特許 6544017 ＩＣカード、および、ＩＣカードの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6544017

(24)【登録日】2019年6月28日

(45)【発行日】2019年7月17日

(54)【発明の名称】ＩＣカード、および、ＩＣカードの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G06K 19/077 20060101AFI20190705BHJP

   B42D 25/305 20140101ALI20190705BHJP

   B42D 25/36 20140101ALI20190705BHJP

   B42D 25/369 20140101ALI20190705BHJP

   B42D 25/40 20140101ALI20190705BHJP

   B42D 25/41 20140101ALI20190705BHJP

   B42D 25/455 20140101ALI20190705BHJP

   B42D 25/46 20140101ALI20190705BHJP

【ＦＩ】

   G06K19/077 160

   G06K19/077 200

   G06K19/077 144

   B42D25/305 100

   B42D25/36

   B42D25/369

   B42D25/40 100

   B42D25/41

   B42D25/455

   B42D25/46

【請求項の数】6

【全頁数】17

(21)【出願番号】特願2015-86748(P2015-86748)

(22)【出願日】2015年4月21日

(65)【公開番号】特開2016-206888(P2016-206888A)

(43)【公開日】2016年12月8日

【審査請求日】2018年3月23日

(73)【特許権者】

【識別番号】000003193

【氏名又は名称】凸版印刷株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(72)【発明者】

【氏名】村本 浩

(72)【発明者】

【氏名】杉本 道雄

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 智仁

【審査官】 境 周一

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００４−２２７１７６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−２７３８３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２０８５８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−０９９０１４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−３２７１９１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０６Ｋ １／００−２１／０８

Ｂ４２Ｄ １／００−２５／４８５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

外装基材と、
アンテナを含む通信部を覆うコア基材と、
前記外装基材と前記コア基材とに挟まれ、かつ、レーザー光を受けて不可逆的に着色される中間基材と、
を備え、１００℃以上１５０℃未満の温度で加熱成形されたＩＣカードであって、
前記コア基材の主成分は、非晶性ポリエステル、もしくは、非晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイであり、
前記中間基材の主成分は、ポリカーボネート、もしくは、非晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイであり、
前記外装基材の主成分は、結晶性ポリエステル、もしくは、結晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイであって、前記外装基材における結晶性樹脂の割合は３０質量％以上であり、
前記コア基材のガラス転移温度をＴｇ１、前記中間基材のガラス転移温度をＴｇ２、前記中間基材のビカット軟化温度をＴｓ２、前記外装基材のビカット軟化温度をＴｓ３とするとき、Ｔｇ２＜１４０℃、２０℃＜Ｔｇ２−Ｔｇ１≦５０℃、かつ、Ｔｓ２≦Ｔｓ３−１５℃を満たす
ＩＣカード。

【請求項2】

前記非晶性ポリエステルは、テレフタル酸とシクロヘキサンジメタノールおよびエチレングリコールとの共重合体、テレフタル酸とイソフタル酸およびエチレングリコールとの共重合体、ポリエチレンテレフタレート、および、ポリブチレンテレフタレートからなる群から選択される１種以上の材料であり、
前記結晶性ポリエステルは、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレートからなる群から選択される１種以上の材料である
請求項１に記載のＩＣカード。

【請求項3】

前記アンテナは、金属薄膜からなり、
前記通信部は、前記金属薄膜を支持する基材を含む
請求項１または２に記載のＩＣカード。

【請求項4】

前記外装基材の表面における算術平均粗さは、０．４μｍ未満である
請求項１〜３のいずれか一項に記載のＩＣカード。

【請求項5】

非晶性ポリエステル、もしくは、非晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイを主成分とするコア基材でアンテナを含む通信部を覆う工程と、
ポリカーボネート、もしくは、非晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイを主成分とし、かつ、レーザー光を受けて不可逆的に着色する中間基材を前記コア基材に積層する工程と、
結晶性ポリエステル、もしくは、結晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイを主成分とし、３０質量％以上の割合で結晶性樹脂を含む外装基材を前記中間基材に積層する工程と、
前記通信部と、前記コア基材と、前記中間基材と、前記外装基材とを含む積層体を加熱して板状に成形する工程と、
を含み、
前記コア基材のガラス転移温度をＴｇ１、前記中間基材のガラス転移温度をＴｇ２、前記中間基材のビカット軟化温度をＴｓ２、前記外装基材のビカット軟化温度をＴｓ３、前記加熱の温度をＴａとするとき、１００℃≦Ｔａ＜１５０℃、Ｔｇ１＋２０℃＜Ｔａ、Ｔｇ１＜Ｔｇ２＜１４０℃、かつ、Ｔｓ２＜Ｔａ≦Ｔｓ３−１０℃を満たす
ＩＣカードの製造方法。

【請求項6】

前記非晶性ポリエステルは、テレフタル酸とシクロヘキサンジメタノールおよびエチレングリコールとの共重合体、テレフタル酸とイソフタル酸およびエチレングリコールとの共重合体、ポリエチレンテレフタレート、および、ポリブチレンテレフタレートからなる群から選択される１種以上の材料であり、
前記結晶性ポリエステルは、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレートからなる群から選択される１種以上の材料である
請求項５に記載のＩＣカードの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、非接触通信のためのアンテナを備えるＩＣカード、および、ＩＣカードの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

外部機器と非接触型の通信を行うＩＣカードは、コイル状のアンテナと、アンテナを通じて外部機器と信号を授受するＩＣチップと、アンテナを挟み込む樹脂製の基材とを備えている。こうしたＩＣカードの製造工程では、シート状の基材によってアンテナが挟まれた後、基材とアンテナとが加熱および冷却されて１つの板状に成形される。

【0003】

ところで、金属からなるアンテナと樹脂からなる基材とでは、上記製造工程における加熱および冷却によって生じる収縮の程度が異なる。そのため、上記製造工程を経ることによって、基材の表面、すなわち、ＩＣカードの表面に、アンテナの形状が浮き出るという問題が生じる。

【0004】

こうした問題に対し、特許文献１には、基材の表面を所定の粗さにマット加工することによって、基材の表面に浮き出たアンテナの形状を視認され難くしたＩＣカードが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特許第５０１７９７８号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

近年、上述したＩＣカードの基材には、レーザー照射によって着色する樹脂の採用が望まれている。レーザー照射によって着色される樹脂を含む構成であれば、ＩＣカードの基材に、レーザー照射によって別途情報を記録することが可能となる。

【0007】

一方、レーザー着色性を有した樹脂は、一般に、レーザー光の照射に耐え得る程度の高い耐熱性を有するため、レーザー着色性を有する樹脂を基材として用いる場合には、ＩＣカードの製造工程における加熱温度を高く設定せざるを得ない。その結果、アンテナの熱収縮と、基材の熱収縮との違いによる加工痕が、アンテナの形状として基材の表面に浮き出やすくなる。そして、上記特許文献１に記載の技術がこの構成に適用されるとしても、顕著に浮き出たアンテナの形状を表面の粗さの中に溶け込ませるには限りがあり、依然として、改善の余地は残されている。なお、レーザー着色性を有する樹脂を基材に採用する要望に加え、さらに、ＩＣカードの表面に艶を与える要請も少なくなく、この要請に対しては、基材の表面を所定の粗さに加工することそのものが不可能となる。したがって、レーザー着色性を有する樹脂を基材に含むＩＣカードにおいては、基材の表面にアンテナの形状が浮き出ることそのものを抑える技術が強く望まれている。

【0008】

本発明は、レーザー着色性を有する樹脂を基材に含むＩＣカードにおいて、基材の表面にアンテナの形状が浮き出ることを抑えることのできるＩＣカード、および、ＩＣカードの製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記課題を解決するＩＣカードは、外装基材と、アンテナを含む通信部を覆うコア基材と、前記外装基材と前記コア基材とに挟まれ、かつ、レーザー光を受けて不可逆的に着色される中間基材と、を備え、前記コア基材の主成分は、非晶性樹脂であり、前記中間基材の主成分は、非晶性樹脂であり、前記外装基材の主成分は、結晶性樹脂、もしくは、結晶性樹脂と非晶性樹脂とのポリマーアロイであり、前記コア基材のガラス転移温度をＴｇ１、前記中間基材のガラス転移温度をＴｇ２、前記中間基材のビカット軟化温度をＴｓ２、前記外装基材のビカット軟化温度をＴｓ３とするとき、Ｔｇ２＜１４０℃、２０℃＜Ｔｇ２−Ｔｇ１≦５０℃、かつ、Ｔｓ２≦Ｔｓ３−１５℃を満たす。

【0010】

上記構成によれば、レーザー着色性を有する樹脂を含む基材として、ガラス転移温度が１４０℃以上の中間基材が用いられる場合と比較して、製造工程における加熱温度を低く抑えることができる。その結果、レーザー着色性を有する樹脂を基材に含むＩＣカードにおいて、外装基材の表面にアンテナの形状が浮き出ることが抑えられる。

【0011】

上記ＩＣカードにおいて、前記コア基材の主成分は、非晶性ポリエステル、もしくは、非晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイであることが好ましい。
上記構成によれば、上述の条件を満たすコア基材の調整が容易である。

【0012】

上記ＩＣカードにおいて、前記中間基材の主成分は、ポリカーボネート、もしくは、非晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイであることが好ましい。
上記構成によれば、上述の条件を満たす中間基材の調整が容易である。

【0013】

上記ＩＣカードにおいて、前記外装基材における前記結晶性樹脂の割合は３０質量％以上であり、前記外装基材の主成分は、結晶性ポリエステル、もしくは、結晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイであることが好ましい。

【0014】

上記構成によれば、外装基材における結晶性樹脂の割合が３０質量％以上であることによって、外装基材に結晶性樹脂の特性が発揮される。また、上記構成によれば、上述の条件を満たす外装基材の調整が容易である。
上記ＩＣカードにおいて、前記アンテナは、金属薄膜からなり、前記通信部は、前記金属薄膜を支持する基材を含むことが好ましい。

【0015】

アンテナが金属薄膜からなる場合、アンテナが被覆銅線からなる場合と比べて、通信部に、金属薄膜の基材が含まれるため通信部が厚くなり、また、アンテナの面積が大きい。そのため、外装基材の表面にアンテナの形状が浮き出やすく、アンテナの形状が浮き出たとき、その形状が視認され易い。したがって、アンテナが金属薄膜からなる場合に上記ＩＣカードの構成が適用されることによって、有用性の高いＩＣカードが得られる。
上記ＩＣカードにおいて、前記外装基材の表面における算術平均粗さは、０．４μｍ未満であることが好ましい。

【0016】

外装基材の表面における算術平均粗さが０．４μｍ未満である構成では、外装基材の表面における凹凸が抑えられているため、こうした構成のＩＣカードにて、外装基材の表面にアンテナの形状が浮き出ると、アンテナの形状が視認され易い。したがって、こうした場合に上記ＩＣカードの構成が適用されることによって、有用性の高いＩＣカードが得られる。

【0017】

上記課題を解決するＩＣカードの製造方法は、非晶性樹脂を主成分とするコア基材でアンテナを含む通信部を覆う工程と、非晶性樹脂を主成分とし、かつ、レーザー光を受けて不可逆的に着色する中間基材を前記コア基材に積層する工程と、結晶性樹脂、もしくは、結晶性樹脂と非晶性樹脂とのポリマーアロイを主成分とする外装基材を前記中間基材に積層する工程と、前記通信部と、前記コア基材と、前記中間基材と、前記外装基材とを含む積層体を加熱して板状に成形する工程と、を含み、前記コア基材のガラス転移温度をＴｇ１、前記中間基材のガラス転移温度をＴｇ２、前記中間基材のビカット軟化温度をＴｓ２、前記外装基材のビカット軟化温度をＴｓ３、前記加熱の温度をＴａとするとき、１００℃≦Ｔａ＜１５０℃、Ｔｇ１＋２０℃＜Ｔａ、Ｔｇ１＜Ｔｇ２＜１４０℃、かつ、Ｔｓ２＜Ｔａ≦Ｔｓ３−１０℃を満たす。

【0018】

上記製造方法によれば、加熱温度を低く抑えることができるため、レーザー着色性を有する樹脂を基材に含むＩＣカードにおいて、外装基材の表面にアンテナの形状が浮き出ることが抑えられる。

【発明の効果】

【0019】

本発明によれば、レーザー着色性を有する樹脂を基材に含むＩＣカードにおいて、基材の表面にアンテナの形状が浮き出ることを抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】ＩＣカードの一実施形態の断面構造を示す断面図である。

【図2】ＩＣカードの製造工程を示す図であって、コア基材の配置工程を示す図である。

【図3】ＩＣカードの製造工程を示す図であって、中間基材の配置工程を示す図である。

【図4】ＩＣカードの製造工程を示す図であって、外装基材の配置工程を示す図である。

【図5】ＩＣカードの製造工程を示す図であって、加熱工程を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

図１〜図５を参照して、ＩＣカードの一実施形態について説明する。
［ＩＣカードの構成］
図１が示すように、ＩＣカード１０は、通信部１１と、コア基材１２と、２つの中間基材１３と、２つの外装基材１４とを備えている。
コア基材１２は、通信部１１の全体を覆う板状に形成されている。換言すれば、通信部１１は、コア基材１２の内部に埋め込まれている。

【0022】

２つの中間基材１３の各々は、板状を有し、２つの中間基材１３は、コア基材１２を挟んでいる。すなわち、一方の中間基材１３ａは、コア基材１２の有する面であってコア基材１２の広がる方向に沿って広がる２つの面のうちの一方に積層され、他方の中間基材１３ｂは、上記２つの面のうちの他方に積層されている。

【0023】

２つの外装基材１４の各々は、板状を有し、２つの外装基材１４は、コア基材１２と中間基材１３との積層体を挟んでいる。すなわち、一方の外装基材１４ａは、一方の中間基材１３ａの有する２つの面のうち、コア基材１２とは反対側の面に積層され、他方の外装基材１４ｂは、他方の中間基材１３ｂの有する２つの面のうち、コア基材１２とは反対側の面に積層されている。換言すれば、中間基材１３は、コア基材１２と外装基材１４とに挟まれている。また、一方の外装基材１４ａが有する２つの面のうち、中間基材１３ａとは反対側の面、すなわち、ＩＣカード１０の表面を構成する面には、磁気テープ１５が配置されている。

【0024】

ＩＣカード１０の厚さは、０．６８ｍｍ以上０．８４ｍｍ以下であることが好ましい。ＩＣカード１０の表面、すなわち、外装基材１４の表面は、マット加工されていてもよいし、グロス加工されていてもよい。外装基材１４の表面がグロス加工されている場合には、外装基材１４の表面の表面粗さは、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．２μｍ未満であることが好ましい。
なお、外装基材１４の表面がグロス加工されている構成、すなわち、算術平均粗さが０．２μｍ未満である構成や、外装基材１４の表面がマット加工されている場合であっても、算術平均粗さが０．４μｍ未満である構成、すなわち、比較的表面粗さの小さい構成では、外装基材１４の表面における凹凸が抑えられているため、外装基材１４の表面にアンテナの形状が浮き出ると、アンテナの形状が視認され易い。

【0025】

以下、上述の各部材の詳細な構成について説明する。
＜通信部＞
通信部１１は、非接触型の通信機能を実現する非接触通信部を備えるＩＣチップと、ＩＣチップの非接触通信部が有する通信端子に接続されたアンテナとを含む。
ＩＣチップは、ベアチップであってもよいし、各種のＩＣパッケージやチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）のように封止材で封止されていてもよい。
アンテナとしては、巻線アンテナ方式、もしくは、エッチングアンテナ方式のアンテナが採用可能である。

【0026】

巻線アンテナ方式が用いられる場合、アンテナは、例えばエナメル線のように、被覆を有する銅線から構成される。そして、こうした被覆銅線が巻回されることによって所定の形状に形成されたアンテナと、アンテナが接続されたＩＣチップとが、コア基材１２の内部に埋め込まれる。

【0027】

エッチングアンテナ方式が用いられる場合、アンテナはパターニングされた金属薄膜から構成される。金属薄膜としては、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下の厚さのアルミニウムや銅からなる薄膜が用いられる。そして、こうした金属薄膜がポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）からなる基材に貼り付けられた後、エッチングによって所定の形状にパターニングされることによって、アンテナが形成される。この場合、アンテナは上記基材および上記基材に実装されたＩＣチップとともにコア基材１２の内部に埋め込まれる。
アンテナの形状や巻き数は、所望の共振周波数等の特性が得られるように、適宜設定される。

【0028】

＜コア基材＞
コア基材１２は、非晶性樹脂を主成分として含む。コア基材１２は、例えば、白色である。コア基材１２の主成分は、コア基材１２を構成する成分のなかで最も高い含有率を有する成分であり、例えば、コア基材１２のなかで５０質量％以上の含有率を有する成分である。具体的には、コア基材１２は、非晶性ポリエステル、もしくは、非晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイを主成分として含むことが好ましい。非晶性ポリエステルおよびポリカーボネートは、非晶性樹脂の一例である。非晶性ポリエステルとしては、例えば、テレフタル酸とシクロヘキサンジメタノールおよびエチレングリコールとの共重合体、テレフタル酸とイソフタル酸およびエチレングリコールとの共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等が挙げられる。コア基材１２を構成するポリマーは、イソシアネート等によって架橋されていてもよい。また、成形時の流動性の調整のために、コア基材１２の形成材料には、タルクやシリカが添加されていてもよいし、白色度の向上のために、コア基材１２の形成材料に、二酸化チタンが添加されていてもよい。

【0029】

＜中間基材＞
中間基材１３は、非晶性樹脂を主成分として含み、レーザー光の照射を受けて不可逆的に着色するレーザー着色性を有する。中間基材１３の主成分は、中間基材１３を構成する成分のなかで最も高い含有率を有する成分であり、例えば、中間基材１３のなかで５０質量％以上の含有率を有する成分である。中間基材１３の主成分は、レーザー着色性を有する成分として、例えば炭素を含有する。そして、レーザー光の吸収によって中間基材１３が発熱し、その熱によって炭化が生じることによって、中間基材１３は黒く着色する。レーザーとしては、例えば、ＹＡＧレーザーが用いられる。

【0030】

こうした特性を実現するために、中間基材１３は、ポリカーボネート、もしくは、非晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイを主成分として含むことが好ましい。非晶性ポリエステルとしては、例えば、テレフタル酸とシクロヘキサンジメタノールおよびエチレングリコールとの共重合体、テレフタル酸とイソフタル酸およびエチレングリコールとの共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等が挙げられる。中間基材１３を構成するポリマーは、イソシアネート等によって架橋されていてもよい。

【0031】

中間基材１３は、例えば、レーザー光を受ける前において無色透明である。レーザー着色性を適度に確保するために、中間基材１３の厚さは、５０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。

【0032】

中間基材１３とコア基材１２とは、ＩＣカード１０の機械的な強度が高まる観点から、これらが直接溶着されていることが好ましいが、こうした接合の形態に限らず、例えばホットメルト接着剤等の接着剤を介して互いに貼り合わせられていてもよい。

【0033】

＜外装基材＞
外装基材１４は、結晶性樹脂、もしくは、結晶性樹脂と非晶性樹脂とのポリマーアロイを主成分として含む。外装基材１４の主成分は、外装基材１４を構成する成分のなかで最も高い含有率を有する成分であり、例えば、外装基材１４のなかで５０質量％以上の含有率を有する成分である。外装基材１４が、ポリマーアロイを主成分として含む場合には、ポリマーアロイ中に結晶性樹脂が３０質量％以上含まれていると、結晶性樹脂の特性が発揮されるため好ましい。外装基材１４は、例えば、無色透明である。具体的には、外装基材１４は、結晶性ポリエステル、もしくは、結晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイを主成分として含むことが好ましい。結晶性ポリエステルは、結晶性樹脂の一例である。結晶性ポリエステルとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等が挙げられる。

【0034】

外装基材１４と中間基材１３とは、ＩＣカード１０の機械的な強度が高まる観点から、これらが直接溶着されていることが好ましいが、接着剤を介して互いに貼り合わせられていてもよい。接着剤の材料は特に限定されないが、接着剤を構成する樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ビニルアルコール、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド等を用いることができる。

【0035】

コア基材１２と中間基材１３と外装基材１４との全体がポリエステルとポリカーボネートを含む場合、コア基材１２と中間基材１３と外装基材１４との全体におけるポリカーボネートの割合は、６０質量％以下であることが好ましく、５０質量％以下であることがさらに好ましい。ポリカーボネートの割合が上記範囲であると、ＩＣカード１０を構成する基材の特性として、ポリカーボネートの特性よりもポリエステルの特性の方が強く出る。例えば、雄雌金型を用いたパンチングによってＩＣカード１０の外形が打ち抜かれる際に、破断部が伸びることが抑えられるため、ＩＣカード１０の外形が崩れることが抑えられる。

【0036】

＜磁気テープ＞
磁気テープ１５は、カード用として一般的に使用される磁気テープであれば、その構成において特に制約はない。磁気テープ１５の厚さは１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以上であることが特に好ましい。

【0037】

＜各基材の耐熱性＞
コア基材１２、中間基材１３、および、外装基材１４の耐熱性に関する構成について説明する。コア基材１２のガラス転移温度をＴｇ１、中間基材１３のガラス転移温度をＴｇ２、中間基材１３のビカット軟化温度をＴｓ２、外装基材１４のビカット軟化温度をＴｓ３とするとき、Ｔｇ１、Ｔｇ２、Ｔｓ２、および、Ｔｓ３は、下記の（ａ）〜（ｃ）の条件を満たす。なお、上記ビカット軟化温度は、ＪＩＳ Ｋ７２０６に規定されるＡ法に準拠して求められる温度である。
（ａ）Ｔｇ２＜１４０℃
（ｂ）２０℃＜Ｔｇ２−Ｔｇ１≦５０℃
（ｃ）Ｔｓ２≦Ｔｓ３−１５℃

【0038】

一般に、レーザー着色性を有する樹脂は、ガラス転移温度が高く、例えば、ポリカーボネートのガラス転移温度は、通常、１４０℃以上である。それゆえ、従来は、レーザー着色性を有する樹脂を中間基材１３として用いる場合、中間基材１３と外装基材１４とを溶着するためには、製造工程における基材１２，１３，１４の成形のための加熱温度を、１５０℃以上の高温にする必要があった。金属からなるアンテナと、樹脂からなる基材１２，１３，１４とでは、熱膨張率が互いに大きく異なり、熱膨張率の違いに起因した加熱冷却時の収縮の程度の差は、加熱温度が高いほど、顕著になる。したがって、加熱温度が高いほど、すなわち、中間基材１３のガラス転位温度が高いほど、アンテナの形状が、コア基材１２および中間基材１３を伝わって、外装基材１４の表面にまで浮き出やすくなる。

【0039】

本実施形態では、条件（ａ）が示すように、ガラス転移温度Ｔｇ２が１４０℃よりも低い中間基材１３が用いられることによって、ガラス転移温度Ｔｇ２が１４０℃以上の中間基材１３が用いられる場合と比較して、加熱温度を低く抑えることができる。その結果、外装基材１４の表面にアンテナの形状が浮き出ることが抑えられる。なお、ガラス転移温度Ｔｇ２が１４０℃よりも低い中間基材１３は、例えば、中間基材１３に含まれるポリマーの分子量の調整等によって製造される。

【0040】

そして、本実施形態では、コア基材１２のガラス転移温度Ｔｇ１よりも中間基材１３のガラス転移温度Ｔｇ２の方が高く、かつ、中間基材１３のビカット軟化温度Ｔｓ２よりも外装基材１４のビカット軟化温度Ｔｓ３の方が高い。すなわち、アンテナに近い位置から、ＩＣカード１０の表面に向けて、基材の耐熱性は、段階的に高くなる。そのため、製造工程にて加熱された際に、ＩＣカード１０の表面に近い基材ほど、変形し難い。したがって、耐熱性が最も低い基材であるコア基材１２は、アンテナによって形成される大きい段差の一部を埋め、次いで耐熱性が低い基材である中間基材１３は、コア基材１２よって形成される小さい段差を埋め、結果として、外装基材１４の表面にアンテナの形状が浮き出にくくなる。本実施形態では、条件（ａ）が満たされて、ガラス転移温度Ｔｇ２が従来よりも低い中間基材１３が用いられるため、ＩＣカード１０の表面に向けて基材の耐熱性が段階的に高くなる構成を容易に実現することができる。

【0041】

また、条件（ｂ）が示すように、中間基材１３のガラス転移温度Ｔｇ２とコア基材１２のガラス転移温度Ｔｇ１との差は、２０℃よりも大きく、５０℃以下である。コア基材１２のガラス転移温度Ｔｇ１が中間基材１３のガラス転移温度Ｔｇ２に比べて低すぎると、中間基材１３と外装基材１４との接合に要する加熱時に、コア基材１２が過剰に流動性を有してしまい、円滑な成形が困難である。一方、コア基材１２のガラス転移温度Ｔｇ１が高すぎると、加熱時のコア基材１２の軟化が不十分となって、アンテナの段差を埋めるようにコア基材１２が成形されず、アンテナ部分がその厚みの分だけ浮き上がって外装基材１４の表面に現れやすい。また、アンテナの封止性や、アンテナとコア基材１２との密着性も得られ難くなる。

【0042】

加熱温度は、上述のように、従来と比較して低く抑えた範囲のなかで、中間基材１３と外装基材１４とが溶着される場合には、中間基材１３のガラス転移温度Ｔｇ２よりも高い温度とされる。中間基材１３と外装基材１４とが接着剤を介して貼り合わされる場合には、加熱温度は、中間基材１３のガラス転移温度Ｔｇ２以下の温度であってもよいが、こうした場合を考慮しても、通常、加熱温度は、中間基材１３のガラス転移温度Ｔｇ２の上下３０℃程度の範囲内で設定される。したがって、条件（ｂ）が満たされることによって、コア基材１２のガラス転移温度Ｔｇ１が加熱温度に対して低すぎたり高すぎたりすることが抑えられる。

【0043】

また、条件（ｃ）が示すように、外装基材１４のビカット軟化温度Ｔｓ３と中間基材１３のビカット軟化温度Ｔｓ２との差は、１５℃以上である。本実施形態のＩＣカード１０の製造工程では、上述のように、従来と比較して加熱温度が低く抑えられるため、加熱温度は、外装基材１４のビカット軟化温度Ｔｓ３と同程度以下の温度となる。外装基材１４のビカット軟化温度Ｔｓ３と中間基材１３のビカット軟化温度Ｔｓ２との差が１５℃未満のように、中間基材１３のビカット軟化温度Ｔｓ２が高い構成では、中間基材１３の軟化が不十分であることに起因して、中間基材１３と外装基材１４との剥離が生じやすくなる。したがって、条件（ｃ）が満たされることによって、中間基材１３のビカット軟化温度Ｔｓ２が加熱温度に対して高すぎることが抑えられる。

【0044】

［ＩＣカードの製造方法］
図２〜図５を参照して、上述したＩＣカード１０の製造方法について説明する。
図２が示すように、まず、通信部１１の周囲にコア基材１２が配置される。例えば、コア基材１２を構成する２つのシート状の基材が通信部１１を挟み込むことによって、通信部１１がコア基材１２によって覆われる。具体的には、アンテナが被覆銅線から構成される場合には、一方の上記シート状の基材上でアンテナが形作られ、アンテナが金属薄膜から構成される場合には、パターニングされた金属薄膜を支持する基材が、一方の上記シート状の基材上に配置される。そして、配置された通信部１１を挟むように、一方の上記シート状の基材に他方の上記シート状の基材が重ねられる。
図３が示すように、次に、コア基材１２を挟むように、コア基材１２に中間基材１３が積層される。

【0045】

図４が示すように、次に、磁気テープ１５の配置された外装基材１４が、コア基材１２と中間基材１３との積層体を挟むように、中間基材１３に積層される。磁気テープ１５には、予め接着剤が塗工され、磁気テープ１５は、熱転写によって、一方の外装基材１４ａに貼り付けられる。

【0046】

図５が示すように、コア基材１２と中間基材１３と外装基材１４との積層体が加圧された状態で、加熱され、その後、冷却される。これによって、通信部１１がコア基材１２に埋め込まれ、基材１２，１３，１４が１つの板状に成形される。なお、図５における矢印は、熱と圧力との印加を示す。

【0047】

上述のように、加熱温度が高いほど、アンテナの形状が、外装基材１４の表面に浮き出やすくなる。したがって、加熱温度Ｔａは、下記条件（ｄ）を満たすように、１００℃以上１５０℃未満であることが好ましく、１００℃以上１４０℃以下であることが特に好ましい。加熱温度Ｔａが上記範囲内であれば、外装基材１４の表面にアンテナの形状が浮き出ることが抑えられる。また、加熱温度Ｔａは、下記条件（ｅ）および（ｆ）を満たすことが好ましい。
（ｄ）１００℃≦Ｔａ＜１５０℃、好ましくは、１００℃≦Ｔａ≦１４０℃
（ｅ）Ｔｓ２＜Ｔａ≦Ｔｓ３−１０℃
（ｆ）Ｔｇ１＋２０℃＜Ｔａ、好ましくは、Ｔｇ１＋３０℃≦Ｔａ

【0048】

上述のように、中間基材１３のビカット軟化温度Ｔｓ２が加熱温度Ｔａに対して高すぎると、中間基材１３の軟化が中間基材１３と外装基材１４との接合に要する程度に対し不十分となり、それに起因して、中間基材１３と外装基材１４との剥離が生じやすくなる。一方で、外装基材１４の表面にアンテナの形状が浮き出ることを抑えるためには、加熱温度Ｔａは低い方がよい。加熱温度Ｔａが条件（ｅ）を満たすことによって、中間基材１３が十分に軟化されて中間基材１３と外装基材１４とが良好に接合されるとともに、外装基材１４の表面にアンテナの形状が浮き出ることが抑えられる。

【0049】

また、上述のように、コア基材１２のガラス転移温度Ｔｇ１が加熱温度Ｔａに対して高すぎると、加熱時のコア基材１２の軟化が段差を埋めることに対し不十分となり、それによって、コア基材１２がアンテナに沿う形状に成形されず、コア基材１２の内部へのアンテナの埋め込みが不十分となる。その結果、アンテナの厚みが外装基材１４の表面に浮き出やすくなる。条件（ｆ）が満たされることによって、加熱温度Ｔａでの加熱時に、コア基材１２のガラス転移温度Ｔｇ１が十分に軟化する。なお、コア基材１２のガラス転移温度Ｔｇ１は、例えば、７０度以上であり、加熱時にコア基材１２が過剰に流動性を有して成形が行い難くなることを抑えるためには、コア基材１２のガラス転移温度Ｔｇ１は、「加熱温度Ｔａ−７０℃」よりも高いことが好ましい。

【0050】

また、中間基材１３と外装基材１４とを溶着するためには、加熱温度Ｔａは、中間基材１３のガラス転移温度Ｔｇ２よりも高い温度である必要がある。さらに、中間基材１３と外装基材１４との接合を強固にするためには、加熱温度Ｔａは、中間基材１３のガラス転移温度Ｔｇ２よりも１０℃以上高い温度であることが好ましい。

【0051】

なお、通信部１１を覆うようにコア基材１２のみが配置された状態で、加熱および冷却が行われ、その後、コア基材１２に中間基材１３と外装基材１４とが積層されて、これらの積層体が加熱および冷却されてもよい。すなわち、加熱による成形が２回行われてもよい。こうした製法によれば、アンテナとコア基材１２との収縮の程度の違いによってコア基材１２の表面にアンテナの形状が浮き出たとしても、この浮き出た形状が、外装基材１４の表面まで伝わりにくいため、外装基材１４の表面にアンテナの形状が浮き出ることが抑えられる。

【0052】

ただし、生産効率の向上のためには、加熱による成形は１回であることが好ましい。本実施形態のＩＣカード１０の構成によれば、１回の加熱のみによって成形を行う場合であっても、外装基材１４の表面にアンテナの形状が浮き出ることが抑えられるため、ＩＣカード１０の外観を良くすることと、生産効率の向上との両立が可能である。
なお、レーザー光の照射によって、中間基材１３には、文字や図形等の情報が記録される。

【0053】

また、コア基材１２、中間基材１３、および、外装基材１４の各基材の表面には、文字や絵柄等の印刷が施されてもよい。印刷方法としては、オフセット印刷、スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷等が挙げられる。印刷後の乾燥方法としては、熱風乾燥、赤外線や紫外線照射による乾燥等が挙げられる。

【0054】

印刷に用いられるインキの着色には、染料や顔料が用いられる。また、顔料として、アルミニウム、酸化チタン、真鍮等の金属顔料やパール顔料を用いてもよい。インキに含まれる樹脂としては、塩化ビニル、酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ＡＢＳやそれらの共重合体、ポリマーアロイ等が挙げられる。なお、インキが溶剤型インキあるいは水系インキである場合には、上記乾燥方法のうち、熱風乾燥が行われ、インキが紫外線硬化型インキである場合には、上記乾燥方法のうち、紫外線照射による硬化が行われればよい。

【0055】

上述の製造方法における各工程は、大面積の基材１２，１３，１４が用いられて、１つの基材に各別のＩＣカード１０となる複数の領域が割り付けられた状態で行われることが好ましい。この場合、上記各工程を経た後に、上記複数の領域の各々が打ち抜かれて、ＩＣカード１０が個片化される。ＩＣカード１０の打ち抜きは、例えば、雄雌金型とプレス機とを用いたパンチングによって行われる。

【0056】

ＩＣカードの基材がポリカーボネートからなる場合、雄雌金型を用いたパンチングを行うと、破断部が伸びてしまって平滑な破断面が得られないため、ＩＣカードの個片化には刃物による切断が必要である。これに対し、本実施形態のＩＣカード１０は、上述のように、基材におけるポリカーボネートの割合が抑えられているため、パンチングによる打ち抜きが可能である。したがって、ＩＣカードの生産効率が高められる。
以上説明したように、本実施形態のＩＣカード、および、ＩＣカードの製造方法によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。

【0057】

（１）条件（ａ），（ｂ），（ｃ）を満たすＩＣカードは、条件（ａ）によって、ガラス転移温度Ｔｇ２が１４０℃以上の中間基材１３が用いられる場合と比較して、製造工程における加熱温度を低く抑えることができる。その結果、レーザー着色性を有する樹脂を基材に含むＩＣカードにおいて、外装基材１４の表面にアンテナの形状が浮き出ることが抑えられる。また、条件（ｂ）によって、コア基材１２のガラス転移温度Ｔｇ１が低すぎて加熱時にコア基材１２が過剰に流動性を有することや、コア基材１２のガラス転移温度Ｔｇ１が高すぎて加熱時のコア基材１２の軟化が不十分となり、アンテナの厚みが外装基材１４の表面に浮き出やすくなることが抑えられる。また、条件（ｃ）によって、中間基材１３のビカット軟化温度Ｔｓ２が高すぎて中間基材１３の軟化が不十分となることに起因して、中間基材１３と外装基材１４との剥離が生じることが抑えられる。

【0058】

（２）コア基材１２の主成分が、非晶性ポリエステル、もしくは、非晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイであることによって、上記条件（ａ），（ｂ），（ｃ）を満たすコア基材１２の調整が容易である。

【0059】

（３）中間基材１３の主成分が、ポリカーボネート、もしくは、非晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイであることによって、上記条件（ａ），（ｂ），（ｃ）を満たす中間基材１３の調整が容易である。
（４）外装基材１４における結晶性樹脂の割合が３０質量％以上であることによって、外装基材１４に結晶性樹脂の特性が発揮される。

【0060】

（５）外装基材１４の主成分が、結晶性ポリエステル、もしくは、結晶性ポリエステルとポリカーボネートとのポリマーアロイであることによって、上記条件（ａ），（ｂ），（ｃ）を満たす外装基材１４の調整が容易である。

【0061】

（６）コア基材１２と中間基材１３とが溶着されている構成では、これらの基材が接着剤によって接着されている構成と比較して、接着剤の経時劣化に起因して基材同士の接合が弱くなることが抑えられる。したがって、基材同士の接合についての信頼性が高められる。同様に、中間基材１３と外装基材１４とが溶着されている構成では、これらの基材が接着剤によって接着されている構成と比較して、基材同士の接合についての信頼性が高められる。

【0062】

（７）アンテナが金属薄膜からなる場合、アンテナが被覆銅線からなる場合と比べて、通信部１１に、金属薄膜の基材が含まれるため通信部１１が厚くなり、また、アンテナの面積が大きい。そのため、外装基材１４の表面にアンテナの形状が浮き出やすく、アンテナの形状が浮き出たとき、その形状が視認され易い。したがって、アンテナが金属薄膜からなる場合に本実施形態のＩＣカードの構成が適用されると、有用性が高い。

【0063】

（８）外装基材１４の表面における算術平均粗さが０．４μｍ未満である構成では、外装基材１４の表面における凹凸が抑えられているため、こうした構成のＩＣカードにて、外装基材１４の表面にアンテナの形状が浮き出ると、アンテナの形状が視認され易い。したがって、こうした場合に本実施形態のＩＣカードの構成が適用されると、有用性が高い。

【0064】

（９）Ｔｇ１＜Ｔｇ２＜１４０℃が満たされ、条件（ｄ），（ｅ），（ｆ）を満たすＩＣカードの製造方法によれば、加熱温度を低く抑えることができるため、レーザー着色性を有する樹脂を基材に含むＩＣカードにおいて、外装基材１４の表面にアンテナの形状が浮き出ることが抑えられる。また、条件（ｆ）によって、コア基材１２のガラス転移温度Ｔｇ１が高すぎて加熱時のコア基材１２の軟化が不十分となり、アンテナの厚みが外装基材１４の表面に浮き出やすくなることが抑えられる。また、条件（ｅ）によって、中間基材１３のビカット軟化温度Ｔｓ２が高すぎて中間基材１３の軟化が不十分となることに起因して、中間基材１３と外装基材１４との剥離が生じることが抑えられる。

【0065】

（１０）加熱による成形回数が、通信部１１、コア基材１２、中間基材１３、および、外装基材１４を含む積層体に対する１回のみである製造方法では、ＩＣカード１０の生産効率が高められる。

【0066】

［実施例］
上述したＩＣカード、および、ＩＣカードの製造方法について、具体的な実施例および比較例を用いて説明する。
（実施例１）
［ＩＣカードの構成］
・アンテナ：厚さ３８μｍのＰＥＴシートを基材として、厚さ３５μｍの銅箔のエッチングによって形成
・コア基材：ポリエステル（ＰＧ−ＷＨＩ：三菱樹脂社製、厚さ２６０μｍ）
・中間基材：ポリカーボネート（炭素添加）（ディアフィクス ＤＰＩ−ＴＲ：三菱樹脂社製、厚さ６０μｍ）
・外装基材：ポリブチレンテレフタラートとポリカーボネートとのポリマーアロイ（Ｐ−ＡＣ：三菱樹脂社製、厚さ６０μｍ）
［ＩＣカードの製造］
アンテナと、コア基材と、中間基材と、外装基材とからなる積層体を形成し、この積層体を、圧力２ＭＰａ、温度１４０℃の条件で加圧および加熱した。積層体の冷却後、雄雌金型を用いてパンチングを行って積層体を１つのカード状に成形し、実施例１のＩＣカードを得た。

【0067】

（実施例２）
［ＩＣカードの構成］
アンテナ、コア基材、中間基材、および、外装基材の各々の構成は、実施例１と同様である。
［ＩＣカードの製造］
アンテナをコア基材で挟んで、圧力２ＭＰａ、温度１４０℃の条件で加圧および加熱した。その後、コア基材に中間基材と外装基材とを積層し、この積層体を、圧力２ＭＰａ、温度１４０℃の条件で加熱および加圧した。積層体の冷却後、雄雌金型を用いてパンチングを行って積層体を１つのカード状に成形し、実施例２のＩＣカードを得た。

【0068】

（実施例３）
［ＩＣカードの構成］
・アンテナ：厚さ３８μｍのＰＥＴシートを基材として、厚さ３５μｍの銅箔のエッチングによって形成
・コア基材：ポリエステル（ＰＧ−ＷＨＩ：三菱樹脂社製、厚さ２２０μｍ）
・中間基材：ポリカーボネート（炭素添加）（ディアフィクス ＤＰＩ−ＴＲ：三菱樹脂社製、厚さ６０μｍ）
・外装基材：ポリエチレンテレフタラート（ルミラー５０Ｓ１０：東レ社製、厚さ５０μｍ）
［ＩＣカードの製造］
アンテナと、コア基材と、中間基材と、外装基材とからなる積層体を形成した。この際、厚さ１０μｍのポリウレタンからなる接着剤を用いて、中間基材と外装基材とを貼り合わせた。上記積層体を、圧力２ＭＰａ、温度１２０℃の条件で加熱および加圧した。積層体の冷却後、雄雌金型を用いてパンチングを行って積層体を１つのカード状に成形し、実施例３のＩＣカードを得た。

【0069】

（比較例１）
［ＩＣカードの構成］
・アンテナ：厚さ３８μｍのＰＥＴシートを基材として、厚さ３５μｍの銅箔のエッチングによって形成
・コア基材：ポリカーボネート（ＬＥＸＡＮ ＳＤ８Ｂ２４：ＳＡＢＩＣジャパン社製、厚さ２８０μｍ）
・中間基材：ポリカーボネート（炭素添加）（ＬＥＸＡＮ ＳＤ８Ｂ９４：ＳＡＢＩＣジャパン社製、厚さ５０μｍ）
・外装基材：ポリカーボネート（ＬＥＸＡＮ ＳＤ８Ｂ１４：ＳＡＢＩＣジャパン社製、厚さ５０μｍ）
［ＩＣカードの製造］
アンテナをコア基材で挟んで、圧力２ＭＰａ、温度１８５℃の条件で加圧および加熱した。その後、コア基材に中間基材と外装基材とを積層し、この積層体を、圧力２ＭＰａ、温度１８５℃の条件で加熱および加圧した。積層体の冷却後、雄雌金型を用いてパンチングを行って積層体を１つのカード状に成形し、比較例１のＩＣカードを得た。

【0070】

（比較例２）
［ＩＣカードの構成］
・アンテナ：厚さ３８μｍのＰＥＴシートを基材として、厚さ３５μｍの銅箔のエッチングによって形成
・コア基材：ポリエステル（ＰＧ−ＷＨＩ：三菱樹脂社製、厚さ２６０μｍ）
・中間基材：ポリカーボネート（炭素添加）（ディアフィクス ＤＰＩ−ＮＲ：三菱樹脂社製、厚さ６０μｍ）
・外装基材：ポリブチレンテレフタラートとポリカーボネートとのポリマーアロイ（Ｐ−ＡＣ：三菱樹脂社製、厚さ６０μｍ）
［ＩＣカードの製造］
アンテナと、コア基材と、中間基材と、外装基材とからなる積層体を形成し、この積層体を、圧力２ＭＰａ、温度１４０℃の条件で加熱および加圧した。積層体の冷却後、雄雌金型を用いてパンチングを行って積層体を１つのカード状に成形し、比較例２のＩＣカードを得た。
（比較例３）
加熱温度を１５０℃とする以外は、比較例２と同様にして、比較例３のＩＣカードを得た。

【0071】

（比較例４）
［ＩＣカードの構成］
・アンテナ：厚さ３８μｍのＰＥＴシートを基材として、厚さ３５μｍの銅箔のエッチングによって形成
・コア基材：ポリエステル（ＰＧ−ＷＨＴ：三菱樹脂社製、厚さ２２０μｍ）
・中間基材：ポリカーボネート（炭素添加）（ディアフィクス ＤＰＩ−ＴＲ：三菱樹脂社製、厚さ６０μｍ）
・外装基材：ポリエチレンテレフタラート（ルミラー５０Ｓ１０：東レ社製、厚さ５０μｍ）
［ＩＣカードの製造］
アンテナと、コア基材と、中間基材と、外装基材とからなる積層体を形成した。この際、厚さ１０μｍのポリウレタンからなる接着剤を用いて、中間基材と外装基材とを貼り合わせた。上記積層体を、圧力２ＭＰａ、温度１２０℃の条件で加熱および加圧した。積層体の冷却後、雄雌金型を用いてパンチングを行って積層体を１つのカード状に成形し、比較例４のＩＣカードを得た。

【0072】

（評価方法）
［アンテナに起因した外装基材表面の凹凸］
各実施例および各比較例のＩＣカードについて、外装基材の表面における凹凸の高さを、表面粗さ計（サーフテスト ＳＪ５００：ミツトヨ社製）を用いて測定した。凹凸の高さは、外装基材の表面に形成された凸部の頂部と凹部の底部との間の距離である。

【0073】

また、目視によって、外装基材の表面にアンテナの形状が浮き出て見えるか否かを判定した。なお、肉眼によって観察できる外装基材の表面の凹凸の高さは、０．１μｍ〜１．０μｍ程度である。したがって、凹凸の高さが０．１μｍよりも小さいことは、視認できない程度にまで、アンテナの形状が外装基材の表面に浮き出ることが抑えられていることを示す。

【0074】

［基材の接合状態］
各実施例および各比較例のＩＣカードについて、アンテナを挟むコア基材の間、コア基材と中間基材の間、および、中間基材と外装基材の間の各々にて、基材同士の剥離が生じているか否かを観察した。
［パンチングにおけるバリの発生］
各実施例および各比較例のＩＣカードについて、パンチングによる成形によって、バリが発生しているか否かを観察した。

【0075】

（評価結果）
表１に、各実施例および各比較例について、Ｔｇ１、Ｔｇ２、Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔａ、および、加熱による成形の回数を示す。また、表２には、外装基材表面の凹凸の評価結果を示す。表２にて、○は、目視によって、外装基材の表面にアンテナの形状が浮き出ていることが確認されないことを示し、×は、目視によって、外装基材の表面にアンテナの形状が浮き出ていることが確認されることを示す。また、表３には、基材の接合状態の評価結果を示す。表３にて、○は、基材間の剥離が確認されないことを示し、×は、基材間の剥離が確認されることを示す。また、表４にバリの発生の評価結果を示す。表４にて、○は、目視によってバリが確認されないことを示し、×は、目視によってバリが確認されることを示す。

【0076】

【表1】

【0077】

【表2】

【0078】

【表3】

【0079】

【表4】

【0080】

表１および表２が示すように、条件（ａ）Ｔｇ２＜１４０℃を満たす実施例１，２では、条件（ａ）を満たさない比較例１，３に対し、加熱温度Ｔａを低くできる。すなわち、実施例１，２では、条件（ｄ）１００℃≦Ｔａ＜１５０℃が満たされている。その結果、実施例１，２では、アンテナの形状が外装基材の表面に浮き出ることが抑えられている。表１〜表３にて比較例２が示すように、条件（ａ）を満たさない構成にて加熱温度Ｔａを低くすると、アンテナの形状が外装基材の表面に浮き出ることは抑えられるものの、中間基材の軟化不足に起因して、中間基材と外装基材との剥離が生じる結果、使用に適さないＩＣカードが形成される。

【0081】

なお、実施例１と実施例２との比較によって、加熱による成形回数が１回の場合であっても、２回の場合と同様に、アンテナの形状が外装基材の表面に浮き出ることが抑えられることが示される。また、実施例３が示すように、中間基材と外装基材とを接着剤を介して貼り合わせる構成では、加熱温度Ｔａをさらに低い温度、例えば、中間基材のガラス転移温度Ｔｇ２よりも低い温度に設定することが可能である。

【0082】

また、条件（ｂ）２０℃＜Ｔｇ２−Ｔｇ１≦５０℃のうち２０℃＜Ｔｇ２−Ｔｇ１を満たさない比較例４では、外装基材の表面に凹凸が視認される。これは、コア基材のガラス転移温度Ｔｇ１が高すぎて、コア基材の軟化不足によってコア基材へのアンテナの埋め込みが不十分となる結果、アンテナの厚みが外装基材の表面に浮き出るためである。このことは、比較例４が条件（ｆ）Ｔｇ１＋２０℃＜Ｔａも満たさないことからも支持される。

【0083】

また、条件（ｅ）Ｔｓ２＜Ｔａ≦Ｔｓ３−１０℃を満たす実施例１，２では、比較例１，３よりも低い加熱温度Ｔａによって、中間基材が十分に軟化されるため、接着剤を用いずとも、中間基材と外装基材とが良好に接合されて剥離は生じていない。実施例１，２では、条件（ｃ）Ｔｓ２≦Ｔｓ３−１５℃も満たされている。

【0084】

また、表４が示すように、コア基材、中間基材、および、外装基材のすべてがポリカーボネートからなる比較例１では、パンチングによってバリが発生している。これに対し、ポリカーボネートの割合が抑えられた実施例１〜３、比較例２〜４では、バリの発生が抑えられることが示された。
（変形例）
上記実施形態は、以下のように変更して実施することが可能である。

【0085】

・コア基材１２の有する２つの面のうちの一方側のみに、中間基材１３と外装基材１４とが配置されていてもよい。この場合、コア基材１２の有する２つの面のうちの他方側には中間基材１３と外装基材１４とのいずれもが配置されていなくてもよいし、中間基材１３と外装基材１４とのいずれか一方のみが配置されていてもよい。ただし、中間基材１３と外装基材１４とがコア基材１２の両側に配置されている構成では、ＩＣカード１０に反りが生じることが抑えられる。

【0086】

・ＩＣカード１０は、非接触型の通信に加えて、接触型の通信を行うＩＣカードであってもよい。この場合、非接触通信部と接触通信部とを備えるＩＣチップは、コア基材１２に埋め込まれず、ＩＣカードの表面に接触用の端子が露出するように外装基材１４に取り付けられ、導体による接続や電磁結合を利用して、アンテナと電気的に接続される。すなわち、通信部１１には、ＩＣチップが含まれなくてもよい。あるいは、非接触通信部を備えるＩＣチップがコア基材１２に埋め込まれ、接触通信部を備えるＩＣチップが外装基材１４に取り付けられてもよい。また、ＩＣカードの用途に応じて、磁気テープ１５は割愛されてもよい。

【符号の説明】

【0087】

１０…ＩＣカード、１１…通信部、１２…コア基材、１３…中間基材、１４…外装基材、１５…磁気テープ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】