(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記スイッチ素子は、前記選択電圧の値が、前記入力電圧と前記スイッチ素子のしきい値電圧の和の値より高いときに、前記入力電圧を出力する、ことを特徴とする請求項1に記載の電力供給装置。
【背景技術】
【0002】
電力スイッチや、パワースイッチ、ロードスイッチといったIC製品又はディスクリート半導体製品として、2つの電源入力端子を持つ構成の電力供給装置がある。このような電力供給装置は、電源装置や複数の半導体製品同士の、電力の切り替えや電力の分配に使用される。電力供給装置として、nMOS(negative-channel Metal-Oxide-Semiconductor)をスイッチ素子として使用するものが、代表的なものとして挙げられる。
【0003】
しかし、従来のnMOSをスイッチ素子として用いた電力供給装置は、以下のような問題点がある。まず、バイアス電圧を昇圧する際に、昇圧したバイアス電圧が、入力電圧よりスイッチ素子のしきい値電圧分、電圧が高くなるように調整をしなければならない。このため、バイアス電圧と入力電圧との間に昇圧回路の性能に起因した制限が生じる。また、nMOSのゲートに電圧を印加して、スイッチをオンとするときには昇圧回路と発振回路に常に電流を流して、ゲートを駆動しなくてはならず、電力供給装置内部での消費電流が大きくなる。そして、電力供給装置を使用する電源システムの構成によっては、回路の構成上の問題などからバイアスと入力の端子をショートさせる構成を取らなくてはならないことがある。しかし、入力電圧が低いときには大きな昇圧能力が必要とされ、電力供給装置内部における消費電流がさらに大きくなる。また、この場合、電力供給装置内において入力電圧に応じて所望の昇圧電圧を得るための調整ができるような構成とすることは、困難なことが多い。
【0004】
上記のような問題点から、従来は、nMOSをスイッチ素子とする電力供給装置を使用するときは、その目的に合わせ、それぞれに最適な電力供給装置が必要となっていた。すなわち、電源システムにおいて、回路ブロックによっては、あるブロックは入力端子とバイアス端子とをショートさせたり、また別のブロックはオープンさせたりする場合、同じ電力供給装置を使用することはできなかった。また、入力電圧とバイアス電圧がその時々で変化したりする場合においては、これらの電力供給装置を使用することができなかった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
そこで本発明の実施形態は、2つの電源の電圧関係が制限されることなく、使用時の自由度が高い電力供給装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の実施形態に係る電力供給装置は、
供給されたバイアス電圧に基づいてクロック信号を生成し、前記クロック信号を出力する、発振回路と、
前記バイアス電圧が供給され、かつ、前記クロック信号が入力される、昇圧回路であって、前記クロック信号に基づいて前記バイアス電圧を昇圧し、昇圧されたバイアス電圧を出力する、昇圧回路と、
入力電圧と前記バイアス電圧の電位差を検出し、前記バイアス電圧又は前記昇圧されたバイアス電圧のいずれか一方を選択する電圧選択信号を出力する、検出回路と、
前記電圧選択信号に基づき、前記バイアス電圧又は前記昇圧されたバイアス電圧のいずれか一方の電圧を選択し、スイッチ素子のゲート電圧として出力する、電圧選択回路と、
を備える。
【0008】
また、本発明の実施形態に係る電力供給装置の制御方法は、
供給されたバイアス電圧に基づいてクロック信号を生成し、前記クロック信号を出力するステップと、
供給された前記バイアス電圧と入力された前記クロック信号とに基づいて、前記バイアス電圧を昇圧し、昇圧されたバイアス電圧を出力するステップと、
入力電圧と前記バイアス電圧の電位差を検出し、前記バイアス電圧又は前記昇圧されたバイアス電圧のいずれか一方を選択する電圧選択信号を出力するステップと、
前記電圧選択信号に基づき、前記バイアス電圧又は前記昇圧されたバイアス電圧のいずれか一方を選択し、スイッチ素子のゲート電圧として出力するステップと、
を備える。
【0009】
また、本発明の実施形態に係る電力供給装置は、
バイアス電圧を入力するための第1の端子に接続し、クロック信号を出力する発振回路と、
前記第1の端子及び前記発振回路に接続され、前記バイアス電圧を昇圧して出力する昇圧回路と、
前記第1の端子と入力電圧を入力するための第2の端子とに接続され、前記第1の端子及び前記第2の端子の間の電位差を検出して選択信号を出力する検出回路と、
前記検出回路に接続され、前記選択信号に基づき前記第1の端子あるいは前記昇圧回路のいずれかと接続する選択回路と、
前記選択回路の出力信号を制御する制御回路と、
前記第2の端子と第3の端子との間に接続され、前記制御回路の出力信号により制御されるスイッチ素子と、
を備える。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
【0012】
(第1実施形態)
第1実施形態に係る電力供給装置は、電源入力としては2端子あるが、それらの端子をショートしたり、1電源であったりしても駆動が可能であり、また、2電源の電圧が昇圧回路の性能によらずに制限を受けない回路構成を実現している。より詳しく以下に説明する。
【0013】
本実施形態に係る電力供給装置1について、
図1を用いて説明する。
図1は本実施形態に係る電力供給装置1の回路構成の一例を示す図である。本実施形態に係る電力供給装置1は、入出力端子として、VIN端子10と、VBIAS端子12と、EN端子14と、VOUT端子16とを備えている。さらに、電力供給装置1は、発振回路20と、昇圧回路30と、検出回路40と、電圧選択回路50と、制御回路60と、ゲート制御回路70と、スイッチ素子80とを備えている。
【0014】
VIN端子10は、供給する電圧である入力電圧VINが入力される入力端子であり、同じくVBIAS端子12は、バイアス電圧VBIASが入力されるバイアス電圧入力端子である。EN端子14は、電力供給装置1が入力電圧VINを出力するか否かを電力供給装置1の外部から指示するための電圧であるEN電圧を入力するための端子である。VOUT端子16は、電力供給装置1の出力電圧VOUTを出力するための端子である。
【0015】
発振回路20は、VBIAS端子12と、昇圧回路30とに接続している。この発振回路20は、バイアス電圧VBIASが供給されるとクロック信号CLKを生成し、この生成したクロック信号CLKを出力する回路である。昇圧回路30は、VBIAS端子12と、発振回路20と、電圧選択回路50と接続している。この昇
圧回路30は、バイアス電圧VBIASが供給され、かつ、クロック信号CLKが入力されると、入力されたクロック信号CLKに基づいてバイアス電圧VBIASを昇圧し、この昇圧されたバイアス電圧である昇圧電圧VCPを出力する回路である。昇圧回路30としては、例えば、ディクソン型のチャージポンプやクロスカップル型のチャージポンプがある。
【0016】
検出回路40は、VIN端子10と、VBIAS端子12と、電圧選択回路50と接続している。この検出回路40は、入力電圧VINとバイアス電圧VBIASの電位差を検出して、この検出した電位差に基づいてHigh又はLowの電圧選択信号DETを出力する回路である。この電圧選択信号は、バイアス電圧VBIASか昇圧電圧VCPかを選択する信号であり、どちらを選択するかによってHigh又はLowとなる信号である。
【0017】
ここで、検出回路40の例としては、
図2又は
図3がある。
図2に示す検出回路40は、コンパレータCMPと、リファレンス電圧電源Vrefとを備えて構成される。このリファレンス電圧電源Vrefの電圧は、スイッチ素子80のしきい値電圧VTHよりも高く設定されている。また、一方で、
図3に示す検出回路40は、インバータ回路を構成する、pMOS(positive-channel Metal-Oxide-Semiconductor)素子Mと、抵抗R1と、抵抗R2とを備えて構成される。一般的にpMOSトランジスタのしきい値電圧とnMOSトランジスタのしきい値電圧は、その大きさが異なるため、pMOSトランジスタMのしきい値電圧が、スイッチ素子80のしきい値電圧VTHより大きくなるように素子を選択し、回路を構成する。より具体的には、抵抗R1と、抵抗R2と、pMOSトランジスタMと、から構成されるインバータ回路のゲートの駆動しきい値をVTHPとすると、|VTHP|>VTHとなるように、抵抗R1の抵抗値と、pMOSトランジスタのしきい値電圧を調整する。なお、検出回路40の例として2種の構成を記載したが、検出回路40の構成は、これらの例だけに限られず同様の機能を持つ構成であればよい。
【0018】
再び
図1を参照し、電力供給装置1の回路の説明に戻る。電圧選択回路50は、VBIAS端子12と、昇圧回路30と、検出回路40と、ゲート制御回路70と接続し、DET信号がHighかLowかに基づき、バイアス電圧VBIAS又は昇圧電圧VCPのいずれか一方を自動的に、選択電圧VSELとして選択する。さらに、この選択電圧VSELをスイッチ素子80のゲート電圧として、ゲート制御回路70に出力する回路である。
【0019】
制御回路60は、EN端子14とゲート制御回路70と接続し、EN端子14に入力された電圧に基づいてイネーブル信号(ENABLE信号)を出力する。ゲート制御回路70は、電圧選択回路50と、制御回路60と、スイッチ素子80と接続している。このゲート制御回路70は、ENABLE信号に応じて、選択電圧VSELの値に基づいた電圧であるゲート駆動電圧VGATEを出力する。ゲート駆動電圧VGATEは、スイッチ素子80を駆動するための電圧である。より具体的には、スイッチ素子80のスイッチをオンにするイネーブル信号が入力された場合に、電圧選択回路50の出力電圧に基づいた電圧をスイッチ素子80のゲート端子に印加する。
【0020】
スイッチ素子80は、例えばnMOSトランジスタであり、VIN端子10とVOUT端子16との間に接続されている。具体的には、ドレイン端子がVIN端子10と接続され、ソース端子がVOUT端子16に接続され、ゲート端子がゲート制御回路70と接続されている。ゲート駆動電圧VGATEが、入力電圧VINとスイッチ素子80のしきい値電圧VTHの和より高いときに、スイッチ素子80がオンとなり、VOUT端子16側に入力電圧VINが出力される。なお、しきい値電圧VTHは、一般に、ゲート・ソース間の電圧VGSにより定義されるが、ソース電圧とドレイン電圧は実質的に同等と解釈して、ここでは、ゲート駆動電圧VGATE>入力電圧VIN+しきい値電圧VTHを、スイッチ素子80がオンとなる条件としている。
【0021】
以上が本実施形態に係る電力供給装置1の構成に関する説明であるが、次に本実施形態に係る電力供給装置1の作用について説明する。まず、VIN端子10に入力電圧VINを印加し、VBIAS端子12にバイアス電圧VBIASを印加する。入力電圧VINは、検出回路40と、スイッチ素子80とに入力される。バイアス電圧VBIASは、発振回路20と、昇圧回路30と、検出回路40と、電圧選択回路50とに入力される。また、EN端子14には、EN電圧が印加され、このEN電圧は、制御回路60に入力される。以下、これらの電圧が入力された回路や素子の各々について、その作用を詳しく説明する。
【0022】
VBIAS端子12に接続されている発振回路20にバイアス電圧VBIASが供給されると、発振回路20は、供給されたバイアス電圧に基づいてクロック信号CLKを生成し、そのクロック信号CLKを出力する。昇圧回路30にもまた、バイアス電圧VBIASが発振回路20と同様に供給される。バイアス電圧VBAISが供給されている状態で昇圧回路30にクロック信号CLKが入力されると、昇圧回路30は、クロック信号CLKに基づいてバイアス電圧VBIASを昇圧し、昇圧電圧VCPを生成する。バイアス電圧VBIASは、VCP>VIN+VTHとなるように昇圧される。そして、この生成された昇圧電圧VCPは、電圧選択回路50へ出力される。
【0023】
入力電圧VINと、バイアス電圧VBIASを入力された検出回路40は、これらの電圧を比較して、その電位差に応じてHigh又はLowの電圧選択信号DETを出力する。例えば、VBIAS>VIN+VTHのときにHighの電圧選択信号DETを出力し、VBIAS≦VIN+VTHのときにLowの電圧選択信号DETを出力する。この場合、電圧選択信号DETは、Highであればバイアス電圧VBIASを選択する指示をする信号であり、Lowであれば昇圧電圧VCPを選択する指示をする信号である。
【0024】
例えば、検出回路40が
図2に示すように、コンパレータを備えた構成であるとき、電圧電源Vrefの電圧がスイッチ素子80のしきい値電圧VTHよりも高く設定されているため、検出回路40の出力する信号は、VIN+Vref>VIN+VTH≧VBIASである場合には、Lowの信号を出力する。逆に、VBIAS>VIN+VTHである場合にはHighの信号を出力する。同様に、検出回路40が
図3に示すようにインバータ回路を備える構成であるとき、VBIAS−VIN>|VTHP|>VTHの場合、すなわちVBIAS>VIN+VTHである場合にpMOSトランジスタMがオンとなり、Highの信号を出力する。
【0025】
図1に戻り、電圧選択信号DETが入力される電圧選択回路50の説明をする。電圧選択回路50は、この電圧選択信号DETに従い選択電圧VSELを出力する。すなわち、電圧選択回路50は、電圧選択信号DETがバイアス電圧VBIASを選択する信号である場合に、バイアス電圧VBIASを選択して、選択電圧VSELとして出力する。一方で、電圧選択回路50は、電圧選択信号DETが昇圧されたバイアス電圧VCPを選択する信号である場合に、昇圧されたバイアス電圧VCPを選択して、出力する。上記の例の電圧選択信号DETの場合であれば、DET=Highであるときには電圧選択回路50は、選択電圧VSELとしてバイアス電圧VBIASを選択して、出力し、DET=Lowであるときには、電圧選択回路50は、選択電圧VSELとして昇圧電圧VCPを選択して、出力する。なお、電圧選択信号DETのHighとLowの示す信号は、一例として挙げたものであり、DET=Lowのときにバイアス電圧VBIASを選択する信号とし、DET=Highのときに昇圧電圧VCPを選択する信号としても構わない。
【0026】
出力端子16から電圧を出力するよう指示する電圧がEN端子14に印加されたとき、制御回路60はスイッチ素子80のスイッチをオンにするENABLE信号を出力する。一方、出力端子16から電圧を出力しないよう指示する電圧がEN端子14に印加されたとき、制御回路60は、スイッチ素子80のスイッチをオフにするENABLE信号を出力する。例えば、制御回路60は、外部から電圧の出力を指示された場合に、ENABLE=Highの信号を、そうではない場合にENABLE=Lowの信号を出力する。
【0027】
ゲート制御回路70は、ENABLE信号を受け取り、ゲート駆動電圧VGATEを出力する。上記の例においては、ENABLE=Highであるときに、選択電圧VSELをゲート駆動電圧VGATEとして出力する。より具体的には、DET=Highであるときには、VGATE=VSEL=VBIASとして出力し、DET=Lowであるときには、VGATE=VSEL=VCPとして出力する。なお、このとき、ゲート制御回路70において多少の電圧降下が生じる場合がある。しかし、この場合においても、VGATE≒VSEL>VIN+VTHとなるように回路を構成する。また、ENABLE=Lowであるときには、VGATE≦VIN+VTHとなるようにゲート印加電圧VGATEの電圧を下げる。例えば、スイッチ素子へ接続する回路をオープンにしたり、接地することによりVGATE=0としたり、VOUT端子とショートさせてVGATE=VOUTとしたりすることなどが考えられる。なお、上記の例にかぎられず、VIN+VTHを超えない電圧の範囲であればどのような電圧に制御しても構わない。
【0028】
スイッチ素子80は、ゲート駆動電圧VGATEをゲート端子に印加され、このゲート駆動電圧VGATEと入力電圧VINとの関係から、オンになるかオフになるかが定まる。例えば、スイッチ素子80がnMOSトランジスタである場合には、ドレイン電圧として入力電圧VINが入力され、ゲート電圧としてゲート駆動電圧VGATEが入力される。このとき、ドレイン電圧≒ソース電圧とすると、ゲート・ソース間電圧VGSは、VGS=VGATE−VINと表される。上記の例においては、ENABLE=Highであるときには、VGS>VTHとなるため、スイッチ素子80がオンとなる。スイッチ素子80がオンとなると、VIN端子10からVOUT端子16へ電力が出力される。このように、任意のタイミングでEN端子14に出力の指示をする電圧を印加することにより、VIN端子10からVOUT端子16へ電力を出力することが可能となる。
【0029】
以上のように本実施形態に係る電力供給装置1によれば、電源の入力端子数は、VIN端子10とVBIAS端子12の2つが必要ではあるが、検出回路40を設けることにより、必要に応じてVIN端子10とVBIAS端子12をショートして使用することもでき、入力電源VINだけでも駆動可能な装置を実現できる。さらに、検出回路40により、ゲート駆動に必要な電圧をゲート制御回路70に自動で選択させることが可能であるので、入力電圧VINとバイアス電圧VBIASの関係の制限を受けることなく、電力の出力をすることが可能となる。
【0030】
なお、上述した例においては、検出回路40は、入力電圧VINとバイアス電圧VBIASの差をとり電圧選択信号DETを出力するものとしたが、電圧選択信号DETの生成は、この手法に限られず、電圧選択信号DETを適宜出力できる手法であればどのような手法でもよい。例えば、VIN端子10とVBIAS端子12がオープンであるかショートであるかを検出しHigh/Lowを出力するものであったり、インピーダンスを検出してその検出結果に基づいてHigh/Lowを出力するものであったりしてもよい。すなわち、検出回路40は、VIN端子10とVBIAS端子12、及びそれらに印加される電圧の状態から適切な電圧を選択するための情報を検出する回路であればよい。
【0031】
(第2実施形態)
上述した第1実施形態では、検出回路と電圧選択回路を備える電力供給装置について説明したが、第2実施形態においては、電力供給装置内での電流の消費を抑制するために、電圧選択信号DETの値に応じて発振回路と昇圧回路を制御する構成としたものである。以下、上述した第1実施形態と異なる部分について詳しく説明する。
【0032】
図4は、本実施形態に係る電力供給装置1の構成を示す図である。この
図4に示すように、本実施形態に係る電力供給装置1も上述した第1実施形態と同様に、VIN端子10と、VBIAS端子12と、EN端子14と、VOUT端子16とを入出力端子として備えている。さらに、その内部に、発振回路20と、昇圧回路30と、検出回路40と、電圧選択回路50と、制御回路60と、ゲート制御回路70と、スイッチ素子80とを備えていることも第1実施形態と同様である。
【0033】
本実施形態に係る電力供給装置1において、発振回路20は、VBIAS端子12と、昇圧回路30と、検出回路40とに接続されている。また、昇圧回路30は、VBIAS端子12と、発振回路20と、検出回路40と、電圧選択回路50とに接続されている。すなわち、検出回路40から出力された電圧選択信号DETが、発振回路20と昇圧回路30に入力されている点が、上述した第1実施形態と異なる。
【0034】
本実施形態においては、検出回路40の出力する電圧選択信号DETの値に応じて発振回路20と昇圧回路30の動作を停止したり、開始したりする。すなわち、発振回路20は、検出回路40からバイアス電圧VBIASを選択する電圧選択信号DETが入力された場合にクロック信号CLKの生成及び出力を停止する。このとき、同様に昇圧回路30は、バイアス電圧VBIASの昇圧及び昇圧電圧VCPの出力を停止する。一方で、昇圧電圧VCPを選択する電圧選択信号DETが入力された場合には、発振回路20は、クロック信号CLKの生成及び出力を開始する。このとき、同様に昇圧回路30は、バイアス電圧VBIASの昇圧及び昇圧電圧VCPの出力を開始する。
【0035】
以上のように本実施形態に係る電力供給装置1によっても、電源の入力端子数は、VIN端子10とVBIAS端子12の2つが必要ではあるが、検出回路40を設けることにより、必要に応じてVIN端子10とVBIAS端子12をショートして使用することもでき、入力電源VINだけでも駆動可能な装置を実現できる。また、検出回路40により、ゲート駆動に必要な電圧をゲート制御回路70に自動で選択させることが可能であるので、入力電圧VINとバイアス電圧VBIASの関係の制限を受けることなく、電力の出力をすることが可能となる。
【0036】
さらに、本実施形態によれば、上記の効果に加え、電圧選択信号DETに応じて、必要の無いときに発振回路20と昇圧回路30の動作を停止させることにより、電力供給装置1内で消費される無駄な電流を削減することができる。
【0037】
なお、電圧選択信号DETがバイアス電圧VBIASを選択する指示をする信号である場合には、上述したように発振回路20及び昇圧回路30の両方の操作を止めてもよいし、発振回路20又は昇圧回路30のどちらか一方を止めることによっても電流を削減することが可能であるので、どちらか一方だけ停止してもよい。
【0038】
(第3実施形態)
上述した第2実施形態では、検出回路40から出力された電圧選択信号DETに応じて発振回路20と昇圧回路30の動作を制御することにより、消費電力の低減を図らんとしたが、第3実施形態においては、制御回路60から出力されたENABLE信号に応じて発振回路20と昇圧回路30の動作を制御することにより、消費電力の低減を図らんとしたものである。以下、上述した第2実施形態と異なる部分について詳しく説明する。
【0039】
図5は、本実施形態に係る電力供給装置1の構成を示す図である。この
図5に示すように、本実施形態に係る電力供給装置1も上述した第2実施形態と同様に、VIN端子10と、VBIAS端子12と、EN端子14と、VOUT端子16とを入出力端子として備えている。さらに、その内部に、発振回路20と、昇圧回路30と、検出回路40と、電圧選択回路50と、制御回路60と、ゲート制御回路70と、スイッチ素子80とを備えていることも第2実施形態と同様である。
【0040】
本実施形態に係る電力供給装置1において、発振回路20は、VBIAS端子12と、昇圧回路30と、制御回路60とに接続されている。また、昇圧回路30は、VBIAS端子12と、発振回路20と、制御回路60と、電圧選択回路50とに接続されている。すなわち、検出回路40から出力された電圧選択信号DETではなく、制御回路60から出力されたENABLE信号が、発振回路20と昇圧回路30に入力されている点において、上述した第2実施形態と異なる。
【0041】
本実施形態においては、制御回路60の出力するENABLE信号の値に応じて発振回路20と昇圧回路30の動作を停止したり、開始したりする。発振回路20は、制御回路60からスイッチ素子80をオフにする旨のENABLE信号、すなわち、電力供給装置1からの電圧出力をオフとするENABLE信号を入力された場合に、クロック信号CLKの生成及び出力を停止する。このとき、同様に昇圧回路30は、バイアス電圧VBIASの昇圧及び昇圧電圧VCPの出力を停止する。一方で、スイッチ素子80をオンにする旨のENABLE信号、すなわち、電力供給装置1からの電圧出力をオンとするENABLE信号を入力された場合には、発振回路20はクロック信号CLKの生成及び出力を開始する。このとき、同様に昇圧回路30は、バイアス電圧VBIASの昇圧及び昇圧電圧VCPの出力を開始する。
【0042】
以上のように本実施形態に係る電力供給装置1によっても、電源の入力端子数は、VIN端子10とVBIAS端子12の2つが必要ではあるが、検出回路40を設けることにより、必要に応じてVIN端子10とVBIAS端子12をショートして使用することもでき、入力電源VINだけでも駆動可能な装置を実現できる。また、検出回路40により、ゲート駆動に必要な電圧をゲート制御回路70に自動で選択させることが可能であるので、入力電圧VINとバイアス電圧VBIASの関係の制限を受けることなく、電力の出力をすることが可能となる。
【0043】
さらに、本実施形態によれば、外部から電力供給装置1の電力供給が指示されていない場合、発振回路20及び昇圧回路30の動作を停止させることにより、電力供給装置1内における電力の消費を抑制することができる。すなわち、電力供給装置1が所謂スタンバイ状態であるときに、発振回路20及び昇圧回路30における不必要な電力の消費を抑えることが可能となる。
【0044】
なお、
図5においては、第1実施形態に係る電力供給装置1の制御回路60から発振回路20及び昇圧回路30へとENABLE信号を入力するようにしたが、
図6に示すように、第2実施形態に係る電力供給装置1に同様の機能を付加することもできる。この場合も、電力供給装置1自体がスタンバイ状態のときに無駄な電力な消費を抑えることができる。その上、電力供給装置1からの出力が求められている場合においても、バイアス電圧VBIASを昇圧する必要が無い場合に、発振回路20及び昇圧回路30の動作を停止させることが可能となり、さらに電力の消費を抑えることができる。
【0045】
また、上述した第2実施形態と同様に、発振回路20及び昇圧回路30の両方の操作を止めてもよいし、発振回路20又は昇圧回路30のどちらか一方を止めることによっても電流を削減することが可能であるので、どちらか一方だけ停止してもよい。
【0046】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として呈示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、当然のことながら、本発明の要旨の範囲内で、これらの実施の形態を部分的に適宜組み合わせることも可能である。