは、典型的に本来は、標準的なパッケージ構造における対応する接触点とのＩＣダイ接続を別の経路に切り替えるために利用されていたが、近年は他の目的にも役立てられている。例えば、半導体製造の進歩により、相応に微細なピッチのＩＣダイ接触パッドを有する小型のＩＣダイが容易になるので、インターポーザは、さらに、微細に離れたＩＣダイ接触点を、従来のパッケージ構造との適合性が高い幅広いピッチまで広げるために、利用される。この事例において、インターポーザは、微細なピッチの（第１の）パターンで１つの表面上に並べられる第１の接触点、および、幅広いピッチの（第２の）パターンで対向する表面上に並べられる第２の接触点を含み、導電性金属ビアおよびトレースが基板を介して対向する表面に沿って延び、関連する第１および第２の接触点の間に電気信号経路を提供する。微細に離れたＩＣダイ接触点を幅広いピッチに広げることに加えて、インターポーザは、２つ以上のダイを単一のパッケージ構造内に固定するために使用されている。
【0008】
既存のＩＣ製造技術と適合する過渡的な電子パッケージ組立が必要とされており、配置されるＩＣダイが命令により十分に完全に分解され、ＩＣダイ上に実装される無欠損の集積回路へのアクセスを防ぐことで、セキュリティおよび改ざん対策保護の両方を提供することを、達成する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明は、少なくとも１つの集積回路（ＩＣ）ダイが、介在するガラスベースのインターポーザを利用してパッケージ構造に搭載される、過渡的な電子デバイスに向けられている。インターポーザは、十分な量のイオンを包含するよう処理されるガラス基板を有し、それにより、過渡的なイベントトリガ信号に応答して破砕（粉末化）され、その際に接合されたＩＣダイ（複数可）も破砕（粉末化）される。従来の配列と類似して、新規のインターポーザは、第１の基板表面上に配置され、ＩＣダイの対応する接触パッドと合致する（第１の）パターンで並べられる、接触点（すなわち、金属パッドまたは他の接触構造）の第１のセットと、対向する基板表面上に配置され、パッケージ構造の対応する接触構造と合致する（第２の）パターンで並べられる、接触点の第２のセットと、関連する第１および第２の接触点の間に電気信号経路を生成する基板上および／または基板を介して延びる導体とを含む。本発明の態様にしたがって、ＩＣダイはインターポーザに固定的に付着される。インターポーザは、イオン交換処理により壊れやすくなるガラス基板を含み、それにより、トリガデバイスによりトリガ信号に応答して生成される初期の破砕強度がインターポーザを介して伝搬し、ＩＣダイを粉末化する。具体的には、イオン交換処理されたガラス基板は、既知のイオン交換プロセスを使用して処理され、それにより、ガラスは十分なエネルギーを保持して、初期の破砕強度に応じて第２の破砕を生成し、第２の破砕がガラス基板全体に伝搬する。ガラス基板は、プリンスラパートの滴におけるものと類似のメカニズムを使用して、ミクロンサイズの微粒子（すなわち、１００μｍ以下）に完全に分解（「粉末化」）される。適切な従来の接合技術（例えば、陽極接合または封着ガラスを用いる）を利用して、ＩＣダイをガラス基板に固定的に付着させることにより、第２の破砕は、さらに、ＩＣダイを粉末化するのに十分なエネルギーでＩＣダイ内へ伝搬する（すなわち、インターポーザ表面の粉末化と実質的に同時）。したがって、本発明により、ＩＣダイ（複数可）上に形成される機能回路が、従来の（例えば、可溶性基板の）手法を使用して可能な時間よりも、大幅に短い時間で効率的に消滅（粉末化）する、過渡的な電子デバイスおよびシステムの生産が容易になる。さらに、不正な改ざん（例えば、過渡的なデバイスが搭載されるパッケージ構造または印刷回路基板での改ざん）の検出下で粉末化を始動するようトリガデバイスを構成することにより、本発明は、無欠損である一方でＩＣダイ上に実装される集積回路への不正なアクセスを防ぐことにより、セキュリティおよび改ざん対策保護の両方を提供する。さらに、インターポーザは低価格の既存のＩＣ製造技術と互換性があるので、本発明により、コアのＩＣ製造プロセスに対する最小の修正を伴う（または、潜在的に全く修正されない）電子デバイスを含む過渡的な電子システムの生産が容易になる。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の１つの実施形態によると、インターポーザのガラス基板は、（例えば、レーザ、機械的または化学的エッチング技術を使用して）エッチングされて複数のガラス貫通ビア（ＴＧＶ）開口部を含む、イオン交換特有ガラス（例えば、適切なアルカリ組成物を有する全てのケイ酸塩ガラス）の（例えば、１００μｍ〜３００μｍの範囲の厚さを有する）薄いガラスウェハー／シートを備える。その後、ＴＧＶ開口部は導電性材料（例えば、銅などの金属）で満たされる。ここで、導電性材料は、好ましくは、イオン交換特有ガラスのＣＴＥと合致する（すなわち、＋／−１０％の）熱膨張係数（ＣＴＥ）を有し、それにより、導電性材料は、対向する基板表面上に露出される開口部端部を有する金属ビア構造を形成する。その後、接触点（例えば、金属パッド）および選択的な金属トレース構造は、対向する基板表面のうちの１つまたは両方でパターン化され、接触点は上述された所望のパターンで並べられ、および、選択的な金属トレースはパターン化され、上部／下部（第１／第２）の接触点および関連する金属ビア構造の対向する端部の対応するペアの間に電気接続を提供し、それにより、上部／下部（第１／第２）の接触点の対応するペアの間にインターポーザ導体（導電性経路）を形成する。
【0011】
現段階で好ましい実施形態によると、インターポーザ接触構造および金属トレース構造がガラス基板上に形成される際に、過渡的なイベントトリガデバイスが製造され、あるいは、各インターポーザ上に配置される。トリガデバイスは、トリガデバイスへ供給されるトリガ信号（例えば、外部に伝達される電流パルス）に応答して、初期の破砕強度の放出を制御（すなわち、生成および適用）する作動メカニズムを含む。代替の実施形態において、作動メカニズムは、抵抗過熱をガラス基板へ印加するよう構成されるデバイス、および、機械的圧力をガラス基板へ印加するよう構成されるデバイス、のうちの１つを備える。トリガデバイスをこの手法で構成することにより、トリガ信号を受信すると、作動メカニズムは、十分に強い初期の破砕強度を生成してガラス基板へ印加し、それにより、インターポーザは十分な強度で突発的かつ破滅的に粉末化して、搭載されたＩＣダイ（複数可）を完全に確実に破壊（粉末化）する。
【0012】
本発明の別の態様によると、インターポーザと同時にＩＣダイを確実に粉末化する製造およびダイ接合技術を使用して、ＩＣダイが製造されガラス基板に固定的に付着される。現段階で好ましい実施形態において、ＩＣダイは、標準的なシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）製造技術を使用して製造されるＩＣデバイスを含む（すなわち、機能回路がＳＯＩ集積回路構造として実装される）。１つの実施形態において、ＩＣダイは、陽極接合を使用してガラス基板に付着され、ガラス基板からの亀裂伝搬が接着チップを確実に破壊するよう良好なインタフェース接着を提供する。代替的な実施形態において、封着ガラスを使用する方法など、別の接合方法が利用されてよい。機能回路をＳＯＩ集積回路として形成しＩＣダイをガラス基板に陽極接合することにより、ＩＣダイを微粒子へ過渡的なイベント中に確実に粉末化できる。別の実施形態において、ＩＣダイは、接合プロセスの前または後のいずれかに（例えば、化学的機械的研磨を施すことにより）「薄く」され、ＩＣダイの厚さを削減して、さらに、ＩＣダイを過渡的なイベント中に確実に粉末化する。
【0013】
本発明の別の実施形態によると、過渡的な電子デバイスを生産するための方法は、上述のインターポーザ構造を少なくとも部分的に形成すること、および、ガラス基板にイオン交換処理を施してガラス基板の壊れやすさを増大させること、を含む。選択的な浅いイオン交換プロセスがビアエッチングの後に行われ、ビア測壁に沿って壊れやすさを増大させる。（上述された）トリガデバイス、インターポーザ接触構造、および、金属トレース構造は、イオン交換処理の前または後のいずれかに、ガラス基板上に形成／配置される。その後、１つ以上のＩＣダイは、処理されたガラス基板の上部（第１）表面に固定的に（例えば、陽極接合により）付着され、それにより、ＩＣ接触点が対応する（第１の）インターポーザ接触構造と電気的に接続される。その後、インターポーザがパッケージ構造上に搭載されて、それにより、第２のパターンでパッケージ構造上に配置される接触構造は、ガラス基板の下部（第２）表面上に配置される対応する（第２の）インターポーザ接触構造と電気的に接続される。上述されるように、インターポーザのガラス基板にイオン交換処理が施され、それにより、そのイオン含有量は、十分に壊れやすく処理されたガラス基板がトリガデバイスにより供給される初期の破砕強度に応答して第２の破砕を生成するまで増大する。ＩＣダイは処理されたガラス基板に接合され、それにより、第２の破砕がＩＣダイ内へ、ＩＣダイを粉末化するのに十分なエネルギーで伝搬する。トリガ後の最終的な微粒子サイズは、ガラス基板の厚さ、イオン交換処理のレベル、ダイ接合プロセス、および、初期の破砕強度などの要因に基づく。１つの実施形態において、ＩＣダイはパターン化され、最終的な破砕された微粒子サイズを制御するのに役立つ破砕点（特性）を提供する（すなわち、破砕特性は、ガラス基板が粉末化されるとＩＣチップがパターン化された破砕特性に沿って破砕するよう形成される）。
【0014】
代替的な特有の実施形態によると、過渡的な電子デバイス製造方法は、シートレベルのインターポーザパターニングまたはダイレベルのインターポーザパターニングの、いずれかに関与する。各事例において、複数のインターポーザコアは、単一のガラスシート上に一体化して配置される（すなわち、各インターポーザコアのガラス基板は、ガラスシートの対応する部分により形成される）。シートレベルのパターニング手法において、インターポーザ接触構造およびトリガデバイスが各インターポーザコア上に形成され、その後、ガラスシートが、さいの目状に切られて個々のインターポーザが切り離される。その後、（例えば、個別または一括で）イオン処理が施され、ＩＣダイはインターポーザの各々の上へ接合される。ダイレベルのパターニング手法によると、ガラスシートは、さいの目状に切られて個々のインターポーザが切り離され、インターポーザ接触構造およびトリガデバイスが各インターポーザコア上に形成される前にイオン交換処理が施され、その後、ＩＣダイがインターポーザの各々の上へ接合される。これらの２つの手法の主な差は、コストおよび性能である。さいの目状に切る前にインターポーザ層をパターニングすることにより、処理能力が向上してコストが削減されるが、パターニングされた金属層でガラスをイオン交換することにより、さらに、壊れやすさが減少する可能性がある不均一な表面応力プロファイルを作成する。一方で、パターニング前に個々のダイをイオン交換することにより、より信頼性の高い壊れやすい基板が提供されるが、個々の部分をパターニングするための追加コストは好ましくない。これらの例示的な手法に対する他の変形が、当業者にとって明らかである。
【0015】
本発明のこれらの、および、他の特性、態様、および利点は、以下の記載、付属の請求項、および添付の図と関連して、より良好に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【発明を実施するための形態】
【0017】
本発明は、過渡的な電子デバイスの改良に関する。以下の説明は、当業者が、特定の用途および要件の文脈において提供されるように本発明を作成および使用できるよう提示される。本明細書において使用される際、「上部」「上方」「下部」「下方」などの方向を示す用語は、説明の目的で相対的な位置を提供する意図があり、参照の絶対的なフレームを規定する意図はない。好適な実施形態に対する様々な修正が当業者に明らかになり、本明細書に規定される一般的な原理が、他の実施形態に適用されてよい。したがって、本発明は、図示および記載される特定の実施形態に限定されることを意図しないが、本明細書に開示される原理および新規の特性と一致する最も広い範囲に合致する。
【0018】
図１は、過渡前の「全体の」状態（すなわち、図１の中央および上部部分に示されるデバイス１００（ｔ０））、および、過渡後の「粉末化の」状態（すなわち、図１の下部部分に示されるデバイス１００（ｔ１））にある、過渡的な電子デバイス１００を示す斜視図および断面図を含む簡略化された図である。
【0019】
図１の中央および上部部分を参照すると、過渡前の状態（例えば、生産の直後）において、過渡的な電子デバイス１００（ｔ０）は、一般的に、インターポーザ１１０上に配置される集積回路（ＩＣ）ダイ１２０およびトリガデバイス１３０を含み、インターポーザ１１０は例示的なパッケージ構造１４０上に搭載される。
【0020】
図１の右上部部分に位置づけられるバブルを参照すると、ＩＣダイ１２０は、任意の既知の半導体製造技術を使用して、基板１２１（すなわち、例えば、半導体「チップ」）上に形成される電子回路１２２を含む集積回路デバイスであるが、現段階で好適な実施形態において、ＩＣダイ１２０は、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）集積回路デバイスである。電子回路１２２は、以下に記載するように、過渡的なイベントまで所定の有益な機能（例えば、センサ動作）を行うよう構成される、１つ以上の電子的要素を含む。ＩＣ接触パッド１２５は、第１のパターンＰ１で半導体基板１２１の表面上に配置され、例えば、従来の金属化パターン（図示せず）を利用して、電子回路１２２と動作可能に結合される。
【0021】
図１の左上部部分に描写されるように、パッケージ構造１４０は、例示的な実施形態において、システム回路基板（図示せず）上への表面搭載組立を容易にするよう構成される、複数のボールまたは突起１４６を含むボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージ構造として描写される。具体的には、図１の右上部部分に位置づけられるバブルで示されるように、パッケージ１４０は、第２のパターンＰ２でパッケージ基板１４１の上部表面１４２上に配置される複数の（第１の）パッケージ接触構造１４５を含み、ボール／突起（第２のパッケージ接触構造）１４６が基板１４１の下部表面１４３上に配置され、そこから延びている。パッケージ導体１４７は、既知の技術を使用して形成され、パッケージ構造１４１を介して延び、関連する接触構造間に信号経路を提供する（例えば、導体１４７−１は、パッケージ接触構造１４５−１と関連するボール／突起１４６−１との間に電気経路を形成する）。もちろん、パッケージ構造１４０は、ピングリッドアレイパッケージ構造など、他のパッケージ種類を使用して実装されてもよい。
【0022】
図１の左上部部分を再び参照すると、従来の配列と同様に、インターポーザ１１０は、ＩＣダイ１２０とパッケージ構造１４０との間に配置され、パッケージ基板１４０に固定されて、ＩＣダイ１２０の各接触パッド１２５をパッケージ構造１４０上の対応するボール／突起１４６と結合するアダプタとして機能する。具体的には、インターポーザ１１０は、現段階で好適な実施形態において、１００μｍ〜３００μｍの範囲である基板の厚さＴＧＬＡＳＳだけ離された、上部表面１１２および対向する下部表面１１３を有する、薄いガラス基板１１１を含む。接触点（すなわち、金属パッドまたは他の接触構造）１１５の第１のセットは、パターンＰ１で上部表面１１２上に配置され、それにより、各接触点１１５の位置がＩＣダイ１２０の対応する接触パッド１２５の位置と合致し、ＩＣダイがインターポーザ１１０上に搭載および固定的に付着（例えば、接合）される表面である場合、動作可能な電気接続が（例えば、はんだ付け構造１５０を用いて）容易になる。例えば、図１のバブルに示されるように、接触点１１５−１は、対応する接触パッド１２５−１と一致し、はんだ付け構造１５０−１を用いて電気的に接続される。インターポーザ１１０は、下部表面１１３上に配置される第２の接触点１１６を用いてパッケージ構造１４０に固定され、パターンＰ２で並べられて、各々がパッケージ構造１４０上の対応するパッケージ接触構造１４５と（例えば、はんだ付け構造１５５を用いて）電気的に接続され、インターポーザ１１０がパッケージ構造１４０上に動作可能に搭載される場合、動作可能な電気接続が容易になる。例えば、図１のバブルに示されるように、接触点１１６−１は、対応する接触構造１４５−１と一致し、はんだ付け構造１５５−１を用いて電気的に接続される。さらに、インターポーザ１１０は、関連する接触点１１５および１１６の間に電気信号経路を形成する複数の導体を含み、ここで各導体は、ガラス基板１１１を介して延びる関連するガラス貫通ビア（ＴＧＶ）開口部１１４に配置される金属ビア構造１１７、および、上部表面１１２および下部表面１１３の１つ以上に形成される１つ以上の選択的な金属トレース１１８を含む。例えば、接触点１１５−１および１１６−１は、金属ビア構造１１７−１および金属トレース１１８−１により形成される導体により接続され、金属トレースは下部表面１１３上に形成される。したがって、インターポーザ１１０は、ＩＣダイ１２０の接触パッド１２５−１およびパッケージ構造１４０のボール／突起１４６−１の間に、接触点１１６−１を用いて電気信号経路を提供する。接触点１１６−１は接触構造１４５−１および導体１４７−１によりボール／突起１４６−１と接続され、導体は金属ビア構造１１７−１および金属トレース１１８−１、および、接触点１１５−１により形成される。
【0023】
以下の追加的な詳細に記載されるように、トリガデバイス１３０は、ＩＣダイ１２０の粉末化（断片化）を過渡的なイベント中に、外部から生成されたトリガ信号ＴＳに応答してガラス基板１１１上へ初期の破砕強度を生成および印加することにより始動するよう機能する。具体的には、トリガデバイス１３０は、外部から生成されるトリガ信号ＴＳに応答して初期の破砕強度を生成するよう構成され、ガラス基板１１１の上部表面１１２に動作可能に付着されて、それにより、生成された初期の破砕強度がガラス基板１１１上へ印加される。以下に説明されるように、初期の破砕強度は、インターポーザ１１０およびＩＣダイ１２０の粉末化を生じさせるのに十分なエネルギーで生成される。
【0024】
本発明の態様によると、ガラス基板１１１は、イオン交換特有ガラス材料（すなわち、イオン交換処理が施されるガラス）を備え、インターポーザ１１０は、十分に壊れやすいガラス基板１１１を提供するプロセスを使用して製造され、それにより、トリガデバイス１３０により生成される初期の破砕強度に応答して、第２の破砕が生成されガラス基板１１１を介して十分なエネルギーで伝搬し、ガラス基板１１１を粉末化する。具体的には、インターポーザコアが以下に記載される手法で生成された後、ガラス基板１１１に既知のイオン交換プロセスを使用して処理（焼き戻し）を施し、それにより、ガラス基板１１１のイオン含有量（すなわち、ガラス基板１１１に含有されるイオンの量）は、十分に壊れやすいガラスを提供する程度まで増大し、それにより、後続の過渡的なイベント中、第２の破砕がガラス基板１１１に、トリガデバイス１３０により印加される初期の破砕強度に応答して生成される。さらに、図１の下部部分でデバイス１００（ｔ１）により示されるように、ガラス基板１１１はイオン交換処理により十分に壊れやすくなり、それにより、第２の破砕がガラス基板１１１全体に過渡的なイベント中に伝搬する。したがって、ガラス基板１１１は、プリンスラパートの滴におけるものと類似のメカニズムを使用して、ミクロンサイズの微粒子（すなわち、１００μｍ以下）に完全に分解（「粉末化」）される。すなわち、図１の左下部部分に位置づけられるバブルに示されるように、第２の破砕は、処理されたガラス基板１１１全体に急速に伝わる。したがって、ガラス基板１１１は、ミクロンサイズの微粒子１０１（すなわち、概して１００μｍより小さい寸法の長さＬ、幅Ｗ、および、高さＨを有する）へ、突発的かつ破滅的に分解（粉末化）される。上述された壊れやすさの状態（すなわち、インターポーザコアに施されるイオン交換処理のパラメータ）を達成するために必要なガラス基板１１１の最適なイオン含有量は、ガラス基板１１１の種類および厚さを含み、当業者の能力内での最適な量を判定する、いくつかの要因に依存する。
【0025】
本発明の別の態様によると、ＩＣダイ１２０はインターポーザ１１０に固定的に付着され、それにより、ガラス基板１１１において過渡的なイベント中に生成される第２の破砕は、ＩＣダイ１２０をさらに粉末化するのに十分な応力で伝わる。ＩＣダイ１１０をガラス基板１１１に、適切な従来の接合技術（例えば、陽極接合または封着ガラスを用いる）を利用して固定的に付着させることにより、さらに、ガラス基板１１１に生成される第２の破砕は、ＩＣダイ１２０内へ、ＩＣダイ１２０を粉末化するのに十分なエネルギーで（すなわち、図１の底部に表示されるように、実質的にインターポーザ１１０の粉末化と同時に）伝搬する。したがって、本発明により、ＩＣダイ１２０上に形成される機能回路が従来の（例えば、可溶性基板）手法で可能な時間よりも大幅に短い時間で効率的に消失（粉末化）する、過渡的な電子デバイス１００の生産が容易になる。さらに、不正な改ざん（例えば、過渡的なデバイス１００が搭載されるパッケージ構造１４０またはシステム回路基板（図示せず）での改ざん）を検出すると粉末化を始動するようトリガデバイス１３０を構成することにより、本発明は、ＩＣダイ１２０が無欠損な間に電子回路１２２への不正なアクセスを防ぐことで、セキュリティおよび改ざん対策保護を提供する。さらに、インターポーザ１１０は低コストの既存のＩＣ製造技術に適合するので、本発明により、コアＩＣ製造プロセスに対する最小の修正で（または、潜在的に修正なしで）過渡的な電子デバイス１００の生産が容易になる。
【0026】
図２は、例示的な実施形態による、過渡的な電子デバイス１００（図１参照）を生産するための製造プロセスを示すフロー図である。ここで、本方法は、一般的に、インターポーザ１１０にイオン交換処理を施すこと、その後、ＩＣダイ１２０を処理されたガラス基板１１１に固定的に付着させること、その後、インターポーザ１１０をパッケージ１４０に固定すること、を含む。図２の上部部分のブロック２１０を参照すると、本方法は、インターポーザコア（例えば、金属ビア構造を含むが、接触構造、金属トレースまたはトリガデバイスを含まない、適切なガラス基板）を生産または製造することで開始される。例示的なインターポーザコアの製造は、図３および図３（Ａ）〜図３（Ｅ）を参照して、以下に記載される。次に、イオン交換処理が行われてガラス基板のイオン含有量が増大し（ブロック２２０）、インターポーザの製造が完了する（すなわち、接触構造は、図１を参照して上述されるパターンＰ１およびＰ２などの所定の配列にしたがって形成され、金属トレースは基板表面の一方または両方に形成され、トリガデバイスはガラス基板上に形成または搭載される）。図２の矢印Ａに示されるように、および、以下に記載される特定の例示的な実施形態に明記されるように、ブロック２２０において不完全なインターポーザコアにイオン交換処理が施されるか、または、ブロック２３０においてインターポーザが終了した後にブロック２２０でイオン交換処理が施される。ブロック２４０に示されるように、イオン交換処理が行われた後、１つ以上のＩＣダイは、過渡的なイベント中にＩＣダイ（複数可）を粉末化するのに十分なエネルギーで、インターポーザからＩＣダイ（複数可）内への第２の破砕の伝搬を促すダイ接合技術を使用して上述される手法で、各インターポーザと接合される。ブロック２５０を参照すると、その後、インターポーザは、パッケージ構造（例えば、図１に示されるＢＧＡパッケージ構造１４０）上へ動作可能に固定され、したがって、過渡的な電子デバイスはホストシステム内への組み立てが可能な状態となる。
【0027】
図３は、本発明の実施形態による、インターポーザコアを生産するための製造プロセスを示すフロー図であり、図３（Ａ）〜図３（Ｅ）は、図３のプロセスフローの様々な段階中の例示的なインターポーザコアを描写する。
【0028】
図３のブロック２１１および図３（Ａ）を参照すると、プロセスは、適切な厚さＴＧＬＡＳＳを有するイオン交換特有ガラスシート１１１Ａを得ることにより開始される。適切なイオン交換特有ガラスは、強化されていないＣｏｒｎｉｎｇ Ｇｏｒｉｌｌａ Ｇｌａｓｓ、ＳＣＨＯＴＴ ＸｅｎｓａｔｉｏｎおよびＡＧＣ Ｄｒａｇｏｎｔｒａｉｌ ｇｌａｓｓを含み、これらは、カリフォルニア州Ｓａｎｔａ ＰａｕｌａのＡｂｒｉｓａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓなど、様々なガラス販売業者から入手可能である。
【0029】
図３のブロック２１３および図３（Ｂ）を参照すると、ガラス貫通ビア（ＴＧＶ）開口部１１４Ａは、ガラス基板１１１Ａを介して（すなわち、上部表面１１２Ａおよび下部表面１１３Ａの間に）全体に延びるよう形成される。代替的な特定の実施形態において、ＴＧＶ開口部１１４Ａは、レーザエッチングプロセス、機械的なエッチングプロセス、および、化学的なエッチングプロセスのうちの１つを使用して、ガラス基板１１１Ａの一部分をエッチングすることによるものであり、あるいは、切除することによるものである（図３（Ｂ）の矢印３１０により集合的に示される）。
【0030】
図３のブロック２１５および図３（Ｃ）を参照すると、その後、選択的な浅いイオン交換プロセス（矢印３２０により示される）が行われる（すなわち、金属ビア構造をＴＧＶ開口部１１４に形成する前）。
【0031】
その後、金属ビア構造１１７Ａは、各ＴＧＶ開口部１１４Ａに適切な方法を使用して形成される。図３のブロック２１７および図３（Ｄ）を参照すると、１つの特定の実施形態において、金属材料３３０が上部表面１１２Ａおよび下部表面１１３Ａ全体に置かれ、それにより、金属材料の一部分が各ＴＧＶ開口部１１４Ａに入り、対応する金属ビア構造１１７Ａを形成する。図３のブロック２１９および図３（Ｅ）を参照すると、その後、金属材料の残留部分は、上部表面１１２Ａおよび下部表面１１３Ａから、例えば、適切なエッチング液３４０を使用して除去される。図３（Ｅ）に描写されるように、エッチングプロセスが行われ、それにより、結果的に生じるインターポーザコア１１０Ａは、ガラス基板１１１Ａを介して延びる、上部表面１１２Ａおよび下部表面１１３Ａ上にそれぞれ露出される対向する端部を有する、各金属ビア構造１１７Ａを含み、続いて形成される構造（例えば、インターポーザ接触構造および金属トレース構造）への接続が容易になる。
【0032】
その後、上述のインターポーザコアが処理され、ＩＣダイが搭載される完成したインターポーザを提供する。代替の例示的な実施形態によると、インターポーザコアは、シートレベルのパターニングまたはダイレベルのパターニングのいずれかを使用して、処理される。例示的なシートレベルのパターニングプロセスは、図４（Ａ）〜図４（Ｅ）を参照して以下に記載され、例示的なダイレベルのパターニングプロセスは、図５（Ａ）〜図５（Ｅ）を参照して以下に記載される。シートレベルおよびダイレベルの処理はいずれも、単一のガラスシート上に形成されて一体的に接続される複数のインターポーザコアで開始される。例えば、図４（Ａ）に示されるように、単一の（継続的な／壊れていない）ガラスシート１１１Ｂは、３つの一体的に接続されたインターポーザコア１１０Ｂ−１、１１０Ｂ−２、および１１０Ｂ−３を含み、各々が、ガラスシート１１１Ｂの対応する部分により形成される各々のガラス基板１１１Ｂ−１、１１１Ｂ−２、および１１１Ｂ−３を有する。同様に、図５（Ａ）に示されるように、一体的なインターポーザコア１１０Ｃ−１、１１０Ｃ−２、および、１１０Ｃ−３は、単一のガラスシート１１１Ｃの対応する部分により形成される各々のガラス基板１１１Ｃ−１、１１１Ｃ−２、および、１１１Ｃ−３を有する。
【0033】
図４（Ａ）に示される一体的なインターポーザコアで開始され、シートレベルのパターニングは、図４（Ｂ）に示されるように、パターニング接触構造、選択的な金属トレース構造、およびトリガデバイスを、各インターポーザコア上へ既知の技術を使用してパターニングすることにより開始される。例えば、接触構造１１５（および、選択的な金属トレース構造（図示せず））は、適切な金属３５０Ｂを上部シート表面１１２Ｂ上に印刷することにより、ガラスシート１１１Ｂで形成される。接触構造１１６および選択的な金属トレース構造（図示せず）は、下部シート表面１１３Ｂ上に形成され、その後、例えば、シート１１１Ｂを反転させて金属印刷プロセスを繰り返すことにより形成される。その後、トリガデバイス１３０Ｂ−１〜１３０Ｂ−３は、印刷プロセスを使用して適切な材料３６０Ｂを置くことにより、または、形成前の構造を各インターポーザ１１０Ｂ−１〜１１０Ｂ−３上へ表面搭載することにより、形成される。図４（Ｃ）を参照すると、その後、ガラスシート１１１Ｂは、さいの目状に切られて（例えば、レーザ３７０Ｂを使用して切断されて）、インターポーザ１１０Ｂ−１〜１１０Ｂ−３が互いに分離され、その後、図４（Ｄ）に示されるように（矢印３８０Ｂにより示される）、個々のインターポーザ１１０Ｂ−１〜１１０Ｂ−３にイオン交換処理が施される。図４（Ｅ）に示されるように、イオン交換処理後、ＩＣダイ１２０Ｂ−１、１２０Ｂ−２、および１２０Ｂ−３は、それぞれインターポーザ１１０Ｂ−１、１１０Ｂ−２、および１１０Ｂ−３上に接合される。
【0034】
図５（Ａ）〜図５（Ｅ）に描写されるダイレベルのパターニングは、各インターポーザコアを独立的に処理することに関与する。すなわち、図５（Ａ）に示される一体的なインターポーザコアで開始され、ダイレベルのパターニングは、さいの目状に切って（例えば、レーザ３７０Ｃを使用して切断して）インターポーザコア１１０Ｃ−１〜１１０Ｃ−３を互いに分離することにより開始され、その後、図５（Ｃ）に示されるように、個々のインターポーザコア１１０Ｃ−１〜１１０Ｃ−３にイオン交換処理が施される（矢印３８０Ｃにより示される）。イオン交換処理後、図５（Ｄ）に示されるように、接触構造１１５および１１６、選択的な金属トレース構造、およびトリガデバイス１３０Ｃ−１〜１３０Ｃ−３は、上述の技術を使用して各インターポーザコア１１０Ｃ−１〜１１０Ｃ−３上に形成され、その後、図５（Ｅ）に示されるように、ＩＣダイ１２０Ｃ−１、１２０Ｃ−２、および１２０Ｃ−３が、それぞれインターポーザ１１０Ｃ−１、１１０Ｃ−２、および１１０Ｃ−３上に接合される。
【0036】
図６Ａは、上述の技法と一致する手法で生産されたインターポーザ１１０Ｄを描写する。描写の目的で、関連する接触構造１１５Ｄおよび１１６Ｄは、それぞれ上部表面１１２Ｄおよび下部表面１１３Ｄ上に配置され、関連する金属ビア構造１１７Ｄを備える単一の接触構造を用いて接続される。現段階の実施形態において、トリガデバイス１３０Ｄは電気的に制御され、より具体的には、加熱素子を利用して、金属ビア構造１３７Ｄを介して送信される印加された電気パルスに応答して局所的な熱を生成する。ここで金属ビア構造１３７Ｄは、下部表面１１３Ｄ上に配置される関連する接触構造１３６Ｄと接続される。１つの実施形態において、トリガデバイス１３０Ｄは、広域な／厚い下部抵抗電極１３２Ｄを金属ビア構造１３７Ｄの関連する上端部部分上へ形成した後、抵抗性の薄く狭い抵抗器（アクチュエータ）構造１３５Ｄを電極１３２Ｄの間に形成することにより、構築され、ここで抵抗器構造１３５Ｄは高温を持続可能な材料（例えば、タングステンなどの金属）を使用して形成される。トリガデバイス１３０Ｄは、標準的な微細加工技術（蒸着および光パターニング）を使用して、または、単にシャドウマスク蒸発を介して、ガラス基板１１０Ｄ上に直接的に製造される。
【0037】
図６Ｂは、封着ガラス１２７Ｄまたは陽極接合のいずれかを用いる、ＩＣダイ１２０Ｄのガラス基板１１１Ｄへの後続の固定付着を描写する。図１を参照して上述したように、ＩＣダイ１２０Ｄが搭載され、これにより、接触パッド１２５Ｄは、ガラス基板１１１Ｄの上部表面１１２Ｄ上に配置される接触構造１１５Ｄと電気接続される。
【0038】
図６（Ｃ）は、過渡的な電子デバイス１１０Ｄの組み立てを完了するために、インターポーザ１１０Ｄをパッケージ構造１４０Ｄに固定することを描写する。上記で明記されたように、インターポーザ１１０Ｄが搭載され、それにより、パッケージ接触構造１４５Ｄ−１は、ガラス基板１１０Ｄの下部表面１１３Ｄ上に配置される対応するインターポーザ接触構造１１６Ｄと電気的に接続される。この実施形態において、さらに、トリガデバイス１３０Ｄの作動は、パッケージ接触構造１４５Ｄ−２と対応する接触構造１３６Ｄとの間の電気接続を用いて可能となり、パッケージ構造１４０Ｄのボール／突起１４６Ｄとトリガデバイス１３０Ｄとの間に、パッケージ構造１４０に形成される導体（図示せず）およびインターポーザ１１０Ｄに配置される金属ビア構造１３７Ｄを用いて、信号経路を形成する。
【0039】
さらに図６（Ｃ）に描写されるように、１つの実施形態において、ＩＣダイ１２０Ｄは、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）３９０Ｄを介して実際の厚さＴＤＩＥまで、さらに粉末化を促進するために薄くされる。ＩＣダイ１２０Ｄの壊れやすさを達成するために重要なのは、ガラス基板１１１ＤからＩＣダイ１２０Ｄ内へ伝搬する破砕の亀裂を結合することであり、ＩＣダイ１２０Ｄを薄くすることにより（すなわち、描写されるように、インターポーザ１１０Ｄへの付着後、または、付着前のいずれかに）可能となる。破砕プロセスは、２つの可能な結果間の競合と見なされ得る：亀裂がダイ基板／シリコン内へ上方に伝搬し得るか、または、鋭く旋回され、代わりに接合領域を介して伝搬し剥離を生じさせ得る。ガラス／シリコン接合に必要な割合を超えるために、陽極接合または低溶解点のいずれかの封着ガラス１２７Ｄが、ＩＣダイ１２０Ｄをガラス基板１１１Ｄに固定するために利用される。代替的に、共晶または粘着接合が、ＩＣダイ１２０Ｄをガラス基板１１０Ｄに固定するために使用されてよい。
【0040】
図６（Ｄ）は、過渡的な電子デバイス１００Ｄのシステムレベルの印刷回路基板１６０Ｄへの後続的な付着を描写し、パッケージ構造１４０Ｄおよびインターポーザ１１０Ｄを用いて電力を供給しＩＣ１２０Ｄと通信する。例示的な実施形態において、回路基板１６０Ｄは、不正な改ざんを筐体で検出可能なセキュリティシステム（例えば、センサ）、および、ＩＣダイ１２０Ｄおよびトリガデバイス１３０Ｄと通信するよう構成される制御システムを含む、固定された筐体（図示せず）の内部に搭載される。すなわち、正常な動作状態下で、システムコントローラにより、ＩＣダイの機能的な動作が容易になる。しかしながら、図６（Ｅ）および図６（Ｆ）を参照して以下に記載されるように、システムコントローラが不正な改ざんをシステム筐体（ＩＣダイ１２０Ｄの機能回路でアクセスまたは改ざんしようとすることに関連してよい）で検出する場合、システムコントローラは、トリガ信号をトリガデバイス１３０Ｄへ、過渡的なイベントを始動するために送信する。
【0041】
図６（Ｅ）および図６（Ｆ）は、過渡的なイベント中の（すなわち、過渡的な電子デバイス１００Ｄへパッケージ構造１４０Ｄのボール／突起１４６Ｄを用いて印加されるトリガ信号ＴＳに応答する）、過渡的な電子デバイス１００Ｄの制御された破壊（分解）を図示する。例示的な実施形態において、トリガデバイス１３０Ｄにより生成される破砕の仕組みは、抵抗器構造１３５Ｄにより加熱されるガラス基板１１０Ｄの一部分が膨張する際に生成される円周応力である。そのようなトリガデバイスのシミュレーションは、電流パルスが印加されてから０．５ｍｓ後、１００〜１５０ＭＰａの範囲の引張円周応力が抵抗器構造の下位に存在することを示す。これは、ほぼ全ての従来の強化ガラスに破砕を生じさせるのに十分であろう。これらのシミュレーションの結果は、大きな表面張力が適度な量の電流およびエネルギーで取得され得ることを示す。この例において、タングステンの特性を使用する抵抗の予測に基づいて、電流は約７０ｍＡであり、抵抗器全体の電圧は約８０ｍＶである。これらの量は、現段階で入手可能なスモールフォームファクタ電池の性能内で良好である。図６（Ｅ）に示されるように、時間ｔ０（すなわち、トリガ信号ＴＳの送信直後）の結果的に生じる初期破砕Ｆ０は、局所的な加熱を用いてガラス基板１１０Ｄに生成されるが、ＩＣダイ１２０Ｄは全体的に無欠損のままである。図６（Ｆ）に示されるように、第２の破砕ＦＰは、ガラス基板１１１Ｄ（ｔ１）全体に伝搬する初期の破砕強度に応答して、ガラス基板１１１Ｄ（ｔ１）に生成される。これにより、ガラス基板１１１Ｄ（ｔ１）は、微粒子１０１Ｄに粉末化される。加えて、ＩＣダイ１２０Ｄ（ｔ１）はガラス基板１１１Ｄ（ｔ１）と十分に接合されるので、第２の破砕ＦＰはＩＣダイ１２０Ｄ（ｔ１）内へ、ダイ材料を微粒子１０１Ｄに粉末化するのに十分なエネルギーで伝搬する。
【0042】
先の実施形態に描写される局所的な加熱手法に加えて、他のトリガデバイスが、デバイスの粉末化を生成するのに必要な初期破砕を生成するために利用されてよい。例えば、適切なトリガデバイスが生産されてよく、ガラス基板の表面上で化学反応を始動することにより、または、局所的な機械的圧力を（例えば、圧電素子を使用して）ガラス基板上に印加することにより、局所的な破砕を生成する。
【0043】
本発明は特定の実施形態に対して記載されているが、本発明の発明的な特性が他の実施形態にも適用可能であり、その全てが本発明の範囲内にあることを意図することが、当業者に明らかになるであろう。