特許 6535457 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6535457

(24)【登録日】2019年6月7日

(45)【発行日】2019年6月26日

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/26 20060101AFI20190617BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20190617BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20190617BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20190617BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20190617BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20190617BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/26 Z

   H05B33/14 A

   H05B33/12 B

   H05B33/22 Z

   H01L27/32

   G09F9/30 365

【請求項の数】17

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2014-230626(P2014-230626)

(22)【出願日】2014年11月13日

(65)【公開番号】特開2016-95971(P2016-95971A)

(43)【公開日】2016年5月26日

【審査請求日】2017年11月9日

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】梶山 憲太

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 敏浩

【審査官】 中山 佳美

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００３−０６８４７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−０３１６４５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ５１／５０−５１／５６

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０５Ｂ ３３／００−３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
表示領域に位置する第１の画素と、
前記第１の画素の外周を囲うバンク層と、
前記バンク層を介して前記第１の画素と隣接し、全体が前記表示領域に位置するコンタクト領域と、
前記第１の画素に形成された画素電極と、
前記基板に形成され、前記第１の画素に備えられ、且つ前記画素電極と接続する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆い、且つ前記第１の画素と前記コンタクト領域とに亘って配置された絶縁層と、
前記第１の画素と前記コンタクト領域とに亘って配置された共通電極と、
前記絶縁層の前記基板とは反対側に配置され、少なくとも一部が前記コンタクト領域に位置する補助導電層と、
前記コンタクト領域に形成され、前記共通電極と前記補助導電層とを電気的に接続するコンタクトホールと、
を有し、
前記補助導電層は、前記コンタクト領域に開口を有し、
前記コンタクトホールの縁は、前記補助導電層の開口の縁を含んで構成され、
前記共通電極は前記コンタクトホールを覆っている
ことを特徴とする表示装置。

【請求項2】

請求項１に記載の表示装置において、
前記絶縁層は、前記コンタクト領域に開口を有し、
前記コンタクトホールの縁は、更に前記絶縁層の開口の縁を含んで構成される
ことを特徴とする表示装置。

【請求項3】

請求項１に記載の表示装置において、
前記コンタクト領域は前記画素電極と同層に形成された導電部を有し、
前記導電部は、前記コンタクトホールを覆って、且つ前記補助導電層に接して配置され、
前記共通電極と前記補助導電層とは、前記導電部を介して電気的に接続している
ことを特徴とする表示装置。

【請求項4】

請求項３に記載の表示装置において、
前記補助導電層の開口の縁は、平面視において、第１の方向に延びており、
前記導電部は、平面視において、前記第１の方向に交差する第２の方向に延びている
ことを特徴とする表示装置。

【請求項5】

請求項１に記載の表示装置において、
前記補助導電層の開口の端部側面は、前記コンタクトホールの幅が前記基板から離れる方向に向かって徐々に小さくなるように傾斜している
ことを特徴とする表示装置。

【請求項6】

請求項１に記載の表示装置において、
前記画素電極と前記共通電極との間に位置すると共に、前記第１の画素と前記コンタクト領域とに亘って配置された発光層を備え、
前記発光層は、前記コンタクトホールの側壁で破断している
ことを特徴とする表示装置。

【請求項7】

請求項１に記載の表示装置において、
前記コンタクトホールは前記コンタクト領域に複数個形成されている
ことを特徴とする表示装置。

【請求項8】

請求項１に記載の表示装置において、
前記第１の画素と前記コンタクト領域とを含む第１の主画素と、
前記第１の画素と同じ第１の色の第２の画素と、前記第２の画素とは異なる第２の色の第３の画素とを含み、且つ前記第１の主画素と隣接する第２の主画素と、
を備え、
平面視において、前記第１の画素から前記コンタクト領域への方向と、前記第２の画素から前記第３の画素への方向とは同じであり、
前記第２の色は、前記第１の色よりも視認性が低い
ことを特徴とする表示装置。

【請求項9】

請求項８に記載の表示装置において、
前記第２の色は青色であり、
前記第１の主画素は、青色の画素を含まない
ことを特徴とする表示装置。

【請求項10】

表示領域と、
表示領域に設けられている複数の主画素と、
前記複数の主画素に亘って配置されている共通電極と、
前記共通電極よりも下の層に形成されている補助導電層と、を備え、
前記複数の主画素は第１の主画素と第２の主画素とを有し、
前記第１の主画素は、互いに異なる色で発光する、第１の色の副画素と第２の色の副画素と第３の色の副画素を有し、
前記第２の主画素は、前記共通電極と前記補助導電層とが接続するコンタクト領域と、前記第１の色の副画素と、前記第２の色の副画素と、を有し、
前記第１の主画素には、前記共通電極と前記補助導電層とが接続する領域が含まれず、
前記第２の主画素には、前記第３の色の副画素が含まれない
ことを特徴とする表示装置。

【請求項11】

請求項１０に記載の表示装置において、
前記第３の色の副画素は、青の副画素であること
を特徴とする表示装置。

【請求項12】

請求項１１に記載の表示装置において、
前記第１の主画素は、前記青の副画素、赤の副画素、緑の副画素、及び白の副画素を有している
ことを特徴とする表示装置。

【請求項13】

請求項１０に記載の表示装置において、発光層をさらに有し、
前記発光層の下側に前記補助導電層を含む１又は複数の層が形成され、
前記発光層の上側に前記共通電極が形成され、
前記１又は複数の層は前記コンタクト領域にコンタクトホールを有し、
前記補助導電層は、前記コンタクト領域に開口を有し、
前記補助導電層の開口の縁は、その開口の幅が上方に向かって徐々に小さくなるように傾斜する逆テーパ部を構成し、
前記コンタクトホールの内側の側面は、前記補助導電層の開口の縁によって構成される前記逆テーパ部を含み、
前記逆テーパ部と前記共通電極とが電気的に接続している
ことを特徴とする表示装置。

【請求項14】

請求項１３に記載の表示装置において、
前記コンタクト領域には、複数の前記コンタクトホールが形成されている、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項15】

請求項１３に記載の表示装置において、
前記１又は複数の層として、前記補助導電層と、前記補助導電層の下側に形成されている絶縁層とが設けられ、
前記絶縁層には、上方に向かって開いている穴が形成され、
前記穴は、その内側に、互いに向き合い且つ上方に向かって間隔が大きくなる２つの側面を有し、
前記補助導電層は前記絶縁層の穴に対応する位置に開口を有し、
前記補助導電層の開口の縁は前記穴の前記２つの側面上に位置している
ことを特徴とする表示装置。

【請求項16】

請求項１５に記載の表示装置において、
前記複数の副画素のそれぞれに形成されている画素電極をさらに有し、
前記画素電極は前記発光層と前記補助導電層との間に形成され且つ前記発光層に接しており、
前記補助導電層の前記開口の縁は前記画素電極と同じ層に形成されている導電部によって覆われている
ことを特徴とする表示装置。

【請求項17】

請求項１６に記載の表示装置において、
前記補助導電層の前記開口の縁は、平面視において、第１の方向に延びており、
前記画素電極と同じ層に形成されている前記導電部は、平面視において、前記第１の方向に交差する第２の方向に延びている
ことを特徴とする表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

有機ＥＬ表示装置は各画素に配置されている画素電極と複数の画素に亘って配置されている共通電極とを有し、それらの電極の間に発光層を含む有機層が配置されている。一般的に、共通電極の材料は比較的大きな電気抵抗を有している。そのため、端子からの距離が大きくなるに従って共通電極の電位が低下する。このことは、表示領域における輝度の傾斜（漸減）につながる。

【0003】

下記特許文献１では、共通電極の電位の低下を抑えるため、隣接する２つの画素の間に補助電極が設けられている。また、下記特許文献２では、共通電極と共通電極よりも下の層に形成されている補助配線とが、隣接する２つの画素の間で接続されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００７−２８７３５４号公報

【特許文献2】特開２０１０−０４４８９４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

有機ＥＬ表示装置の高精細化にともなって、隣接する２つの画素の間隔が狭くなってきている。そのため、特許文献１及び２のように、共通電極の電位の低下を抑えるための構造を隣接する２つの画素の間に設けることが困難となってきている。

【0006】

本発明の目的は、共通電極の電位の均一化及び高精細化を可能とする表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明に係る表示装置は、表示領域と、表示領域に設けられている複数の主画素と、前記複数の主画素に亘って配置されている共通電極と、前記共通電極よりも下の層に形成されている補助導電層と、を備え、前記複数の主画素の一部は、互いに異なる色で発光する、少なくとも３つの副画素を有し、前記複数の主画素の他の一部は、前記少なくとも３つの副画素のうちのいずれかの副画素に替えて、前記共通電極と前記補助導電層とを接続する構造が形成された領域であるコンタクト領域を有している。或いは、本発明に係る表示装置は、第１の画素と、前記第１の画素の外周を囲うバンク層と、前記バンク層を介して、前記第１の画素と隣接するコンタクト領域と、前記第１の画素に形成された画素電極と、前記第１の画素と前記コンタクト領域とに亘って配置された共通電極と、補助導電層と、前記コンタクト領域に形成され、前記共通電極と前記補助導電層とを電気的に接続するコンタクトホールとを有している。これによれば、共通電極の電位の均一化及び高精細化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態に係る表示装置の斜視図である。

【図2】ＴＦＴ基板における画素のレイアウトの例を示す平面図である。

【図3】補助導電層、画素電極、導電部のレイアウトの一例を示す平面図である。

【図4】サブ画素及びコンタクト領域の一例を示す断面図である。

【図5】補助導電層、画素電極、導電部のレイアウトの一例を示す平面図である。

【図6】コンタクトホールの一例を示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、本発明を実施するための形態（以下、実施形態と呼ぶ）について説明する。なお、本明細書の開示は本発明の一例にすぎず、本発明の主旨を保った適宜変更であって当業者が容易に想到し得るものは本発明の範囲に含まれる。また、図で示す各部の幅、厚さ及び形状等は模式的に表されており、本発明の解釈を限定するものではない。また、実施形態では、表示装置を有機ＥＬ表示装置として説明するが、本発明は有機ＥＬ表示装置以外の表示装置に適用されてもよい。

【0010】

［１．有機ＥＬ表示装置の外観］
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の斜視図である。有機ＥＬ表示装置１はＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板２と、これに対向している対向基板５０とを有している。

【0011】

［２．画素のレイアウト］
図２は、ＴＦＴ基板２における主画素のレイアウトの一例を示す平面図である。図２に示すように、ＴＦＴ基板２は画像を表示する領域である表示領域を備え、表示領域には、複数の主画素Ｐ１及びＰ２が設けられている。各主画素Ｐ１及びＰ２は、表示領域の水平方向（図２においてＸ方向）及び垂直方向（図２においてＹ方向）に並んでいる。

【0012】

主画素Ｐ１は、互いに異なる色で発光する、少なくとも３つの副画素（以降、サブ画素Ｓ、或いは単に「画素」とも呼ぶ）を有している。本実施形態では、主画素Ｐ１は、赤色で発光する赤サブ画素Ｓ（Ｒ）、緑色で発光する緑サブ画素Ｓ（Ｇ）、青色で発光する青サブ画素Ｓ（Ｂ）、及び、白色で発光する白サブ画素Ｓ（Ｗ）を有している。なお、主画素Ｐ１は白サブ画素Ｓ（Ｗ）を含まない３つのサブ画素によって構成されてもよい。

【0013】

また、主画素Ｐ２は、少なくとも２つのサブ画素Ｓと、後述する共通電極３３が後述する補助導電層１２に電気的に接続される領域である、コンタクト領域Ｃを有している。より具体的には、主画素Ｐ２は、主画素Ｐ１が有する少なくとも３つのサブ画素Ｓのうちのいずれかに替えて、コンタクト領域Ｃを有している。

【0014】

本実施形態では、主画素Ｐ２は青サブ画素Ｓ（Ｂ）に替えて、コンタクト領域Ｃを有している。一般に、表示領域に表示されるうちの青サブ画素Ｓ（Ｂ）が幾つか欠落しても、青色の視認性が低いため、有機ＥＬ表示装置１の利用者は視認することができない。このため、このように青サブ画素Ｓ（Ｂ）に替えてコンタクト領域Ｃを設けることにより、コンタクト領域Ｃを設けるために画素を欠落させたとしても、表示される画質の低下が抑えられることとなる。なお、コンタクト領域Ｃを設けるために欠落させる画素は青サブ画素Ｓ（Ｂ）に限らず、赤サブ画素Ｓ（Ｒ）、緑サブ画素Ｓ（Ｇ）、白サブ画素Ｓ（Ｗ）のいずれであってもよい。

【0015】

［３．サブ画素及びコンタクト領域］
図３は、画素Ｐ２におけるサブ画素Ｓ及びコンタクト領域Ｃにおける補助導電層、画素電極、導電部のレイアウトの一例を示す平面図であり、図２のＩＩＩ線内の詳細を示す図である。また、図４は、ＴＦＴ基板２（具体的には、サブ画素Ｓ及びコンタクト領域Ｃ）の断面の一例を示す断面図であり、その切断面は図３のＩＶ−ＩＶ線で示されている。

【0016】

図３及び図４に示すように、各サブ画素Ｓには、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）などの導電材料からなる画素電極３１ａが形成されている。また、各コンタクト領域Ｃには、導電素材からなる導電部３１ｂが形成されている。本実施形態では、導電部３１ｂは、画素電極３１ａと同一の層に、画素電極３１ａと同一の材料により形成されている。即ち、表示領域全体に形成された導電素材は、各サブ画素Ｓ及びコンタクト領域Ｃの間で互いに切り離されるように加工（例えば、エッチング処理）され、画素電極３１ａ、導電部３１ｂとなる。図３に示すように、コンタクト領域Ｃの導電部３１ｂは、サブ画素Ｓの画素電極３１ａに相当する位置に形成される。なお、画素電極３１ａはスパッタにより形成されることとしてよい。また、ＴＦＴ基板２がトップエミッション方式で構成される場合、画素電極３１ａ及び導電部３１ｂには、Ａｇなどの光を反射する材量が含まれることとしてよい。

【0017】

また、サブ画素Ｓ及びコンタクト領域Ｃの一部分を除く表示領域には、ＡｌやＭｏなどの導電材料からなる補助導電層１２が形成される。補助導電層１２の下には、画素電極３１ａとの間に電気的な接続を遮断するための絶縁層１３が形成される。このように補助電極層１２と絶縁層１３は、サブ画素Ｓとコンタクト領域Ｃとに亘って配置されている。なお、サブ画素Ｓにおいて補助導電層１２及び絶縁層１３が除かれる箇所（例えば、図３の網掛けされた部分を除いた、矩形領域Ａ１内）では、画素電極３１ａは、後述する回路部２０の駆動配線２１に接続されている。

【0018】

また、コンタクト領域Ｃの領域内には、後述するコンタクトホールＡ２が形成される。なお、図３では１つのコンタクト領域Ｃ内に４つのコンタクトホールＡ２が形成される場合の例を示しているが、コンタクト領域Ｃ内に形成されるコンタクトホールＡ２の数は１つであってもよいし、４以外の複数であってもよい。

【0019】

また、図４に示すように、ＴＦＴ基板２は、基板１０を有している。基板１０は、例えば、ガラス基板や樹脂基板である。ＴＦＴ基板２の表示領域におけるサブ画素Ｓには、画像表示を制御する回路部２０が形成されている。回路部２０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）や容量を含み、各サブ画素Ｓに形成されている画素電極３１ａへの電流供給を制御する。より具体的には、回路部２０に含まれる駆動ＴＦＴがＯＮ状態となることにより、駆動ＴＦＴに接続される駆動配線２１及び画素電極３１ａ、後述する有機層３２、共通電極３３に電流が流れて、サブ画素Ｓが発光する。なお、回路部２０は、容量を増すための補助容量をさらに含んでもよい。

【0020】

また、サブ画素Ｓの回路部２０の上側（即ち、画像領域が形成されるＴＦＴ基板２の表面から離れる方向）には、回路部２０と補助導電層１２との電気的な接続を遮断するための第２の絶縁層である平坦化層１１が形成されている。この平坦化層１１の上側には、補助導電層１２と、補助導電層１２と画素電極３１ａとの電気的な接続を遮断するための絶縁層１３が形成されている。サブ画素Ｓでは、これら複数の層の上側に、画素電極３１ａが形成されている。画素電極３１ａは、例えば、表示領域の全域にスパッタリングにより形成される導電材料の膜である。ここで、平坦化層１１には、駆動配線２１の一部と接する箇所で、互いに向き合い且つ上方に向かって間隔が大きくなる２つの側面を有する穴（即ち、テーパ形状の穴）が形成されており、この穴に画素電極３１ａの一部が入り込んで、回路部２０の駆動配線２１に接触している。なお、平坦化層１１に形成される穴の斜面は、湾曲していてもよい。

【0021】

また、サブ画素Ｓの画素電極３１ａの上側には、電荷輸送層や電荷注入層、発光層などを含んで形成される有機層３２と、ＩＴＯやＩＺＯなどの導電材料（ＴＦＴ基板２がトップエミッション方式で構成される場合は透明の材料）からなる共通電極３３が形成されている。有機層３２は、例えば、表示領域の全域に複数の層が蒸着されることにより形成される。有機層３２は、各サブ画素Ｓの色に応じた色の光が出るように構成されることとしてよく（塗り分け方式）、他にも例えば、全サブ画素Ｓが同じ色（例えば、白）で発光するように構成されてもよい（カラーフィルタ方式）。カラーフィルタ方式の場合、対向基板５０にカラーフィルタが形成される。また、カラーフィルタ方式の場合、有機層３２は全サブ画素Ｓに跨って配置される共通の積層構造を有してもよい。

【0022】

また、ＴＦＴ基板２は、互いに隣接するサブ画素Ｓ及びコンタクト領域Ｃを区画するバンク層８を有する。即ち、バンク層８はサブ画素Ｓやコンタクト領域Ｃの外周を囲うように配置される。バンク層８は平坦化層１１及び画素電極３１ａ、導電部３１ｂの上に形成される。ここで、バンク層８が形成される領域を除いた表示領域が、バンク開口Ａ３（Ａ３−１及びＡ３−２）となる。サブ画素Ｓでは、画素電極３１ａはバンク開口Ａ３において露出し、有機層３２はバンク開口Ａ３の内側で画素電極３１ａに接している。画素電極３１ａ及び有機層３２、共通電極３３に電流が流れると、サブ画素Ｓのバンク開口Ａ３（Ａ３−１）の内側から光が出る。

【0023】

また、共通電極３３は、複数の主画素Ｐ１及びＰ２に亘って、且つコンタクトホールＡ２を覆って配置されている。共通電極３３は、例えば、表示領域の全域にスパッタリングにより形成される導電材料の膜である。共通電極３３は、サブ画素Ｓでは有機層３２に接しているが、コンタクト領域ＣのコンタクトホールＡ２では画素電極３１ａと同一の層に形成される導電部３１ｂに接触し、補助導電層１２と電気的に接続されている。ここで、補助導電層１２を構成する材料の抵抗値は、共通電極３３を構成する材料の抵抗値よりも小さいものであることが好ましい。一例では、補助電極層１２は、ＡｌやＭｏなどの金属材料により形成される。

【0024】

このように、共通電極３３と補助導電層１２が電気的に接続されることにより、共通電極３３の全体の電気抵抗が低減され、電位傾斜が抑えられる。また、サブ画素Ｓに替えてコンタクト領域Ｃを設けることにより、高精細化して画像領域における主画素Ｐ１の間隔が小さくなり、例えば隣接する主画素Ｐ１の間に共通電極３３と補助導電層１２との接続箇所が形成できなくなっても、共通電極３３と補助導電層１２との接続を確保することが可能である。なお、共通電極３３には所定の電位（共通電位）が印加されてもよい。この場合、共通電極３３と電気的に接続される補助電極層１２にも、上記所定の電位が印加されることとなる。

【0025】

［４．コンタクトホール］
本実施形態に係るコンタクトホールＡ２について説明する。コンタクトホールＡ２は、コンタクト領域Ｃにおける平坦化層１１のテーパ形状の穴（開口）から形成される。テーパ形状の穴（開口）は、斜面が湾曲していてもよい。また、図４に示すように、補助導電層１２には、平坦化層１１の穴を避けるように開口が形成されている。補助導電層１２の開口の縁は、平坦化層１１の穴の２つの側面１１１上に位置している。即ち、コンタクトホールＡ２は、平坦化層１１の穴と補助導電層１２の開口とによって形成されているとも言うことができる。また、このように補助導電層１２が配置されることで、コンタクトホールＡ２の内側の側面１２１（図４に示す補助導電層１２の端部側面）は、幅が上方に向かって徐々に小さくなるように傾斜する逆テーパの形状に形成される。図４に示すように、導電部３１ｂは、コンタクトホールＡ２の側面１１１及び側面１２１を覆って、コンタクトホールＡ２内に配置される。また、導電部３１ｂは、側面１２１に倣って逆テーパに形成されている部分を備え、そこで共通電極３３と電気的に接続されている。

【0026】

このように補助導電層１２の厚みを利用することにより、逆テーパを容易に形成することができる。なお、逆テーパの大きさ及び角度は、補助導電層１２の厚みや、平坦化層１１の斜面の急峻度に応じて定まる。例えば、平坦化層１１が急であれば逆テーパの角度も急になる。平坦化層１１の斜面の急峻度は、平坦化層１１の形成時の加熱温度やその時間、コンタクトホールＡ２の粗密度に応じて定まる。例えば、所定の面積を有するサブ画素Ｓ内のコンタクトホールＡ２の数が多い方が、コンタクトホールＡ２の粗密度も大きくなり、平坦化層１１の斜面の角度は急になる。

【0027】

また、コンタクトホールＡ２における補助導電層１２の開口の縁は、画素電極３１ａと同じ層に形成されている導電部３１ｂによって覆われている。なお、コンタクトホールＡ２は、共通電極３３と補助導電層１２が電気的に接続されるものであればよく、理論的には導電部３１ｂは無くてよい。しかし、例えば、スパッタリング処理により表示領域全体に導電材料の層（画素電極３１ａと導電部３１ｂを構成する層）を形成し、エッチング処理によりこの導電材料の層を除去する場合では、エッチング液により、上記導電素材の層のみならず、その下に形成される補助導電層１２までもが影響を受ける。このため、本実施形態では、補助導電層１２をエッチング液から保護するため、導電材料の層、即ち、導電部３１ｂを残している。

【0028】

また、コンタクトホールＡ２の逆テーパが形成される部分では、有機層３２が破断している。このように有機層３２が破断する箇所で、共通電極３３が導電部３１ｂに接触するため、共通電極３３と補助導電層１２を電気的に接続することが可能である。

【0029】

以上説明したように、本実施形態の主画素Ｐ２では、青サブ画素Ｓ（Ｂ）に替えてコンタクト領域Ｃが設けられている。これにより、ＴＦＴ基板２の表示領域が高精細化しても、共通電極３３の電位の均一に保つことが可能となる。

【0030】

また、コンタクト領域ＣのコンタクトホールＡ２に逆テーパが形成されることにより、共通電極３３と補助導電層１２を電気的に接続することが可能である。

【0031】

［５．変形例］
なお、本発明は以上説明した実施形態に限られず、種々の変更がなされてよい。以下、本発明を実施するための他の形態の例（変形例）について説明する。

【0032】

（１）図５は、画素Ｐ２におけるサブ画素Ｓ及びコンタクト領域Ｃの補助電極層１２、画素電極３１ａ、導電部３１ｂのレイアウトの変形例を示す平面図である。図５の平面視において、補助導電層１２の開口（即ち、コンタクトホールＡ４）の縁は、Ｘ軸の方向に延びており、画素電極３１ａと同じ層に形成されている導電部３１ｂは、Ｙ軸の方向に延びている。このようにコンタクトホールＡ４が形成される場合、コンタクトホールＡ４の縁と導電部３１ｂが交差する部分で有機層３２が破断し易くなる。このため、コンタクトホールＡ４と交差する部分に、共通電極３３が接し易くなる。

【0033】

図６は、図５のＶＩ線内におけるコンタクトホールＡ４の詳細を示した斜視図である。図６に示す導電部３１ｂのうち、補助導電層１２の縁に交差する部分の縁の付近（例えば、図６における領域Ｂ）では、有機層３２が破断し易いため、共通電極３３が接し易くなる。

【0034】

（２）また、補助導電層１２は、共通電極３３と接続し共通電極３３の電気抵抗の低下に寄与するものであるが、補助導電層１２には、回路部２０に含まれる駆動ＴＦＴの電圧を安定させる補助容量が形成されてもよい。この場合、補助導電層１２は、サブ画素Ｓとコンタクト領域Ｃとの間で切り離されて形成されることとしてもよい。

【0035】

（３）また、コンタクトホールＡ２は、必ずしも逆テーパが形成されなくてよい。即ち、コンタクトホールＡ２では、共通電極３３と導電部３１ｂが接すればよく、例えば、有機層３２がコンタクトホールＡ２を避けて形成されることとしてもよい。

【0036】

（４）また、実施形態では、コンタクト領域Ｃを設けるために青サブ画素Ｓ（Ｂ）を欠落させる場合について説明したが、欠落させるサブ画素Ｓの色は、青に限定されるものではない。尚、欠落させるサブ画素Ｓの色は、他のサブ画素Ｓの色よりも、視認性が低い色であることが望ましい。また、コンタクト領域Ｃを設けるために欠落させる画素Ｓは、所定の規則に従って選択されることとしてもよいし、ランダムに選択されることとしてもよい。

【符号の説明】

【0037】

１ 有機ＥＬ表示装置、２ ＴＦＴ基板、８ バンク層、Ａ２ コンタクトホール、Ａ３ バンク開口、Ａ４ コンタクトホール、Ｃ コンタクト領域、Ｐ１ 主画素、Ｐ２ 主画素、Ｓ サブ画素、Ｓ（Ｂ） 青サブ画素、Ｓ（Ｒ） 赤サブ画素、Ｓ（Ｗ） 白サブ画素、Ｓ（Ｇ） 緑サブ画素、１０ 基板、１１ 平坦化層、１２ 補助導電層、１３ 絶縁層、２０ 回路部、２１ 駆動配線、３１ａ 画素電極、３１ｂ 導電部、３２ 有機層、３３ 共通電極、５０ 対向基板、１１１ 平坦化層の側面、１２１ コンタクトホールの側面。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】