特許 6535150 試料支持体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】6535150

(24)【登録日】2019年6月7日

(45)【発行日】2019年6月26日

(54)【発明の名称】試料支持体

(51)【国際特許分類】

   H01J 49/04 20060101AFI20190617BHJP

【ＦＩ】

   H01J49/04

【請求項の数】9

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2019-517999(P2019-517999)

(86)(22)【出願日】2018年8月3日

(86)【国際出願番号】JP2018029300

【審査請求日】2019年4月2日

(31)【優先権主張番号】特願2017-181596(P2017-181596)

(32)【優先日】2017年9月21日

(33)【優先権主張国】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000236436

【氏名又は名称】浜松ホトニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100140442

【弁理士】

【氏名又は名称】柴山 健一

(74)【代理人】

【識別番号】100183081

【弁理士】

【氏名又は名称】岡▲崎▼ 大志

(72)【発明者】

【氏名】大村 孝幸

(72)【発明者】

【氏名】小谷 政弘

【審査官】 小林 直暉

(56)【参考文献】

【文献】 米国特許出願公開第２００６／０２６６９４１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１７／０３８７１０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１４−２１０４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 登録実用新案第３１２２３３１（ＪＰ，Ｕ）

【文献】 特開２００７−１９２６７３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０１Ｎ２７／６０−２７／７０

２７／９２

Ｈ０１Ｊ４０／００−４９／４８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に配置されるイオン化基板と、
前記イオン化基板における前記基板に対向する第１表面と前記基板とが互いに離間するように、前記基板に対して前記イオン化基板を支持する支持部と、
を備え、
前記イオン化基板は、前記第１表面とは反対側の第２表面において試料を滴下するための複数の測定領域を有し、
前記イオン化基板の少なくとも各前記測定領域には、前記第１表面及び前記第２表面に開口する複数の貫通孔が形成されており、
少なくとも前記第２表面における前記貫通孔の周縁部には、導電層が設けられており、
前記支持部は、前記基板と前記イオン化基板とが対向する方向から見て、前記複数の測定領域を区切るように、前記第１表面における各前記測定領域の周縁部と前記基板との間に設けられた第１支持部を有する、
試料支持体。

【請求項2】

前記第１支持部は、前記イオン化基板と前記基板とを接着する接着部材である、
請求項１に記載の試料支持体。

【請求項3】

前記支持部は、前記イオン化基板の周縁部と前記基板との間に設けられた第２支持部を有する、
請求項１又は２に記載の試料支持体。

【請求項4】

前記第２支持部は、前記イオン化基板と前記基板とを接着する接着部材である、
請求項３に記載の試料支持体。

【請求項5】

前記基板は、導電性を有するスライドガラス又は金属により形成されている、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の試料支持体。

【請求項6】

前記イオン化基板は、バルブ金属又はシリコンを陽極酸化することにより形成されている、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の試料支持体。

【請求項7】

前記貫通孔の幅は、１ｎｍ〜７００ｎｍである、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の試料支持体。

【請求項8】

導電性を有し、前記導電層に接触した状態で前記イオン化基板と前記基板とを互いに固定する固定部材を更に備える、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の試料支持体。

【請求項9】

基板と、
導電性を有し、前記基板上に配置されるイオン化基板と、
前記イオン化基板における前記基板に対向する第１表面と前記基板とが互いに離間するように、前記基板に対して前記イオン化基板を支持する支持部と、
を備え、
前記イオン化基板は、前記第１表面とは反対側の第２表面において試料を滴下するための複数の測定領域を有し、
前記イオン化基板の少なくとも各前記測定領域には、前記第１表面及び前記第２表面に開口する複数の貫通孔が形成されており、
前記支持部は、前記基板と前記イオン化基板とが対向する方向から見て、前記複数の測定領域を区切るように、前記第１表面における各前記測定領域の周縁部と前記基板との間に設けられた第１支持部を有する、
試料支持体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、試料支持体に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、試料にレーザ光を照射して試料中の化合物をイオン化し、イオン化された試料を検出することによって質量分析を行う手法が知られている。特許文献１には、複数の貫通孔（ｍｍオーダー）が設けられた固定板を保持板上に配置し、当該貫通孔を通して保持板上に試料を滴下し、当該試料に対してレーザ光を照射することにより、試料のイオン化を行う手法が記載されている。特許文献２には、複数の非貫通孔（μｍオーダー）が設けられた基板にマトリックスを加えた試料を滴下し、当該非貫通孔の内部に浸透した試料に対してレーザ光を照射することにより、試料のイオン化を行う手法が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４−２１０４８号公報

【特許文献2】米国特許第７６９５９７８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記手法のように複数の測定ポイント（凹部）に対して試料を上から滴下する方式によれば、試料の連続測定が可能となる。しかしながら、上記手法においては、凹部に対する試料の滴下量が多過ぎた場合、当該凹部から試料が溢れ出し、いわゆる凹凸効果（凹凸構造によりレーザ光のエネルギーが試料に伝わり易くなる効果）が失われ、試料のイオン化効率が低下するおそれがある。すなわち、試料中の成分を適切にイオン化できなかったり、検出されるイオンの量が低下したりするおそれがある。その結果、上述した質量分析において十分な信号強度を得ることができず、試料中の成分を適切に検出できないおそれがある。

【0005】

そこで、本開示は、試料の滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制しつつ、試料の連続測定を行うことができる試料支持体を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一側面に係る試料支持体は、基板と、基板上に配置されるイオン化基板と、イオン化基板における基板に対向する第１表面と基板とが互いに離間するように、基板に対してイオン化基板を支持する支持部と、を備える。イオン化基板は、第１表面とは反対側の第２表面において試料を滴下するための複数の測定領域を有する。イオン化基板の少なくとも各測定領域には、第１表面及び第２表面に開口する複数の貫通孔が形成されている。少なくとも第２表面における貫通孔の周縁部には、導電層が設けられている。支持部は、基板とイオン化基板とが対向する方向から見て、複数の測定領域を区切るように、第１表面における各測定領域の周縁部と基板との間に設けられた第１支持部を有する。

【0007】

この試料支持体では、支持部により、イオン化基板の第１表面と基板との間に隙間が形成される。これにより、イオン化基板の第２表面に対する試料の滴下量が適量よりも多かったとしても、イオン化基板に設けられた貫通孔を介して、試料の過剰分をイオン化基板の第１表面と基板との間の隙間に逃すことができる。このため、試料の過剰分が第２表面上に溢れ出すことが抑制され、第２表面に対するレーザ光の照射によって試料の成分をイオン化する際のイオン化効率の低下が抑制される。また、この試料支持体では、第１支持部によって区切られた複数の測定領域を用いることにより、試料の連続測定を行うことが可能となっている。以上により、この試料支持体によれば、試料の滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制しつつ、試料の連続測定を行うことができる。

【0008】

第１支持部は、イオン化基板と基板とを接着する接着部材であってもよい。この場合、第１支持部により、イオン化基板の第１表面と基板との間の隙間を確保しつつ、基板に対してイオン化基板を固定することができる。

【0009】

支持部は、イオン化基板の周縁部と基板との間に設けられた第２支持部を有してもよい。この場合、第２支持部により、イオン化基板の第１表面と基板との間の隙間を確保しつつ、基板に対してイオン化基板を安定的に支持することができる。

【0010】

第２支持部は、イオン化基板と基板とを接着する接着部材であってもよい。この場合、第２支持部により、イオン化基板の第１表面と基板との間の隙間を確保しつつ、基板に対してイオン化基板を固定することができる。

【0011】

基板は、導電性を有するスライドガラス又は金属により形成されていてもよい。この場合、導電層に電圧を印加するための電気的接続を基板を介して行うことが可能となる。その結果、上記電気的接続のための構成を簡素化することができる。

【0012】

イオン化基板は、バルブ金属又はシリコンを陽極酸化することにより形成されていてもよい。この場合、バルブ金属又はシリコンの陽極酸化によって、複数の微細な貫通孔が設けられたイオン化基板を適切かつ容易に実現できる。

【0013】

貫通孔の幅は、１ｎｍ〜７００ｎｍであってもよい。この場合、イオン化基板の第２表面に滴下された試料の過剰分については貫通孔を介してイオン化基板の第１表面と基板との間の隙間に移動させつつ、第２表面に対するレーザ光の照射によりイオン化させるための試料を貫通孔内に好適に留めることができる。

【0014】

試料支持体は、導電性を有し、導電層に接触した状態でイオン化基板と基板とを互いに固定する固定部材を更に備えてもよい。この場合、固定部材（例えば導電性を有するテープ等）により、基板に対してイオン化基板を確実に固定することができる。また、基板が導電性を有する場合に、固定部材を介して基板と導電層との間の電気的接続（導電層に電圧を印加するための電気的接続）を行うことができる。これにより、上記電気的接続のための構成を簡素化することができる。

【0015】

本発明の他の側面に係る試料支持体は、基板と、導電性を有し、基板上に配置されるイオン化基板と、イオン化基板における基板に対向する第１表面と基板とが互いに離間するように、基板に対してイオン化基板を支持する支持部と、を備える。イオン化基板は、第１表面とは反対側の第２表面において試料を滴下するための複数の測定領域を有する。イオン化基板の少なくとも各測定領域には、第１表面及び第２表面に開口する複数の貫通孔が形成されている。支持部は、基板とイオン化基板とが対向する方向から見て、複数の測定領域を区切るように、第１表面における各測定領域の周縁部と基板との間に設けられた第１支持部を有する。

【0016】

この試料支持体によれば、試料支持体において導電層を省略することができると共に、上述したように導電層を備える試料支持体と同様に、試料の滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制しつつ、試料の連続測定を行うことができる。

【発明の効果】

【0017】

本開示によれば、試料の滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制しつつ、試料の連続測定を行うことができる試料支持体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】第１実施形態に係る試料支持体の平面図である。

【図2】図１に示されるＩＩ−ＩＩ線に沿った試料支持体の断面図である。

【図3】図１に示される試料支持体のイオン化基板及び導電層の概略構成を示す要部拡大断面図である。

【図4】図１に示される試料支持体のイオン化基板の拡大像を示す図である。

【図5】一実施形態に係る質量分析方法の工程を示す概略図である。

【図6】比較例に係るレーザ脱離イオン化法の工程を示す概略図である。

【図7】第２実施形態に係る試料支持体を示す図である。

【図8】図７に示される破線Ａで囲まれた部分の概略構成を示す要部拡大断面図である。

【図9】第３実施形態に係る試料支持体を示す図である。

【図10】第４〜第６実施形態に係る試料支持体を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図において同一部分又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、各図に示される各部材（又は部位）の寸法又は寸法の比率は、説明をわかり易くするために、実際の寸法又は寸法の比率とは異なることがある。

【0020】

［第１実施形態］
図１〜図３を参照して、第１実施形態に係る試料支持体１について説明する。図１は、試料支持体１の平面図である。図２は、図１に示されるＩＩ−ＩＩ線に沿った試料支持体１の断面図である。図３は、試料支持体１のイオン化基板３及び導電層４の概略構成を示す要部拡大断面図である。図１〜図３に示されるように、試料支持体１は、基板２と、イオン化基板３と、導電層４と、支持部５と、テープ６（固定部材）と、を備えている。基板２は、例えば長方形板状に形成されている。以下では、便宜上、基板２の長辺に沿った方向をＸ方向、基板２の短辺に沿った方向をＹ方向、基板２の厚み方向をＺ方向と言う場合がある。Ｚ方向は、基板２とイオン化基板３とが対向する方向でもある。

【0021】

基板２は、例えば、導電性材料によって形成されている。基板２は、例えば、導電性を有するスライドガラス、金属等により形成されている。導電性を有するスライドガラスは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide)膜等の透明導電膜が形成されたガラス基板（ＩＴＯスライドガラス）である。基板２の短辺及び長辺の長さは、例えば数ｃｍ程度である。基板２の厚さは、例えば１ｍｍ程度である。基板２は、試料支持体１を図示しない質量分析装置の試料台（ステージ）に載置する際に、試料台に接触する部分である。

【0022】

イオン化基板３は、例えば、絶縁性材料によって長方形板状に形成されている。イオン化基板３は、例えば、バルブ金属又はシリコンを陽極酸化することにより形成され得る。本実施形態では、イオン化基板３の短辺（Ｙ方向に沿った辺）の長さは、基板２の短辺の長さと同一であり、イオン化基板３の長辺（Ｘ方向に沿った辺）の長さは、基板２の長辺の長さよりも短くされている。イオン化基板３の厚さは、例えば１μｍ〜５０μｍ程度である。イオン化基板３は、基板２上に配置されており、基板２に対向する第１表面３ａと、第１表面３ａとは反対側の第２表面３ｂと、を有している。イオン化基板３は、Ｚ方向から見て、イオン化基板３の長辺と基板２の長辺とが重なり、且つ、イオン化基板３の中心と基板２の中心とが重なるように、基板２上に配置されている。

【0023】

図１に示されるように、イオン化基板３は、第２表面３ｂにおいて、試料を滴下するための複数の測定領域Ｒを有している。測定領域Ｒの形状は、例えば直径数ｍｍ程度（例えば３ｍｍ）の円形である。本実施形態では、イオン化基板３には、Ｘ方向に沿って７つの測定領域Ｒが等間隔に配置されると共に、Ｙ方向に沿って４つの測定領域Ｒが等間隔に配置されている。イオン化基板３には、オペレータが各測定領域Ｒを識別するための目印（マーク）等が付加されていてもよいが、このような目印等が付加されていなくてもよい。すなわち、イオン化基板３の第２表面３ｂは、複数の測定領域Ｒを設定可能な大きさの領域を有していればよい。この場合、例えば後述する第１支持部５ｂ等のイオン化基板３以外の部材によって各測定領域Ｒが区切られることにより、各測定領域Ｒは、試料支持体１を用いて測定を行うオペレータによって認識され得る。

【0024】

図３に示されるように、イオン化基板３の少なくとも各測定領域Ｒには、複数の貫通孔３ｃが一様に（均一な分布で）形成されている。本実施形態では、イオン化基板３の第２表面３ｂ全体において、複数の貫通孔３ｃが一様に形成されている。各貫通孔３ｃは、Ｚ方向（第１表面３ａ及び第２表面３ｂに垂直な方向）に沿って延在しており、第１表面３ａ及び第２表面３ｂに開口している。Ｚ方向から見た場合における貫通孔３ｃの形状は、例えば略円形である。貫通孔３ｃの幅は、例えば１ｎｍ〜７００ｎｍ程度である。貫通孔３ｃの幅とは、Ｚ方向から見た場合における貫通孔３ｃの形状が略円形である場合には、貫通孔３ｃの直径を意味し、当該形状が略円形以外である場合には、貫通孔３ｃに収まる仮想的な最大円柱の直径（有効径）を意味する。

【0025】

図４は、イオン化基板３の厚さ方向から見た場合におけるイオン化基板３の拡大像を示す図である。図４において、黒色の部分は貫通孔３ｃに相当し、白色の部分は貫通孔３ｃ間の隔壁部に相当する。図４に示されるように、イオン化基板３には、略一定の幅を有する複数の貫通孔３ｃが一様に形成されている。測定領域Ｒにおける貫通孔３ｃの開口率（イオン化基板３の厚さ方向から見た場合に当該測定領域Ｒに対して全ての貫通孔３ｃが占める割合）は、実用上は１０〜８０％であり、特に６０〜８０％であることが好ましい。複数の貫通孔３ｃの大きさは互いに不揃いであってもよいし、部分的に複数の貫通孔３ｃ同士が互いに連結していてもよい。

【0026】

図４に示されるイオン化基板３は、Ａｌ（アルミニウム）を陽極酸化することにより形成されたアルミナポーラス皮膜である。具体的には、Ａｌ基板に対して陽極酸化処理を施し、酸化された表面部分をＡｌ基板から剥離することにより、イオン化基板３を得ることができる。なお、イオン化基板３は、Ｔａ（タンタル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔｉ（チタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｗ（タングステン）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｓｂ（アンチモン）等のＡｌ以外のバルブ金属を陽極酸化することにより形成されてもよいし、Ｓｉ（シリコン）を陽極酸化することにより形成されてもよい。

【0027】

導電層４は、絶縁性のイオン化基板３に導電性を付与するために設けられた導電性材料からなる層である。ただし、イオン化基板３が導電性材料からなる場合であっても導電層４を設けることは妨げられない。導電層４は、少なくとも第２表面３ｂにおける貫通孔３ｃの周縁部に設けられている。図３に示されるように、導電層４は、第２表面３ｂのうち貫通孔３ｃが形成されていない部分を覆っている。つまり、各貫通孔３ｃの第２表面３ｂ側の開口は、導電層４によって塞がれていない。

【0028】

導電層４の材料としては、以下に述べる理由により、試料との親和性（反応性）が低く且つ導電性が高い金属が用いられることが好ましい。例えば、タンパク質等の試料と親和性が高いＣｕ（銅）等の金属によって導電層４が形成されていると、後述する試料のイオン化の過程において、試料分子にＣｕ原子が付着した状態で試料がイオン化され、Ｃｕ原子が付着した分だけ、後述する質量分析法において検出結果がずれるおそれがある。したがって、導電層４の材料としては、試料との親和性が低い金属が用いられることが好ましい。

【0029】

一方、導電性の高い金属ほど一定の電圧を容易に且つ安定して印加し易くなる。そのため、導電性が高い金属によって導電層４が形成されていると、測定領域Ｒにおいてイオン化基板３の第２表面３ｂに均一に電圧を印加することが可能となる。また、導電性の高い金属ほど熱伝導性も高い傾向にある。そのため、導電性が高い金属によって導電層４が形成されていると、イオン化基板３に対して照射されたレーザ光のエネルギーを、導電層４を介して試料に効率的に伝えることが可能となる。したがって、導電層４の材料としては、導電性の高い金属が用いられることが好ましい。

【0030】

以上の観点から、導電層４の材料としては、例えば、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）等が用いられることが好ましい。導電層４は、例えば、メッキ法、原子層堆積法（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）、蒸着法、スパッタ法等によって、厚さ１ｎｍ〜３５０ｎｍ程度に形成される。なお、導電層４の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）等が用いられてもよい。

【0031】

支持部５は、イオン化基板３の第１表面３ａと基板２とが互いに離間するように、基板２に対してイオン化基板３を支持する部材である。支持部５は、イオン化基板３の第１表面３ａと基板２におけるイオン化基板３に対向する表面２ａとの間に隙間を形成するための隙間形成部材として機能する。本実施形態では、支持部５の外形は、Ｚ方向から見て、イオン化基板３とほぼ同じ大きさの長方形板状をなしている。また、支持部５の厚さは、例えば４０μｍ程度である。

【0032】

Ｚ方向から見て、支持部５における複数の測定領域Ｒと重なる部分には、測定領域Ｒに対応する形状（ここでは直径３ｍｍの円形）の貫通孔５ａが形成されている。すなわち、支持部５は、Ｚ方向から見て、複数の測定領域Ｒを区切るように、第１表面３ａにおける各測定領域Ｒの周縁部と基板２との間に設けられた第１支持部５ｂ（各貫通孔５ａの周縁部分）を有している。また、支持部５は、イオン化基板３の周縁部（Ｚ方向から見て、複数の測定領域Ｒが設けられた領域よりも外側の部分）と基板２との間に設けられた第２支持部５ｃ（イオン化基板３の周縁部と重なる部分）も有している。

【0033】

第１支持部５ｂは、複数の貫通孔５ａ間の隔壁部に相当する部分であり、複数の測定領域Ｒを規定するように形成されている。第１支持部５ｂは、例えば、イオン化基板３の第１表面３ａと基板２の表面２ａとを接着する接着部材により形成されている。具体的には、第１支持部５ｂは、例えば、導電性を有する両面テープ、真空接着剤等である。このような第１支持部５ｂによれば、イオン化基板３の第１表面３ａと基板２の表面２ａとの間の隙間を確保しつつ、基板２の表面２ａに対してイオン化基板３を固定することができる。ここで、イオン化基板３には複数の貫通孔３ｃが設けられており、且つ、イオン化基板３及び導電層４は非常に薄い。このため、イオン化基板３の第２表面３ｂ側から試料支持体１を見た場合に、貫通孔５ａ及び第１支持部５ｂの境界が透けて見える。これにより、試料支持体１を用いて測定を実施するオペレータは、各測定領域Ｒを視認することができる。また、第１支持部５ｂによれば、一の測定領域Ｒに滴下された試料の過剰分がイオン化基板３の第１表面３ａと基板２の表面２ａとの間の隙間を介して他の測定領域Ｒに移動してしまうこと（すなわち、異なる測定領域に滴下された試料同士が混ざってしまうこと）を防止することもできる。

【0034】

第２支持部５ｃは、支持部５の外周枠に相当する部分であり、複数の測定領域Ｒを包囲するように形成されている。このような第２支持部５ｃによれば、イオン化基板３の第１表面３ａと基板２の表面２ａとの間の隙間を確保しつつ、基板２に対してイオン化基板３を安定的に支持することができる。第２支持部５ｃは、例えば、イオン化基板３の第１表面３ａと基板２の表面２ａとを接着する接着部材により形成されている。具体的には、第２支持部５ｃは、例えば、導電性を有する両面テープ、真空接着剤等である。この場合、第２支持部５ｃにより、基板２の表面２ａに対してイオン化基板３を固定することができる。

【0035】

テープ６は、導電性を有しており、イオン化基板３の短辺に沿った縁部を基板２に対して固定する部材である。テープ６は、導電層４に接触した状態でイオン化基板３と基板２とを互いに固定する固定部材として機能する。図２に示されるように、本実施形態では、テープ６は、イオン化基板３を基板２に対して押さえこむように、導電層４（ここでは、イオン化基板３の第２表面３ｂの短辺に沿った縁部の上面を覆う部分）と基板２の表面２ａとに接着している。テープ６により、基板２に対してイオン化基板３を確実に固定することができる。また、基板２が導電性を有する場合に、テープ６を介して基板２と導電層４との間の電気的接続（導電層４に電圧を印加するための電気的接続）を行うことができる。これにより、上記電気的接続のための構成を簡素化することができる。

【0036】

次に、試料支持体１を用いた質量分析方法（レーザ脱離イオン化法を含む）について説明する。図５は、本実施形態に係る質量分析方法の工程を示す概略図である。図５においては、導電層４の図示が省略されている。

【0037】

まず、上述した試料支持体１が用意される（第１工程）。試料支持体１は、質量分析方法を実施する者によって製造されることで用意されてもよいし、試料支持体１の製造者又は販売者等から取得されることで用意されてもよい。

【0038】

続いて、図５の（Ａ）に示されるように、イオン化基板３における１つの測定領域Ｒに対して試料Ｓが滴下される（第２工程）。ここで、上述した支持部５によって、イオン化基板３の第１表面３ａと基板２の表面２ａとの間に隙間が形成されている。このため、イオン化基板３の第２表面３ｂに対する試料Ｓの滴下量が適量よりも多かった場合には、重力により、イオン化基板３に設けられた貫通孔３ｃを介して、試料Ｓの過剰分がイオン化基板３の第１表面３ａと基板２の表面２ａとの間の隙間に流れ込むことになる。一方、貫通孔３ｃの幅が１ｎｍ〜７００ｎｍと非常に小さいことにより、第２表面３ｂに対するレーザ光の照射によりイオン化させるための試料Ｓを貫通孔３ｃ内に好適に留めることができる。これにより、図５の（Ｂ）に示されるように、試料Ｓがイオン化基板３に浸透した後（試料Ｓの乾燥後）において、試料Ｓの過剰分がイオン化基板３の第１表面３ａと基板２の表面２ａとの間の隙間に逃されている一方で、イオン化に必要な適量の試料Ｓが貫通孔３ｃ内に留まった状態となる。

【0039】

続いて、試料支持体１及び試料Ｓは、例えば、図示しない質量分析装置のステージ上に載置される。続いて、図５の（Ｃ）に示されるように、質量分析装置の電圧印加部１０１によって、基板２の表面２ａ及びテープ６（図２参照）を介して試料支持体１の導電層４（図２参照）に電圧が印加される（第３工程）。続いて、質量分析装置のレーザ光出射部１０２によって、イオン化基板３の第２表面３ｂに対してレーザ光Ｌが照射される（第３工程）。つまり、レーザ光Ｌは、試料Ｓが滴下された測定領域Ｒに対して照射される。

【0040】

このように、導電層４に電圧が印加されつつイオン化基板３の第２表面３ｂに対してレーザ光Ｌが照射されることにより、イオン化基板３に形成された貫通孔３ｃに留まった試料Ｓ（特に、貫通孔３ｃの第２表面３ｂ側の開口付近の試料Ｓ）の成分がイオン化され、試料イオンＳＩ（イオン化された成分）が放出される（第４工程）。具体的には、レーザ光Ｌのエネルギーを吸収した導電層４（図３参照）から、イオン化基板３に形成された貫通孔３ｃに留まった試料Ｓの成分にエネルギーが伝達され、エネルギーを獲得した成分が気化すると共に電荷を獲得して、試料イオンＳＩとなる。以上の第１工程〜第４工程が、試料支持体１を用いたレーザ脱離イオン化法に相当する。

【0041】

放出された試料イオンＳＩは、試料支持体１と質量分析装置の検出器１０３との間に設けられたグランド電極（図示省略）に向かって加速しながら移動する。つまり、試料イオンＳＩは、電圧が印加された導電層４とグランド電極との間に生じた電位差によって、グランド電極に向かって加速しながら移動する。そして、検出器１０３によって試料イオンＳＩが検出される（第５工程）。なお、ここでの質量分析装置は、飛行時間型質量分析法（ＴＯＦ−ＭＳ：Time-of-Flight Mass Spectrometry）を利用する質量分析装置である。以上の第１工程〜第５工程が、試料支持体１を用いた質量分析方法に相当する。

【0042】

図６は、比較例に係るレーザ脱離イオン化法の工程を示す概略図である。具体的には、図６は、従来の表面支援レーザ脱離イオン化法（ＳＡＬＤＩ：Surface-Assisted Laser
Desorption/Ionization）の概略を示している。比較例に係るレーザ脱離イオン化法では、表面に微細な凹凸構造を有する基板３００が使用される。具体的には、まず、基板３００の１つの測定スポット（基板３００の凹凸構造が設けられた面）に対して試料Ｓが滴下される（図６の（Ａ））。ここで、基板３００には、試料支持体１のように、試料Ｓの過剰分を逃すための空間が設けられていない。このため、試料Ｓの滴下量が適量よりも多い場合、試料Ｓが基板３００の表面に浸透した後（試料Ｓの乾燥後）、試料Ｓの過剰分が基板３００の凹凸構造から溢れ出た状態（すなわち、凹凸構造が試料Ｓ中に埋没した状態）となる（図６の（Ｂ））。このため、いわゆる凹凸効果（凹凸構造によりレーザ光のエネルギーが試料に伝わり易くなる効果）が発揮されず、レーザ光を基板３００の表面に対して照射した際の試料Ｓのイオン化効率が低下してしまう（図６の（Ｃ））。一方、上述したように、試料支持体１を用いたレーザ脱離イオン化法によれば、試料Ｓの過剰分がイオン化基板３の第２表面３ｂ上に溢れることが防止されるため、試料Ｓのイオン化効率の低下を抑制することができる。

【0043】

以上説明したように、試料支持体１では、支持部５により、イオン化基板３の第１表面３ａと基板２との間に隙間が形成される。これにより、イオン化基板３の第２表面３ｂに対する試料Ｓの滴下量が適量よりも多かったとしても、イオン化基板３に設けられた貫通孔３ｃを介して、試料Ｓの過剰分をイオン化基板３の第１表面３ａと基板２との間の隙間に逃すことができる。このため、試料Ｓの過剰分が第２表面３ｂ上に溢れ出すことが抑制され、第２表面３ｂに対するレーザ光Ｌの照射によって試料Ｓの成分をイオン化する際のイオン化効率の低下が抑制される。また、試料支持体１では、第１支持部５ｂによって区切られた複数の測定領域Ｒを用いることにより、試料Ｓの連続測定を行うことが可能となっている。以上により、試料支持体１によれば、試料Ｓの滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制しつつ、試料Ｓの連続測定を行うことができる。

【0044】

また、基板２が導電性を有するスライドガラス又は金属により形成されているため、導電層４に電圧を印加するための電気的接続を基板２を介して行うことが可能となる。その結果、上記電気的接続のための構成を簡素化することができる。

【0045】

また、イオン化基板３は、バルブ金属又はシリコンを陽極酸化することにより形成されている。この場合、バルブ金属又はシリコンの陽極酸化によって、複数の微細な貫通孔３ｃが設けられたイオン化基板３を適切かつ容易に実現できる。

【0046】

また、貫通孔３ｃの幅は、１ｎｍ〜７００ｎｍである。これにより、イオン化基板３の第２表面３ｂに滴下された試料Ｓの過剰分については貫通孔３ｃを介してイオン化基板３の第１表面３ａと基板２との間の隙間に移動させつつ、第２表面３ｂに対するレーザ光Ｌの照射によりイオン化させるための試料Ｓを貫通孔３ｃ内に好適に留めることができる。

【0047】

また、試料支持体１は、導電性を有し、導電層４に接触した状態でイオン化基板３と基板２とを互いに固定するテープ６を備えている。このため、テープ６により、基板２に対してイオン化基板３を確実に固定することができる。また、基板２が導電性を有する場合に、テープ６を介して基板２と導電層４との間の電気的接続（導電層４に電圧を印加するための電気的接続）を行うことができる。これにより、上記電気的接続のための構成を簡素化することができる。

【0048】

また、上述したレーザ脱離イオン化法の第１工程において用意される試料支持体１では、支持部５により、イオン化基板３の第１表面３ａと基板２との間に隙間が形成される。これにより、第２工程において、イオン化基板３の第２表面３ｂに対する試料Ｓの滴下量が適量よりも多かったとしても、イオン化基板３に設けられた貫通孔３ｃを介して、試料Ｓの過剰分をイオン化基板３の第１表面３ａと基板２との間の隙間に逃すことができる。このため、試料Ｓの過剰分が第２表面３ｂ上に溢れ出すことが抑制される。その結果、第３工程において、第２表面３ｂに対するレーザ光Ｌの照射によって試料Ｓの成分をイオン化する際のイオン化効率の低下が抑制される。以上により、このレーザ脱離イオン化法によれば、試料の滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制することができる。

【0049】

［第２実施形態］
図７及び図８を参照して、第２実施形態に係る試料支持体１Ａについて説明する。図７の（Ａ）は、試料支持体１Ａの平面図である。図７の（Ｂ）は、（Ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿った試料支持体１Ａの断面図である。図８は、図７に示される破線Ａで囲まれた部分の概略構成を示す要部拡大断面図である。図７及び図８に示されるように、試料支持体１Ａは、フレーム７を備えると共に導電層４及びテープ６の配置が一部変更されている点において、試料支持体１と相違しており、その他の構成については試料支持体１と同様である。

【0050】

フレーム７は、基板２とイオン化基板３とが対向する方向（Ｚ方向）から見て、イオン化基板３における第２表面３ｂの周縁部上に少なくとも形成されている。本実施形態では、フレーム７の外形は、Ｚ方向から見て、イオン化基板３とほぼ同じ大きさの長方形板状をなしている。また、フレーム７の厚さは、例えば１ｍｍ以下である。フレーム７は、例えば金属によって形成されている。

【0051】

Ｚ方向から見て、フレーム７における複数の測定領域Ｒと重なる部分には、測定領域Ｒに対応する形状（ここでは直径３ｍｍの円形）の貫通孔７ａが形成されている。すなわち、フレーム７は、Ｚ方向から見て、複数の測定領域Ｒを区切るように、第２表面３ｂにおける各測定領域Ｒの周縁部上に設けられた壁部７ｂ（各貫通孔７ａの周縁部分）を有している。また、フレーム７は、イオン化基板３の第２表面３ｂの周縁部（Ｚ方向から見て、複数の測定領域Ｒが設けられた領域よりも外側の部分）上に設けられた外縁部７ｃ（イオン化基板３の周縁部と重なる部分）も有している。

【0052】

壁部７ｂは、複数の貫通孔７ａ間の隔壁部に相当する部分であり、複数の測定領域Ｒを規定するように形成されている。これにより、試料支持体１を用いて測定を実施するオペレータは、各測定領域Ｒを視認することができる。また、壁部７ｂによれば、一の測定領域Ｒに試料を滴下した際等において、試料の一部が一の測定領域Ｒに隣接する他の測定領域Ｒに飛散することを防止することもできる。外縁部７ｃは、長方形板状のフレーム７の外周枠に相当する部分であり、複数の測定領域Ｒを包囲するように形成されている。

【0053】

図８に示されるように、フレーム７（壁部７ｂ及び外縁部７ｃ）は、接着層８によってイオン化基板３の第２表面３ｂに固定されている。接着層８の材料としては、放出ガスの少ない接着材料（例えば、低融点ガラス、真空用接着剤等）が用いられることが好ましい。また、試料支持体１Ａでは、導電層４は、イオン化基板３の第２表面３ｂのうちフレーム７の開口（貫通孔７ａ）に対応する領域（すなわち、測定領域Ｒ）、貫通孔７ａの内面、及びフレーム７におけるイオン化基板３とは反対側の表面７ｄに一続きに（一体的に）形成されている。すなわち、導電層４は、フレーム７の表面７ｄを更に覆うように形成されている。これにより、後述するように、導電層４に電圧を印加するための電気的接続をフレーム７上で行うことができる。なお、測定領域Ｒにおいては、試料支持体１と同様に、導電層４は第２表面３ｂのうち貫通孔３ｃが形成されていない部分を覆っている。すなわち、各貫通孔３ｃの第２表面３ｂ側の開口は、導電層４によって塞がれていない。

【0054】

また、試料支持体１Ａでは、テープ６は、導電層４におけるフレーム７の表面７ｄを覆う部分に接触した状態でイオン化基板３と基板２とを互いに固定する固定部材として機能する。具体的には、テープ６は、フレーム７の外縁部７ｃの上からイオン化基板３を基板２に対して押さえこむように、導電層４（ここでは、表面７ｄを覆う部分）と基板２の表面２ａとに接着している。テープ６により、基板２、イオン化基板３、及びフレーム７を確実に互いに固定することができる。また、基板２が導電性を有する場合に、テープ６を介して基板２と導電層４との間の電気的接続（導電層４に電圧を印加するための電気的接続）を行うことができる。これにより、上記電気的接続のための構成を簡素化することができる。特に、上記電気的接続をフレーム７の表面７ｄ上で行うことができるため、イオン化基板３上の実効領域（すなわち測定領域Ｒ）を侵食することなく、上記電気的接続を実現することができる。

【0055】

試料支持体１Ａでは、試料支持体１と同様に、支持部５により、イオン化基板３の第１表面３ａと基板２との間に隙間が形成される。これにより、イオン化基板３の第２表面３ｂに対する試料Ｓの滴下量が適量よりも多かったとしても、イオン化基板３に設けられた貫通孔３ｃを介して、試料Ｓの過剰分をイオン化基板３の第１表面３ａと基板２との間の隙間に逃すことができる。このため、試料Ｓの過剰分が第２表面３ｂ上に溢れ出すことが抑制され、第２表面３ｂに対するレーザ光Ｌの照射によって試料Ｓの成分をイオン化する際のイオン化効率の低下が抑制される。また、この試料支持体１Ａでは、フレーム７の壁部７ｂによって区切られた複数の測定領域Ｒを用いることにより、試料Ｓの連続測定を行うことが可能となっている。以上により、試料支持体１Ａによれば、試料Ｓの滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制しつつ、試料Ｓの連続測定を行うことができる。

【0056】

［第３実施形態］
図９を参照して、第３実施形態に係る試料支持体１Ｂについて説明する。図９の（Ａ）は、試料支持体１Ｂの平面図である。図９の（Ｂ）は、（Ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿った試料支持体１Ｂの断面図（基板１２の平面図）である。図９に示されるように、試料支持体１Ｂは、基板２の代わりに基板１２を備える点において、試料支持体１と相違しており、その他の構成については試料支持体１と同様である。

【0057】

基板１２には、複数の測定領域Ｒに対応するように、基板１２とイオン化基板３とが対向する方向（Ｚ方向）に沿って延びる複数の貫通孔１２ａが設けられている。本実施形態では、貫通孔１２ａは、Ｚ方向から見て、対応する測定領域Ｒと同一の大きさの円形形状をなしている。すなわち、貫通孔１２ａは、Ｚ方向から見て、対応する支持部５の貫通孔５ａと重なっている。ただし、貫通孔１２ａは、必ずしもＺ方向から見て対応する測定領域Ｒ及び貫通孔５ａと完全に重なっていなくてもよい。また、Ｚ方向から見た貫通孔１２ａの外形は、必ずしも対応する測定領域Ｒ及び貫通孔５ａの外形（ここでは直径３ｍｍの円形）と一致していなくてもよい。すなわち、Ｚ方向から見た貫通孔１２ａの外形は、対応する測定領域Ｒ及び貫通孔５ａの外形よりも小さくてもよいし、或いは大きくてもよい。

【0058】

試料支持体１Ｂでは、基板１２のイオン化基板３側の少なくとも一部が、試料Ｓを基板１２の内側に移動させることが可能なように形成されている。具体的には、基板１２において、複数の貫通孔１２ａが形成されている。このため、イオン化基板３の貫通孔３ｃの第１表面３ａ側の開口から基板１２側に流れ出た試料Ｓを、基板１２の貫通孔１２ａ内に移動させることが可能となっている。すなわち、各測定領域Ｒに対応するように基板１２に設けられた貫通孔１２ａに試料Ｓの過剰分を逃すことができる。これにより、イオン化基板３の第２表面３ｂに対する試料Ｓの滴下量が適量よりも多かったとしても、イオン化基板３に設けられた貫通孔３ｃを介して基板１２に流れ込んだ試料Ｓの過剰分を基板１２の内側（ここでは貫通孔１２ａの内部）に逃すことができる。このため、試料Ｓの過剰分が第２表面３ｂ上に溢れ出すことが抑制され、第２表面３ｂに対するレーザ光Ｌの照射によって試料Ｓの成分をイオン化する際のイオン化効率の低下が抑制される。以上により、試料支持体１Ｂによれば、試料Ｓの滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制することができる。また、試料支持体１Ｂでは、イオン化基板３の第２表面３ｂ上に用意された複数の測定領域Ｒを用いることにより、試料Ｓの連続測定を行うことが可能となっている。

【0059】

また、試料支持体１Ｂでは、基板１２に形成された貫通孔１２ａを介して試料Ｓの過剰分を基板１２の外側（イオン化基板３側とは反対側）に逃すことができるため、試料Ｓの過剰分を一層効果的に排出することができる。

【0060】

また、上述したレーザ脱離イオン化法において、試料支持体１の代わりに試料支持体１Ｂを用いた場合には、上記第２工程において、イオン化基板３の第２表面３ｂに対する試料Ｓの滴下量が適量よりも多かったとしても、イオン化基板３に設けられた貫通孔３ｃを介して基板２に流れ込んだ試料Ｓの過剰分を基板１２の内側（ここでは貫通孔１２ａの内部）に逃すことができる。このため、試料Ｓの過剰分が第２表面３ｂ上に溢れ出すことが抑制される。その結果、上記第３工程において、第２表面３ｂに対するレーザ光Ｌの照射によって試料Ｓの成分をイオン化する際のイオン化効率の低下が抑制される。以上により、試料支持体１Ｂを用いたレーザ脱離イオン化法によれば、試料Ｓの滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制することができる。

【0061】

［第４実施形態］
図１０の（Ａ）は、第４実施形態に係る試料支持体１Ｃを示す図である。試料支持体１Ｃは、基板１２の代わりに基板２２を備える点において、試料支持体１Ｂと相違しており、その他の構成については試料支持体１Ｂと同様である。

【0062】

基板２２のイオン化基板３側の面２２ａには、複数の測定領域Ｒに対応するように、複数の凹部２２ｂが設けられている。本実施形態では、凹部２２ｂの開口は、Ｚ方向から見て、対応する測定領域Ｒと同一の大きさの円形形状をなしている。すなわち、凹部２２ｂは、Ｚ方向から見て、対応する支持部５の貫通孔５ａと重なっている。ただし、凹部２２ｂは、必ずしもＺ方向から見て対応する測定領域Ｒ及び貫通孔５ａと完全に重なっていなくてもよい。また、Ｚ方向から見た凹部２２ｂの外形は、必ずしも対応する測定領域Ｒ及び貫通孔５ａの外形（ここでは直径３ｍｍの円形）と一致していなくてもよい。すなわち、Ｚ方向から見た凹部２２ｂの外形は、対応する測定領域Ｒ及び貫通孔５ａの外形よりも小さくてもよいし、或いは大きくてもよい。

【0063】

試料支持体１Ｃにおいても、試料支持体１Ｂと同様に、基板２２のイオン化基板３側の少なくとも一部が、試料Ｓを基板２２の内側に移動させることが可能なように形成されている。具体的には、基板２２のイオン化基板３に対向する面２２ａにおいて、複数の凹部２２ｂが設けられている。このため、イオン化基板３の貫通孔３ｃの第１表面３ａ側の開口から基板２２側に流れ出た試料Ｓを、基板２２の凹部２２ｂ内に移動させることが可能となっている。すなわち、各測定領域Ｒに対応するように基板２２に設けられた各凹部２２ｂに試料Ｓの過剰分を逃すことができる。これにより、上述した試料支持体１Ｂと同様の効果が得られる。

【0064】

［第５実施形態］
図１０の（Ｂ）は、第５実施形態に係る試料支持体１Ｄを示す図である。試料支持体１Ｄは、基板１２の代わりに基板３２を備える点において、試料支持体１Ｂと相違しており、その他の構成については試料支持体１Ｂと同様である。

【0065】

試料支持体１Ｄにおいても、試料支持体１Ｂと同様に、基板３２のイオン化基板３側の少なくとも一部が、試料Ｓを基板３２の内側に移動させることが可能なように形成されている。具体的には、基板３２は、吸水性を有する材料によって形成されている。基板３２は、例えばウレタン等の樹脂、ポーラス金属、セラミック等により形成されている。このため、イオン化基板３の貫通孔３ｃを介して基板３２に到達した試料Ｓを基板３２の内部に吸収することによって、試料Ｓの過剰分を基板３２の内側に逃すことができる。これにより、上述した試料支持体１Ｂ及び１Ｃと同様の効果が得られる。

【0066】

［第６実施形態］
図１０の（Ｃ）は、第６実施形態に係る試料支持体１Ｅを示す図である。試料支持体１Ｅは、支持部５を備えておらず、イオン化基板３の第１表面３ａが基板１２の表面に接触している点において、試料支持体１Ｂと相違しており、その他の構成については試料支持体１Ｂと同様である。試料支持体１Ｅにおいては、支持部５が省略されたことにより、イオン化基板３の第１表面３ａと基板１２との間に隙間が形成されていない。このような試料支持体１Ｅにおいても、試料支持体１Ｂと同様に、基板１２に形成された貫通孔１２ａにより、イオン化基板３の貫通孔３ｃの第１表面３ａ側の開口から基板１２側に流れ出た試料Ｓを、基板１２の貫通孔１２ａ内に移動させることができる。すなわち、このような試料支持体１Ｅによっても、上述した試料支持体１Ｂ〜１Ｄと同様に、試料Ｓの過剰分が第２表面３ｂ上に溢れ出すことを抑制し、試料Ｓの滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制することができる。

【0067】

なお、試料支持体１Ｃ又は１Ｄにおいても、支持部５は省略されてもよい。そのような場合であっても、上述した基板２２又は基板３２を備えることにより、試料Ｓの過剰分が第２表面３ｂ上に溢れ出すことを抑制し、試料Ｓの滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制することができる。ただし、試料支持体１Ｂ〜１Ｄのように、上述した基板１２，２２，３２を用いる場合であっても、支持部５によってイオン化基板３の第１表面３ａと基板１２，２２，３２との間に隙間が形成されてもよい。この場合、試料Ｓの過剰分をイオン化基板３の第１表面３ａと基板１２，２２，３２との間の隙間に更に逃すことができるため、試料Ｓの過剰分が第１表面３ａ上に溢れ出すことをより一層効果的に抑制することができる。

【0068】

［変形例］
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。例えば、上述した試料支持体１，１Ａ〜１Ｅの構成は、適宜組み合わせられてもよい。例えば、試料支持体１Ａのフレーム７は、基板に加工が施された試料支持体１Ｂ〜１Ｅにも設けられてもよい。

【0069】

また、試料支持体１，１Ａ〜１Ｅの一部の構成は、適宜省略されてもよい。例えば、試料支持体１において、支持部５が接着部材であり、支持部５によってイオン化基板３と基板２とが十分に固定される場合には、テープ６は省略されてもよい。また、レーザ脱離イオン化法の第３工程においては、基板２，１２，２２，３２及びテープ６を介さずに導電層４に電圧が印加されてもよい。その場合、基板２，１２，２２，３２及びテープ６は、導電性を有していなくてもよい。

【0070】

また、イオン化基板３は、導電性を有していてもよい。具体的には、イオン化基板３は、例えば半導体等の導電性材料からなっていてもよい。この場合、第３工程においてイオン化基板３に電圧が印加されてもよい。その場合、試料支持体１，１Ａ〜１Ｅにおいて導電層４を省略することができると共に、上述したように導電層４を備える試料支持体１，１Ａ〜１Ｅを用いる場合と同様に、試料の滴下量に起因するイオン化効率の低下を抑制することができる。

【0071】

また、例えばイオン化基板３の第２表面３ｂに測定領域Ｒの境界を示すマーキングがされるような場合には、複数の測定領域Ｒを区切るための構成（上記実施形態では、第１支持部５ｂ又はフレーム７の壁部７ｂ）は省略されてもよい。また、試料支持体１Ａのように支持部５及びフレーム７の両方が設けられる場合、第１支持部５ｂ及び壁部７ｂの少なくとも一方によって複数の測定領域Ｒが区切られていてもよい。また、イオン化基板３は、必ずしも複数の測定領域Ｒを有していなくてもよく、測定領域Ｒの数は１つでもよい。

【0072】

また、第１支持部５ｂ及び第２支持部５ｃは、一体的に形成されていなくてもよい。例えば、１つの測定領域Ｒに対応する第１支持部は、他の測定領域Ｒに対応する第１支持部とは独立して設けられた部材であってもよい。具体的には、１つの測定領域Ｒに対応する第１支持部は、例えば、Ｚ方向から見て当該測定領域Ｒの周縁部に重なるように形成された円筒状の部材であってもよい。また、第２支持部は、第１支持部とは独立して設けられた部材であってもよい。具体的には、第２支持部は、例えば、Ｚ方向から見てイオン化基板３の周縁部に重なるように形成された矩形枠状の部材であってもよい。

【0073】

また、壁部７ｂ及び外縁部７ｃは、一体的に形成されていなくてもよい。例えば、１つの測定領域Ｒに対応する壁部は、他の測定領域Ｒに対応する壁部とは独立して設けられた部材であってもよい。具体的には、１つの測定領域Ｒに対応する壁部は、例えば、Ｚ方向から見て当該測定領域Ｒの周縁部に重なるように形成された円筒状の部材であってもよい。また、外縁部は、壁部とは独立して設けられた部材であってもよい。具体的には、外縁部は、例えば、Ｚ方向から見てイオン化基板３の周縁部に重なるように形成された矩形枠状の部材であってもよい。

【0074】

また、複数の測定領域Ｒのうち少なくとも１つの測定領域Ｒは、質量校正（マスキャリブレーション）のための領域として用いられてもよい。測定対象試料の測定（上述した質量分析方法）を開始する前に、質量校正用の領域として設定された測定領域Ｒに質量校正用の試料（例えばペプチド等）を滴下して測定を実施することにより、マススペクトルの補正を行うことが可能となる。このようなマススペクトルの補正を測定対象試料の測定前に行うことにより、当該測定対象試料を測定した際に当該測定対象試料の正確なマススペクトルを得ることが可能となる。

【0075】

また、上記レーザ脱離イオン化法（第１〜第３工程）は、本実施形態で説明した試料Ｓの質量分析だけでなく、イオンモビリティ測定等の他の測定・実験にも利用され得る。

【0076】

また、試料支持体１，１Ａ〜１Ｅの用途は、レーザ光Ｌの照射による試料Ｓのイオン化に限定されない。試料支持体１，１Ａ〜１Ｅは、レーザ光Ｌ以外のエネルギー線（例えば、イオンビーム、電子線等）の照射による試料Ｓのイオン化に用いられてもよい。すなわち、上記レーザ脱離イオン化法において、レーザ光Ｌの代わりにレーザ光Ｌ以外のエネルギー線が照射されてもよい。

【符号の説明】

【0077】

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ…試料支持体、２，１２，２２，３２…基板、３…イオン化基板、３ａ…第１表面、３ｂ…第２表面、３ｃ…貫通孔、４…導電層、５…支持部、５ａ…貫通孔、５ｂ…第１支持部、５ｃ…第２支持部、６…テープ（固定部材）、７…フレーム、７ａ…貫通孔、７ｂ…壁部、７ｃ…外縁部、Ｌ…レーザ光、Ｒ…測定領域、Ｓ…試料。

【要約】

試料支持体（１）は、基板（２）と、イオン化基板（３）と、支持部（５）と、を備える。イオン化基板（３）は、第２表面（３ｂ）において試料を滴下するための複数の測定領域（Ｒ）を有する。イオン化基板（３）の少なくとも各測定領域（Ｒ）には、第１表面（３ａ）及び第２表面（３ｂ）に開口する複数の貫通孔（３ｃ）が形成されている。少なくとも第２表面（３ｂ）における貫通孔（３ｃ）の周縁部には、導電層（４）が設けられている。支持部（５）は、基板（２）とイオン化基板（３）とが対向する方向から見て、複数の測定領域（Ｒ）を区切るように、第１表面（３ａ）における各測定領域（Ｒ）の周縁部と基板（２）との間に設けられた第１支持部（５ｂ）を有する。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】