発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

超伝導トランスに超伝導シールドを設ける構成は、断熱型量子磁束パラメトロン回路内の不要な浮遊的磁気結合を抑制することができるものの、超伝導シールドによって一次側インダクタンスと二次側インダクタンスとの間の結合係数を小さくして磁気結合を低減させる。この磁気結合の低下は、断熱型量子磁束パラメトロン回路の出力レベルの低下を招くため、断熱型量子磁束パラメトロン回路の論理動作が不安定となって動作余裕度が低下したり、十分な出力レベルが得られないことから配線長を長くすることができないといった問題がある。 そこで、本願発明は前記した従来の問題点を解決し、超伝導トランスの一次側インダクタンスと二次側インダクタンスとの間の結合係数を低下させることなく、断熱型量子磁束パラメトロン回路内の不要な浮遊的磁気結合による影響を抑制することを目的とする。 また、断熱型量子磁束パラメトロン回路内の不要な磁気結合を抑制し、安定した論理動作に十分な出力レベルとして、断熱型量子磁束パラメトロン回路の動作余裕度の低下や配線長の制限を低減することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

以上説明したように、本願発明の断熱型量子磁束パラメトロン回路によれば、超伝導トランスの一次側インダクタンスと二次側インダクタンスとの間の結合係数を低下させることなく、断熱型量子磁束パラメトロン回路内の不要な浮遊的磁気結合による影響を抑制することができる。 また、断熱型量子磁束パラメトロン回路内の不要な磁気結合を抑制し、安定した論理動作に十分な出力レベルとして、断熱型量子磁束パラメトロン回路の動作余裕度の低下や配線長の制限を低減することができる。