特許 6568800 有機トランジスタ製造用溶剤

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6568800

(24)【登録日】2019年8月9日

(45)【発行日】2019年8月28日

(54)【発明の名称】有機トランジスタ製造用溶剤

(51)【国際特許分類】

   H01L 51/30 20060101AFI20190819BHJP

   H01L 51/05 20060101ALI20190819BHJP

   H01L 51/40 20060101ALI20190819BHJP

   C07C 49/403 20060101ALI20190819BHJP

   C07C 43/205 20060101ALI20190819BHJP

   C07C 211/35 20060101ALI20190819BHJP

   C07C 43/184 20060101ALI20190819BHJP

【ＦＩ】

   H01L29/28 220A

   H01L29/28 250G

   H01L29/28 100A

   H01L29/28 310J

   C07C49/403 Z

   C07C43/205 Z

   C07C211/35

   C07C43/184

【請求項の数】2

【全頁数】25

(21)【出願番号】特願2015-549092(P2015-549092)

(86)(22)【出願日】2014年11月13日

(86)【国際出願番号】JP2014080031

(87)【国際公開番号】WO2015076171

(87)【国際公開日】20150528

【審査請求日】2017年9月28日

(31)【優先権主張番号】特願2013-241096(P2013-241096)

(32)【優先日】2013年11月21日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000002901

【氏名又は名称】株式会社ダイセル

(74)【代理人】

【識別番号】110002239

【氏名又は名称】特許業務法人後藤特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 陽二

(72)【発明者】

【氏名】横尾 健

(72)【発明者】

【氏名】赤井 泰之

【審査官】 脇水 佳弘

(56)【参考文献】

【文献】 特表２０１１−５０８９６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−０６６２９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２３８２８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１３５４２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１４／１３６４３６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特表２０１２−５２１４６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１２／０８４７５７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特表２００９−５４１５４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１３／１５０００５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 中国特許出願公開第１０３３０４７８０（ＣＮ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１３／０２４０７９２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特表２０１６−５１８７２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１４−５３４６０６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ５１／００

Ｈ０１Ｌ ２７／２８

ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

下記式（1-1）

【化1】

（式中、Ｒ³〜Ｒ¹²は同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ_1-24アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基から選択される基を示す。Ｒ⁵とＲ⁶、Ｒ⁷とＲ⁸、Ｒ⁹とＲ¹⁰、Ｒ¹¹とＲ¹²は、それぞれ互いに結合して、チオフェン環を構成する炭素原子と共に環を形成していてもよい）
で表される構成単位を有する有機半導体材料と、下記式（ａ）

【化2】

［式中、環Ｚは芳香族炭素環、５〜７員の脂環式炭素環、及び５〜７員の複素環から選択される環を示す。Ｒ¹はオキソ基（＝Ｏ）、チオキシ基（＝Ｓ）、−ＯＲ^a基、−ＳＲ^a基、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）Ｒ^a基、−Ｒ^bＯ（Ｃ＝Ｏ）Ｒ^a基（Ｒ^aはＣ_1-7アルキル基、又はアリール基、又は前記基が単結合又は連結基を介して結合した基を示し、Ｒ^bはＣ_1-7アルキレン基、又はアリーレン基、又は前記基が単結合又は連結基を介して結合した基を示す）、及び置換又は無置換アミノ基から選択される基を示し、Ｒ²は水素原子、Ｃ_1-7アルキル基、アリール基、及び−ＯＲ^a基（Ｒ^aは前記に同じ）から選択される基を示す。Ｒ¹とＲ²は互いに結合して環Ｚを構成する炭素原子と共に環を形成していてもよい］
で表される溶剤Ａ（メトキシベンゼンを除く）を１種又は２種以上含む有機半導体材料溶解用の溶剤とを含むトランジスタ製造用組成物。

【請求項2】

溶剤Ａが２−メチルシクロペンタノン、２−メチルシクロヘキサノン、シクロヘキシルメチルエーテル、シクロヘキシルアミン、１，２−ジメトキシベンゼン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、及び２，３−ジヒドロ−３−メチルベンゾフランから選択される少なくとも１種である請求項１に記載のトランジスタ製造用組成物。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、有機半導体材料の溶解性に優れた有機トランジスタ製造用溶剤、及び該有機トランジスタ製造用溶剤と有機半導体材料を含む有機トランジスタ製造用組成物に関する。本願は、２０１３年１１月２１日に日本に出願した、特願２０１３−２４１０９６号の優先権を主張し、その内容をここに援用する。

【背景技術】

【0002】

有機トランジスタはディスプレイやコンピュータ機器を構成する重要な半導体電子デバイスとして広く活用されており、現在、ポリシリコンやアモルファスシリコン等の無機物を半導体材料として使用して製造されている。このような無機物を用いた薄膜有機トランジスタの製造においては、真空プロセスや高温プロセスを必要とし、製造コストが嵩むことが問題であった。また、高温プロセスを含むため使用できる基板に制限がありガラス基板等が主に使用されてきた。しかし、ガラス基板は耐熱性は高いが衝撃に弱く軽量化が困難であり、柔軟性に乏しいためフレキシブルな有機トランジスタを形成することは困難であった。

【0003】

そこで、近年、有機半導体材料を利用した有機電子デバイスに関する研究開発が盛んに行われている。有機半導体材料は、印刷法、スピンコート法等のウェットプロセスによる簡便な方法で容易に薄膜形成が可能であり、従来の無機半導体材料を利用した有機トランジスタと比較し、製造プロセス温度を低温化できるという利点がある。これにより、一般に耐熱性の低いプラスチック基板上への形成が可能となり、ディスプレイ等のエレクトロニクスデバイスの軽量化や低コスト化が実現できるとともに、プラスチック基板のフレキシビリティーを活かした用途等、多様な展開が期待できる。

【0004】

有機半導体材料としては、例えばペンタセン等の低分子の半導体材料を使用することで高い半導体デバイス性能を発現することが知られている。しかし、ペンタセンに代表される無置換のアセン系化合物の多くはπ共役系による強い分子間相互作用により溶剤への溶解性が乏しい。その為、濃度が高い有機トランジスタ製造用組成物を調製することができず、印刷法で形成された有機半導体は結晶グレインが小さくなり高い電圧をかけないと通電しない、さらには高い電圧をかけると絶縁膜が剥れる等の問題があった。

【0005】

その他、非特許文献１、２では有機半導体材料としてチオフェン骨格をもつドナーアクセプター型コポリマー化合物を使用することが記載されている。前記化合物は強固なπ−πスタッキングにより、高いπ電子の重なりから、高い移動度を示す。しかし、強固なπ−πスタッキングにより結晶性が高く、溶剤への溶解性に乏しいことが問題であった。そして、前記文献には１，２−ジクロロベンゼンに代表されるハロゲン化溶剤を使用して加熱溶解することが記載されている。しかし、１，２−ジクロロベンゼン等で溶解させた場合は室温でゲル化することが多く、印刷法による薄膜形成には適しないものであった。また、ハロゲン化溶剤は生態毒性の懸念があり、作業安全上の問題も存在した。

【先行技術文献】

【非特許文献】

【0006】

【非特許文献1】Adv. Mater. 2012, 24, p 4618-4622

【非特許文献2】Adv. Mater. 2012, 24, p 6457-6461

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

従って、本発明の目的は、有機半導体材料の溶解性に優れ、結晶性が高い有機トランジスタを形成することができる有機トランジスタ製造用溶剤を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記有機トランジスタ製造用溶剤を含む有機トランジスタ製造用組成物を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明者等は上記課題を解決するため鋭意検討した結果、特定の溶剤を用いると、比較的低温でも高い有機半導体材料溶解性を発現することができ、ガラス基板に比べて耐熱性の低いプラスチック基板上にも印刷法により有機トランジスタを形成することができることを見いだした。また、前記溶剤を含有する有機トランジスタ製造用組成物は、基板上に塗布すると有機半導体材料が自己組織化作用により結晶化することを見いだした。更に、必要に応じて、前記溶剤に一般的に電子材料用途に使用される溶剤を混合すると、塗布性、乾燥性をさらに向上し得ることを見出した。本発明はこれらの知見に基づいて完成させたものである。

【0009】

すなわち、本発明は有機半導体材料溶解用の溶剤であって、下記式（ａ）

【化1】

［式中、環Ｚは芳香族炭素環、５〜７員の脂環式炭素環、及び５〜７員の複素環から選択される環を示す。Ｒ¹はオキソ基（＝Ｏ）、チオキシ基（＝Ｓ）、−ＯＲ^a基、−ＳＲ^a基、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）Ｒ^a基、−Ｒ^bＯ（Ｃ＝Ｏ）Ｒ^a基（Ｒ^aはＣ_1-7アルキル基、又はアリール基、又は前記基が単結合又は連結基を介して結合した基を示し、Ｒ^bはＣ_1-7アルキレン基、又はアリーレン基、又は前記基が単結合又は連結基を介して結合した基を示す）、及び置換又は無置換アミノ基から選択される基を示し、Ｒ²は水素原子、Ｃ_1-7アルキル基、アリール基、及び−ＯＲ^a基（Ｒ^aは前記に同じ）から選択される基を示す。Ｒ¹とＲ²は互いに結合して環Ｚを構成する炭素原子と共に環を形成していてもよい］
で表される溶剤Ａを１種又は２種以上含む有機トランジスタ製造用溶剤を提供する。

【0010】

本発明は、また、溶剤Ａが２−メチルシクロペンタノン、２−メチルシクロヘキサノン、シクロヘキシルメチルエーテル、シクロヘキシルアミン、メトキシベンゼン、１，２−ジメトキシベンゼン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、及び２，３−ジヒドロ−３−メチルベンゾフランから選択される少なくとも１種である前記の有機トランジスタ製造用溶剤を提供する。

【0011】

本発明は、また、有機半導体材料が、下記式（１）で表される構成単位を有する化合物である前記の有機トランジスタ製造用溶剤を提供する。

【化2】

（式中、Ｌ¹、Ｌ²は同一又は異なって、芳香族炭素環又はヘテロ芳香族炭素環から２個の水素原子を除去した基、ビニレン基、エチニレン基、及び前記基の２以上が組み合わせられた２価の基から選択される基を示す。Ｒ³、Ｒ⁴は同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ_1-24アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基から選択される基を示す。Ｙ¹、Ｙ²は同一又は異なって、酸素原子又は硫黄原子を示す。ｐ、ｑは同一又は異なって０以上の整数を示し、且つ（ｐ＋ｑ）は１以上の整数である。ｐ個のＬ¹は同一であってもよく、異なっていてもよい。また、ｑ個のＬ²は同一であってもよく、異なっていてもよい）

【0012】

本発明は、また、式（１）中のＬ¹、Ｌ²が、同一又は異なって、下記式（L-1）〜（L-22）から選択される基である前記の有機トランジスタ製造用溶剤を提供する。

【化3】

【化4】

（式中、Ｒ’は同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、チオアルキル基、トリアルキルシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基から選択される基を示す。Ｌ¹、Ｌ²がＲ’を２個以上含む場合、２個以上のＲ’は互いに結合して、Ｌ¹、Ｌ²を構成する炭素原子と共に環を形成していてもよい）

【0013】

本発明は、また、有機半導体材料が、下記式（1-1）で表される構成単位を有する化合物である前記の有機トランジスタ製造用溶剤を提供する。

【化5】

（式中、Ｒ³〜Ｒ¹²は同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ_1-24アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基から選択される基を示す。Ｒ⁵とＲ⁶、Ｒ⁷とＲ⁸、Ｒ⁹とＲ¹⁰、Ｒ¹¹とＲ¹²は、それぞれ互いに結合して、チオフェン環を構成する炭素原子と共に環を形成していてもよい）

【0014】

本発明は、また、有機半導体材料と、前記の有機トランジスタ製造用溶剤とを含む有機トランジスタ製造用組成物を提供する。

【0015】

本発明は、また、有機半導体材料が、下記式（１）で表される構成単位を有する化合物である前記の有機トランジスタ製造用組成物を提供する。

【化6】

（式中、Ｌ¹、Ｌ²は同一又は異なって、芳香族炭素環又はヘテロ芳香族炭素環から２個の水素原子を除去した基、ビニレン基、エチニレン基、及び前記基の２以上が組み合わせられた２価の基から選択される基を示す。Ｒ³、Ｒ⁴は同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ_1-24アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基から選択される基を示す。Ｙ¹、Ｙ²は同一又は異なって、酸素原子又は硫黄原子を示す。ｐ、ｑは同一又は異なって０以上の整数を示し、且つ（ｐ＋ｑ）は１以上の整数である）

【0016】

本発明は、また、式（１）中のＬ¹、Ｌ²が、同一又は異なって、下記式（L-1）〜（L-22）から選択される基である前記の有機トランジスタ製造用組成物を提供する。

【化7】

【化8】

（式中、Ｒ’は同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、チオアルキル基、トリアルキルシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基から選択される基を示す。Ｌ¹、Ｌ²がＲ’を２個以上含む場合、２個以上のＲ’は互いに結合して、Ｌ¹、Ｌ²を構成する炭素原子と共に環を形成していてもよい）

【0017】

本発明は、また、有機半導体材料が、下記式（1-1）で表される構成単位を有する化合物である前記の有機トランジスタ製造用組成物を提供する。

【化9】

（式中、Ｒ³〜Ｒ¹²は同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ_1-24アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基から選択される基を示す。Ｒ⁵とＲ⁶、Ｒ⁷とＲ⁸、Ｒ⁹とＲ¹⁰、Ｒ¹¹とＲ¹²は、それぞれ互いに結合して、チオフェン環を構成する炭素原子と共に環を形成していてもよい）

【0018】

すなわち、本発明は以下に関する。
［１］有機半導体材料溶解用の溶剤であって、式（ａ）で表される溶剤Ａを１種又は２種以上含む有機トランジスタ製造用溶剤。
［２］ 溶剤Ａがシクロペンタノン、Ｃ_1-7（シクロ）アルキルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、Ｃ_1-7（シクロ）アルキルシクロヘキサノン、シクロヘキシルメチルエーテル、シクロヘキシルアミン、アニソール、１−メトキシ−２−メチルベンゼン、ベンゾフラン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、ジヒドロメチルベンゾフラン、シクロヘキシルアセテート、ジヒドロターピニルアセテート、テトラヒドロベンジルアセテート、ベンジルアセテート、テトラヒドロフルフリルアセテート、ジメトキシベンゼン、エトキシベンゼン、ジプロピレングリコールシクロペンチルメチルエーテル、及びＮ−メチルピロリドンから選択される少なくとも１種である［１］に記載の有機トランジスタ製造用溶剤。
［３］ 溶剤Ａが２−メチルシクロペンタノン、２−メチルシクロヘキサノン、シクロヘキシルメチルエーテル、シクロヘキシルアミン、メトキシベンゼン、１，２−ジメトキシベンゼン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、及び２，３−ジヒドロ−３−メチルベンゾフランから選択される少なくとも１種である［１］に記載の有機トランジスタ製造用溶剤。
［４］ 有機トランジスタ製造用溶剤全量における溶剤（Ａ）の含有量が５０重量％以上である、［１］〜［３］の何れか１つに記載の有機トランジスタ製造用溶剤。
［５］ 有機半導体材料が、式（１）で表される構成単位を有する化合物である［１］〜［４］の何れか１つに記載の有機トランジスタ製造用溶剤。
［６］ 式（１）中のＬ¹、Ｌ²が、同一又は異なって、式（L-1）〜（L-22）から選択される基である［５］に記載の有機トランジスタ製造用溶剤。
［７］ 有機半導体材料が、式（1-1）で表される構成単位を有する化合物である［１］〜［４］の何れか１つに記載の有機トランジスタ製造用溶剤。
［８］ 有機半導体材料と、［１］〜［７］の何れか１つに記載の有機トランジスタ製造用溶剤とを含む有機トランジスタ製造用組成物。
［９］ 有機半導体材料が、式（１）で表される構成単位を有する化合物である［８］に記載の有機トランジスタ製造用組成物。
［１０］ 式（１）中のＬ¹、Ｌ²が、同一又は異なって、式（L-1）〜（L-22）から選択される基である［９］に記載の有機トランジスタ製造用組成物。
［１１］ 有機半導体材料が、式（1-1）で表される構成単位を有する化合物である［８］に記載の有機トランジスタ製造用組成物。
［１２］ 有機半導体材料が、式（1-1a）で表される構成単位を有する化合物及び／又は式（1-1b）で表される構成単位を有する化合物である［８］に記載の有機トランジスタ製造用組成物。
［１３］ 有機トランジスタ製造用溶剤１００重量部に対して、有機半導体材料を０．０１〜１０重量部含有する［８］〜［１２］の何れか１つに記載の有機トランジスタ製造用組成物。
［１４］ 有機トランジスタ製造用溶剤１００重量部に対して、有機半導体材料として式（1-1a）で表される構成単位を有する化合物及び／又は式（1-1b）で表される構成単位を有する化合物を０．０１〜１０重量部含有する［８］〜［１３］の何れか１つに記載の有機トランジスタ製造用組成物。
［１５］ 有機トランジスタ製造用溶剤を、有機トランジスタ製造用組成物全量の９０．００〜９９．９９重量％含有する［８］〜［１４］の何れか１つに記載の有機トランジスタ製造用組成物。

【発明の効果】

【0019】

本発明の有機トランジスタ製造用溶剤は、比較的低温でも高い有機半導体材料溶解性を有する。そのため、ガラス基板に比べて耐熱性は低いが、衝撃に強く、軽量且つフレキシブルなプラスチック基板等にも有機トランジスタを直接形成することができ、衝撃に強く、軽量且つフレキシブルなディスプレイやコンピュータ機器を形成することができる。また、印刷法、スピンコート法等のウェットプロセスによる簡便な方法で容易に有機トランジスタの製造が可能であり、コストの大幅な削減が可能である。
そして、本発明の有機トランジスタ製造用組成物は基板上に塗布されると有機半導体材料が自己組織化作用により結晶化するため、高い結晶性を有する有機トランジスタが得られる。

【発明を実施するための形態】

【0020】

［有機トランジスタ製造用溶剤］
本発明の有機トランジスタ製造用溶剤は、有機半導体材料を溶解するための溶剤であって、下記式（ａ）で表される溶剤Ａを１種又は２種以上含むことを特徴とする。

【化10】

［式中、環Ｚは芳香族炭素環、５〜７員の脂環式炭素環、及び５〜７員の複素環から選択される環を示す。Ｒ¹はオキソ基（＝Ｏ）、チオキシ基（＝Ｓ）、−ＯＲ^a基、−ＳＲ^a基、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）Ｒ^a基、−Ｒ^bＯ（Ｃ＝Ｏ）Ｒ^a基（Ｒ^aはＣ_1-7アルキル基、又はアリール基、又は前記基が単結合又は連結基を介して結合した基を示し、Ｒ^bはＣ_1-7アルキレン基、又はアリーレン基、又は前記基が単結合又は連結基を介して結合した基を示す）、及び置換又は無置換アミノ基から選択される基を示し、Ｒ²は水素原子、Ｃ_1-7アルキル基、アリール基、及び−ＯＲ^a基（Ｒ^aは前記に同じ）から選択される基を示す。Ｒ¹とＲ²は互いに結合して環Ｚを構成する炭素原子と共に環を形成していてもよい］

【0021】

（溶剤Ａ）
本発明の溶剤Ａは、上記式（ａ）で表される、ヘテロ原子を少なくとも１個含む化合物である。式（ａ）中、環Ｚは芳香族炭素環、５〜７員の脂環式炭素環、及び５〜７員の複素環から選択される環を示す。前記環としては、例えば、ベンゼン環等の炭素数６〜１４の芳香族炭素環；シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環等の５〜７員の脂環式炭素環（特に、５〜７員のアルカン環）；ピロリジン環、オキソラン環、チオラン環等の５〜７員の複素環を挙げることができる。

【0022】

式（ａ）中、Ｒ¹はオキソ基（＝Ｏ）、チオキシ基（＝Ｓ）、−ＯＲ^a基、−ＳＲ^a基、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）Ｒ^a基、−Ｒ^bＯ（Ｃ＝Ｏ）Ｒ^a基（Ｒ^aはＣ_1-7アルキル基、又はアリール基、又は前記基が単結合又は連結基を介して結合した基を示し、Ｒ^bはＣ_1-7アルキレン基、又はアリーレン基、又は前記基が単結合又は連結基を介して結合した基を示す）、及び置換又は無置換アミノ基から選択される基を示す。また、Ｒ²は水素原子、Ｃ_1-7アルキル基、アリール基、及び−ＯＲ^a基（Ｒ^aは前記に同じ）から選択される基を示す。

【0023】

前記Ｃ_1-7アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル基等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基や、シクロペンチル基等の炭素数３〜７のシクロアルキル基を挙げることができる。

【0024】

前記Ｃ_1-7アルキレン基としては、例えば、メチレン、メチルメチレン、ジメチルメチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン基などの直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基等を挙げることができる。

【0025】

前記アリール基としては、例えば、フェニル基等のＣ_6-14アリール基を挙げることができる。

【0026】

前記アリーレン基としては、例えば、フェニレン基等のＣ_6-14アリーレン基を挙げることができる。

【0027】

前記連結基としては、例えば、アルキレン基、カルボニル基（−ＣＯ−）、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−ＣＯＯ−）、アミド結合（−ＣＯＮＨ−）、カーボネート結合（−ＯＣＯＯ−）、及びこれらが複数個連結した基等を挙げることができる。前記アルキレン基の炭素数は１〜１８が好ましく、メチレン、メチルメチレン、ジメチルメチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン基などの直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基や、１，２−シクロペンチレン、１，３−シクロペンチレン、シクロペンチリデン、１，２−シクロへキシレン、１，３−シクロへキシレン、１，４−シクロへキシレン、シクロヘキシリデン基などの２価の脂環式炭化水素基（特に、シクロアルキレン基）等を挙げることができる。

【0028】

前記置換又は無置換アミノ基としては、例えば、アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のモノ又はジ（Ｃ_1-3）アルキルアミノ基等を挙げることができる。

【0029】

Ｒ¹とＲ²が互いに結合して環Ｚを構成する炭素原子と共に形成していてもよい環としては、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、ベンゼン、メチルベンゼン、チオフェン、メチルチオフェン、フラン、メチルフラン、ジヒドロフラン、メチルジヒドロフラン等を挙げることができる。

【0030】

式（ａ）で表される溶剤Ａの重量平均分子量としては、例えば３５０以下程度、好ましくは７０〜２５０、特に好ましくは８０〜２００である。

【0031】

本発明の溶剤Ａとしては、例えば、シクロペンタノン、Ｃ_1-7（シクロ）アルキルシクロペンタノン（例えば、２−メチルシクロペンタノン、２−エチルシクロペンタノン、２−プロピルシクロペンタノン、２−ブチルシクロペンタノン、２−ペンチルシクロペンタノン、２−シクロペンチルシクロペンタノン、２−ヘキシルシクロペンタノン、２−ヘプチルシクロペンタノン）、シクロヘキサノン、Ｃ_1-7（シクロ）アルキルシクロヘキサノン（例えば、２−メチルシクロヘキサノン、２−エチルシクロヘキサノン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ブチルシクロヘキサノン、２−ペンチルシクロヘキサノン、２−ヘキシルシクロヘキサノン、２−ヘプチルシクロヘキサノン、４−ペンチルシクロヘキサノン）、シクロヘキシルメチルエーテル、シクロヘキシルアミン、アニソール（＝メトキシベンゼン）、１−メトキシ−２−メチルベンゼン、ベンゾフラン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、ジヒドロメチルベンゾフラン（例えば、２，３−ジヒドロ−３−メチルベンゾフラン）、シクロヘキシルアセテート、ジヒドロターピニルアセテート、テトラヒドロベンジルアセテート、ベンジルアセテート、テトラヒドロフルフリルアセテート、ジメトキシベンゼン（例えば、１，２−ジメトキシベンゼン）、エトキシベンゼン、ジプロピレングリコールシクロペンチルメチルエーテル、及びＮ−メチルピロリドン等を挙げることができる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。尚、前記（シクロ）アルキルは、アルキル又はシクロアルキルを示す。

【0032】

特に、有機半導体材料として次に記載の式（1-1）で表される構成単位を有する化合物（なかでも式（1-1a）で表される構成単位を有する化合物）を溶解する場合、溶剤Ａとしては、２−メチルシクロペンタノン、２−メチルシクロヘキサノン、シクロヘキシルメチルエーテル、シクロヘキシルアミン、アニソール（＝メトキシベンゼン）、１，２−ジメトキシベンゼン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、及び２，３−ジヒドロ−３−メチルベンゾフランから選択される少なくとも１種が、前記有機半導体材料の溶解性に優れる点で好ましい。

【0033】

有機トランジスタ製造用溶剤中（１００重量％）における溶剤Ａの含有量（２種以上を組み合わせて含有する場合はその総量）は、５０重量％以上（例えば５０〜１００重量％）が好ましく、７０重量％以上（例えば７０〜１００重量％）が特に好ましい。溶剤Ａの含有量が上記範囲を下回ると、有機半導体材料の溶解性が低下する傾向がある。

【0034】

（溶剤Ｂ）
本発明の有機トランジスタ製造用溶剤は、上記溶剤Ａ以外にも、一般的に電子材料用途に使用される溶剤であって、上記溶剤Ａと相溶する溶剤（＝溶剤Ｂ）を併用してもよい。

【0035】

溶剤Ｂとしては、例えば、（モノ，ジ，トリ）アルキレングリコールモノアルキルエーテル、（モノ，ジ）アルキレングリコールジアルキルエーテル、（モノ，ジ）アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート、（モノ，ジ）アルキレングリコールジアセテート、アルキルアセテート、Ｃ_3-6アルコール、Ｃ_3-6アルカンジオール、Ｃ_3-6アルカンジオールモノアルキルエーテル、Ｃ_3-6アルカンジオールアルキルエーテルアセテート、Ｃ_3-6アルカンジオールジアセテート、グリセリントリアセテート、ヒドロキシカルボン酸エステル、ヒドロキシカルボン酸ジエステル、アルコキシカルボン酸エステル、環状ケトン、ラクトン、環状エーテル、アミド類、ピリジン類、芳香族アセテート、アミン類等を挙げることができる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

【0036】

前記（モノ，ジ，トリ）アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル等を挙げることができる。

【0037】

前記（モノ，ジ）アルキレングリコールジアルキルエーテルとしては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリコールメチルｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールメチルｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルｎ−ブチルエーテル等を挙げることができる。

【0038】

前記（モノ，ジ）アルキレングリコールアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等を挙げることができる。

【0039】

前記（モノ，ジ）アルキレングリコールジアセテートとしては、例えば、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールジアセテート等を挙げることができる。

【0040】

前記アルキルアセテートとしては、例えば、メチルアセテート、エチルアセテート、ｎ−プロピルアセテート、イソプロピルアセテート、ブチルアセテート等を挙げることができる。

【0041】

前記Ｃ_3-6アルコールとしては、例えば、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、ｎ−ペンチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、２−ヘキシルアルコール等を挙げることができる。

【0042】

前記Ｃ_3-6アルカンジオールとしては、例えば、１，３−ブチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール等を挙げることができる。

【0043】

前記Ｃ_3-6アルカンジオールモノアルキルエーテルとしては、例えば、３−メトキシブタノール等を挙げることができる。

【0044】

前記Ｃ_3-6アルカンジオールアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、３−メトキシブタノールアセテート等を挙げることができる。

【0045】

前記Ｃ_3-6アルカンジオールジアセテートとしては、例えば、１，３−ブチレングリコールジアセテート、１，４−ブタンジオールジアセテート、１，６−ヘキサンジオールジアセテート等を挙げることができる。

【0046】

前記ヒドロキシカルボン酸エステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル等を挙げることができる。

【0047】

前記ヒドロキシカルボン酸ジエステルとしては、例えば、乳酸メチルアセテート、乳酸エチルアセテート等を挙げることができる。

【0048】

前記アルコキシカルボン酸エステルとしては、例えば、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等を挙げることができる。

【0049】

前記環状ケトンとしては、例えば、４−ケトイソホロン等を挙げることができる。

【0050】

前記ラクトン類としては、例えば、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−バレロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン等を挙げることができる。

【0051】

前記環状エーテルとしては、例えば、テトラヒドロフラン、テトラヒドロフルフリルアルコール等を挙げることができる。

【0052】

前記アミド類としては、例えば、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。

【0053】

前記ピリジン類としては、例えば、ピリジン、メチルピリジン等を挙げることができる。

【0054】

前記芳香族アセテートとしては、例えば、酢酸フェニル等を挙げることができる。

【0055】

前記アミン類としては、例えば、ジエチルアミン、トリエチルアミン等を挙げることができる。

【0056】

本発明では、上記溶剤Ａと溶剤Ｂを併用することにより、有機半導体材料を高濃度に含有し、且つ、塗布性、乾燥性、安全性、分散性、溶解性等に優れる有機トランジスタ製造用組成物を形成することができる。

【0057】

塗布性をより向上するためには、前記（モノ，ジ，トリ）アルキレングリコールモノアルキルエーテル、（モノ，ジ）アルキレングリコールジアルキルエーテル、（モノ，ジ）アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート、（モノ，ジ）アルキレングリコールジアセテート、及びアルコキシカルボン酸エステルから選択される溶剤を１種又は２種以上併用することが効果的である。

【0058】

顔料分散性をより向上するためには、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のモノＣ_3-6アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート、及びＣ_3-6アルカンジオールアルキルエーテルアセテートから選択される溶剤を１種又は２種以上併用することが効果的である。

【0059】

染料溶解性をより向上するためには、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のモノＣ_3-6アルキレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のモノＣ_3-6アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート、Ｃ_3-6アルカンジオールモノアルキルエーテル、Ｃ_3-6アルカンジオールアルキルエーテルアセテート、ヒドロキシカルボン酸エステル、ヒドロキシカルボン酸ジエステル、Ｃ_3-6アルコール、及びＣ_3-6アルカンジオールから選択される溶剤を１種又は２種以上併用することが効果的である。

【0060】

エポキシ樹脂やアクリル樹脂の溶解性をより向上するためには、（モノ，ジ，トリ）アルキレングリコールモノアルキルエーテル、（モノ，ジ）アルキレングリコールジアルキルエーテル、（モノ，ジ）アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート、（モノ，ジ）アルキレングリコールジアセテート、環状ケトン、ラクトン類、環状エーテル、アミド類、ピリジン類、芳香族アセテート、及びアミン類から選択される溶剤を１種又は２種以上併用することが効果的である。

【0061】

乾燥性をより向上するためには、プロピレングリコールメチルｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールメチルｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルｎ−ブチルエーテル等の（モノ，ジ）Ｃ_3-6アルキレングリコールＣ_1-2アルキルＣ_3-4アルキルエーテル、及びアルキルアセテートから選択される溶剤を１種又は２種以上併用することが効果的である。

【0062】

溶剤Ａと溶剤Ｂとを併用する場合、その混合比（前者／後者（重量比））は、例えば９５／５〜５０／５０、好ましくは９５／５〜７０／３０である。溶剤Ａに比べ溶剤Ｂの割合が多くなると、有機半導体材料の溶解性が低下する傾向がある。尚、溶剤Ａとして２種類以上の溶剤を組み合わせて使用する場合にはその合計量である。溶剤Ｂについても同様である。

【0063】

本発明の有機トランジスタ製造用溶剤は溶剤Ａを含有するため、比較的低温でも高い有機半導体材料溶解性を有する。例えば、１００℃における前記式（１）で表される構成単位を有する化合物の溶解度は、有機トランジスタ製造用溶剤１００重量部に対して、例えば０．０２重量部以上、好ましくは０．０３重量部以上、特に好ましくは０．０４重量部以上である。溶解度の上限は例えば５重量部、好ましくは３重量部、特に好ましくは２重量部である。

【0064】

（有機半導体材料）
本発明の有機トランジスタ製造用溶剤は、有機半導体材料溶解用の溶剤である。前記有機半導体材料としては特に限定されないが、本発明においては、下記式（１）で表される、置換基を有していてもよいジケトピロロピロール基を含む構成単位を有する化合物が、前記構成単位がアクセプター基として働き、ドナー基に対しドナーアクセプター間の分子間電子的相互作用による強いπ−スタッキングにより、秩序よく配列・配向した構造をとることができる点で好ましい。下記式（１）で表される構成単位の繰り返し数としては、例えば２〜５０００程度である。

【0065】

【化11】

（式中、Ｌ¹、Ｌ²は同一又は異なって、芳香族炭素環又はヘテロ芳香族炭素環から２個の水素原子を除去した基、ビニレン基、エチニレン基、及び前記基の２以上が組み合わせられた２価の基から選択される基を示す。Ｒ³、Ｒ⁴は同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ_1-24アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基から選択される基を示す。Ｙ¹、Ｙ²は同一又は異なって、酸素原子又は硫黄原子を示す。ｐ、ｑは同一又は異なって０以上の整数を示し、且つ（ｐ＋ｑ）は１以上の整数である。ｐ個のＬ¹は同一であってもよく、異なっていてもよい。また、ｑ個のＬ²は同一であってもよく、異なっていてもよい）

【0066】

式（１）中、Ｒ³、Ｒ⁴は同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ_1-24アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基から選択される基を示す。前記Ｃ_1-24アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、イコシル基等の炭素数１〜２４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を挙げることができる。前記アリール基としては、例えば、フェニル基等のＣ_6-14アリール基を挙げることができる。前記ヘテロアリール基としては、例えば、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−イミダゾリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基、及び２−チエノチエニル基等を挙げることができる。前記基が有していてもよい置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基等を挙げることができる。

【0067】

Ｌ¹、Ｌ²は同一又は異なって、芳香族炭素環又はヘテロ芳香族炭素環から２個の水素原子を除去した基、ビニレン基、エチニレン基、及び前記基の２以上が組み合わせられた２価の基から選択される基を示す。

【0068】

前記芳香族炭素環としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、トリフェニレン、ペンタセン等を挙げることができる。

【0069】

前記ヘテロ芳香族炭素環としては、例えば、ピロール、ピリジン、フラン、チオフェン、セレノフェン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、１，３−チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、１，３，４−チアジアゾール等を挙げることができる。

【0070】

本発明におけるＬ¹、Ｌ²としては、なかでも、下記式（L-1）〜（L-22）から選択される基であることが好ましい。

【化12】

【化13】

【0071】

上記式中、Ｒ’は同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、チオアルキル基、トリアルキルシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基から選択される基を示す。上記式で表される基がＲ’を２個以上含む場合、２個以上のＲ’は互いに結合して、前記基を構成する炭素原子と共に環を形成していてもよい。

【0072】

前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の炭素数１〜２４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を示す。

【0073】

前記アリール基としては、例えば、フェニル基等のＣ_6-14アリール基を挙げることができる。

【0074】

前記ヘテロアリール基としては、例えば、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−イミダゾリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基、２−チエノチエニル基等を挙げることができる。

【0075】

前記アルコキシ基としては、例えば、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、t−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基などのＣ_1-24アルコキシ基等を挙げることができる。

【0076】

前記チオアルキル基としては、例えば、チオメチル基、チオエチル基、チオプロピル基、チオイソプロピル基、チオブチル基、チオイソブチル基、チオsec−ブチル基、チオ−tert−ブチル基、チオペンチル基、チオヘキシル基等のチオＣ_1-24アルキル基を挙げることができる。

【0077】

前記トリアルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリル、tert−ブチルジメチルシリル、トリベンジルシリル、トリフェニルシリル基等のトリ（Ｃ_1-24）アルキル及び／又はアリールシリル基等を挙げることができる。

【0078】

前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等を挙げることができる。

【0079】

前記基が有していてもよい置換基としては、例えば、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、保護基で保護されていてもよいスルホ基、ハロゲン原子、オキソ基、シアノ基、ニトロ基、複素環式基、炭化水素基、ハロアルキル基などが挙げられる。前記保護基としては有機合成の分野で慣用の保護基を使用できる。

【0080】

２個以上のＲ’が互いに結合して、Ｌ¹、Ｌ²を構成する炭素原子と共に形成していてもよい環としては、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、ベンゼン、メチルベンゼン、チオフェン、メチルチオフェン、フラン、メチルフラン、ジヒドロフラン、メチルジヒドロフラン等を挙げることができる。

【0081】

上記式中、ｒは、例えば１〜３の整数を示す。

【0082】

前記式（１）で表される構成単位を有する化合物としては、なかでも、置換基を有していてもよいジケトピロロピロール基と共に、チオフェンから２個の水素原子を除去した基、及びビニレン基を有する有機半導体材料が、ドナーアクセプター間の分子間電子的相互作用による強いπ−スタッキングにより、秩序よく配列・配向した構造をとる点で好ましく、例えば、下記式（1-1）で表される構成単位を有する化合物を挙げることができる。

【0083】

【化14】

【0084】

上記式中、Ｒ³〜Ｒ¹²は同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ_1-24アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基から選択される基を示す。Ｒ⁵とＲ⁶、Ｒ⁷とＲ⁸、Ｒ⁹とＲ¹⁰、Ｒ¹¹とＲ¹²は、それぞれ互いに結合して、チオフェン環を構成する炭素原子と共に環を形成していてもよい。Ｒ³〜Ｒ¹²における置換基を有していてもよいＣ_1-24アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、及びチオフェン環を構成する炭素原子と共に形成していてもよい環としては、上記Ｒ’における例と同様の例を挙げることができる。

【0085】

本発明の有機半導体材料としては、上記式（1-1）中のＲ⁵〜Ｒ¹²が水素原子であることが好ましく、特に、下記式（1-1a）及び／又は下記式（1-1b）で表される構成単位を有する化合物を使用することが、高い配向性の有機トランジスタが得られる点で好ましい。

【0086】

【化15】

【0087】

前記式（１）で表される構成単位を有する化合物の重量平均分子量としては、例えば５００万以下程度、好ましくは１０００〜１００万、特に好ましくは５０００〜５０万である。

【0088】

［有機トランジスタ製造用組成物］
本発明の有機トランジスタ製造用組成物は、上記有機半導体材料と有機トランジスタ製造用溶剤とを含むことを特徴とする。

【0089】

本発明の有機トランジスタ製造用組成物は、例えば、上記有機半導体材料と、上記有機トランジスタ製造用溶剤とを混合し、大気下で、７０〜１５０℃程度の温度で０．１〜２時間程度加熱することにより調製することができる。

【0090】

本発明の有機トランジスタ製造用組成物中の有機半導体材料の含有量は、例えば、有機半導体材料として前記式（１）で表される構成単位を有する化合物を使用する場合は、有機トランジスタ製造用溶剤１００重量部に対して、例えば０．０２重量部以上、好ましくは０．０３重量部以上、特に好ましくは０．０４重量部以上である。上限は、例えば５重量部、好ましくは３重量部、特に好ましくは２重量部である。

【0091】

有機半導体材料として、前記式（1-1a）及び／又は（1-1b）で表される構成単位を有する化合物を使用する場合（２種以上を混合して使用する場合はその総量）は、有機トランジスタ製造用溶剤１００重量部に対して、例えば０．０１重量部以上、好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは０．１重量部以上、特に好ましくは０．２重量部以上である。上限は、例えば１０重量部、好ましくは７重量部、特に好ましくは５重量部である。

【0092】

本発明の有機トランジスタ製造用組成物中の有機トランジスタ製造用溶剤の含有量は、例えば９９．９９重量％以下である。その下限は、例えば９０．００重量％、好ましくは９３．００重量％、特に好ましくは９５．００重量％であり、上限は、好ましくは９９．９５重量％、特に好ましくは９９．９０重量％である。

【0093】

本発明の有機トランジスタ製造用組成物に含まれる有機トランジスタ製造用溶剤含有量は、有機半導体材料の自己組織化作用による結晶化を促進することができる点で、有機半導体材料（例えば、前記式（１）で表される構成単位を有する化合物）に対し、例えば１０倍（重量）以上が好ましく、更に好ましくは１３倍（重量）以上、特に好ましくは２０倍（重量）以上である。上限は、例えば１００００倍（重量）、好ましくは２０００倍（重量）、更に好ましくは１０００倍（重量）、特に好ましくは５００倍（重量）である。

【0094】

本発明の有機トランジスタ製造用組成物には、上記有機半導体材料と上記有機トランジスタ製造用溶剤以外にも、一般的な有機トランジスタ製造用組成物に含まれる成分（例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、ブチラール樹脂等）を必要に応じて適宜配合することができる。

【0095】

本発明の有機トランジスタ製造用組成物は、比較的低温でも有機半導体材料を高濃度に溶解することができる。そのため、ガラス基板に比べて耐熱性は低いが、衝撃に強く、軽量且つフレキシブルなプラスチック基板にも有機トランジスタを直接形成することができ、衝撃に強く、軽量且つフレキシブルなディスプレイやコンピュータ機器を形成することができる。また、本発明の有機トランジスタ製造用組成物は本発明の有機トランジスタ製造用溶剤を含むため、基板上に塗布されると有機半導体材料が自己組織化作用により結晶化するため、高い結晶性を有する有機トランジスタが得られる。更に、印刷法、スピンコート法等のウェットプロセスによる簡便な方法で容易に有機トランジスタの形成が可能であり、コストの大幅な削減が可能である。

【実施例】

【0096】

以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。

【0097】

実施例１
有機半導体材料として式（1-1a）で表される構成単位を有する化合物（商品名「ＰＤＶＴ−８」、１−Ｍａｔｅｒｉａｌ（株）製）を使用し、２０℃環境下、有機トランジスタ製造用溶剤として２，３−ジヒドロベンゾフラン（ＤＨＢＦ）を使用して、有機半導体材料濃度が０．０５〜０．４０重量％の有機トランジスタ製造用組成物を調製した。
得られた有機トランジスタ製造用組成物を窒素雰囲気、遮光条件下、１２０℃で２時間程度加熱し、溶解の可否を目視で確認した。尚、溶解性は、目視にて不溶物が確認されなかった場合を「○：溶解」とし、不溶物が確認された場合を「×：不溶解」とした。以下も同様である。
また、完全に溶解した有機トランジスタ製造用組成物について、２０℃、窒素雰囲気、遮光条件下で静置して、析出物が出現するまでの時間を測定した。

【0098】

実施例２〜７（実施例４は参考例とする）、比較例１
２，３−ジヒドロベンゾフラン（ＤＨＢＦ）に代えて、表１に示した溶剤を使用した以外は実施例１と同様にして有機トランジスタ製造用組成物を調製し、有機半導体材料の溶解性を評価した。

【0099】

【表1】

【0100】

Ｏ−ＤＣＢ：１，２−ジクロロベンゼン（東京化成工業（株）製）
ＤＨＢＦ：２，３−ジヒドロベンゾフラン（東京化成工業（株）製、分子量：１２０．１５）
ＣＨＸＭＥ：シクロヘキシルメチルエーテル（和光純薬工業（株）製、分子量：１１４．１９）
ＭＡＮＯＮ：２−メチルシクロヘキサノン（和光純薬工業（株）製、分子量：１１２．１７）
ＭＯＢ：メトキシベンゼン（東京化成工業（株）製、分子量：１０８．１４）
ＤＨＭＤＦ：２，３−ジヒドロ−３−メチルベンゾフラン（東京化成工業（株）製、分子量：１３４．１８）
ＤＭＯＢ：１，２−ジメトキシベンゼン（東京化成工業（株）製、分子量：１３８．１６）
ＣＨＡ：シクロヘキシルアミン（和光純薬工業（株）製、分子量：９９．１７）

【0101】

実施例８、比較例２
有機半導体材料として式（1-1b）で表される構成単位を有する化合物（商品名「ＰＤＶＴ−１０」、１−Ｍａｔｅｒｉａｌ（株）製）を使用し、２０℃環境下、表２に示した溶剤を使用して、有機半導体材料濃度が０．１０重量％の有機トランジスタ製造用組成物を調製した。得られた有機トランジスタ製造用組成物を窒素雰囲気、遮光条件下、１２０℃で２時間程度加熱し、溶解の可否を目視で確認した。
また、完全に溶解した有機トランジスタ製造用組成物について、２０℃、窒素雰囲気、遮光条件下で静置して、析出物が出現するまでの時間を測定した。

【0102】

【表2】

【0103】

Ｏ−ＤＣＢ：１，２−ジクロロベンゼン（東京化成工業（株）製）
ＤＨＢＦ：２，３−ジヒドロベンゾフラン（東京化成工業（株）製、分子量：１２０．１５）

【産業上の利用可能性】

【0104】

本発明の有機トランジスタ製造用溶剤は、比較的低温でも高い有機半導体材料溶解性を有する。そのため、ガラス基板に比べて耐熱性は低いが、衝撃に強く、軽量且つフレキシブルなプラスチック基板等にも有機トランジスタを直接形成することができ、衝撃に強く、軽量且つフレキシブルなディスプレイやコンピュータ機器を形成することができる。また、印刷法、スピンコート法等のウェットプロセスによる簡便な方法で容易に有機トランジスタの製造が可能であり、コストの大幅な削減が可能である。
そして、本発明の有機トランジスタ製造用組成物は基板上に塗布されると有機半導体材料が自己組織化作用により結晶化するため、高い結晶性を有する有機トランジスタが得られる。