特許 6563696 半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6563696

(24)【登録日】2019年8月2日

(45)【発行日】2019年8月21日

(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20190808BHJP

   H01L 21/301 20060101ALN20190808BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/12 501P

   !H01L21/78 Q

【請求項の数】5

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2015-112571(P2015-112571)

(22)【出願日】2015年6月2日

(65)【公開番号】特開2016-225549(P2016-225549A)

(43)【公開日】2016年12月28日

【審査請求日】2018年5月25日

(73)【特許権者】

【識別番号】390019839

【氏名又は名称】三星電子株式会社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

(74)【代理人】

【識別番号】110000051

【氏名又は名称】特許業務法人共生国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】本間 恭子

(72)【発明者】

【氏名】樋口 和人

(72)【発明者】

【氏名】下川 一生

(72)【発明者】

【氏名】小林 竜也

(72)【発明者】

【氏名】遠藤 光芳

【審査官】 秋山 直人

(56)【参考文献】

【文献】 米国特許出願公開第２００８／０１２２１１９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００６−２４５２１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−１１８１２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２０３８８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−３２４１４２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１シートの表面に貼り付けられ、それぞれが半導体素子を含む複数のチップ上に第２シートを貼着する工程と、
前記複数のチップのうちの第１群であって、第１シート上の第１方向および第２方向のそれぞれにおいて所定の規則性を持って選択された第１群と、前記第２シートと、の間の接着力を低下させる工程と、
前記複数のチップのうちの前記第１群を除いた第２群と、前記第１シートと、の間の接着力を低下させる工程と、
前記複数のチップを、前記第１シート上に貼り付けられた前記第１群と、前記第２シート上に貼り付けられた前記第２群と、に分離する工程と、
を備え、
前記複数のチップを分離する工程において、前記第１シートの前記複数のチップとは反対側に第１支持部材を配置し、
前記第２シートの前記複数のチップとは反対側に第２支持部材を配置し、
前記第１群のうちの第１チップとは反対側の前記第１シートの表面に前記第１支持部材を接触させ、前記第２シートの前記第１チップとは反対側の表面から前記第２支持部材を離間させて、前記第１チップを前記第２シートから分離し、
前記第２群のうちの第２チップとは反対側の前記第２シートの表面に前記第２支持部材を接触させ、前記第１シートの前記第２チップとは反対側の表面から前記第１支持部材を離間させて、前記第２チップを前記第１シートから分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項2】

前記第１群は、前記第１方向に連続して選択され、前記第２方向において少なくとも１チップ置きに選択されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項3】

前記第２シートを前記第１群のチップから前記第２方向に剥離することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項4】

前記第１シートおよび前記第２シートは、前記複数のチップに接する表面に粘着層を有し、
前記粘着層に光照射することにより、前記複数のチップのそれぞれと、前記第１シートもしくは前記第２シートと、の間の接着力を低下させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項5】

第１シートの表面に貼り付けられ、それぞれが半導体素子を含む複数のチップ上に第２シートを貼着する工程と、
前記複数のチップのうちの第１群であって、第１シート上の第１方向および第２方向のそれぞれにおいて所定の規則性を持って選択された第１群と、前記第２シートと、の間の接着力を低下させる工程と、
前記複数のチップのうちの前記第１群を除いた第２群と、前記第１シートと、の間の接着力を低下させる工程と、
前記複数のチップを、前記第１シート上に貼り付けられた前記第１群と、前記第２シート上に貼り付けられた前記第２群と、に分離する工程と、
を備え、
前記第１シートおよび前記第２シートは、前記複数のチップに接する表面に粘着層を有し、
前記粘着層に光照射することにより、前記複数のチップのそれぞれと、前記第１シートもしくは前記第２シートと、の間の接着力を低下させ、
前記第１群の第１チップと、それに隣接する前記第２群の第２チップと、において、前記第１チップから前記第２チップに向かう方向に前記光照射の領域をシフトさせ、前記第１チップの前記第２チップ側の端部と、前記第２チップの一部に光照射し、
前記複数のチップを分離させる工程において、前記第２チップから前記第１チップに向かう方向に前記第１チップから前記第２シートを剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の１つの形態として、ウェーハレベルパッケージ（Wafer Level Package：ＷＬＰ）に半導体チップが封じられた半導体装置がある。このような半導体装置の製造過程では、ウェーハから切り出した半導体チップを再配列させた後に、パッケージとなる樹脂に封じる。しかしながら、チップ数が多くなると、再配列に要する時間が長くなる。そこで、半導体チップの再配列を短時間で実施できる技術が必要とされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第０３／０１０８２５号パンフレット

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

実施形態は、半導体チップを短時間で再配列させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１シートの表面に貼り付けられ、それぞれが半導体素子を含む複数のチップ上に第２シートを貼着する工程と、前記複数のチップのうちの第１群であって、第１シート上の第１方向および第２方向のそれぞれにおいて、所定の規則性を持って選択された第１群と、前記第２シートと、の間の接着力を低下させる工程と、前記複数のチップのうちの前記第１群を除いた第２群と、前記第１シートと、の間の接着力を低下させる工程と、前記複数のチップを、前記第１シート上に貼り付けられた前記第１群と、前記第２シート上に貼り付けられた前記第２群と、に分離する工程と、を備え、前記複数のチップを分離する工程において、前記第１シートの前記複数のチップとは反対側に第１支持部材を配置し、前記第２シートの前記複数のチップとは反対側に第２支持部材を配置し、前記第１群のうちの第１チップとは反対側の前記第１シートの表面に前記第１支持部材を接触させ、前記第２シートの前記第１チップとは反対側の表面から前記第２支持部材を離間させて、前記第１チップを前記第２シートから分離し、前記第２群のうちの第２チップとは反対側の前記第２シートの表面に前記第２支持部材を接触させ、前記第１シートの前記第２チップとは反対側の表面から前記第１支持部材を離間させて、前記第２チップを前記第１シートから分離することを特徴とする。
また、実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１シートの表面に貼り付けられ、それぞれが半導体素子を含む複数のチップ上に第２シートを貼着する工程と、前記複数のチップのうちの第１群であって、第１シート上の第１方向および第２方向のそれぞれにおいて所定の規則性を持って選択された第１群と、前記第２シートと、の間の接着力を低下させる工程と、前記複数のチップのうちの前記第１群を除いた第２群と、前記第１シートと、の間の接着力を低下させる工程と、前記複数のチップを、前記第１シート上に貼り付けられた前記第１群と、前記第２シート上に貼り付けられた前記第２群と、に分離する工程と、を備え、前記第１シートおよび前記第２シートは、前記複数のチップに接する表面に粘着層を有し、前記粘着層に光照射することにより、前記複数のチップのそれぞれと、前記第１シートもしくは前記第２シートと、の間の接着力を低下させ、前記第１群の第１チップと、それに隣接する前記第２群の第２チップと、において、前記第１チップから前記第２チップに向かう方向に前記光照射の領域をシフトさせ、前記第１チップの前記第２チップ側の端部と、前記第２チップの一部に光照射し、前記複数のチップを分離させる工程において、前記第２チップから前記第１チップに向かう方向に前記第１チップから前記第２シートを剥離することを特徴とする。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。

【図2】実施形態に係る半導体装置の製造過程を示す模式断面図である。

【図3】図２に続く製造過程を示す模式断面図である。

【図4】図３に続く製造過程を示す模式断面図である。

【図5】実施形態に係るチップ配列方法を示す模式図である。

【図6】実施形態の変形例に係るチップ配列を示す模式図である。

【図7】実施形態に係るチップ配列の過程を示す模式図である。

【図8】実施形態の変形例に係るチップ配列の過程を示す模式図である。

【図9】実施形態の変形例に係るチップ配列方法を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。

【0008】

さらに、各図中に示すＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に直交し、それぞれＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を表す。また、Ｚ方向を上方、その反対方向を下方として説明する場合がある。

【0009】

図１は、実施形態に係る半導体装置１を例示する模式断面図である。半導体装置１は、チップ１０と、樹脂２０と、樹脂層２３と、を備える。チップ１０は、例えば、半導体素子を含む。チップ１０は、例えば、ロジック回路を含むシリコンチップである。

【0010】

樹脂２０は、チップ１０の上面および側面を覆う。樹脂２０は、例えば、エポキシ樹脂である。樹脂層２３は、チップ１０の下面を覆う。樹脂層２３は、例えば、エポキシ樹脂である。

【0011】

図１に示すように、チップ１０は、樹脂２０および樹脂層２３の内部に封じられる。チップ１０の下面側には、配線２７と、ソルダーバンプ２９と、が設けられる。また、樹脂層２３の下面側は、ソルダーレジスト２５に覆われる。配線２７は、樹脂層２３を貫通してチップ１０に電気的に接続される。ソルダーバンプ２９は、配線２７上に設けられ、例えば、半導体装置１を実装基板上の配線パッドに接続する。

【0012】

次に、図２（ａ）〜図４（ｃ）を参照して、半導体装置１の製造方法を説明する。図２（ａ）〜図４（ｃ）は、半導体装置１の製造過程を順に示す模式断面図である。

【0013】

例えば、ウェーハプロセスを終了したシリコンウェーハ（図示しない）にダイシングシート３１を貼り付ける。シリコンウェーハには、ウェーハプロセスを通して複数の半導体素子が形成される。続いて、シリコンウェーハをダイシングし、複数のチップ１０に分割する。

【0014】

図２（ａ）に示すように、ダイシングシート３１上に並んだ複数のチップ１０に第１シート４１を貼り付ける。第１シート４１は、基材４１ａと、接着層４１ｂと、を含む。第１シート４１は、チップ１０の第１面１０ｆに接着層４１ｂを向けて貼り付けられる。接着層４１ｂは、例えば、紫外光の照射によりその接着力が低下する材料を含む。

【0015】

図２（ｂ）に示すように、チップ１０の第２面１０ｇに貼り付いたダイシングシート３１を分離する。ダイシングシート３１は、例えば、紫外光照射により剥離可能な粘着シートである。

【0016】

図２（ｃ）に示すように、チップ１０の第２面１０ｇ上に第２シート４３を貼り付ける。第２シート４１は、基材４３ａと、接着層４３ｂと、を含む。第２シート４３は、チップ１０の第２面１０ｇに接着層４３ｂを向けて貼り付けられる。接着層４３ｂは、例えば、紫外光の照射によりその接着力が低下する材料を含む。

【0017】

図３（ａ）に示すように、第１シート４１と第２シート４３との間に配置された複数のチップ１０のうちの第１群のチップ１０ａに接する接着層４３ｂに紫外光を照射し、その接着力を低下させる。

【0018】

例えば、マスク５０を用いて、接着層４３ｂの第１群のチップ１０ａに接する部分に選択的に紫外光を照射する。マスク５０は、遮蔽部５１と、透過部５３と、を有している。第１群のチップ１０ａに透過部５３を位置合わせし、紫外光を照射する。この時、第２群のチップ１０ｂは遮蔽部５１の下に位置するため、接着層４３ｂのうちのチップ１０ｂに接する部分には紫外光が照射されず、その接着力は保持される。第２群のチップ１０ｂは、複数のチップ１０から第１群のチップ１０ａを除いた残りのチップである。

【0019】

続いて、第２群のチップ１０ｂに接する接着層４１ｂに紫外光を照射し、その接着力を低下させる。例えば、マスク６０を用いて、接着層４１ｂの第２群のチップ１０ｂに接する部分に選択的に紫外光を照射する。マスク６０は、遮蔽部６１と、透過部６３と、を有する。第２群のチップ１０ｂに透過部６３を位置合わせし、紫外光を照射する。この時、第１群のチップ１０ａは遮蔽部６１の下に位置するため、接着層４１ｂのうちのチップ１０ａに接する部分には紫外光が照射されず、その接着力は保持される。

【0020】

図３（ｂ）に示すように、第１群のチップ１０ａから第２シート４３を分離し、第２群のチップ１０ｂから第１シート４１を分離する。これにより、第１シート４１の上には、第１群のチップ１０ａが残る。第２シート４３の上には、第２群のチップ１０ｂが移載される。第１シート４１上のチップ１０ａは、その第２面１０ｇを上に向けて配置される。第２シート４３上のチップ１０ｂは、その第１面１０ｆを上に向けて配置される。

【0021】

図３（ｃ）に示すように、第１シート４１および第１群のチップ１０ａを覆う樹脂２０を形成する。例えば、第１シート４１上に熱硬化型のエポキシ樹脂をモールド成形する。第１シート４１には、樹脂２０を形成する過程の熱処理により変形しない材料を用いることが望ましい。

【0022】

一方、第２シート４３上の第２群のチップ１０ｂは、第１面１０ｆを上に向けて配置される。このため、第２群のチップ１０ｂは、例えば、第２シート４３から別のシートに移載され、第２面１０ｇを上に向けた後に、樹脂モールドされる。

【0023】

図４（ａ）に示すように、第１群のチップ１０ａおよび樹脂２０から第１シート４１を分離する。例えば、第１シート４１の全面に紫外光を照射し、接着層４１ｂの接着力を低下させた後、第１シート４１を剥離する。樹脂２０の表面２０ａには、チップ１０ａの第１面１０ｆが露出する。

【0024】

図４（ｂ）に示すように、樹脂２０の表面２０ａを覆う樹脂層２３を形成する。さらに、樹脂層２３の上に配線２７を形成する。配線２７は、樹脂層２３を貫通してチップ１０ａにコンタクトする部分２７ａを有する。続いて、樹脂層２３を覆うソルダーレジスト２５を形成する。その後、配線２７の上にソルダーバンプ２９を形成する。

【0025】

図４（ｃ）に示すように、隣り合うチップ１０ａ間で樹脂２０を切断し、半導体装置１を完成する。樹脂２０は、例えば、ダイシングブレードを用いて切断される。

【0026】

図５は、実施形態に係るチップ配列方法を示す模式図である。図５中の５Ａ〜５Ｇは、それぞれチップ１０の配列を示す模式図である。以下の説明では、チップ１０ａおよび１０ｂをそれぞれ区別して説明する場合と、両者を総称してチップ１０と説明する場合がある。

【0027】

５Ａは、ダイシングシート３１から第１シート４１に移載された複数のチップ１０の配列を示している。チップ１０は、その第２面１０ｇを上に向けて配置されている。

【0028】

次に、第１シート４１上の複数のチップ１０から、例えば、第１群のチップ１０ａを選択し、選択されなかった第２群のチップ１０ｂを第２シート４３に移載する（図２（ｃ）〜図３（ｂ）を参照）。５Ｂに示すように、第１群のチップ１０ａは、Ｙ方向（第１方向）に連続して選択され、Ｘ方向には１チップ置きに選択される。一方、５Ｃに示すように、第２群のチップ１０ｂも、第２シート４３上において、Ｙ方向に連続して並び、Ｘ方向に１チップ分の間隔を置いて並ぶ。第２シート４３上において、チップ１０ｂは、その第１面１０ｆを上にして配置される。

【0029】

次に、５Ｄおよび５Ｅに示すように、第１シート４１上の第１群のチップ１０ａから第３群のチップ１０ｃを選択し、第３シート４５上に移載する。この手順は、図２（ｃ）〜図３（ｂ）に示す過程と同じである。第３群のチップ１０ｃは、第１群のチップ１０ａからＹ方向おいて１チップ置き、Ｘ方向において連続して選択される。

【0030】

５Ｄに示すように、第１群のチップ１０ａは、Ｘ方向およびＹ方向に１チップ分のスペースを置いて並ぶ。５Ｅに示すように、第３群のチップ１０ｃも、Ｘ方向およびＹ方向に１チップ分のスペースを置いて第３シート４５上に並ぶ。第３群のチップ１０は、その第１面１０ｆを上にして配置される。

【0031】

また、５Ｆおよび５Ｇに示すように、第２シート４３上の第２群のチップ１０ｂから第４群のチップ１０ｄを選択し、第４シート４７上に移載する。この手順は、図２（ｃ）〜図３（ｂ）に示す過程と同じである。第４群のチップ１０ｄは、第２群のチップ１０ｂからＹ方向おいて１チップ置き、Ｘ方向において連続して選択される。

【0032】

５Ｆに示すように、第２群のチップ１０ｂは、Ｘ方向およびＹ方向に１チップ分のスペースを置いて並ぶ。５Ｇに示すように、第４群のチップ１０ｄも、Ｘ方向およびＹ方向に１チップ分のスペースを置いて第４シート４７上に並ぶ。第４群のチップ１０は、その第２面１０ｇを上にして配置される。

【0033】

このように本実施形態では、ウェーハをダイシングした直後の複数のチップ１０からＸ方向およびＹ方向に所定の規則性を持って第１群〜第４群のチップを選択し、それぞれを別のシートに一括して移載する。これにより、Ｘ方向およびＹ方向に１チップ分のスペースを置いた並びに再配列することができる。このようなチップの移載方法を用いることにより、個々のチップを個別に移載する場合に比べて、再配列の時間を大幅に短縮することができる。

【0034】

また、第１群のチップ１０ａおよび第２群のチップ１０ｂを各シートから分離する際に、第１シート４１および第２シート４３をＸ方向に剥離することが好ましい。この例では、Ｙ方向に並んだチップ１０において、第１シート４１から分離されるものと、第２シート４３から分離されるものと、が混在することはないので、第１シート４１に第２群のチップ１０ｂが残る確率、および、第２シート４３に第１群のチップ１０ａが残る確率を大幅に低減できる。

【0035】

図１に示す半導体装置１を製造する過程では、チップ１０は、第２面１０ｇを上に向けて配置される。したがって、５Ｅおよび５Ｆに示すように、第１面１０ｆを上に向けて配置された第２群のチップ１０ｂおよび第３群のチップ１０ｃでは、さらに別のシートをその上に貼り付けて、再度の移載を行うことが望ましい。

【0036】

なお、実施形態は、図５に示す例に限定される訳ではない。例えば、図６（ａ）および（ｂ）に、実施形態の変形例に係るチップ配列を例示する。

【0037】

図６（ａ）に示すように、Ｘ方向およびＹ方向において、それぞれ２チップ分のスペースを置いてチップ１０を並べても良い。この場合、例えば、第１群を、Ｘ方向に２チップ置き、および、Ｙ方向に連続した規則性を持って選択し、さらに、第１群をＹ方向に２チップ置きに選択する。図６（ａ）に示す配列は、例えば、チップ１０の幅に対してダイシングラインの幅が広い場合に有利である。

【0038】

また、図６（ｂ）に示すように、Ｘ方向に２チップ分のスペースを置き、Ｙ方向に１チップ分のスペースを置いてチップ１０を並べても良い。この場合、例えば、第１群を、Ｘ方向に２チップ置き、および、Ｙ方向に連続した規則性を持って選択し、さらに、第１群をＹ方向に１チップ置きに選択する。図６（ｂ）に示す配列は、例えば、配線２７（図１参照）がＸ方向に長く延在する場合に有利である。

【0039】

図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施形態に係るチップ配列の過程を示す模式図である。図７（ａ）および図７（ｂ）は、第１群のチップ１０ａを第２シート４３から分離し、第２群のチップ１０ｂを第１シート４１から分離する過程を示している。

【0040】

図７（ａ）に示すように、Ｘ方向に並んだチップ１０ａおよび１０ｂの一方の端に位置する、例えば、チップ１０ｂから順に分離される。この際、第１シート４１もしくは第２シート４３から分離されるチップ１０の第１面１０ｆ側および第２面１０ｇ側には、支持部材７１および７３が配置される。支持部材７１は、第１シート４１のチップ１０とは反対側の表面に接する。支持部材７３は、第２シート４３のチップ１０とは反対側の表面に接する。

【0041】

例えば、図７（ａ）に示すように、Ｘ方向のチップの並びの端に位置する第２群のチップ１０ｂ１を第１シート４１から分離する場合、第１シート４１には、下方に向かう張力が加えられ、第２シート４３には上方に向かう張力が加えられる。

【0042】

支持部材７３は、第２シート４３のチップ１０ｂ１とは反対側に位置する表面に接するように配置される。これにより、第２シート４３の張力を緩和し、チップ１０ｂ１の第２シート４３からの分離を防ぐことができる。

【0043】

一方、支持部材７１は、第１シート４１のチップ１０ｂ１に接する部分から離間した位置に配置される。したがって、第１シート４１に加えられる張力は、チップ１０ｂ１から第１シート４１を剥がすように働き、第１シート４１からチップ１０ｂ１が分離される。この際、支持部材７１は、−Ｘ方向においてチップ１０ｂ１に隣接する第１群のチップ１０ａ１を第１シート４１を介して支持する位置にあることが望ましい。すなわち、支持部材７１は、第１シート４１のチップ１０ａ１とは反対側の表面に接するように配置することが好ましい。これにより、チップ１０ｂ１に続いてチップ１０ａ１が第１シート４１から分離することを回避することができる。

【0044】

次に、図７（ｂ）に示すように、チップ１０ａ１を第２シート４３から分離する。この場合、支持部材７１は、第１シート４１を介してチップ１０ａ１を支持する位置に配置される。すなわち、支持部材７１は、第１シート４１のチップ１０ａ１とは反対側の表面に接する。これにより、第１シート４１の張力を緩和し、チップ１０ａ１の第１シート４１からの分離を防ぐことができる。一方、支持部材７１は、第２シート４３のチップ１０ａ１に接する部分から離間した位置に配置される。支持部材７３は、−Ｘ方向においてチップ１０ａ１に隣接する第２群のチップ１０ｂ２を第２シート４３を介して支持する位置にあることが望ましい。これにより、チップ１０ａ１を第２シート４３から分離し、且つ、チップ１０ｂ２が連続して第２シート４３から分離されることを防ぐことができる。

【0045】

このように、支持部材７１および７３を配置することにより、例えば、第１群のチップ１０ａが第２シート４３に誤って移載される確率、および、第２群のチップ１０ｂが第１シート４１に誤って残る確率を低減できる。これにより、例えば、第１シート４１上に誤って残された第２群のチップ１０ｂ、および、第２シート４３上に誤って移載された第１群のチップ１０ａを取り除く工程を省くことが可能となり、製造効率を向上させることができる。

【0046】

図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、支持部材７１および７３は、例えば、ローラであり、チップ１０を挟み込んだ第１シート４１および第２シート４３の移動と連動して、Ｘ方向もしくはＹ方向に移動し、その最適位置に配置される。第１群のチップ１０ａおよび第２群のチップ１０ｂが、例えば、Ｙ方向に連続して選択される場合、支持部材７１および７３は、同じＹ方向に延在する。

【0047】

また、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、支持部材７１は、第１シート４１を介してチップ１０ａのＸ方向のチップ端１０ａｆを支持することが好ましい。同様に、支持部材７３は、第２シート４３を介してチップ１０ｂのＸ方向のチップ端１０ｂｆを支持することが好ましい。すなわち、支持部材７１および７３は、第１シート４１および第２シート４３を剥がす方向（−Ｘ方向）とは反対側のチップ端において、各シートのチップ端とは反対側の表面に接するように配置されることが好ましい。これにより、チップ１０と、第１シート４１もしくは第２シート４３と、の間の剥がれの端緒となる部分を押さえることが可能となり、チップ１０の誤った移載を効果的に防止することができる。

【0048】

図８は、実施形態の変形例に係るチップ配列の過程を示す模式図である。第１シート４１および第２シート４３のそれぞれに接する支持部材は、図７（ａ）および（ｂ）に示すローラに限定される訳ではない。

【0049】

例えば、図８に示すように、四角形の断面を有する支持部材７５および７７を用いてもよい。支持部材７５は、その上面において第１シート４１に接する。また、支持部材７７は、その下面において第２シート４３に接する。図７（ａ）および（ｂ）に示すローラ状の支持部材７１および７３に比べて、より広い面積を持って各シートに接触するため、チップ１０の誤った分離を効果的に抑制することができる。

【0050】

また、支持部材７５および７５は、好ましくは、四隅が丸められた断面を有する。これにより、支持部材７５もしくは７７の角が、第１シート４１および第２シート４３に鋭角的に接することを回避する。

【0051】

第１群のチップ１０ａおよび第２群のチップ１０ｂが、例えば、Ｙ方向に連続して選択される場合、支持部材７５および７７は、同じＹ方向に延在する。また、Ｙ方向に離間した位置にあるチップ１０が選択される場合は、例えば、その位置に対応した凸部を有する構造であっても良い。これは、図７（ａ）および（ｂ）に示す支持部材７１および７３でも同様である。

【0052】

図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施形態の変形例に係るチップ配列方法を示す模式図である。図９（ａ）は、第１シート４１および第２シート４３のそれぞれに紫外光を選択的に照射する方法を示している。図９（ｂ）は、チップ１０からシートを剥離する過程を示している。

【0053】

図９（ａ）中に示す、チップ端１０ａｆは、第１群のチップ１０ａのＸ方向のチップ端であり、チップ端１０ａｂは、チップ１０ａの−Ｘ方向のチップ端である。また、チップ端１０ｂｆは、第２群のチップ１０ｂのＸ方向のチップ端であり、チップ端１０ｂｂは、チップ１０ｂの−Ｘ方向のチップ端である。

【0054】

図９（ａ）に示すように、紫外線の照射領域を、各シートの剥離方向（この例では、−Ｘ方向）に対してシフトさせても良い。例えば、第２シート４３に紫外光を照射する場合、第１群のチップ１０ａに対して透過部５３を位置合わせした状態から、マスク５０の位置をＸ方向にシフトさせる。これにより、Ｘ方向においてチップ１０ａに隣接する第２群のチップ１０ｂのチップ端１０ｂｂも紫外光の照射領域に含まれる。その結果として、第２シート４３のチップ端１０ａｆに接する部分に確実に紫外光を照射し、その接着力を低下させることができる。

【0055】

また、−Ｘ方向においてチップ１０ａに隣接するチップ１０ｂの端１０ｂｆは、Ｘ方向にシフトされた遮蔽部５１により確実に覆われる。したがって、それに接する第２シート４３の部分に紫外線が照射されることはなく、その接着力を保持することができる。

【0056】

第１シート４１に紫外光を照射する場合も、第２群のチップ１０ｂに対して透過部５３を位置合わせした状態から、マスク６０をＸ方向にシフトさせる。これにより、第１シート４１のチップ端１０ｂｆに接する部分に紫外光を照射し、その接着力を確実に低下させることができる。

【0057】

また、−Ｘ方向においてチップ１０ｂに隣接する第１群のチップ１０ａのチップ端１０ａｆは、Ｘ方向にシフトされた遮蔽部５１により覆われる。したがって、それに接する第１シート４１の部分に紫外線が照射されることはなく、その接着力を保持することができる。

【0058】

図９（ｂ）に示すように、例えば、第２群のチップ１０ｂ１から第１シート４１を剥離する場合、剥離の端緒となるチップ端１０ｂｆに接する部分の接着力が弱められているため、チップ１０ｂ１から第１シート４１を確実に剥離することができる。

【0059】

また、図９（ａ）に示すように、マスク６０をＸ方向にシフトさせた場合、第１シート４１のチップ端１０ｂｂに接する部分に紫外光が照射されず、その接着力が保持される。しかしながら、図９（ｂ）に示すように、チップ端１０ｂｆから剥離が開始されると、−Ｘ方向側のチップ端１０ｂｂにおける接着力が保持されているとしても、第１シート４１の剥離は−Ｘ方向に連続して進み、チップ１０ｂ１を容易に分離させることができる。

【0060】

第１シート４１上に残す第１群のチップ１０ａでは、チップ端１０ａｆは、遮光部６１に覆われる。このため、第１シート４１のチップ端１０ａｆに接する部分には紫外線が照射されることはなく、その接着力が保持される。一方、チップ端１０ａｂの第１シート４１に接する部分には紫外光が照射され、その接着力が低下するが、剥離の端緒となるチップ端１０ａｆに接する部分において第１シート４１の接着力が保持されるため、チップ１０ａが第１シート４１から分離される確率を低くすることができる。

【0061】

同様に、マスク５０をＸ方向にシフトさせることにより、第１群のチップ１０ａを第２シート４３から分離させる確度を向上させ、第２群のチップ１０ｂを第２シート４３から分離し難くすることができる。

【0062】

このように、第１シート４１および第２シート４３のそれぞれに紫外光を照射する場合、その照射領域を各シートの剥離方向とは反対側にシフトさせることにより、チップ１０の誤った分離を防ぎ、それぞれのシートに正しく移載されるチップの割合を向上させることができる。

【0063】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0064】

１・・・半導体装置、 １０・・・チップ、 ２０・・・樹脂、 ２３・・・樹脂層、 ２５・・・ソルダーレジスト、 ２７・・・配線、 ２９・・・ソルダーバンプ、 ３１・・・ダイシングシート、 ４１・・・第１シート、 ４１ａ、４３ａ・・・基材、 ４１ｂ、４３ｂ・・・接着層、 ４３・・・第２シート、 ４５・・・第３シート、 ４７・・・第４シート、 ５０、６０・・・マスク、 ５１、６１・・・遮蔽部、 ５３、６３・・・透過部、 ７１、７５・・・第１支持部材、 ７３、７７・・・第２支持部材

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】