特許 6549902 ダイシングダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6549902

(24)【登録日】2019年7月5日

(45)【発行日】2019年7月24日

(54)【発明の名称】ダイシングダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20190711BHJP

   H01L 21/52 20060101ALI20190711BHJP

   C09J 7/20 20180101ALI20190711BHJP

   C09J 201/00 20060101ALI20190711BHJP

   C09J 163/00 20060101ALI20190711BHJP

   C09J 161/06 20060101ALI20190711BHJP

   C09J 133/00 20060101ALI20190711BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/78 M

   H01L21/52 E

   H01L21/52 A

   H01L21/52 C

   C09J7/20

   C09J201/00

   C09J163/00

   C09J161/06

   C09J133/00

【請求項の数】9

【全頁数】21

(21)【出願番号】特願2015-107262(P2015-107262)

(22)【出願日】2015年5月27日

(65)【公開番号】特開2016-225342(P2016-225342A)

(43)【公開日】2016年12月28日

【審査請求日】2018年3月23日

(73)【特許権者】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000729

【氏名又は名称】特許業務法人 ユニアス国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】大西 謙司

(72)【発明者】

【氏名】三隅 貞仁

(72)【発明者】

【氏名】宍戸 雄一郎

(72)【発明者】

【氏名】木村 雄大

【審査官】 杢 哲次

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１４−１３５４６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０９９６２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−０６０８４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１２３７６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−０１７００６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−２５６６９５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｃ０９Ｊ ７／２０

Ｃ０９Ｊ １３３／００

Ｃ０９Ｊ １６１／０６

Ｃ０９Ｊ １６３／００

Ｃ０９Ｊ ２０１／００

Ｈ０１Ｌ ２１／５２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ロール状をなすダイシングダイボンドフィルムであって、
カバーフィルムと、
前記カバーフィルム上に配置されたダイシングシート一体型接着フィルムとを含み、
前記ダイシングシート一体型接着フィルムは、
第１面および前記第１面に対向した第２面で両面が定義される基材層および前記第１面と接した粘着剤層を含むダイシングシート、ならびに
前記粘着剤層と接した第１主面および前記第１主面に対向した第２主面で両面が定義される接着フィルムを含み、
前記第２面の表面抵抗値が１．０×１０^１１Ω／ｓｑ．以下、前記第２主面の表面抵抗値が１．０×１０^１２Ω／ｓｑ．以上１．０×１０^１７Ω／ｓｑ．以下であるダイシングダイボンドフィルム。

【請求項2】

前記基材層は、前記第１面を有する第１基材層および前記第２面を有する第２基材層を含み、
前記第２基材層は導電性成分を含む請求項１に記載のダイシングダイボンドフィルム。

【請求項3】

前記第２基材層の厚みが１μｍ〜３０μｍである請求項２に記載のダイシングダイボンドフィルム。

【請求項4】

前記導電性成分が有機系導電性成分である請求項２または３に記載のダイシングダイボンドフィルム。

【請求項5】

前記第２基材層が、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共重合体からなる群より選ばれた１種以上の樹脂をさらに含む請求項２〜４のいずれかに記載のダイシングダイボンドフィルム。

【請求項6】

前記ダイシングシートの破断伸度が５００％以上である請求項１〜５のいずれかに記載のダイシングダイボンドフィルム。

【請求項7】

前記接着フィルムが、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂と、アクリル樹脂とを含み、
前記接着フィルムにおける２５℃のタック強度が０．２Ｎ以上３．０Ｎ以下である請求項１〜６のいずれかに記載のダイシングダイボンドフィルム。

【請求項8】

前記カバーフィルムがポリエチレンテレフタレートフィルムであり、
前記カバーフィルムの厚みが２０μｍ〜７５μｍである請求項１〜７のいずれかに記載のダイシングダイボンドフィルム。

【請求項9】

請求項１〜８のいずれかに記載のダイシングダイボンドフィルムを準備する工程と、
前記ダイシングシート一体型接着フィルムの前記接着フィルムに半導体ウエハを圧着する工程と、
前記接着フィルムに前記半導体ウエハを圧着する工程の後に、ダイ分割をなすことにより半導体チップおよび前記半導体チップ上に配置されたフィルム状接着剤を含むダイボンド用チップを形成する工程と、
前記ダイボンド用チップを被着体に圧着する工程とを含み、
前記接着フィルムに前記半導体ウエハを圧着する工程は、前記カバーフィルムから前記ダイシングシート一体型接着フィルムを剥離するステップを含む半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ダイシングダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

基材層、基材層上に配置された粘着剤層および粘着剤層上に配置された接着フィルムを有するダイシングダイボンドフィルムが知られている（たとえば、特許文献１参照）。基材層は、粘着剤層と接した接触面および接触面に対向した背面で両面を定義できる。

【0003】

近年、半導体チップの高性能化に伴い、静電気破壊が問題となっている。静電気破壊を防止するため、粘着剤層に導電性材料を添加することにより帯電防止性能を上げる技術がある。

【0004】

また、接着フィルムに導電性を付与するために、接着フィルムに導電性材料を添加する技術もある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１５−５６３６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

粘着剤層に導電性材料を添加する技術には、ダイシング時に導電性材料が装置内で飛散し、半導体ウエハや半導体チップに付着するという問題がある。エキスパンド時にも導電性材料が飛散することがある。

【0007】

接着フィルムに導電性材料を添加する技術には、接着フィルムをワイヤー埋め込み用途で使用した場合に導電性材料がワイヤーの腐食を促進するという問題がある。ダイシング時に導電性材料が飛散するという問題もある。

【0008】

ところで、ダイシングダイボンドフィルムにおいて、カバーフィルムをうまく剥離できないことがある。剥離不良の原因について本発明者が鋭意検討したところ、基材層の背面とカバーフィルムの帯電がカバーフィルムの剥離不良を引き起こすことを見出した。

【0009】

本発明は、カバーフィルムの剥離不良を防止可能で、半導体チップの静電気破壊を防止できるダイシングダイボンドフィルムを提供することを目的とする。

【0010】

本発明はまた、ダイシングダイボンドフィルムを用いる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明はまた、ダイシングダイボンドフィルムを用いて得られた半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明は、ロール状をなすダイシングダイボンドフィルムに関する。本発明のダイシングダイボンドフィルムは、カバーフィルムおよびカバーフィルム上に配置されたダイシングシート一体型接着フィルムを含む。ダイシングシート一体型接着フィルムは、第１面および第１面に対向した第２面で両面が定義される基材層および第１面と接した粘着剤層を含むダイシングシートを含む。ダイシングシート一体型接着フィルムは、粘着剤層と接した第１主面および第１主面に対向した第２主面で両面が定義される接着フィルムをさらに含む。第２面の表面抵抗値が１．０×１０^１１Ω／ｓｑ．以下である。１．０×１０^１１Ω／ｓｑ．以下であるため、カバーフィルムの剥離不良を防止できる。第２主面の表面抵抗値が１．０×１０^１２Ω／ｓｑ．以上である。１．０×１０^１２Ω／ｓｑ．以上であるため、パッケージング時などにおけるリーク電流を防止可能で、半導体チップの静電気破壊を防止できる。

【0012】

好ましくは、基材層は、第１面を有する第１基材層および第２面を有する第２基材層を含む。好ましくは、第２基材層は導電性成分を含む。好ましくは、第２基材層の厚みは１μｍ〜３０μｍである。好ましくは、導電性成分は有機系導電性成分である。好ましくは、第２基材層が、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共重合体からなる群より選ばれた１種以上の樹脂をさらに含む。

【0013】

好ましくは、ダイシングシートの破断伸度は５００％以上である。

【0014】

好ましくは、接着フィルムが、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂を含む。好ましくは、接着フィルムがアクリル樹脂を含む。好ましくは、接着フィルムにおける２５℃のタック強度が０．２Ｎ以上３．０Ｎ以下である。

【0015】

好ましくは、カバーフィルムはポリエチレンテレフタレートフィルムである。好ましくは、カバーフィルムの厚みは２０μｍ〜７５μｍである。

【0016】

本発明はまた、ダイシングダイボンドフィルムを準備する工程と、ダイシングシート一体型接着フィルムの接着フィルムに半導体ウエハを圧着する工程と、接着フィルムに半導体ウエハを圧着する工程の後に、ダイ分割をなすことによりダイボンド用チップを形成する工程と、ダイボンド用チップを被着体に圧着する工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。接着フィルムに半導体ウエハを圧着する工程は、カバーフィルムからダイシングシート一体型接着フィルムを剥離するステップを含む。ダイボンド用チップは、半導体チップおよび半導体チップ上に配置されたフィルム状接着剤を含む。

【0017】

本発明はまた、半導体装置に関する。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】ダイシングダイボンドフィルムの概略平面図である。

【図2】ダイシングダイボンドフィルムの一部の概略断面図である。

【図3】半導体装置の製造工程の概略断面図である。

【図4】半導体装置の製造工程の概略断面図である。

【図5】半導体装置の製造工程の概略断面図である。

【図6】半導体装置の製造工程の概略断面図である。

【図7】変形例４におけるダイシングダイボンドフィルムの一部の概略断面図である。

【図8】変形例７における半導体装置の製造工程の概略断面図である。

【図9】変形例８における半導体装置の製造工程の概略断面図である。

【図10】実施例におけるダイシングシート一体型接着フィルムの概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

【0020】

［実施形態１］
（ダイシングダイボンドフィルム１）
図１に示すように、ダイシングダイボンドフィルム１はロール状をなす。

【0021】

ダイシングダイボンドフィルム１は、カバーフィルム１３およびカバーフィルム１３上に配置されたダイシングシート一体型接着フィルム７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、……、７１ｍ（以下、「ダイシングシート一体型接着フィルム７１」と総称する。）を含む。ダイシングシート一体型接着フィルム７１ａとダイシングシート一体型接着フィルム７１ｂのあいだの距離、ダイシングシート一体型接着フィルム７１ｂとダイシングシート一体型接着フィルム７１ｃのあいだの距離、……ダイシングシート一体型接着フィルム７１ｌとダイシングシート一体型接着フィルム７１ｍのあいだの距離は一定である。

【0022】

図２に示すように、ダイシングシート一体型接着フィルム７１は、ダイシングシート１２およびダイシングシート１２上に配置された接着フィルム１１を含む。ダイシングシート１２は、基材層１２１および基材層１２１上に配置された粘着剤層１２２を含む。基材層１２１は、粘着剤層１２２と接した第１面１２１ａおよび第１面１２１ａに対向した第２面１２１ｂで両面が定義される。接着フィルム１１は、粘着剤層１２２と接した第１主面１１ａおよび第１主面１１ａに対向した第２主面１１ｂで両面が定義される。第２主面１１ｂはカバーフィルム１３と接する。

【0023】

第２面１２１ｂの表面抵抗値は、１．０×１０^１１Ω／ｓｑ．以下、好ましくは８．０×１０^１０Ω／ｓｑ．以下である。１．０×１０^１１Ω／ｓｑ．以下であるため、カバーフィルム１３の剥離不良を防止できる。第２面１２１ｂの表面抵抗値の下限は、たとえば１．０×１０⁵Ω／ｓｑ．、１．０×１０^７Ω／ｓｑ．、１．０×１０^８Ω／ｓｑ．などである。

【0024】

第２面１２１ｂの光沢は、好ましくは１〜２０である。

【0025】

第２主面１１ｂの表面抵抗値は、１．０×１０^１２Ω／ｓｑ．以上、好ましくは１．０×１０^１4Ω／ｓｑ．以上である。１．０×１０^１２Ω／ｓｑ．以上であるため、パッケージング時などにおけるリーク電流を防止可能で、半導体チップの静電気破壊を防止できる。第２主面１１ｂの表面抵抗値の上限は、たとえば１．０×１０^１7Ω／ｓｑ．、１．０×１０^１8Ω／ｓｑ．などである。

【0026】

ダイシングシート１２の破断伸度は、好ましくは５００％以上である。５００％以上であると、エキスパンド性が良好である。ダイシングシート１２のヘイズは、好ましくは４５％〜９５％である。

【0027】

基材層１２１の厚みは、好ましくは５０μｍ〜１５０μｍである。

【0028】

基材層１２１は、第１面１２１ａを有する第１基材層１２１１を含む。第１基材層１２１１は、第１面１２１ａおよび第１面１２１ａに対向した隠れ面で両面を定義できる。基材層１２１は、第２面１２１ｂを有する第２基材層１２１２をさらに含む。第２基材層１２１２は、第１基材層１２１１の隠れ面と接する。

【0029】

第１基材層１２１１は、樹脂を含む。樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）などが挙げられる。良好なエキスパンド性を発現するため、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共重合体が好ましい。エキスパンド性が悪いという点から、ポリエチレンテレフタレートは好ましくない。

【0030】

第１基材層１２１１が導電性成分を含む場合、導電性成分がダイシング時に装置内に飛散することがある。したがって、好ましくは、第１基材層１２１１は導電性成分を含まない。

【0031】

第１基材層１２１１の厚みは、好ましくは３０μｍ〜１５０μｍである。

【0032】

好ましくは、第２基材層１２１２は導電性成分を含む。導電性成分が第２面１２１ｂの表面抵抗値を下げるためである。

【0033】

導電性成分としては、有機系導電性成分、無機系導電性成分などが挙げられる。有機系導電性成分は脱落し難く、樹脂と容易に混ざるため、好ましい。有機系導電性成分としては、導電性高分子が挙げられる。

【0034】

好ましくは、第２基材層１２１２は樹脂を含む。樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共重合体などが挙げられる。ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共重合体は有機系導電性成分と容易に混ざり、良好なエキスパンド性を発現するため、好ましい。エキスパンド性が悪いという点から、ポリエチレンテレフタレートは好ましくない。

【0035】

第２基材層１２１２の厚みは、好ましくは１μｍ〜３０μｍである。

【0036】

第１基材層１２１１の厚みの第２基材層１２１２の厚みに対する比（第１基材層１２１１の厚み／第２基材層１２１２の厚み）は、好ましくは１〜３０である。

【0037】

粘着剤層１２２は、接着フィルム１１と接する接触部１２２Ａを含む。粘着剤層１２２は、接触部１２２Ａの周辺に配置された周辺部１２２Ｂをさらに含む。接触部１２２Ａは放射線により硬化されている。一方、周辺部１２２Ｂは放射線により硬化する性質を有する。放射線としては紫外線が好ましい。

【0038】

粘着剤層１２２は粘着剤により形成されており、粘着性を有している。このような粘着剤としては、特に制限されず、公知の粘着剤の中から適宜選択することができる。具体的には、粘着剤としては、たとえば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ−プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤（たとえば、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭６１−１７４８５７号公報、特開昭６３−１７９８１号公報、特開昭５６−１３０４０号公報など参照）の中から、かかる特性を有する粘着剤を適宜選択して用いることができる。また、粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤（またはエネルギー線硬化型粘着剤）や、熱膨張性粘着剤を用いることもできる。粘着剤は単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができる。

【0039】

粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤を好適に用いることができ、特にアクリル系粘着剤が好適である。アクリル系粘着剤としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種または２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体または共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤が挙げられる。

【0040】

アクリル系粘着剤における（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、たとえば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が４〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好適である。なお、（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のいずれであっても良い。

【0041】

なお、アクリル系重合体は、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体成分（共重合性単量体成分）に対応する単位を含んでいてもよい。このような共重合性単量体成分としては、たとえば、（メタ）アクリル酸（アクリル酸、メタクリル酸）、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチルメタクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドなどの（Ｎ−置換）アミド系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルなどの（メタ）アクリル酸アミノアルキル系モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレートモノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー；スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー；イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン系モノマー；ビニルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー；Ｎ−ビニルピロリドン、メチルビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルピペリドン、ビニルピリミジン、ビニルピペラジン、ビニルピラジン、ビニルピロール、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカルボン酸アミド類、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの窒素含有モノマー；Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー；Ｎ−メチルイタコンイミド、Ｎ−エチルイタコンイミド、Ｎ−ブチルイタコンイミド、Ｎ−オクチルイタコンイミド、Ｎ−２−エチルヘキシルイタコンイミド、Ｎ−シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ−ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー；Ｎ−（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクルロイル−６−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイル−８−オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシエチレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどの複素環、ハロゲン原子、ケイ素原子などを有するアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレートなどの多官能モノマーなどが挙げられる。これらの共重合性単量体成分は１種または２種以上使用できる。

【0042】

粘着剤として放射線硬化型粘着剤（またはエネルギー線硬化型粘着剤）を用いる場合、放射線硬化型粘着剤（組成物）としては、たとえば、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーをベースポリマーとして用いた内在型の放射線硬化型粘着剤や、粘着剤中に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分が配合された放射線硬化型粘着剤などが挙げられる。また、粘着剤として熱膨張性粘着剤を用いる場合、熱膨張性粘着剤としては、たとえば、粘着剤と発泡剤（特に熱膨張性微小球）とを含む熱膨張性粘着剤などが挙げられる。

【0043】

好ましい単量体成分は、アクリル酸２−エチルヘキシルである。好ましくは、アクリル系粘着剤がウレタン結合を有するアクリル系重合体を含む。

【0044】

粘着剤層１２２は、各種添加剤（たとえば、粘着付与樹脂、着色剤、増粘剤、増量剤、充填材、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）を含むことができる。

【0045】

粘着剤層１２２は、たとえば、粘着剤（感圧接着剤）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、たとえば、粘着剤および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、基材層１２１上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に混合物を塗布して粘着剤層１２２を形成し、これを基材層１２１上に転写（移着）する方法などにより、粘着剤層１２２を形成することができる。

【0046】

粘着剤層１２２の厚みは、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。粘着剤層１２２の厚みは、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。なお、粘着剤層１２２は複層形状をなしてもよい。

【0047】

（接着フィルム１１）
接着フィルム１１は熱硬化性を備える。

【0048】

接着フィルム１１における２５℃のタック強度は、好ましくは０．２Ｎ〜３．０Ｎである。０．２Ｎ〜３．０Ｎであると、ピックアップ性が良好である。

【0049】

接着フィルム１１における１２０℃の損失弾性率Ｇ’’は、好ましくは２ＫＰａ〜２０ＫＰａである。２ＫＰａ以上であると、ダイボンド時の接着フィルム１１のはみ出しを防ぐことが可能である。２０ＫＰａ以下であると、ダイボンド時の接着フィルム１１の被着体に対する濡れ性が良好である。

【0050】

接着フィルム１１は、樹脂成分を含む。樹脂成分としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などが挙げられる。

【0051】

好ましくは、熱可塑性樹脂はアクリル樹脂である。

【0052】

アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。

【0053】

また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、たとえばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

【0054】

アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上のものが好ましく、３０万〜３００万のものがより好ましく、５０万〜２００万のものがさらに好ましい。かかる数値範囲内であると、接着性および耐熱性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。

【0055】

アクリル樹脂は、官能基を含むことが好ましい。官能基としては、たとえば、ヒドロキシル基、カルボキシ基、ニトリル基などが挙げられる。なかでも、ニトリル基が好ましい。

【0056】

樹脂成分１００重量％中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。１０重量％以上であると、可撓性が良好である。樹脂成分１００重量％中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。

【0057】

熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。

【0058】

エポキシ樹脂としては特に限定されず、たとえばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型などのエポキシ樹脂が用いられる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。

【0059】

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１００ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは１２０ｇ／ｅｑ．以上である。エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１０００ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは５００ｇ／ｅｑ．以下である。
なお、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ ７２３６−２００９に規定された方法で測定できる。

【0060】

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

【0061】

フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは１５０ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは２００ｇ／ｅｑ．以上である。フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは５００ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは３００ｇ／ｅｑ．以下である。

【0062】

エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合がかかる範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

【0063】

樹脂成分１００重量％中のエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上である。エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。

【0064】

好ましくは、接着フィルム１１は無機充填剤を含む。

【0065】

無機充填剤としては、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田、カーボンなどが挙げられる。なかでも、シリカ、アルミナ、銀などが好ましく、シリカがより好ましい。

【0066】

無機充填剤の平均粒径は、好ましくは０．００１μｍ〜１μｍである。フィラーの平均粒径は、以下の方法で測定できる。

【0067】

無機充填剤の平均粒径の測定
接着フィルム１１をるつぼに入れ、大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱して灰化させる。得られた灰分を純水中に分散させて１０分間超音波処理し、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製、「ＬＳ １３ ３２０」；湿式法）を用いて平均粒径を求める。

【0068】

接着フィルム１１中の無機充填剤の含有量は、好ましくは０重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは３重量％以上、よりさらに好ましくは２０重量％以上である。接着フィルム１１中の無機充填剤の含有量は、好ましくは８５重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１５重量％以下である。

【0069】

接着フィルム１１は、前記成分以外にも、フィルム製造に一般に使用される配合剤、たとえば、シランカップリング剤、硬化促進剤、架橋剤などを適宜含有してよい。

【0070】

接着フィルム１１が導電性成分を含む場合、導電性成分がダイシング時に装置内に飛散することがある。導電性成分がワイヤーの腐食を促進することもある。したがって、好ましくは、接着フィルム１１は導電性成分を含まない。

【0071】

接着フィルム１１は、通常の方法で製造できる。たとえば、前記各成分を含有する接着剤組成物溶液を作製し、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、塗布膜を乾燥させることで、接着フィルム１１を製造できる。

【0072】

接着剤組成物溶液に用いる溶媒としては特に限定されないが、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できる有機溶媒が好ましい。たとえば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレンなどが挙げられる。塗布方法は特に限定されない。溶剤塗工の方法としては、たとえば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、リバースコーター、コンマコーター、パイプドクターコーター、スクリーン印刷などが挙げられる。なかでも、塗布厚みの均一性が高いという点から、ダイコーターが好ましい。

【0073】

基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などが使用可能である。接着剤組成物溶液の塗布方法としては、たとえば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布膜の乾燥条件は特に限定されず、たとえば、乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間で行うことができる。

【0074】

接着フィルム１１の製造方法としては、たとえば、前記各成分をミキサーにて混合し、得られた混合物をプレス成形して接着フィルム１１を製造する方法なども好適である。ミキサーとしてはプラネタリーミキサーなどが挙げられる。

【0075】

接着フィルム１１の厚みは、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。接着フィルム１１の厚みは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下である。

【0076】

接着フィルム１１は、半導体装置を製造するために使用される。具体的には、接着フィルム１１はダイボンディング用途で使用される。

【0077】

（カバーフィルム１３）
カバーフィルム１３としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどが挙げられる。好ましくは、カバーフィルム１３は離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルムである。

【0078】

カバーフィルム１３の厚みは、好ましくは２０μｍ〜７５μｍ、より好ましくは２５μｍ〜５０μｍである。

【0079】

（半導体装置の製造方法）
図３に示すように、ダイシングシート一体型接着フィルム７１に半導体ウエハ４を圧着する。半導体ウエハ４としては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハなどが挙げられる。化合物半導体ウエハとしては、窒化ガリウムウエハなどが挙げられる。

【0080】

圧着方法としては、たとえば、圧着ロールなどの押圧手段により押圧する方法などが挙げられる。

【0081】

圧着温度（貼り付け温度）は、３５℃以上が好ましく、３７℃以上がより好ましい。圧着温度の上限は低い方が好ましく、好ましくは５０℃以下、より好ましくは４５℃以下である。低温で圧着することにより、半導体ウエハ４への熱影響を防止することが可能で、半導体ウエハ４の反りを抑制できる。また、圧力は、１×１０^５Ｐａ〜１×１０^７Ｐａであることが好ましく、２×１０^５Ｐａ〜８×１０^６Ｐａであることがより好ましい。

【0082】

図４に示すように、半導体ウエハ４をダイシングすることにより、ダイボンド用チップ５を形成する。ダイボンド用チップ５は、半導体チップ４１および半導体チップ４１上に配置されたフィルム状接着剤１１１を含む。半導体チップ４１は電極パッドを含む。電極パッドの材料としては、アルミニウムなどが挙げられる。本工程では、ダイシングシート一体型接着フィルム７１まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式などを採用できる。ダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ４は、ダイシングシート一体型接着フィルム７１により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ４の破損も抑制できる。

【0083】

ダイボンド用チップ５をピックアップする。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。たとえば、個々の半導体チップ４１をダイシングシート一体型接着フィルム７１側からニードルによって突き上げ、次いでダイボンド用チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。

【0084】

図５に示すように、ダイボンド用チップ５を被着体６に圧着することにより半導体チップ付き被着体２を得る。半導体チップ付き被着体２は、被着体６、被着体６上に配置されたフィルム状接着剤１１１およびフィルム状接着剤１１１上に配置された半導体チップ４１を備える。被着体６は、端子部を備える。被着体６としては、リードフレーム、インターポーザ、ＴＡＢフィルム、半導体チップなどが挙げられる。被着体６がリードフレームである場合、端子部はインナーリードであることができる。

【0085】

ダイボンド用チップ５を被着体６に圧着する温度（以下、「ダイアタッチ温度」という）は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは９０℃以上である。また、ダイアタッチ温度は、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１３０℃以下である。

【0086】

半導体チップ付き被着体２を加圧下で加熱することによりフィルム状接着剤１１１を硬化させる。これにより、半導体チップ４１を被着体６に固着させる。加圧下でフィルム状接着剤１１１を硬化させることにより、フィルム状接着剤１１１と被着体６との間に存在するボイドを消滅させることが可能で、フィルム状接着剤１１１が被着体６と接触する面積を確保できる。

【0087】

加圧下で加熱する方法としては、たとえば、不活性ガスが充填されたチャンバー内に配置された半導体チップ付き被着体２を加熱する方法などが挙げられる。加圧雰囲気の圧力は、好ましくは０．５ｋｇ／ｃｍ^２（４．９×１０^−２ＭＰａ）以上、より好ましくは１ｋｇ／ｃｍ^２（９．８×１０^−２ＭＰａ）以上、さらに好ましくは５ｋｇ／ｃｍ^２（４．９×１０^−１ＭＰａ）以上である。０．５ｋｇ／ｃｍ^２以上であると、フィルム状接着剤１１１と被着体６との間に存在するボイドを容易に消滅させることができる。加圧雰囲気の圧力は、好ましくは２０ｋｇ／ｃｍ^２（１．９６ＭＰａ）以下、より好ましくは１８ｋｇ／ｃｍ^２（１．７７ＭＰａ）以下、さらに好ましくは１５ｋｇ／ｃｍ^２（１．４７ＭＰａ）以下である。２０ｋｇ／ｃｍ^２以下であると、過度な加圧によるフィルム状接着剤１１１のはみ出しを抑制できる。

【0088】

加熱温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１２０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上、特に好ましくは１７０℃以上である。８０℃以上であると、フィルム状接着剤１１１を適度な硬さとすることが可能で、加圧キュアによりボイドを効果的に消失させることができる。加熱温度は、好ましくは２６０℃以下、より好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。２６０℃以下であると、フィルム状接着剤１１１の分解を防ぐことができる。

【0089】

加熱時間は、好ましくは０．１時間以上、より好ましくは０．２時間以上である。加熱時間は、好ましくは２４時間以下、より好ましくは３時間以下、さらに好ましくは１時間以下、特に好ましくは３０分以下である。

【0090】

図６に示すように、半導体チップ４１の電極パッドと被着体６の端子部をボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。ボンディングワイヤー７の材料としては、銅などが挙げられる。

【0091】

ワイヤーボンディング工程は、ボンディングワイヤー７の一端と半導体チップ４１の電極パッドを接合するステップ、ボンディングワイヤー７の他端と被着体６の端子部を接合するステップなどを含む。

【0092】

ワイヤーボンディング工程を行った後、封止樹脂８により半導体チップ４１を封止する封止工程を行う。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ４１やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、たとえばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、好ましくは１６５℃以上、より好ましくは１７０℃以上であり、加熱温度は、好ましくは１８５℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。

【0093】

必要に応じて、封止後にさらに加熱をしてもよい（後硬化工程）。これにより、封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化できる。加熱温度は適宜設定できる。

【0094】

以上の方法により得られた半導体装置は、被着体６、被着体６上に配置された接着層および接着層上に配置された半導体チップ４１を含む。接着層は、フィルム状接着剤１１１が硬化することにより形成される。半導体装置は、半導体チップ４１を覆う封止樹脂８をさらに含む。

【0095】

以上のとおり、半導体装置の製造方法は、ダイシングダイボンドフィルム１を準備する工程と、ダイシングシート一体型接着フィルム７１の接着フィルム１１に半導体ウエハ４を圧着する工程と、接着フィルム１１に半導体ウエハ４を圧着する工程の後に、ダイ分割をなすことによりダイボンド用チップ５を形成する工程と、ダイボンド用チップ５を被着体６に圧着する工程とを含む。半導体装置の製造方法は、ダイボンド用チップ５を被着体６に圧着する工程の後に、ボンディングワイヤー７の一端と半導体チップ４１の電極パッドを接合するステップ、ボンディングワイヤー７の他端と被着体６の端子部を接合するステップを含む工程をさらに含む。半導体装置の製造方法は、封止樹脂８で半導体チップ４１を封止する工程をさらに含む。

【0096】

接着フィルム１１に半導体ウエハ４を圧着する工程は、カバーフィルム１３からダイシングシート一体型接着フィルム７１を剥離するステップを含む。

【0097】

（変形例１）
粘着剤層１２２の接触部１２２Ａは放射線により硬化する性質を有する。粘着剤層１２２の周辺部１２２Ｂも放射線により硬化する性質を有する。半導体装置の製造方法において、ダイボンド用チップ５を形成し、粘着剤層１２２に紫外線を照射し、ダイボンド用チップ５をピックアップする。これにより、粘着剤層１２２のダイボンド用チップ５に対する粘着力が低下するので、ダイボンド用チップ５を容易にピックアップできる。

【0098】

（変形例２）
粘着剤層１２２の接触部１２２Ａは放射線により硬化されている。粘着剤層１２２の周辺部１２２Ｂも放射線により硬化されている。

【0099】

（変形例３）
接着フィルム１１は、第１層および第１層上配置された第２層を含む複層形状をなす。

【0100】

（変形例４）
図７に示すように、ダイシングシート１２における粘着面の全体が、接着フィルム１１と接する。粘着剤層１２２は、放射線により硬化する性質を有することが好ましい。半導体装置の製造方法において、ダイボンド用チップ５を形成し、粘着剤層１２２に紫外線を照射し、ダイボンド用チップ５をピックアップする。これにより、粘着剤層１２２のダイボンド用チップ５に対する粘着力が低下するので、ダイボンド用チップ５を容易にピックアップできる。

【0101】

（変形例５）
基材層１２１は単層形状をなす。

【0102】

（変形例６）
ダイボンド用チップ５を形成する工程が、エキスパンドによりダイシングシート一体型接着フィルム７１上に配置された半導体ウエハ４を分割する段階を含む。たとえば、ダイボンド用チップ５を形成する工程が、ダイシングシート一体型接着フィルム７１上に配置された半導体ウエハ４にレーザー光を照射することにより、半導体ウエハ４の内部に脆弱層を形成するステップを含む。このとき、ダイボンド用チップ５を形成する工程は、脆弱層を形成するステップの後にエキスパンドをなすステップをさらに含む。エキスパンドにより接着フィルム１１および半導体ウエハ４を同時に分割する。

【0103】

（変形例７）
図８に示すように、半導体装置の製造方法は、接着フィルム１１に半導体ウエハ４を圧着する工程と、接着フィルム１１に半導体ウエハ４を圧着する工程の後に、ダイ分割をなすことによりダイボンド用チップ５を形成する工程と、ダイボンド用チップ５を被着体６１に圧着する工程とを含む。具体的は、ダイボンド用チップ５を被着体６１に圧着する工程は、ダイボンド用チップ５を被着体６１の半導体チップ６４１に圧着する工程である。被着体６１は、基板６０６、半導体チップ６４１および半導体チップ６４１と基板６０６を接続するボンディングワイヤー６０７を含む。より具体的には、被着体６１は、基板６０６、基板６０６上に配置された接着層６１１、接着層６１１上に配置された半導体チップ６４１および半導体チップ６４１と基板６０６を接続するボンディングワイヤー６０７を含む。ボンディングワイヤー６０７は、フィルム状接着剤１１１に埋まった部分を有する。

【0104】

（変形例８）
図９に示すように、ダイボンド用チップ５を被着体６１に圧着する工程は、ダイボンド用チップ５を被着体６１の基板６０６に圧着する工程である。ボンディングワイヤー６０７は、フィルム状接着剤１１１に埋まった両端を含む。

【0105】

（その他の変形例）
変形例１〜変形例８などは、任意に組み合わせることができる。

【実施例】

【0106】

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。

【0107】

［１．ダイシングシート一体型接着フィルムの作製］
ダイシングシート一体型接着フィルムＡ〜Ｅを作製した。図１０に示すように、ダイシングシート一体型接着フィルムＡ〜Ｅは、ダイシングシート９およびダイシングシート９上に配置された接着フィルム３を有する。ダイシングシート９は、基材９１および基材９１上に配置された粘着剤層９２を有する。基材９１は、第１基材９１１および第１基材９１１上に配置された第２基材９１２を有する。第２基材９１２は、第２面９１２ｂを有する。接着フィルムＡは、第２主面３ｂを有する。

【0108】

（１）接着フィルムの作製
接着フィルムを作製するために使用した成分について説明する。
アクリル樹脂：ナガセケムテックス社製のテイサンレジンＷＳ０２３−ＥＫ３０（ヒドロキシル基およびカルボキシ基を有するアクリル酸エステル共重合体、Ｍｗ：５０万、ガラス転移温度：−１０℃）
エポキシ樹脂１：三菱化学社製のｊＥＲ１００１（固形エポキシ樹脂、エポキシ当量４５０ｇ／ｅｑ．〜５００ｇ／ｅｑ．）
エポキシ樹脂２：三菱化学社製のｊＥＲ８２８（液状エポキシ樹脂、エポキシ当量１８０ｇ／ｅｑ．）
フェノール樹脂１：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１（フェノール樹脂、水酸基当量２０１〜２２０ｇ／ｅｑ．）
球状シリカ：アドマテックス社製のＳＯ−２５Ｒ（平均粒径０．５μｍの球状シリカ）
導電性高分子：綜研化学社製のＷＥＤ−Ｓ

【0109】

表１に記載の配合比に従い、各成分をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度２０重量％の接着剤組成物溶液を調製した。厚み５０μｍのセパレータ（シリコーン離型処理したＰＥＴフィルム）上に接着剤組成物溶液を塗布し、１３０℃のオーブンで２分間乾燥し、厚み２０μｍの接着フィルムＡ〜Ｃを作製した。

【0110】

【表1】

【0111】

（２）粘着剤層の作製
次に、冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」という。）１００部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」という。）１０部、過酸化ベンゾイル０．３部およびトルエン８０部を入れ、窒素気流中で６０℃にて８時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。このアクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」という。）５部を加え、空気気流中で５０℃にて５０時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。

【0112】

次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）５部、および光重合開始剤（商品名「イルガキュア１８４」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤溶液を作製した。粘着剤溶液を、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ３０μｍの粘着剤層を形成した。

【0113】

（３）実施例１におけるダイシングシート一体型接着フィルムＡの作製
第１基材９１１は、厚み５０μｍのポリプロピレン製の基材である。第２基材９１２は、ポリエチレン１００重量部に対して、綜研化学社製のＷＥＤ−Ｓを２０重量部含有する基材である。第２基材９１２の厚みは３０μｍである。

【0114】

粘着剤層と第１基材９１１を貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存した。紫外線照射装置（日東精機製のＵＭ−８１０）を用いて、基材９１越しに「粘着剤層における半導体ウエハが搭載される領域」に５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射することにより、ダイシングシート９を形成した。

【0115】

ハンドローラーを用いて、接着フィルムＡとダイシングシート９を貼り合わせることにより、ダイシングシート一体型接着フィルムＡを作製した。

【0116】

（４）実施例２におけるダイシングシート一体型接着フィルムＢの作製
第１基材９１１は、厚み８０μｍのポリプロピレン製の基材である。第２基材９１２は、エチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量部に対して、Ｔ＆Ｋ ＴＯＫＡ社製のＰＡ−２００（導電性高分子）を２０重量部含有する基材である。第２基材９１２の厚みは１０μｍである。

【0117】

粘着剤層と第１基材９１１を貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存した。紫外線照射装置（日東精機製のＵＭ−８１０）を用いて、基材９１越しに「粘着剤層における半導体ウエハが搭載される領域」に５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射することにより、ダイシングシート９を形成した。

【0118】

ハンドローラーを用いて、接着フィルムＢとダイシングシート９を貼り合わせることにより、ダイシングシート一体型接着フィルムＢを作製した。

【0119】

（５）実施例３におけるダイシングシート一体型接着フィルムＣの作製

【0120】

第１基材９１１は、厚み５０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体製の基材である。第２基材９１２は、ポリエチレン１００重量部に対して、Ｔ＆Ｋ ＴＯＫＡ社製のＰＡ−２００を３０重量部含有する基材である。第２基材９１２の厚みは３０μｍである。

【0121】

粘着剤層と第１基材９１１を貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存した。紫外線照射装置（日東精機製のＵＭ−８１０）を用いて、基材９１越しに「粘着剤層における半導体ウエハが搭載される領域」に５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射することにより、ダイシングシート９を形成した。

【0122】

ハンドローラーを用いて、接着フィルムＡとダイシングシート９を貼り合わせることにより、ダイシングシート一体型接着フィルムＣを作製した。

【0123】

（６）比較例１におけるダイシングシート一体型接着フィルムＤの作製
第１基材９１１は、厚み５０μｍのポリプロピレン製の基材である。第２基材９１２は、厚みは３０μｍのポリエチレン製の基材である。

【0124】

粘着剤層と第１基材９１１を貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存した。紫外線照射装置（日東精機製のＵＭ−８１０）を用いて、基材９１越しに「粘着剤層における半導体ウエハが搭載される領域」に５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射することにより、ダイシングシート９を形成した。

【0125】

ハンドローラーを用いて、接着フィルムＣとダイシングシート９を貼り合わせることにより、ダイシングシート一体型接着フィルムＤを作製した。

【0126】

（７）比較例２におけるダイシングシート一体型接着フィルムＥの作製
第１基材９１１は、ポリエチレン１００重量部に対して、綜研化学社製のＷＥＤ−Ｓを２０重量部含有する基材である。第１基材９１１の厚みは５０μｍである。第２基材９１２は、厚み３０μｍのポリプロピレン製の基材である。

【0127】

粘着剤層と第１基材９１１を貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存した。紫外線照射装置（日東精機製のＵＭ−８１０）を用いて、基材９１越しに「粘着剤層における半導体ウエハが搭載される領域」に５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射することにより、ダイシングシート９を形成した。

【0128】

ハンドローラーを用いて、接着フィルムＡとダイシングシート９を貼り合わせることにより、ダイシングシート一体型接着フィルムＥを作製した。

【0129】

［２．評価］
ダイシングシート一体型接着フィルムＡ〜Ｅについて、以下の評価を行った。結果を表２に示す。

【0130】

（１）第２面９１２ｂの表面抵抗値
アドバンテスト社製ハイメグオームメーターＴＲ−８６０１の超高抵抗測定用試料箱ＴＲ−４２を用いた。２３±２℃、５０±５％雰囲気下にダイシングシート一体型接着フィルムを２時間静置した後、同環境下で第２面９１２ｂに印加電圧５００Ｖを加え、印加開始から１分後の数値を読み取った。印加電圧を表面電流で割った数値から、表面抵抗値を求めた。

【0131】

（２）破断伸度
ダイシングシート９から初期長さ１２０ｍｍ、幅１０ｍｍの短冊状のサンプルを切り出し、チャック間距離５０ｍｍ、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引張試験を行うことにより、サンプルの伸びの変化量（ｍｍ）を測定した。引張試験器として島津社製のオートグラフＡＧ−ＩＳ、ロードセルとして島津社製のＰＦＧ−５０ＮＡを用いた。

【0132】

（３）カバーフィルム剥離試験
カバーフィルムにダイシングシート一体型接着フィルムを２００枚貼りつけ、ロール状に巻き、ウエハマウント装置ＭＡ−３０００ＩＩＩ（日東精機製）を用いてウエハ貼り合せ試験を行った。ダイシングシート一体型接着フィルム１０枚からカバーフィルムを剥離し、ダイシングシート一体型接着フィルム１０枚全てにおいてカバーフィルムを剥離できた場合を○と判定し、１枚以上剥離できなかった場合を×と判定した。

【0133】

（４）ダイシング後の飛散状況
ダイシングシート一体型接着フィルムに１２インチ、５００μｍ厚のミラーウエハをウエハマウント装置（ＭＡ−３０００ＩＩＩ、日東精機製）にて６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃの速度で貼り合せした。その後、ダイシング装置（ＤＦＤ６３６１、ディスコ製）にて１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングを行った（シングルカット、ブレード高さ９０μｍ、速度５０ｍｍ／ｓｅｃ）。チップ上に導電性成分が付着しているかどうかをＳＥＭにて分析した。導電性成分がチップ上に付着していなかった場合を○と判定し、導電性成分がチップ上に付着していた場合を×と判定した。

【0134】

（５）第２主面３ｂの表面抵抗値
アドバンテスト社製ハイメグオームメーターＴＲ−８６０１の超高抵抗測定用試料箱ＴＲ−４２を用いた。２３±２℃、５０±５％雰囲気下にダイシングシート一体型接着フィルムを２時間静置した後、同環境下で第２主面３ｂに印加電圧５００Ｖを加え、印加開始から１分後の数値を読み取った。印加電圧を表面電流で割った数値から、表面抵抗値を求めた。

【0135】

（６）タック強度
直径５．０ｍｍのプローブを、２５℃、加圧条件１００ｇｆ、加圧時間１秒で接着フィルムに押し付け、テストスピード１２０ｍｍ／ｍｉｎでプローブが接着フィルムから離れるときの荷重を測定した。

【0136】

【表2】

【符号の説明】

【0137】

１ ダイシングダイボンドフィルム
１１ 接着フィルム
１１ａ 第１主面
１１ｂ 第２主面
１２ ダイシングシート
１３ カバーフィルム
７１ ダイシングシート一体型接着フィルム
１２１ 基材層
１２１ａ 第１面
１２１ｂ 第２面
１２１１ 第１基材層
１２１２ 第２基材層
１２２ 粘着剤層
１２２Ａ 接触部
１２２Ｂ 周辺部

【0138】

４ 半導体ウエハ
５ ダイボンド用チップ
４１ 半導体チップ
１１１ フィルム状接着剤
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂

【0139】

６１ 被着体
６０６ 基板
６０７ ボンディングワイヤー
６１１ 接着層
６４１ 半導体チップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】