特許6561367ｎｐｎ型窒化物半導体発光素子の製造方法

発明の名称　ｎｐｎ型窒化物半導体発光素子の製造方法

出願人　学校法人　名城大学　（識別番号 599002043）

　　　　特許公開件数ランキング 563 位（13件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1475 位（6件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6561367

公報発行日　2019年8月21

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6561367

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