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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6567541
(24)【登録日】2019年8月9日
(45)【発行日】2019年8月28日
(54)【発明の名称】電気光学変調器装置
(51)【国際特許分類】
G02F 1/015 20060101AFI20190819BHJP
G02F 1/025 20060101ALI20190819BHJP
G02F 1/017 20060101ALI20190819BHJP
【ＦＩ】
G02F1/015 502
G02F1/025
G02F1/017 503
G02F1/017 502
【請求項の数】17
【全頁数】28
(21)【出願番号】特願2016-554911(P2016-554911)
(86)(22)【出願日】2014年11月25日
(65)【公表番号】特表2016-537691(P2016-537691A)
(43)【公表日】2016年12月1日
(86)【国際出願番号】EP2014075526
(87)【国際公開番号】WO2015075258
(87)【国際公開日】20150528
【審査請求日】2017年2月16日
(31)【優先権主張番号】13194262.5
(32)【優先日】2013年11月25日
(33)【優先権主張国】EP
(73)【特許権者】
【識別番号】507210281
【氏名又は名称】フラウンホファー‐ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ
(74)【代理人】
【識別番号】100087941
【弁理士】
【氏名又は名称】杉本 修司
(74)【代理人】
【識別番号】100086793
【弁理士】
【氏名又は名称】野田 雅士
(74)【代理人】
【識別番号】100112829
【弁理士】
【氏名又は名称】堤 健郎
(74)【代理人】
【識別番号】100144082
【弁理士】
【氏名又は名称】林田 久美子
(72)【発明者】
【氏名】フェルトハウス・カール−オットー
(72)【発明者】
【氏名】ラウシュ・マルコ
(72)【発明者】
【氏名】チョイ・ユンク・ハン
(72)【発明者】
【氏名】ヤン・ライ
【審査官】
廣崎 拓登
(56)【参考文献】
【文献】
特開２００５−１２８４４０（ＪＰ，Ａ）
【文献】
国際公開第２０１３／１０４７１６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
特開２００５−１０１５８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００５−０５１４９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】
国際公開第２０１２／１４０７３２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
特開２００２−２２９０８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開昭６３−２３８７０１（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００７−２１２５３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１２−０３２８２７（ＪＰ，Ａ）
【文献】
欧州特許出願公開第０２６１５４８９（ＥＰ，Ａ１）
【文献】
米国特許出願公開第２００５／００５６４５５（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｇ０２Ｂ ６／１２−６／１４
Ｇ０２Ｆ １／００−１／１２５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
電気光学変調器装置であって、
−第１および第２の光導波路（１１２，１２２）ならびに前記光導波路（１１２，１２２）に電圧を印加する電極配置構造（１）を含む少なくとも１つの電気光学変調器（１００）であって、
−前記電極配置構造（１）が、前記第１の光導波路（１１２）の上に配置された複数の第１の導波路電極（１１３）および前記第２の光導波路（１２２）の上に配置された複数の第２の導波路電極（１２３）を有し、
−前記第１および第２の導波路電極（１１３，１２３）が互いに容量結合している、少なくとも１つの電気光学変調器（１００）と、
−前記電極配置構造（１）に電圧を供給する少なくとも１つのドライバユニット（３０）と、
−前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の電気接続部と、
を備え、
−前記電極配置構造（１）が、前記第１の導路波電極（１１３）に接続された第１の電線路（１１）および前記第２の導波路電極（１２３）に接続された第２の電線路（１２）を有し、前記第１および第２の電線路（１１，１２）がコプレーナストリップ線路を構成している、電気光学変調器装置において、
前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の前記電気接続部が、可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）を含み、
前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）が、少なくとも２つの電線路（５１，５２）を有し、
前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記電線路のうちの第１の電線路（５１）が、前記電極配置構造（１）の前記第１の電線路（１１）に接続されており、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記電線路のうちの第２の電線路（５２）が、前記電極配置構造（１）の前記第２の電線路（１２）に接続されており、
前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）が、前記電極配置構造（１）の前記第１および第２の電線路（１１，１２）により構成される前記コプレーナストリップ線路に、差動電圧信号を、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）を介して供給し、
前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）が、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記電線路に加えて、外部の装置を前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）の入力接点に接続するための複数の導電線路（５０２）を有する可撓性のコンタクト構造体（５００）の、一部であり、前記可撓性のコンタクト構造体（５００）が、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）に一体的に連結されているセクション（５０１）を有し、
前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）の背面が前記可撓性のコンタクト構造体（５００）の前記セクション（５０１）の下側とは反対の方向を面するというフリップチップ向きで、前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）が前記可撓性のコンタクト構造体（５００）の前記セクション（５０１）に接続されていることを特徴とする、電気光学変調器装置。
−第１および第２の光導波路（１１２，１２２）ならびに前記光導波路（１１２，１２２）に電圧を印加する電極配置構造（１）を含む少なくとも１つの電気光学変調器（１００）であって、
−前記電極配置構造（１）が、前記第１の光導波路（１１２）の上に配置された複数の第１の導波路電極（１１３）および前記第２の光導波路（１２２）の上に配置された複数の第２の導波路電極（１２３）を有し、
−前記第１および第２の導波路電極（１１３，１２３）が互いに容量結合している、少なくとも１つの電気光学変調器（１００）と、
−前記電極配置構造（１）に電圧を供給する少なくとも１つのドライバユニット（３０）と、
−前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の電気接続部と、
を備え、
−前記電極配置構造（１）が、前記第１の導路波電極（１１３）に接続された第１の電線路（１１）および前記第２の導波路電極（１２３）に接続された第２の電線路（１２）を有し、前記第１および第２の電線路（１１，１２）がコプレーナストリップ線路を構成している、電気光学変調器装置において、
前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の前記電気接続部が、可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）を含み、
前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）が、少なくとも２つの電線路（５１，５２）を有し、
前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記電線路のうちの第１の電線路（５１）が、前記電極配置構造（１）の前記第１の電線路（１１）に接続されており、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記電線路のうちの第２の電線路（５２）が、前記電極配置構造（１）の前記第２の電線路（１２）に接続されており、
前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）が、前記電極配置構造（１）の前記第１および第２の電線路（１１，１２）により構成される前記コプレーナストリップ線路に、差動電圧信号を、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）を介して供給し、
前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）が、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記電線路に加えて、外部の装置を前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）の入力接点に接続するための複数の導電線路（５０２）を有する可撓性のコンタクト構造体（５００）の、一部であり、前記可撓性のコンタクト構造体（５００）が、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）に一体的に連結されているセクション（５０１）を有し、
前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）の背面が前記可撓性のコンタクト構造体（５００）の前記セクション（５０１）の下側とは反対の方向を面するというフリップチップ向きで、前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）が前記可撓性のコンタクト構造体（５００）の前記セクション（５０１）に接続されていることを特徴とする、電気光学変調器装置。
【請求項2】
請求項１に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の２つの前記電線路（５１，５２）が、少なくとも１つの電気絶縁層（６１）の内部に、かつ／または、前記少なくとも１つの電気絶縁層（６１）に接して、配置されている、電気光学変調器装置。
【請求項3】
請求項１または２に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）が、２つの電線路（５１，５２）を有する、電気光学変調器装置。
【請求項4】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記電線路（５１，５２）が、前記電極配置構造（１）の前記第１および第２の電線路（１１，１２）にそれぞれ接合されている、電気光学変調器装置。
【請求項5】
請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）間の距離が、２５μｍ未満である、電気光学変調器装置。
【請求項6】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）が、当該第１および第２の電線路（５１，５２）の長手方向に垂直な方向で少なくとも部分的に互いに隣接して配置されている、電気光学変調器装置。
【請求項7】
請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）が、前記少なくとも１つの絶縁層（６１〜６３）に垂直な方向で少なくとも部分的に一方が他方の真上に配置されている、電気光学変調器装置。
【請求項8】
請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記第１および／または第２の電線路（５１，５２）が、第１の絶縁層（６１）に配置されて且つ第２の絶縁層（６２）により覆われている、電気光学変調器装置。
【請求項9】
請求項６に従属する請求項７に記載の電気光学変調器装置において、前記第２の電線路（５２）が、第１の絶縁層（６１）に配置された第１の部位（５２１）および第２の絶縁層（６２）に配置された第２の部位（５２３）を有し、前記第２の絶縁層（６２）は、前記第１の部位（５２１）と前記第２の部位との間に延在している、電気光学変調器装置。
【請求項10】
請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記電極配置構造（１）が第１の基板（７０）に配置され、前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）が第２の基板（８０）に配置され、前記第１の基板（７０）は、前記第２の基板（８０）から離れて配置されている、電気光学変調器装置。
【請求項11】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記電極配置構造（１）および／または前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の、前記電線路（５１，５２，１１，１２）のいずれも接地されていない、電気光学変調器装置。
【請求項12】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記ドライバユニットが、前記電極配置構造（１）の前記第１の電線路（１１）に、第１の可変信号を、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１の電線路（５１）を介して、かつ、前記電極配置構造（１）の前記第２の電線路（１２）に、第２の可変信号を、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第２の電線路（５２）を介して供給する、電気光学変調器装置。
【請求項13】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）が、少なくとも部分的に、幾何学的に対称な構造として形成されている、電気光学変調器装置。
【請求項14】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）が、少なくとも本質的に互いに平行に延びる長手構造として形成されている、電気光学変調器装置。
【請求項15】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）が、前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）から高周波モードを前記変調器に伝送する電気導波路を構成しており、当該電気導波路は、電気モードが前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）及び前記電極配置構造（１）を介して連続的に導かれるように前記電極配置構造（１）の前記第１および第２の電線路（１１，１２）とインピーダンス整合されている、電気光学変調器装置。
【請求項16】
電気光学変調器装置であって、
−第１および第２の光導波路（１１２，１２２）ならびに前記光導波路（１１２，１２２）に電圧を印加する電極配置構造（１）を含む少なくとも１つの電気光学変調器（１００）であって、
−前記電極配置構造（１）が、前記第１の光導波路（１１２）の上に配置された複数の第１の導波路電極（１１３）および前記第２の光導波路（１２２）の上に配置された複数の第２の導波路電極（１２３）を有し、
−前記第１および第２の導波路電極（１１３，１２３）が互いに容量結合している、少なくとも１つの電気光学変調器（１００）
を備える、電気光学変調器装置において、
当該電気光学変調器装置が、複数のドライバユニット（３０ａ〜３０ｄ）を備え、
前記ドライバユニット（３０ａ〜３０ｄ）のそれぞれが、前記第１の導波路電極（１１３）のうちの１つおよび前記第２の導波路電極（１２３）のうちの１つに、可撓性のコプレーナストリップ線路（５０ａ〜５０ｄ）を含む電気接続部によって接続され、
前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０ａ〜５０ｄ）が、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０ａ〜５０ｄ）の前記電線路に加えて、外部の装置を前記ドライバユニット（３０ａ〜３０ｄ）の入力接点に接続するための複数の導電線路（５０２）を有する可撓性のコンタクト構造体（５００）の、一部であり、前記可撓性のコンタクト構造体（５００）が、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）に一体的に連結されているセクション（５０１）を有し、
前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）の背面が前記可撓性のコンタクト構造体（５００）の前記セクション（５０１）の下側とは反対の方向を面するというフリップチップ向きで、前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）が前記可撓性のコンタクト構造体（５００）の前記セクション（５０１）に接続されていることを特徴とする、電気光学変調器装置。
−第１および第２の光導波路（１１２，１２２）ならびに前記光導波路（１１２，１２２）に電圧を印加する電極配置構造（１）を含む少なくとも１つの電気光学変調器（１００）であって、
−前記電極配置構造（１）が、前記第１の光導波路（１１２）の上に配置された複数の第１の導波路電極（１１３）および前記第２の光導波路（１２２）の上に配置された複数の第２の導波路電極（１２３）を有し、
−前記第１および第２の導波路電極（１１３，１２３）が互いに容量結合している、少なくとも１つの電気光学変調器（１００）
を備える、電気光学変調器装置において、
当該電気光学変調器装置が、複数のドライバユニット（３０ａ〜３０ｄ）を備え、
前記ドライバユニット（３０ａ〜３０ｄ）のそれぞれが、前記第１の導波路電極（１１３）のうちの１つおよび前記第２の導波路電極（１２３）のうちの１つに、可撓性のコプレーナストリップ線路（５０ａ〜５０ｄ）を含む電気接続部によって接続され、
前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０ａ〜５０ｄ）が、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０ａ〜５０ｄ）の前記電線路に加えて、外部の装置を前記ドライバユニット（３０ａ〜３０ｄ）の入力接点に接続するための複数の導電線路（５０２）を有する可撓性のコンタクト構造体（５００）の、一部であり、前記可撓性のコンタクト構造体（５００）が、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）に一体的に連結されているセクション（５０１）を有し、
前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）の背面が前記可撓性のコンタクト構造体（５００）の前記セクション（５０１）の下側とは反対の方向を面するというフリップチップ向きで、前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）が前記可撓性のコンタクト構造体（５００）の前記セクション（５０１）に接続されていることを特徴とする、電気光学変調器装置。
【請求項17】
電気光学変調器装置であって、
−少なくとも１つのアクティブな光導波路（１１２）および前記アクティブな光導波路（１１２）に電圧を印加する電極配置構造（１）を含む少なくとも１つの電気光学位相変調器であって、
−前記電極配置構造（１）が、前記光導波路（１１２）により構成される容量性セグメント（１１４）の上に配置された複数の導波路電極（１１３）を有し、前記容量性セグメント（１１４）はそれぞれ電気キャパシタを構成する、少なくとも１つの電気光学位相変調器と、
−少なくとも１つの光学的に非アクティブな容量性エレメント（１２４）であって、当該容量性エレメント（１２４）は、前記光導波路（１１２）によって構成される前記容量性セグメント（１１４）に対して直列に接続される容量性構造である、容量性エレメント（１２４）と、
−前記電極配置構造（１）に電圧を供給する少なくとも１つのドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と、
−前記少なくとも１つのドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の電気接続部と、
を備え、
前記導波路電極（１１３）が、前記少なくとも１つのドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）に、前記容量性セグメント（１１４）、前記少なくとも１つの容量性エレメント（１２４）および前記電気接続部を介して容量結合し、
前記少なくとも１つのドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の前記電気接続部が、可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）を含む、電気光学変調器装置。
−少なくとも１つのアクティブな光導波路（１１２）および前記アクティブな光導波路（１１２）に電圧を印加する電極配置構造（１）を含む少なくとも１つの電気光学位相変調器であって、
−前記電極配置構造（１）が、前記光導波路（１１２）により構成される容量性セグメント（１１４）の上に配置された複数の導波路電極（１１３）を有し、前記容量性セグメント（１１４）はそれぞれ電気キャパシタを構成する、少なくとも１つの電気光学位相変調器と、
−少なくとも１つの光学的に非アクティブな容量性エレメント（１２４）であって、当該容量性エレメント（１２４）は、前記光導波路（１１２）によって構成される前記容量性セグメント（１１４）に対して直列に接続される容量性構造である、容量性エレメント（１２４）と、
−前記電極配置構造（１）に電圧を供給する少なくとも１つのドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と、
−前記少なくとも１つのドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の電気接続部と、
を備え、
前記導波路電極（１１３）が、前記少なくとも１つのドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）に、前記容量性セグメント（１１４）、前記少なくとも１つの容量性エレメント（１２４）および前記電気接続部を介して容量結合し、
前記少なくとも１つのドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の前記電気接続部が、可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）を含む、電気光学変調器装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、請求項１の前提部に記載されているような電気光学変調器装置、および請求項１７〜１９に記載されているような電気光学変調器装置に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、このような電気光学変調器装置は、変調器の光導波路に電圧を与えて当該光導波路を伝播する光波の位相シフトを引き起こすのに用いられる高周波電極配置構造を備える。一例として、光変調器導波路に電圧を与えるのに非特許文献１（「高速ＩＩＩ−Ｖ半導体強度変調器」）に記載されているような進行波電極が用いられる。そして、進行波電極へと供給される電圧を提供するのに、当該進行波電極に対してボンディングワイヤで接続されたドライバユニットが用いられる。しかし、ボンディングワイヤのインダクタンスは、進行波電極に供給される高周波電気信号を反射させる原因となり変調器の周波数応答を低下させる可能性がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0003】
【非特許文献1】"High-Speed lll-V Semiconductor Intensity Modulators", Robert G. Walker, IEEE Journal of Quantum Electronics Vol. 27, No. 3, March 1991
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的の一つは、電気光学変調器の周波数応答を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明は、電気光学変調器装置であって、−第１および第２の光導波路ならびに前記光導波路に電圧を印加する電極配置構造（電極装置）を含む少なくとも１つの電気光学変調器であって、
−前記電極配置構造が、前記第１の光導波路の上に配置された複数の第１の導波路電極および前記第２の光導波路の上に配置された複数の第２の導波路電極を有し、
−前記第１および第２の導波路電極が互いに容量結合している、少なくとも１つの電気光学変調器と、
−前記電極配置構造に電圧を供給する少なくとも１つのドライバユニットと、
−前記ドライバユニットと前記電極配置構造との間の電気接続部と、
を備え、
−前記ドライバユニットと前記電極配置構造との間の前記電気接続部が、可撓性のコプレーナストリップ線路を含み、前記電極配置構造が、前記第１の導路波電極に接続された第１の電線路および前記第２の導波路電極に接続された第２の電線路を有し、前記第１および第２の電線路がコプレーナストリップ線路を構成しており、
−前記ドライバユニットと前記電極配置構造との間の前記電気接続部が、可撓性のコプレーナストリップ線路を含み、
−前記可撓性のコプレーナストリップ線路が、少なくとも２つの電線路を有し、
−前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記電線路のうちの第１の電線路が、前記電極配置構造の前記第１の電線路に接続されており、前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記電線路のうちの第２の電線路が、前記電極配置構造の前記第２の電線路に接続されており、
−前記ドライバユニットが、前記電極配置構造の前記第１および第２の電線路により構成される前記コプレーナストリップ線路に、差動電圧信号を、前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記第１および第２の電線路を介して供給する、電気光学変調器装置を提供する。
【0006】
前記ドライバユニットと前記電極配置構造との間の前記電気接続部（すなわち、電気的リンク）は、前記可撓性のコプレーナストリップ線路から少なくとも本質的（実質的）に構成されてもよく、この可撓性のコプレーナストリップ線路により、前記ドライバユニットが前記電極配置構造に直接接続される。しかしながら、前記可撓性のコプレーナストリップ線路を、前記ドライバユニットと前記電極配置構造との前記電気接続部のうちの一部のみを構成するものとすることにより、その電気接続部を、可撓性のコプレーナストリップ線路によって構成されていない少なくとも１つの他の部位を有するものとすることも考えられる。
【0007】
具体的に述べると、前記可撓性のコプレーナストリップ線路は、前記変調器の前記電極配置構造の前記コプレーナストリップ線路に適応（適合）される（前記コプレーナストリップ線路とインピーダンス整合させる）ことが可能であり、これら前記可撓性のコプレーナストリップ線路と前記変調器側の前記コプレーナストリップ線路とは、均質で、向上した高周波特性を有するインピーダンス整合した線路を構成し得る。一具体例として、前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記少なくとも２つの電線路は、少なくとも１つの可撓性の層に配置されており、かつ、２つの前記電線路は、互いからある距離をもって配置されているため、当該電線路同士が前記ドライバユニットから高周波モードを前記変調器に伝送する電気導波路として機能することが可能である。例えば、前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記第１および第２の電線路間の距離は、２５μｍ未満、１０μｍ未満または５μｍ未満（例えば、２μｍ、３μｍもしくは４μｍ）とされる。前記可撓性のコプレーナストリップ線路は、正に２つの電線路を有してもよい。一具体例として、２つの前記電線路は、いずれも接地されていない。
【0008】
例えば、変調器装置（すなわち、前記ドライバユニットと前記変調器との組合せ）を長距離用途等に利用した場合、その電力損失は４００ｍＷ未満に抑えられ得る。また、消費電力を低く抑えられるだけでなく変調器の小型化も可能なので、コンパクトな（例えば、ＣＦＰ４モジュールのサイズで、）（例えば、１００ギガビット／秒以上の伝送レートを有する）高周波変調器モジュールを製造することが可能となる。また、前記可撓性のコプレーナストリップ線路の熱伝導率は、従来のボンディングワイヤの熱伝導率よりも低くなり得る。そのため、前記ドライバユニットと前記変調器との間の熱的なクロストークが抑制され得る。また、前記ドライバユニット（例えば、集積回路の形態）と前記変調器との間の距離が大きくなり得ることで、前記変調器装置の組立が容易となる。例えば、前記変調器を熱電冷却器上に配置すると共に、前記ドライバユニットを前記変調器装置のハウジング部上に配置することが可能となる。
【0009】
前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記電線路は、前記変調器の前記電極配置構造の前記電線路に、（例えば、半田付けされるか、もしくは（導電性接着剤を用いて）接着されるか、または金属接続によって、接合され得る。
【0010】
また、前記可撓性のコプレーナストリップ線路は、薄膜技術を用いて形成されたものであり得る（具体的に述べると、薄膜技術は、前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記電線路を高精度で作製することが可能である）。例えば、前記可撓性のコプレーナストリップ線路は、少なくとも１つの絶縁層上に配置された２つの電線路を有するものとされ得て、かつ、その絶縁層は、ポリイミド、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等の高分子材料から形成され得る。ここで、複数の高分子層が用いられてもよい。なお、"Multilayer polyimide film substrates for interconnections in microsystems（「マイクロシステムにおける相互接続用多層ポリイミドフィルム基板」）", A. Fach, Y. Athanassov, U. Brunner, D. Hablutzel, B. Ketterer, J. Link, MicrosystemTechnologies 5 (1999) 166 - 168の論文に、可撓性の電線路用の絶縁層の作製原理の一例が記載されている。この論文のうち、可撓性のコプレーナストリップ線路の少なくとも１つの絶縁層の作製に関する内容は、参照をもって本明細書に取り入れたものとする。
【0011】
例えば、前記少なくとも１つの絶縁層の層厚は、５０μｍ未満、２５μｍ未満または１５μｍ未満とされ得る。また、前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記電線路は、リソグラフィ法を用いて作製されてもよい。このとき、前記電線路は、金属堆積（例えば、電気めっき、蒸着、スパッタリング等を用いる）によって可撓性の基板に配され得る。しかしながら、前記可撓性のコプレーナストリップ線路は、上記のような薄いポリイミド層ではなく、より厚い（例えば、箔状の）（例えば、単一の）絶縁性基板を備えるものであってもよい。
【0012】
一具体例として、前記変調器装置における他の部品が、別の可撓性の電線路（例えば、前記可撓性のコプレーナストリップ線路と共に作製される別の可撓性の電線路）によって接続されていてもよい。具体的に述べると、前記ドライバユニット（例えば、ドライバＩＣ）が、可撓性の基板上に、前記可撓性のコプレーナ線路の前記電線路および他の配線と共に（例えば、フリップチップ技術を用いて）配置され得る。これにより、テスト可能なドライバユニットであって、当該ドライバユニットとの間での接続部が集積されたドライバユニットを製作することが可能となる。このような構成のドライバユニットは、簡単に且つ経済的にモジュールに集積することができる。
【0013】
例えば、前記第１および第２の電線路により構成される前記コプレーナストリップ線路は、進行波電極（例えば、マッハツェンダー変調器の進行波電極）として動作される。また、前記第１および第２の電線路は、前記第１の導波路電極と第２の導波路電極とが容量結合していることを介して、互いに容量結合している。例えば、前記変調器の各々の前記光導波路は、互いに離間した複数の容量性セグメントを有しており、かつ、それぞれの容量性セグメントは、電気キャパシタを構成している。そして、前記第１および第２の導波路電極は、それら容量性セグメントの上に配置されている。これにより、前記第１および第２の導波路電極は、それら前記容量性セグメントを介して互いに容量結合している。
【0014】
なお、"45 GHz Bandwidth Travelling Wave Electrode Mach-Zehnder Modulator with Integrated Spot Size Converter（「スポットサイズ変換器が集積された４５ＧＨｚ帯域幅進行波電極マッハツェンダー変調器」）", D. Hoffmann, Proceedings International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, p. 585, 2004の論文に、進行波型マッハツェンダー変調器の光学的・電気的レイアウト原理の一例が記載されている。この論文のうち、マッハツェンダー変調器の光学的・電気的設計原理に関する内容は、参照をもって本明細書に取り入れたものとする。当然ながら、本発明は、特定の電極構造に限定されるものではなく、その他の電気回路に適用されてもよく、あるいは、その他の電気回路を構成するように適用されてもよい。また、国際公開第２０１２／１７５５５１号には、別の設計例が記載されている。この国際公開のうち、変調器の光学的・電気的設計原理に関する内容は、参照をもって本明細書に取り入れたものとする。例えば、前記変調器装置は、（例えば、ＰＩＣ（フォトニックＩＣ）の形態の）ＩＱ変調器および／または少なくとも１つのＯＦＤＭ変調器を備えるものとされる。
【0015】
前記第１および第２の電線路は、対称的に駆動される（「差動駆動」）。すなわち、前記ドライバユニットは、前記可撓性のコプレーナストリップ線路に（したがって、前記変調器側の前記コプレーナストリップ線路に）差動電圧信号を供給するように構成されている。例えば、前記電極配置構造および／または前記可撓性のコプレーナストリップ線路の、前記電線路はいずれも接地されていない。例えば、前記ドライバユニットは、前記電極配置構造の前記第１の電線路に、第１の可変信号を、前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記第１の電線路を介して、かつ、前記電極配置構造の前記第２の電線路に、第２の可変信号を、前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記第２の電線路を介して供給するように構成され得る。
【0016】
また、前記第１および第２の電線路は、少なくとも部分的に、幾何学的に対称な構造として形成され得る。例えば、前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記第１および第２の電線路は、少なくとも本質的に（ほぼ）互いに平行に延びる長手構造（縦長形状）として形成される。
【0017】
前記ドライバユニットの、当該ドライバユニットの２つのポートのうちの各ポートにおけるインピーダンスは、前記電極配置構造のインピーダンスの、本質的に半分とされ得る。また、前記ドライバユニットは、前記第１の電線路に供給される前記第１の可変信号と前記第２の電線路に供給される前記第２の可変信号とが反対の極性を有するように構成され得る（このとき、前記第１の可変信号の電圧絶対値と前記第２の可変信号の電圧絶対値とは、少なくとも本質的に同一となり得る）。
【0018】
なお、欧州特許出願公開第２６１５４８９号および欧州特許出願公開第２６１５４９０号に、対称的に駆動される電極の例が開示されている。これら欧州特許出願公開のうち、それに関する内容は、参照をもって本明細書に取り入れたものとする。
【0019】
一例として、前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記第１および第２の電線路は、（例えば、可撓性の）絶縁層に接して、それらの長手方向に垂直な方向で少なくとも部分的に互いに隣接して配置される。しかしながら、前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記第１および第２の電線路は、前記少なくとも１つの絶縁層に垂直な方向で少なくとも部分的に一方が他方の真上に配置されてもよい。
【0020】
前記可撓性のコプレーナストリップ線路の前記第１および／または第２の電線路は、第１の絶縁層（例えば、第１のポリイミド層）に配置され得て且つ第２の絶縁層（例えば、第２のポリイミド層）により覆われ得る。例えば、第２の絶縁層は、前記第２の電線路の第１の部位と第２の部位との間に延在するものとされる。また、さらなる２つの線路が、前記絶縁層上に配置されていて、接地されてもよい。
【0021】
本発明の他の実施形態において、前記ドライバユニットは、オープンコレクタモードまたは終端帰還（back termination）のオープンコレクタモードで動作される。同様に、（前記ドライバユニットがＣＭＯＳデバイスである場合）当該ドライバユニットは、オープンドレインモードまたは終端帰還のオープンドレインモードで動作され得る。
【0022】
具体的に述べると、前記ドライバユニット（例えば、ドライバチップ）、前記可撓性のコプレーナストリップ線路、前記第１および第２の電線路、終端抵抗体、ならびに前記終端抵抗体同士を直流的に分離する（ブロッキング）容量性構造は（さらに、用いられている組立・接合技術等も）、後で詳述するように、このようなオープンコレクタ回路（例えば、高周波オープンコレクタ回路）における互いに一体化された部品と見なすことができる。さらなる詳細として、前記ドライバユニット、前記可撓性のコプレーナストリップ線路、前記電線路、および前記変調器の（前記終端抵抗体を少なくとも１つ含む）終端ネットワークのイマーシブ（immersive）電気的設計が、特に、これら構成部品の統合インピーダンスを適合させることで前記変調器の性能を最適化するように実行される。当然ながら、必ずしもオープンコレクタ回路が使用されなくてもよい。むしろ、前記ドライバユニットは、前記電極配置構造のインピーダンスと等しい内部終端抵抗を含むものとされてもよい。このとき、前記ドライバユニットのこの内部終端抵抗に、前記可撓性コプレーナストリップ線路のインピーダンス、前記第１および第２の電線路のインピーダンス、ならびに他の電気部品（例えば、前記終端抵抗体など）のインピーダンスが整合される。
【0023】
上記のように、前記変調器は、前記第１および第２の電線路により構成される前記コプレーナストリップ線路を終端する、少なくとも１つの終端抵抗体を含み得る。このような終端抵抗体は、前記電極配置構造の前記第１の電線路と前記第２の電線路との間に（物理的に）配置され得る。例えば、前記終端抵抗体は、（例えば、抵抗値が５０Ωである）単一の抵抗体とされる。前記終端抵抗体は、材料層（例えば、薄膜層、薄膜層パケット（薄膜層群）など）により構成され得る。前記終端抵抗体は、前記第１および第２の電線路とモノリシックに集積されたものであってもよく、すなわち、前記終端抵抗体は、前記第１および第２の電線路と同じ基板に配置されてもよい。この場合、前記ドライバユニットのみが、可撓性のコプレーナストリップ線路を介して、前記変調器の前記電極配置構造の前記第１および第２の電線路に接続されることとなる。しかしながら、前記終端抵抗体についても、前記変調器の前記電線路とは異なる基板（例えば、セラミックス基板）等に配置された別体の部品として形成されてもよいし、および／または、可撓性のコプレーナストリップ線路（あるいは、短いボンディングワイヤなど）を介して前記変調器の前記第１及び第２の電線路に接続されたものとされてもよい。
【0024】
また、前記変調器は、端部接点を介して互いに接続された２つの終端抵抗体を含むものとされてもよい。具体的に述べると、前記終端抵抗体のうちの第１の終端抵抗体における第１の端部が前記第１の電線路に接続されて、その第２の端部が前記端部接点に接続される。同様に、第２の終端抵抗体における第１の端部が前記第２の電線路に接続されて、その第２の端部が前記端部接点に接続される。これら２つの終端抵抗体は、前記端部接点を構成する端部接点層によって互いに接続された材料層により形成されたものであってもよい。これら２つの終端抵抗体は、当該終端抵抗体同士をキャパシタを介して互いに接続することにより、直流的に分離されたものとすることも可能である。具体的に述べると、これら２つの終端抵抗体を直流的に分離する少なくとも１つの容量性構造が設けられ得る。例えば、前記容量性構造は、前記第１および第２の電線路間に配置された少なくとも２つの導電層を有し、かつ、これら少なくとも２つの層は、少なくとも１つの誘電層によって隔てられている。
【0025】
また、前記可撓性のコプレーナストリップ線路は、外部の装置を前記ドライバユニットの入力接点に接続するための複数の導電線路を有する可撓性のコンタクト構造体の、一部であり得る。
【0026】
本発明の他の構成は、電気光学変調器装置であって、−第１および第２の光導波路ならびに前記光導波路に電圧を印加する電極配置構造を含む少なくとも１つの電気光学変調器であって、
−前記電極配置構造が、前記第１の光導波路の上に配置された複数の第１の導波路電極および前記第２の光導波路の上に配置された複数の第２の導波路電極を有し、
−前記第１および第２の導波路電極が互いに容量結合している、少なくとも１つの電気光学変調器と、
−前記ドライバユニットと前記電極配置構造との間の電気接続部と、
−複数のドライバユニットと、
を備え、前記ドライバユニットのそれぞれが、前記第１の導波路電極のうちの１つおよび前記第２の導波路電極のうちの１つに、可撓性のコプレーナストリップ線路を含む電気接続部によって接続されている、電気光学変調器装置を提供する。
【0027】
これにより、"10 Gb/s - 80-km operation of full C-band InP MZ modulator with linear-accelerator-type tiny in-line centipede electrode structure directly driven by logic IC of 90-nm CMOS process（「９０ｎｍＣＭＯＳプロセスロジックＩＣ直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造フルＣバンドＩｎＰＭＺ変調器の１０Ｇｂ／秒−８０ｋｍ動作」）", T. Kato et al., Optical Fiber Communication Conference and Exposition, 2011, p. 1との論文に記載されているように、導波路電極を別個に（互いに独立して）駆動可能となる。この論文のうち、複数ドライバ配置構成に関する内容は、参照をもって本明細書に取り入れたものとする。
【0028】
本発明のさらなる他の構成は、電気光学変調器装置であって、−少なくとも１つのアクティブな（活性的な、有効な）光導波路および前記アクティブな光導波路に電圧を印加する電極配置構造を含む少なくとも１つの電気光学位相変調器であって、
−前記電極配置構造が、前記光導波路により構成される容量性セグメントの上に配置された複数の導波路電極を有する、少なくとも１つの電気光学位相変調器と、
−少なくとも１つの光学的に非アクティブな（非活性な、無効な）容量性エレメントと、
−前記電極配置構造に電圧を供給する少なくとも１つのドライバユニットと、
−前記ドライバユニットと前記電極配置構造との間の電気接続部と、
を備え、
前記導波路電極が、前記少なくとも１つのドライバユニットに、前記容量性セグメント、前記容量性エレメントおよび前記電気接続部を介して容量結合しており、
−前記少なくとも１つのドライバユニットと前記電極配置構造との間の前記電気接続部が、可撓性のコプレーナストリップ線路を含む、電気光学変調器装置に関する。
【0029】
複数の容量性エレメントが、光学的に非活性な第２の導波路により構成される容量性セグメントの形態で設けられ得る。この第２の導波路の上に（第２の）導波路電極が設けられた場合、前記位相変調器は前述した進行波型マッハツェンダー変調器と同様の構造を有することになるが、それら２つの光導波路のうちの一方のみが光学的に活性であって光信号の位相を変調させるのに利用される。マッハツェンダー変調器とは異なり、前記位相変調器の前記第２の非活性な導波路は（したがって、前記位相変調器の前記第２の導波路電極も）、前記活性的な光導波路およびこの光学的に活性な導波路の上に位置する（第１の）導波路電極よりも幅広とされ得る。
【0030】
他の実施形態において、前記位相変調器装置は、前記導波路電極を前述したように別個に駆動可能とする複数のドライバユニットを備える。
【0031】
しかしながら、前記位相変調器装置の前記容量性エレメントは、必ずしも（非活性な）導波路により構成されるものでなくてもよい。むしろ原則として、どのような種類の容量性構造が使用されてもよい。具体的に述べると、その場合の容量性構造は、前記活性的な光導波路により構成される前記容量性セグメントと直列に接続されることとなる。
【0032】
本発明のさらなる他の構成は、電気光学変調器装置、特には、前述した電気光学変調器装置であって、−少なくとも１つの光導波路および前記光導波路に電圧を印加する電極配置構造を含む少なくとも１つの電気光学変調器であって、
−前記電極配置構造が、コプレーナストリップ線路を構成している第１および第２の電線路を有する、少なくとも１つの電気光学変調器と、
−前記第１および第２の電線路を終端する少なくとも１つの終端抵抗体と、
−前記終端抵抗体と前記第１および第２の電線路との間の電気接続部と、
を備え、
−前記終端抵抗体と前記第１および第２の電線路との間の前記電気接続部が、可撓性のコプレーナストリップ線路を含む、電気光学変調器装置に関する。
【0033】
具体的に述べると、前記第１および第２の電線路は互いに容量結合し得る。例えば、前記電気光学変調器は、前述したマッハツェンダー変調器または前述した位相変調器とされる。
【0034】
以下では、本発明の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1A】本発明の一実施形態における電気光学変調器装置を示す斜視図である。
【図2A】可撓性のコプレーナストリップ線路の一構成を示す図である。
【図2B】可撓性のコプレーナストリップ線路の他の構成を示す図である。
【図2C】可撓性のコプレーナストリップ線路のさらなる他の構成を示す図である。
【図2D】可撓性のコプレーナストリップ線路のさらなる他の構成を示す図である。
【図3】本発明にかかる電気光学変調器装置を動作させる第１のオープンコレクタ回路を示す図である。
【図4】本発明にかかる電気光学変調器装置を動作させる第２のオープンコレクタ回路を示す図である。
【図5】本発明にかかる電気光学変調器装置を動作させる第３のオープンコレクタ回路を示す図である。
【図6】変調器の電極配置構造を終端する終端配置構造（終端装置）の一変形例を示す図である。
【図7】変調器の電極配置構造を終端する終端配置構造の他の変形例を示す図である。
【図8A】本発明の他の実施形態における変調器装置の電気光学変調器の細部を示す平面図である。
【図9】容量性構造の他の実施形態を示す断面図である。
【図11】本発明の他の実施形態における変調器装置を示す斜視図である。
【図12】本発明のさらなる他の実施形態における変調器装置を示す斜視図である。
【図13】本発明の一実施形態における変調器装置の、複数のドライバユニットによる実施形態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0036】
本発明において、図１Ａに示す電気光学変調器装置２００は、オープンコレクタ対応のマッハツェンダー変調器１００を備える。変調器１００は、第１および第２の電線路１１，１２を有する電極配置構造（電極装置）１を含む。第１および第２の電線路１１，１２は、コプレーナストリップ線路を構成している。電線路１１，１２は、エアブリッジを介して導波路電極１１３，１２３（図８Ｂを参照）に接続されており、従来技術から知られている原理に従って前記変調器の光導波路１１２，１２２に電圧を印加する。（電極配置構造１が設けられた半導体基板２０５を含め、）変調器１００は、第１の基板７０（例えば、セラミックス基板）上に配置される。変調器１００の光学的・電気的レイアウトは、前述した"45 GHz Bandwidth Travelling Wave Electrode Mach-Zehnder Modulator with Integrated Spot Size Converter（「スポットサイズ変換器が集積された４５ＧＨｚ帯域幅進行波電極マッハツェンダー変調器」）", D. Hoffmann, Proceedings International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, p. 585, 2004の論文に記載されたレイアウトであり得る。
【0037】
電気光学変調器装置２００は、変調器１００に加えて、ドライバユニット３０を備える。ドライバユニット３０は、変調器１００の電極配置構造１に、（高周波）差動電圧を供給するように構成されている。ドライバユニット３０は、第１の基板７０と異なる第２の基板８０（例えば、ＰＣＢ）に配置されており、これら２つの基板７０，８０間に隙間（例えば、２００μｍ以上）が存在するように第１の基板７０から離れて（距離をおいて）配置されている。
【0038】
ドライバユニット３０（すなわち、ドライバユニット３０の出力ポートであって、２つの出力接点５０６を有する出力ポート）は、さらに、第１および第２の電線路１１，１２に、可撓性のコプレーナ線路５０の電気的接続部を介して電気的に接続されている。可撓性のコプレーナ線路５０は、少なくとも１つの可撓性の箔状の基板６１（例えば、ポリイミド等の高分子から形成された基板）に配置された電線路５１，５２を有していて、これら電線路５１，５２の第１の端部が前記出力接点５０６に接続されており、反対側の第２の端部が前記変調器の電極配置構造１の電線路１１，１２に接続されている。可撓性のコプレーナ線路５０の構成例については、図２Ａ〜図２Ｄを参照しながら後で説明する。
【0039】
図１Ｂは、本発明にかかる変調器装置の一変形例に関する図である。図１Ａとは異なり、ドライバユニット３０は、第２の基板８０にフリップチップ構成で配置されている。すなわち、ドライバユニット３０の接点（例えば、前記出力接点５０６）が、基板８０に向かって下側に面している。出力接点５０６は、基板８０に配置されたコプレーナストリップ電線路９０に接続されており、この電線路９０に可撓性のコプレーナ線路５０の一方の端部が接続されており、コプレーナ線路５０の他方の端部は前記変調器の電線路１１，１２に接続されている。換言すれば、ドライバユニット３０と電極配置構造１との間の電気接続部は、可撓性のコプレーナ線路５０だけでなく電線路９０も有しており、これら接続するコプレーナストリップ線路９０，５０と変調器１００の電線路１１，１２により構成されるコプレーナストリップ線路とを介して、高周波電気モードが連続的に導かれ得る。
【0040】
さらなる電気部品（図示せず）が第２の基板８０に配置されてもよく、その場合、当該さらなる電気部品は、基板８０に配置された追加の電線路（図示せず）を介してドライバユニット３０に接続される。本発明の他の実施形態において、変調器１００は、位相変調器として動作され得る。その場合、光導波路１１２，１２２のうちの一方のみが、光信号の位相を変調させるのに利用される。例えば、光導波路１１２，１２２のうちの利用されない一方が光学的に非アクティブとなり得るものの、この光学的に非アクティブな導波路により構成される容量性セグメント１１４又は容量性セグメント１２４（図８Ｂを参照）は容量性エレメントとして利用される。これにより、光学的にアクティブな導波路の導波路電極は、それら２つの導波路の容量性セグメントを介して前記ドライバユニットと容量結合されることとなる。
【0041】
図１Ｃに示す実施形態では、変調器１００とドライバユニット３０とが、共通の基板７５に配置されている。
【0042】
（平行な）２つの電線路５１，５２間の距離は、これら電線路５１，５２が高周波電気波を伝送する電気導波路を構成するように十分に短く選択されている。例えば、電線路５１，５２間の距離は２５μｍ未満とされる。
【0043】
可撓性のコプレーナ線路５０の電線路５１，５２の第１の端部は、前記ドライバユニットの出力ポートに接続されており、電線路５１，５２の第２の端部は、変調器１００側の第１および第２の電線路１１，１２の端部に接続されている。可撓性のコプレーナストリップ５０は電気導波路をもたらすものであるから、可撓性のコプレーナストリップ５０のインピーダンスは、ドライバユニット３０のインピーダンス及び前記変調器の電極配置構造１のインピーダンスとより良好に整合させることが可能である。これにより、前記変調器の高周波性能を向上させることができる。さらに、この可撓性のコプレーナストリップ５０は、それ自体の導波特性により、ボンディングワイヤと違って極めて短くする必要がないので、（動作時に昇温し得る）ドライバユニット３０と変調器１００との間で優れた熱分離を実現することが可能である。例えば、ドライバユニット３０は、変調器１００から１ｍｍ以上の距離をもって配置される。
【0044】
変調器１００の電線路１１，１２により構成されるコプレーナストリップ線路を終端するために、２つの終端抵抗体２１，２２（例えば、それぞれの抵抗値は２５Ωとされる）が、それら電線路１１，１２間に配置される。終端抵抗体２１，２２は、そのコプレーナストリップ線路と共に基板に配置された材料層（例えば、Ｎｉ−Ｃｒ層）として形成される。すなわち、終端抵抗体２１，２２は、前記電気光学変調器における他の部品とモノリシックに集積されている。しかしながら、終端抵抗体２１，２２は、図１１に示すように別個に（例えば、異なる基板に）作製されてもよく、その場合、これら終端抵抗体２１，２２は、別の可撓性のコプレーナストリップ線路を介して電線路１１，１２に接続される。一変形例として、終端抵抗体２１，２２は、従来の様式によって（例えば、短いボンディングワイヤを介して）電線路１１，１２に接続されたものとされてもよい。図６〜図９に、電線路１１，１２の終端例を示す。
【0045】
図２Ａ〜図２Ｄは、可撓性のコプレーナストリップ線路５０の各種実施形態に関する図である。図２Ａでは、可撓性のコプレーナストリップ線路５０の電線路５１，５２が、（例えば、可撓性の）第１の電気絶縁層６１（例えば、第１のポリイミド層）上に、当該第１の電気絶縁層６１における同じ側で、当該電線路５１，５２の長手方向に垂直な方向で互いに隣合って配置されている。これら第１および第２の電線路５１，５２を第２の絶縁層（例えば、第２のポリイミド層）が覆っている。このようにして、第１および第２の電線路５１，５２は、絶縁層６１および絶縁層６２に埋め込まれている（組み込まれている）。例えば、絶縁層６１，６２の層厚はそれぞれ２０μｍ未満または１５μｍ未満（例えば、約１０μｍ未満）とされて、かつ、（例えば、金などの金属から形成される）電線路５１，５２の線路厚はそれぞれ１０μｍ未満または８μｍ未満（例えば、約５μｍ未満）とされる。
【0046】
図２Ａに示す可撓性のコプレーナストリップ線路５０は（図２Ｂ〜図２Ｄに示す可撓性のコプレーナ線路についても同様に）、薄膜技術を用いて作製することができる。例えば、第１の絶縁層６１を作製するために、高分子材料がキャリア基板に施される。この第１の絶縁層６１に電線路５１，５２が堆積された後、第２の絶縁層６２が施される。最後に、前記キャリア基板が取り除かれる。絶縁層６１，６２は、接着剤によって互いに接合されない。これは、特に、接着剤からガスが遊離するのを避けるためである。一具体例として、絶縁層６１，６２は、ソリッドステートプロセスで用いられる標準的な絶縁性高分子（例えば、液状ポリイミド（例えば、「ＨＤ ＭｉｃｒｏＳｙｓｔｅｍｓ」社製の液状ポリイミド））から形成される。
【0047】
図２Ｂは、他の変形例に関する図である。具体的に述べると、電線路５１，５２が、第１の絶縁層６１に垂直な方向で上下に（一方が他方の真上となるように）配置されている。さらに、第２の絶縁層６２が、それら第１および第２の電線路５１，５２間に配設されており、かつ、第３の絶縁層６３が、上側の第２の電線路５２を覆っている。このようにして、電線路５１，５２は、絶縁層６１、絶縁層６２および絶縁層６３に埋め込まれている。
【0048】
図２Ｃにおいても、３つの絶縁層６１〜６３が設けられている。具体的に述べると、第１の電線路５１と第２の電線路５２のうちの第１の部位５２１とが、（下側の）第１の絶縁層６１に配置されている。（中央の）第２の絶縁層６２が、それら第１の電線路６１の上および第２の電線路５２のうちの第１の部位５２１の上に配設されており、かつ、第２の電線路５２のうちの第２の部位５２３が、中央の絶縁層６２上に配置されている。第１の部位５２１と第２の部位５２３とは、中央の層６２における盗み部（recess）内を通り抜ける連結部位によって互いに（例えば、一体的に）連結されている。そして、第２の電線路５２の第２の部位５２３は、（上側の）第３の絶縁層６３により覆われている。
【0049】
図２Ｃに示す構造は、中央の層６２を第１の電線路５１の上および第２の電線路５２の第１の部位５２１の上に配設した後、この中央の層６２に開口を形成し、この開口の領域に金属（例えば、金）を堆積することによって連結部位５２２を生成した後、この連結部位５２２に繋がるように第２の部位５２３を生成することによって作製され得る。
【0050】
図２Ｄに示す変形例では、可撓性のコプレーナ線路５０が、電線路５１，５２に加えて、２つのさらなる電線路５３，５４を有する。さらなる電線路５３，５４は、接地されている（これにより、「ＧＳＳＧ（ＧＮＤ−信号−信号−ＧＮＤ）構成が実現される」）。さらなる線路５３，５４は、第１の絶縁層６１上に、当該第１の絶縁層６１における、第１および第２の電線路５１，５２と同じ側に配置され得る。さらに、第２の絶縁層６２が、第１および第２の電線路５１，５２ならびにさらなる電線路５３，５４を覆うように配設される。
【0051】
図３に、変調器１００の電極配置構造１を駆動するのに用いられ得るオープンコレクタ回路の第１の例を示す。ドライバユニット３０が、前記変調器の電極配置構造１に、差動電圧を、可撓性のコプレーナストリップ線路５０を介して供給する。２つの抵抗体２１，２２が、変調器１００側のコプレーナストリップ線路を終端するために設けられている。これら終端抵抗体２１，２２は、端部接点２３を介して互いに接続されている。この端部接点は、さらに、ドライバユニット３０の２つのトランジスタ４１，４２のコレクタ４０１，４０２に向けて供給される供給電圧Ｖｃｃに接続されている。
【0052】
図４に、オープンコレクタ回路の一変形例を示す。具体的に述べると、終端抵抗体２１，２２が、キャパシタ３１を介して互いに容量結合されている。キャパシタ３１の具体例について、図８Ａ〜図８Ｃに示す。さらに、終端抵抗体２１，２２に、２つのインダクタンス３０１，３０２が接続されている。これらインダクタンス３０１，３０２を介して、供給電圧Ｖｃｃが、ドライバユニット３０のトランジスタ４１，４２のコレクタ４０１，４０２に向けて供給される。Ｖｃｃをインダクタンス３０１，３０２を介して供給する構成には、供給電力が終端抵抗体２１，２２を避けて導かれることによって、これら終端抵抗体２１，２２での電力損失を回避できるという利点がある。ドライバユニット３０がＣＭＯＳデバイスである場合には、（電圧Ｖｃｃを当該ドライバユニットのトランジスタのドレインに供給することによって）オープンドレイン回路が実現され得る。他の実施形態では、インダクタンス３０１，３０２が、ドライバユニット３０と変調器１００との間に配置される。
【0053】
図５は、変調器１００を動作させるのに用いられ得る別のオープンコレクタ回路に関する図である。ここでも、ドライバユニット３０が、前記変調器の前記電極配置構造の電線路１１，１２に可撓性のコプレーナストリップ線路５０を介して接続されていると共に、前記変調器側のコプレーナストリップ線路の終端が、２つの終端抵抗体２１，２２によって実現されている。しかし、これら終端抵抗体２１，２２のそれぞれが、キャパシタ３１ａ，３１ｂを介して接地されている。これら２つのキャパシタ３１ａ，３１ｂの具体例については、図９に示す。
【0054】
図６は、変調器１００の電極配置構造１の電線路１１，１２を終端するのに用いられる終端ネットワークの具体例を示す図である。具体的に述べると、この終端ネットワークは、電線路１１，１２間に配置された２つの終端抵抗体２１，２２（例えば、それぞれの抵抗値は２５Ωとされる）を有する。これら終端抵抗体２１，２２は、前記コプレーナストリップ線路と共に基板に配置された材料層として形成される。すなわち、終端抵抗体２１，２２は、前記電気光学変調器における他の部品とモノリシックに集積されている。しかし当然ながら、前にも述べたように、終端抵抗体２１，２２は、前記変調器とモノリシックに集積されていなくてもよい。例えば、終端抵抗体２１，２２は、異なる基板に配置されて変調器１００の電線路１１，１２と（例えば、ボンディングワイヤを介して）接合されてもよい。
【0055】
２つの終端抵抗体２１，２２を電線路１１，１２間に配置可能とするために、それら電線路１１，１２間の間隔は、電線路１１，１２が互いから第１の距離ｄ１をもって延在する第１の領域１０および電線路１１，１２が互いから第１の距離ｄ１よりも大きい第２の距離ｄ２をもって延在する第２の領域２０を電極配置構造１が有するように、終端抵抗体２１，２２に向かって広がっている。
【0056】
第２の領域２０には、当該第２の領域２０での電線路１１，１２間の第１の領域１０に比べて大きい間隔が前記コプレーナストリップ線路のインピーダンスに与える影響を補償する、追加の金属層３の形態の導電性構造が配置されている。具体的に述べると、金属層３は、前記コプレーナストリップ線路のインピーダンスを決める、第１および第２の電線路１１，１２間の実効距離を減少させる。これにより、終端抵抗体２１，２２の領域での電線路１１，１２間の距離が大きくなることによる望ましくない影響が補償され得る。
【0057】
具体的に述べると、金属層３の寸法は、電線路１１，１２により構成されるコプレーナストリップ線路のインピーダンスを当該コプレーナ線路の所望の統合インピーダンスに適合するように選択される。具体的に述べると、電線路１１，１２間の実効距離は、金属層３の幾何形状によって変化する。これにより、金属層３を用いて前記コプレーナストリップ線路のインピーダンスを調整することが可能である。一具体例として、単一の金属層３ではなく、複数の層（例えば、２つ以上の金属層）が配置されてもよい。
【0058】
さらなる詳細として、金属層３は、三角形状のベース部位３１１を有しており、このベース部位３１１は、長手突出部位３１２と一体的に連結している。三角形状の部位３１１は、電極配置構造１における（電線路１１，１２間の距離ｄ２を持つ）第２の領域２０の下側のサブ領域内で延在しつつ、第１の領域１０に向かって延長している。すなわち、三角形状の部位３１１は、電極配置構造１のうちの、電線路１１，１２間の間隔が距離ｄ２から当該距離ｄ２よりも小さいが前記距離ｄ１よりは大きい第３の距離ｄ３へと減少していく領域内に延在している。金属層３の長手部位３１２は、その第３の距離ｄ３の領域に延在している。
【0059】
電極配置構造１の前記第１の領域１０および／または前記第２の領域２０での電線路１１，１２間の間隔は、必ずしも一定でなくてもよい。当然ながら、電線路１１，１２間の間隔の形状として図６に示されている形状は、あくまでも例示に過ぎない。すなわち、金属層３の形状として、例えば長方形状および／または丸状および／または正弦波状などのベース部位３１１を有した他の形状も考えられる。さらに、金属層３の前記長手部位３１２は、より短くてもよく、あるいは、省略されてもよい。
【0060】
さらに、終端抵抗体２１，２２が、端部接点２３（一具体例として、金属層により構成される）を介して互いに接続されている。端部接点２３は、図３に示すオープンコレクタ回路を実現するのに用いられ得る。すなわち、端部接点２３は、供給電圧Ｖｃｃを電線路１１，１２に接続して当該供給電圧Ｖｃｃを前記ドライバユニットに供給するのに用いられ得る。具体的に述べると、端部接点２３は、（長方形状の）ベース部位２３１を有しており、このベース部位２３１から長手部位２３２が、金属層３のベース部位３１１に向かって延びている。この長手部位２３２によって終端抵抗体２１，２２が互いに接続されている。
【0061】
前記変調器の電極配置構造１に差動電圧を供給する場合、すなわち、電線路１１，１２が対称的に駆動される場合、前記長手部位２３２が、金属層３の三角形状のベース部位３１１に接続され得る。すると、金属層３は、終端抵抗体２１，２２と共に直流電位に接続され得る。金属層３は異なる直流電位を取り得るが、その電位は前記コプレーナストリップ線路に印加される対称交流電圧によって変化しない。すなわち、金属層３は、「フローティング構造」として配置される。
【0062】
しかしながら、金属層３は、電線路１１，１２および終端抵抗体２１，２２から電気的に（直流的に）絶縁されたものとされてもよい。一具体例として、金属層３の電気絶縁は、金属層３と、電線路１１，１２及び終端抵抗体２１，２２の当該金属層３を取り囲む部位との間の隙間によって実現され得る。
【0063】
２つの終端抵抗体２１，２２は、図７に示すように単一の終端抵抗体２４に置き換えられてもよい。この単一の終端抵抗体２４は、図６での２つの終端抵抗体２１，２２と同じく、電極配置構造１の前記第２の領域２０に配置される。さらに、金属層３が、電極配置構造１の統合インピーダンスを適合させるように電極配置構造１のその第２の領域２０に配置される。ここで、金属層３は、電線路１１，１２および終端抵抗体２４から直流的に絶縁されたものであってもよい。
【0064】
さらに、前記追加の金属層３に代えて、図８Ａ〜図８Ｃに示すように、電極配置構造１の前記第２の領域２０における電線路１１，１２（エアブリッジ１１１，１２１を介して導波路電極１１３，１２３に接続されており、光導波路１１２，１２２に電圧を印加する電線路１１，１２）間に、金属構造３１の形態の容量性構造が設けられてもよい。金属構造３１は、２つの終端抵抗体２１，２２を直流的に分離する容量性構造を構成するものであり、図４に示すオープンコレクタ回路を実現するのに用いられ得る。
【0065】
具体的に述べると、第１の変形例の金属構造３１は、上下に（一方が他方の真上となるように）配置されている２つの金属層３１３，３１４を有し（図８Ｃを参照）、かつ、これら金属層３１３，３１４（例えば、金層）は、当該金属層３１３，３１４間に配設された誘電層３１５（例えば、窒化シリコン層、酸化シリコン層等）によって隔てられている。上側の金属層３１３は、第１の終端抵抗体２１に電気的に接続されており、下側の金属層３１４は、第２の終端抵抗体２２に電気的に接続されている。これにより、金属構造３１は、２つの終端抵抗体２１，２２を結合するキャパシタを提供している。具体的に述べると、金属構造３１によりもたらされる、２つの終端抵抗体２１，２２間の容量結合は、図４に示すオープンコレクタ回路を実現するのに用いられ得る。
【0066】
さらに、金属構造３１は、図６の実施形態及び図７の実施形態で用いられる金属層３に関して前述したのと同様に、前記第２の領域での電線路１１，１２間の第１の領域に比べて大きい距離が前記コプレーナストリップ線路のインピーダンスに与える影響を補償するように構成され得る。
【0067】
図８Ｂには、第１の光導波路１１２が複数の第１の容量性セグメント１１４を有する様子、および第２の光導波路１２２が複数の第２の容量性セグメント１２４を有する様子が示されている。さらに、第１の導波路電極１１３が第１の容量性セグメント１１４の上に配置されており、第２の導波路電極１２３が第２の容量性セグメント１２４の上に配置されている。これにより、第１および第２の導波路電極１１３，１２３は（したがって、第１および第２の電線路１１，１２は）、互いに容量結合している。容量性セグメント１１４，１２４は、光導波路１１２，１２２のｐ−ｉ−ｎダイオード部位によって形成され得る。具体的に述べると、活性層（例えば、多重量子井戸層）がダイオードの真性領域を形成し、この真性領域の上のｐドープ層が当該ダイオードのｐ領域を形成し、前記活性層の下に位置し且つ半絶縁性基板（例えば、ＩｎＰ基板）上に配置されたｎドープ層が当該ダイオードのｎ領域を形成する。
【0068】
さらに、容量性セグメント１１４，１２４は、ｎドープ層の一部により形成されたｎドープ領域１１５を介して直列に接続され得る。これによって、第１および第２の導波路電極１１３，１２３は、互いに容量結合され得る。以上のようにして、変調器１００は、前述した容量結合コプレーナ進行波電極構造を有するものとなる。
【0069】
図９は、第２の変形例の金属構造３１を（図８Ａの線Ｂ−Ｂに沿った断面視で）示す図である。具体的に述べると、この構成例の金属構造は、３つの金属層３１３，３１４，３１６を有する。第１の金属層３１３が、第１の誘電層３１７によって（中央の）第３の金属層３１６から直流的に絶縁されており、第２の金属層３１４が、第２の誘電層３１８によってその第３の金属層３１６から直流的に絶縁されていることにより、第１および第２のキャパシタを構成している。これら２つの誘電層３１７，３１８に代えて、中央の金属層３１６を埋め込む単一の誘電層が配設されてもよい。
【0070】
中央の金属層３１６は接地されて、上側の第１の金属層３１３は第１の終端抵抗体２１に接続されて、下側の第２の金属層３１４は第２の終端抵抗体２２に接続される。これにより、図５に示すオープンコレクタ回路が実現される。すなわち、前記変調器の前記コプレーナストリップ線路の終端は、単一のキャパシタではなく２つのキャパシタによって実現されており、かつ、終端抵抗体２１，２２のそれぞれが、それら２つのキャパシタのうちの１つを介して接地されている。
【0071】
図１０は、図１Ａ〜１Ｃのマッハツェンダー変調器１００の全体を、前記ドライバユニットを省略して示した斜視図である。この変調器は、電極配置構造１のうちの広がった部位における電線路１１，１２間に配置されて２つの終端抵抗体２１，２２を互いに容量結合している図８Ａ〜図８Ｃの金属構造３１を含む。当然ながら、この変調器１００には、図７（単一の終端抵抗体）や図９に示す終端ネットワークが用いられてもよい。
【0072】
さらに、金属構造３１により構成されるキャパシタに加えて、少なくとも１つの（任意の）さらなるキャパシタ４０が配設されている。キャパシタ４０の静電容量は、金属構造３１により提供される静電容量よりも大きいものとされる。これにより、終端抵抗体２１，２２は、低い周波数域に関しても容量結合され得る。例えば、さらなるキャパシタ４０は１ＧＨｚ未満の周波数を通過させることができる一方、金属構造３１により構成されるキャパシタによって１ＧＨｚ超の周波数が通過される。
【0073】
図１１は、変調器装置２００の他の実施形態を示す図である。図１と同様に、ドライバユニット３０（すなわち、ドライバユニット３０の出力接点５０６）は、前記変調器の電極配置構造１の第１および第２の電線路１１，１２の第１の端部に、第１の可撓性のコプレーナ線路５０を介して接続されている。さらに、２つの終端抵抗体２１，２２が、変調器１００の電線路１１，１２が配置されている基板２０５とは別体の基板２１０に配置されている。これら終端抵抗体２１，２２は、第１および第２の電線路１１，１２の第２の端部に、第２の可撓性のコプレーナ線路６０を介して接続されている。これら終端抵抗体２１，２２は、さらに、キャパシタ３１０を介して互いに接続されている。
【0074】
この実施形態における第１の可撓性の線路５０は、これよりも大きい可撓性のコンタクト構造体５００の一部である。コンタクト構造体５００は、第１の可撓性のコプレーナ線路５０に一体的に連結されている中央セクション５０１を有する。中央セクション５０１は、外部の装置（例えば、直流電圧制御器）をドライバユニット３０を構成する集積回路の入力接点５０３に接続するための複数の導電線路５０２を有している。コンタクト構造体５０１は、中央セクション５０１に加えて、ドライバユニットＩＣ３０のＲＦ入力接点５０５にＲＦ電圧を供給するための（一体的に連結された）入力セクション５０４を有する。例えば、入力セクション５０４は、第１の可撓性のコプレーナ線路５０と同じくコプレーナ線路を構成するものとされ、すなわち、入力接点５０５にＲＦ波を伝送する導波路を構成するものとされる。
【0075】
ドライバユニットＩＣ３０は、中央セクション５０１にフリップチップ向き（flip-chip orientation）で接続されており（すなわち、ドライバユニットＩＣ３０の背面が中央セクション５０１から遠ざかる方向に面しており）、かつ、熱伝導性材料（図示せず）上に配置される。すなわち、ドライバユニットＩＣ３０は、第１の可撓性の線路５０及び可撓性のコンタクト構造体５００の可撓性の導電線路５０２にフリップチップ向きで接続された後、これらドライバユニットＩＣ３０と可撓性のコンタクト構造体５００との配置関係がひっくり返されて、このひっくり返された（反転）向きで変調器１００の電線路１１，１２へと接続されている。これにより、電線路５１，５２は、可撓性の線路５０における絶縁層６１の下側（すなわち、変調器１００の電極配置構造１に向かって面する側）に位置することとなる。
【0076】
終端抵抗体２１，２２は、図１２に示すように変調器１００と集積されたものとされてもよく、すなわち、電極配置構造１の第１および第２の電線路１１，１２と同じ基板２０５に配置されたものとされてもよい。また、第１および第２の終端抵抗体２１，２２を直流的に分離するキャパシタ３１０が、図８Ａ〜図８Ｃに示す容量性の金属構造３１により形成されたものとされてもよい。これら終端抵抗体２１，２２およびキャパシタ３１０は、変調器１００のうちの広がった部位に配置されている。この広がった部位では、電極配置構造１の第１および第２の電線路１１，１２間の距離が、その広がった部位以外よりも大きい。
【0077】
図１３は、本発明の他の実施形態を示す概略図である。具体的に述べると、変調器装置２００の変調器１００が、進行波型変調器として構成されていない。むしろ、この変調器装置２００は、複数のドライバユニット３０ａ〜３０ｄを備えており、ドライバユニット３０ａ〜３０ｄのそれぞれが、第１の導波路電極１１３の１つおよび第２の導波路電極１２３のうちの１つに割り当てられている。光導波路１１２，１２２は、導波路電極１１３，１２３を容量結合するために、図８Ｂを参照しながら説明した容量性セグメント１１４，１２４を有するものとされる。さらなる詳細として、ドライバユニット３０ａ〜３０ｄのそれぞれは、第１の導波路電極１１３のうちの１つおよび第２の導波路電極１２３のうちの１つに、可撓性のコプレーナストリップ線路５０ａ〜５０ｄを介して接続されている。ここで、可撓性のコプレーナストリップ線路５０ａ〜５０ｄのそれぞれは、図２Ａ〜図２Ｄに示されているように構成され得る。
【0078】
図１３に示す変調器装置２００は、前述した"10 Gb/s - 80-km operation of full C-band InP MZ modulator with linear-accelerator-type tiny in-line centipede electrode structure directly driven by logic IC of 90-nm CMOS process（「９０ｎｍＣＭＯＳプロセスロジックＩＣ直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造フルＣバンドＩｎＰＭＺ変調器の１０Ｇｂ／秒−８０ｋｍ動作」）", T. Kato et al., Optical Fiber Communication Conference and Exposition, 2011, p. 1の論文に記載された配置構成を実現し得る。
【0079】
本発明の他の実施形態において、変調器装置２００は、位相変調器としても動作され得る。その場合、光導波路１１２，１２２のうちの一方のみが、光信号の位相を変調させるのに利用される。例えば、光導波路１１２，１２２のうちの利用されない一方が光学的に非アクティブとなり得るものの、この光学的に非アクティブな導波路により構成される容量性セグメント１１４又は容量性セグメント１２４は容量性エレメントとして利用される。これにより、光学的にアクティブな導波路の導波路電極は、それら２つの導波路の容量性セグメントを介してドライバユニット３０ａ〜３０ｄと容量結合されることとなる。
【0080】
図１４は、図１３に示す変調器装置２００の一変形例を示す図である。ドライバユニット３０ａ〜３０ｄは、（図１Ｂに示されたドライバユニット３０と同様に）（第２の）基板８０にフリップチップ接合されている。ここで、これらドライバユニット３０ａ〜３０ｄは、単一の共通のＩＣによって実現されてもよい。ドライバユニット３０ａ〜３０ｄのそれぞれの出力接点は、基板８０上に配置されたコプレーナストリップ線路９０ａ〜９０ｄに接続されている。そして、これらの電線路９０ａ〜９０ｄが、可撓性のコプレーナストリップ線路５０ａ〜５０ｄの第１の端部に接続されている。
【0081】
その可撓性のコプレーナストリップ線路５０ａ〜５０ｄの反対側の端部は、前記変調器の電極配置構造１の電線路１１，１２に接続されている。これら電線路１１，１２は、図１Ａ〜図１Ｃとは異なり、導波路電極対（当該導波路電極対のそれぞれが、第１の導波路電極１１３および対向する第２の導波路電極１２３を含む）のうちの１つに割り当てられた線路セグメントとされる。なお、本発明は、実施の態様として以下の内容を含む。
〔態様１〕
電気光学変調器装置であって、
−第１および第２の光導波路（１１２，１２２）ならびに前記光導波路（１１２，１２２）に電圧を印加する電極配置構造（１）を含む少なくとも１つの電気光学変調器（１００）であって、
−前記電極配置構造（１）が、前記第１の光導波路（１１２）の上に配置された複数の第１の導波路電極（１１３）および前記第２の光導波路（１２２）の上に配置された複数の第２の導波路電極（１２３）を有し、
−前記第１および第２の導波路電極（１１３，１２３）が互いに容量結合している、少なくとも１つの電気光学変調器（１００）と、
−前記電極配置構造（１）に電圧を供給する少なくとも１つのドライバユニット（３０）と、
−前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の電気接続部と、
を備え、
−前記電極配置構造（１）が、前記第１の導路波電極（１１３）に接続された第１の電線路（１１）および前記第２の導波路電極（１２３）に接続された第２の電線路（１２）を有し、前記第１および第２の電線路（１１，１２）がコプレーナストリップ線路を構成している、電気光学変調器装置において、
前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の前記電気接続部が、可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）を含み、
前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）が、少なくとも２つの電線路（５１，５２）を有し、
前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記電線路のうちの第１の電線路（５１）が、前記電極配置構造（１）の前記第１の電線路（１１）に接続されており、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記電線路のうちの第２の電線路（５２）が、前記電極配置構造（１）の前記第２の電線路（１２）に接続されており、
前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）が、前記電極配置構造（１）の前記第１および第２の電線路（１１，１２）により構成される前記コプレーナストリップ線路に、差動電圧信号を、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）を介して供給することを特徴とする、電気光学変調器装置。
〔態様２〕
態様１に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の２つの前記電線路（５１，５２）が、少なくとも１つの電気絶縁層（６１）の内部に、かつ／または、前記少なくとも１つの電気絶縁層（６１）に接して、配置されている、電気光学変調器装置。
〔態様３〕
態様１または２に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）が、２つの電線路（５１，５２）を有する、電気光学変調器装置。
〔態様４〕
態様１から３のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記電線路（５１，５２）が、前記電極配置構造（１）の前記第１および第２の電線路（１１，１２）にそれぞれ接合されている、電気光学変調器装置。
〔態様５〕
態様１から４のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）間の距離が、２５μｍ未満、１０μｍ未満または５μｍ未満である、電気光学変調器装置。
〔態様６〕
態様１から５のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）が、当該第１および第２の電線路（５１，５２）の長手方向に垂直な方向で少なくとも部分的に互いに隣接して配置されている、電気光学変調器装置。
〔態様７〕
態様１から６のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）が、前記少なくとも１つの絶縁層（６１〜６３）に垂直な方向で少なくとも部分的に一方が他方の真上に配置されている、電気光学変調器装置。
〔態様８〕
態様１から７のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記第１および／または第２の電線路（５１，５２）が、第１の絶縁層（６１）に配置されて且つ第２の絶縁層（６２）により覆われている、電気光学変調器装置。
〔態様９〕
態様６に従属する態様７に記載の電気光学変調器装置において、前記第２の電線路（５２）が、第１の絶縁層（６１）に配置された第１の部位（５２１）および第２の絶縁層（６２）に配置された第２の部位（５２３）を有し、前記第２の絶縁層（６２）は、前記第１の部位（５２１）と前記第２の部位との間に延在している、電気光学変調器装置。
〔態様１０〕
態様１から９のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記電極配置構造（１）が第１の基板（７０）に配置され、前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）が第２の基板（８０）に配置され、前記第１の基板（７０）は、前記第２の基板（８０）から離れて配置されている、電気光学変調器装置。
〔態様１１〕
態様１から１０のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記電極配置構造（１）および／または前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の、前記電線路（５１，５２，１１，１２）のいずれも接地されていない、電気光学変調器装置。
〔態様１２〕
態様１から１１のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記ドライバユニットが、前記電極配置構造（１）の前記第１の電線路（１１）に、第１の可変信号を、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１の電線路（５１）を介して、かつ、前記電極配置構造（１）の前記第２の電線路（１２）に、第２の可変信号を、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第２の電線路（５２）を介して供給する、電気光学変調器装置。
〔態様１３〕
態様１から１２のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）が、少なくとも部分的に、幾何学的に対称な構造として形成されている、電気光学変調器装置。
〔態様１４〕
態様１から１３のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）が、少なくとも本質的に互いに平行に延びる長手構造として形成されている、電気光学変調器装置。
〔態様１５〕
態様１から１４のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）の前記第１および第２の電線路（５１，５２）が、前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）から高周波モードを前記変調器に伝送する電気導波路を構成しており、当該電気導波路は、電気モードが前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）及び前記電極配置構造（１）を介して連続的に導かれるように前記電極配置構造（１）の前記第１および第２の電線路（１１，１２）とインピーダンス整合されている、電気光学変調器装置。
〔態様１６〕
態様１から１５のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置において、前記可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）が、外部の装置を前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）の入力接点に接続するための複数の導電線路（５０２）を有する可撓性のコンタクト構造体の、一部である、電気光学変調器装置。
〔態様１７〕
電気光学変調器装置であって、
−第１および第２の光導波路（１１２，１２２）ならびに前記光導波路（１１２，１２２）に電圧を印加する電極配置構造（１）を含む少なくとも１つの電気光学変調器（１００）であって、
−前記電極配置構造（１）が、前記第１の光導波路（１１２）の上に配置された複数の第１の導波路電極（１１３）および前記第２の光導波路（１２２）の上に配置された複数の第２の導波路電極（１２３）を有し、
−前記第１および第２の導波路電極（１１３，１２３）が互いに容量結合している、少なくとも１つの電気光学変調器（１００）と、
−前記ドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の電気接続部と、
を備える、電気光学変調器装置において、
当該電気光学変調器装置が、複数のドライバユニット（３０ａ〜３０ｄ）を備え、
前記ドライバユニット（３０ａ〜３０ｄ）のそれぞれが、前記第１の導波路電極（１１３）のうちの１つおよび前記第２の導波路電極（１２３）のうちの１つに、可撓性のコプレーナストリップ線路（５０ａ〜５０ｄ）を含む電気接続部によって接続されていることを特徴とする、電気光学変調器装置。
〔態様１８〕
電気光学変調器装置、特には、態様１から１７のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置であって、
−少なくとも１つのアクティブな光導波路（１１２）および前記アクティブな光導波路（１１２）に電圧を印加する電極配置構造（１）を含む少なくとも１つの電気光学位相変調器であって、
−前記電極配置構造（１）が、前記光導波路（１１２）により構成される容量性セグメント（１１４）の上に配置された複数の導波路電極（１１３）を有する、少なくとも１つの電気光学位相変調器と、
−少なくとも１つの光学的に非アクティブな容量性エレメント（１２４）と、
−前記電極配置構造（１）に電圧を供給する少なくとも１つのドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と、
−前記少なくとも１つのドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の電気接続部と、
を備え、
前記導波路電極（１１３）が、前記少なくとも１つのドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）に、前記容量性セグメント（１１４）、前記少なくとも１つの容量性エレメント（１２４）および前記電気接続部を介して容量結合している、電気光学変調器装置において、
前記少なくとも１つのドライバユニット（３０，３０ａ〜３０ｄ）と前記電極配置構造（１）との間の前記電気接続部が、可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）を含むことを特徴とする、電気光学変調器装置。
〔態様１９〕
電気光学変調器装置、特には、態様１から１８のいずれか一項に記載の電気光学変調器装置であって、
−少なくとも１つの光導波路（１１２，１２２）および前記光導波路（１１２，１２２）に電圧を印加する電極配置構造（１）を含む少なくとも１つの電気光学変調器（１００）であって、
−前記電極配置構造（１）が、コプレーナストリップ線路を構成している第１および第２の電線路（１１，１２）を有する、少なくとも１つの電気光学変調器（１００）と、
−前記第１および第２の電線路（１１，１２）を終端する少なくとも１つの終端抵抗体（２１，２２）と、
−前記終端抵抗体（２１，２２）と前記第１および第２の電線路（１１，１２）との間の電気接続部と、
を備える、電気光学変調器装置において、
前記終端抵抗体（２１，２２）と前記第１および第２の電線路（１１，１２）との間の前記電気接続部が、可撓性のコプレーナストリップ線路（５０）を含むことを特徴とする、電気光学変調器装置。
【符号の説明】
【0082】
１ 電極配置構造３ 金属層
１０ 第１の領域
１１，１２ 電線路
２０ 第２の領域
２１，２２ 終端抵抗体
２３ 端部接点
２４ 単一の終端抵抗体
３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ ドライバユニット
３１ 金属構造
３１ａ，３１ｂ，３１０ キャパシタ
４０ さらなるキャパシタ
４１，４２ トランジスタ
５０，５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ 可撓性のコプレーナストリップ線路
５１，５２ 電線路
６０ 第２のコプレーナストリップ線路
６１ 第１の絶縁層
６２ 第２の絶縁層
６３ 第３の絶縁層
７０ 第１の基板
７５ 共通の基板
８０ 第２の基板
９０，９０ａ，９０ｂ，９０ｃ，９０ｄ 電線路
１００ 変調器
１１１，１２１ エアブリッジ
１１２，１２２ 光導波路
１１３，１２３ 導波路電極
１１４，１２４ 容量性セグメント
１１５ ｎドープ領域
２００ 変調器装置
２０５ 半導体基板
３１１ ベース部位
３１２ 長手部位
３１３，３１４，３１６ 金属層
３１７，３１８ 誘電層
４０１，４０２ コレクタ
５００ コンタクト構造体
５０１ 中央セクション
５０２ 導電線路
５０３ 入力接点
５０４ 入力セクション
５０５ 入力接点
５０６ 出力接点
５２１ 第２の電線路のうちの第１の部位
５２２ 連結部位
５２３ 第２の電線路のうちの第２の部位