(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下では、図面を参照しながら、この発明を実施するための形態を説明する。
【0016】
[第1の実施形態]
<概要>
図1(A)は高温超伝導線材の接続体の側面図であり、
図1(B)は高温超伝導線材の接続体の上面図である。
図1(C)は高温超伝導線材における電流の流れを示す模式図である。
【0017】
本実施形態における高温超伝導線材の接続体は、2本の高温超伝導線材11,12を、複数の高温超伝導バルク体13a,13b,13c,13dを介して接続したものである。なお、以下では記載の簡略化のために、高温超伝導線材のことを線材、高温超伝導バルク体をバルク体と称する場合がある。また、バルク体13a,13b,13c,13dを総称して、バルク体13と称する場合もある。
【0018】
線材11,12は例えばREBCO線材であり、バルク体13は線材11,12よりも低い融点を有するREBCOバルク体である。
【0019】
溶融成長法では、REBCO線材からREBCO層を露出させ、線材間にバルク13を設置して熱処理することにより接合を形成する。具体的な接合方法は非特許文献1や特許文献4に記載されている。
【0020】
図に示されるように、バルク体13による接合が並列に複数設けられる。
図1(A)(B)では、接合は4カ所であるが、その数は2以上であれば何個であってもよい。個々の接合箇所において流せる最大電流には上限があるが、接合を並列に設置することにより、接続体全体に流れる電流を増加させることができる。例えば、NMRやMRI用途の超伝導線では接合電流として100アンペア程度(77ケルビン&無磁場)のものが要求される。バルクを介した接合では10アンペア程度(77ケルビン&無磁場)が単一の接合で流せる限界と考えられる。本手法では、接合の数を10個とすることで、電流容量を100アンペアまで増加させることができる。
【0021】
ここでは、溶融成長法によってバルク体13を介して線材11,12を接続する場合を例にとって説明したが、溶融拡散法や固相拡散法などによって線材11,12同士を直接接続してもよい。上記と同様の原理により、接続体全体に流せる電流容量を大幅に増加させることができる。
【0022】
なお、一般に接続部が磁場にさらされると、電流容量が無磁場の場合の数分の一に減少する。温度77ケルビンから4.2ケルビンになると8倍程度増加する。その意味で、機器の運転温度4.2ケルビン&磁場下で200アンペアの電流容量を得ようとすれば、この減少分を見込んで、温度77ケルビン&無磁場で100アンペア程度を流せる必要がある。単一の接合によって短時間でこのように大きな電流容量を得ることはほぼ不可能であるが、本手法によれば複数の接合を並列に形成することにより、この程度の大きな電流容量を得ることができる。
【0023】
<接続方法>
上述のように、2本の高温超伝導線材11,12を、バルク体13を介して接続する。ここで、高温超伝導線材11,12はREBCO線材であり、バルク体13は線材11,12よりも低い融点を有するREBCOバルク体である。
【0024】
線材11,12は、一般には、REBCO層(高温超伝導層)の他に安定化層や基板などを含む複合線材である。REBCO層は、希土類系超伝導材料(REBa
2Cu
3O
7−δ)をテープ状(層状)にしたものである。希土類元素には、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luが含まれる。線材11と線材12の希土類系超伝導材料は同一であってもよいし異なっていてもよい。溶融成長法では、バルク体13を結晶成長させるので、REBCO層の融点は、バルク体13の融点よりも高いことが必要とされる。REBCO線材として、Gd、Y、あるいはGdとYを用いたREBCO層を有するものが一般に流通している。特にGdは1050〜1100℃程度の比較的高い融点を持つので好ましい材料である。なお、線材11のREBCO層と線材12のREBCO層は、異なる希土類超伝導材料からなってもよい。
【0025】
一般に市販されているREBCO線材は、機械的な補強や電気的な保護のために、複数の材料からなる多層構造を有する。
図2にREBCO線材の構造の一例を示す。図に示すように、下層側から、銅安定化層201(15μm)、銀安定化層202(5μm)、基板203(150μm)、中間層(不図示、〜0.2μm)、REBCO層204(3μ
m)、銀安定化層205(10μm)、銅安定化層206(15μm)を有する。REBCO線材のREBCO層が、本発明における高温超伝導層に相当する。
【0026】
線材11,12をバルク体13と接合するためには、REBCO層204をバルク体13に接触させる必要がある。したがって、銅安定化層や銀安定化層(場合によって基板も)剥離して、REBCO層204を露出させる前処理が必要となる。また、接合過程において高温焼成を行うため、焼成温度以下の融点を有する材料は取り除く必要がある。焼成温度はバルク体13の融点に応じて決まるが、700℃あるいはそれ以上となる。したがって、線材に半田が用いられている場合には取り除く必要がある。また、焼成温度が900℃を超える場合には、銀や銀合金(融点が900℃前後)を取り除くことが望ましい。これらの材料を除去する方法については、後ほど詳しく説明する。
【0027】
バルク体13は、線材11,12の超伝導層と同様に希土類系超伝導材料(RE’Ba
2Cu
3O
7−δ)からなるが、線材ではなくバルク体である。ここで、RE’は、REBCO線材10のREBCO層におけるREとは異なる元素または組成の一つまたは複数の希土類元素(Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)を表す。バルク体13の融点は、少なくとも焼成過程においては、線材11,12のREBCO層の融点よりも低い必要がある。また、バルク体13の融点が低いほど焼成温度を低くすることができるので、バルク体13の融点は低いことが望ましい。そのため、バルク体13中の希土類元素は、融点が低いY,Yb,Er,Hoなどを主成分とすることが好ましい。
【0028】
また、REBCOの化学式REBa
2Cu
3O
7−δにおいて酸素量が小さいほど融点は低くなるので、より低い温度で接続体を作製するためには、元の結晶構造を維持できる範囲内でできるだけ酸素量が少ないバルク体を用意することが好ましい。具体的には、焼成過程前のバルク体20の酸素量はδが−1〜4の範囲内であることが好ましく、0.5〜2の範囲内であることがより好ましい。
【0029】
また、最終的に作製された接続体において、バルク体13と線材11、12および接合界面の臨界電流は酸素量に依存するので、接合後に、酸素補充用の熱処理を行って酸素量を増やし、超伝導性能を高めることが好ましい。
【0030】
バルク体13の表面のうち、少なくとも線材11,12のREBCO層と接触する表面は、結晶成長により結晶化されている。バルク体全体を完全な単結晶まで結晶成長させる必要はなく、接触表面についてのみ単結晶となっていれば、その他の部分は多結晶であってよい。単結晶層の厚さは、十分な接合強度が得られるだけの量であればよい。例えば、厚さ数百nm(100〜500nm)以上で十分な接合強度が得られ、YbBCOにおいて1μm程度の結晶成長を得るための焼成時間は1時間程度で済む。
【0031】
バルク体13の臨界電流は、含有されている希土類元素の種類と、純度と、形状に関係がある。バルク体13に含有される希土類元素は、任意の種類のものであって構わない。バルク体13の純度は、10%以上とし、50%以上とすることが好ましく、70%以上とすることが更に好ましい。純度70%以上の多結晶バルク体を作製することは難しくはないが、市販されている単結晶バルク体は加熱製造時の形状を保持するために非超伝導物質(常伝導または絶縁体)が多く導入される場合がある。バルク体の純度によって電気伝導性が変わるので、バルク体の純度は10%以上でよいが、できるだけ50%以上とすることが好ましい。
【0032】
バルク体13の厚さ(
図1(A)における高さH)を調整することで臨界電流と機械強度を大きくすることができる。高温接合時に溶融したバルクが線材の超伝導層に広がって
十分な接合界面を得るには、線材の超伝導層の厚さ3μmより大きいことが望ましい。そのため、バルク13は厚さ1μm以上が必要である。しかし、バルク単体の作製と接合処理前のセッティングなど考慮すれば20μm以上のバルクが扱い便利である。厚さの上限はバルクの作製方法と接続体の使いやすさで決まるが、10mm以下でもよい。したがって、高さHは、0.001mm以上10mm以下の範囲で適宜選択すればよい。複数のバルク体13の高さHは同一であっても異なっていても構わないが、製造の容易さを考慮すると高さHは全てのバルク体13で同一であることが好ましい。
【0033】
バルク体13の形状は、対称な形状であることが好ましく、矩形、角丸矩形、楕円形を採用することができる。以下では、
図1(B)に示すように、バルク体13の線材長手方向の長さをL、幅方向の長さをWと称する。長さLや幅Wについては後述する。
【0034】
隣接するバルク体13の間の間隔Gは、熱処理の際に合体してしまわない間隔であればよく、例えば、1〜100mmとするとよい。なお、間隔Gは狭いほど接続部全体の長さを短くすることができ好適である。例えば、間隔Gは10mmとするとよい。
【0035】
REBCO線材の接続処理の流れについて説明する。なお、溶融成長法は非特許文献1や特許文献4に記載されているので、ここでは簡単な説明にとどめる。
【0036】
まず、REBCOバルク体13を用意する。バルク体13は、自ら作製してもよいが、市販品を購入してきてもよい。作製方法において、焼結法と有機酸塩法などがあり、後者では高純度のものが製造可能である。また、必要に応じて、バルク体13の融点を下げるために酸素欠損を導入する熱処理(急冷)を施すことが好ましい。
【0037】
また、REBCO線材11,12を用意する。REBCO線材10は多層構造を有しているので、REBCO層が露出するように保護層を除去する必要がある。REBCO層を露出する方法として、REBCO層204が基板203側に付いた状態で露出させる方法と、基板203側を除去する方法の2つの方法がある。いずれにおいても、REBCO線材の端部を液体窒素中に入れて極低温(77K)まで急冷した後に取り出して力を加えると、材料間における不完全拘束の熱応力によって、各材料を適切に分離できる。なお、応力方向によって、REBCO層204のいずれの面を露出させることもできる。
【0038】
そして、露出させた2つの線材11,12のREBCO面がバルク体13を挟むように、線材11,12とバルク体13をセットして加熱炉に入れ、バルク体13の融点以上かつ線材11,12の融点未満の温度まで加熱する。これにより、バルク体13が液相状態になる。その後、徐冷することで線材11,12と接触するバルク体13の表面は、線材11,12のREBCOを種結晶として結晶成長する。最後に、超伝導性能を回復させるために、REBCO材料内に酸素を付加するための熱処理を施す。
【0039】
なお、複数のバルク体13を同時に加熱して同時に接合を行ってもよいし、それぞれ単独で熱処理を行ってもよい。ただし、一つの温度コントローラーで複数のバルク体13を同時に加熱するとそれぞれのバルク体13において温度にばらつきが生じることがあるので、複数の温度コントローラーを用いてそれぞれ温度制御しながら同時に接合をするか、単独で別々に加熱することが望ましい。
【0040】
<実験1:単一接合>
まず、接合部(バルク体13)を1つとして、臨界電流を測定した。
【0041】
この実験では、REBCO線材11,12として、住友電気工業株式会社が開発中のREBCO線を用意した。この線材は、
図2に示す構造を有し、幅4mm(Ww=4mm)
、厚さ約0.2mmである。この線材のREBCO層は、希土類元素として、Gdを主として含み、Yも含まれており、その融点は約1000−1100℃(大気中)である。また、バルク体13として、希土類元素としてYbを主に含むYb123のバルク体を利用した。Yb123バルクの融点は約930℃(大気中)である。
【0042】
バルク体13の幅Wを線材幅Wwと同じ4mmに固定し、バルク体13の長さLを変えた実験を行い、接続全体の臨界電流I
cと線材のみの臨界電流I
c−maxを計測した。線材のみの臨界電流I
c−maxは、接合に伴う線材の劣化を反映する。バルク体幅Wが線材幅Wwと等しい場合には、臨界電流I
c−maxは、接合箇所を増やすことにより増加可能な接続全体の臨界電流の上限となる。
【0043】
バルク体長さL = 0.5mm, 1mm, 2mm, 3mm, 4mm, 5mm, 12mm, 16mm, 20mmの場合について実験を行った。いずれにおいても、バルク体の高さHは0.05mmで固定とした。加熱は、到達温度930℃で1分保持の条件で行った。実験結果を
図3のグラフに示す。
【0044】
接合全体の臨界電流I
cは黒丸および点線で示され、線材のみの臨界電流I
c−maxは白丸および実線で示されている。液体窒素中(77K)で電流量を増やしながら電圧の測定を行うことで、臨界電流を測定している。
【0045】
図3から分かるように、接合全体の臨界電流I
cは、L/W=1程度までは増加している。一方、線材のみの臨界電流I
c−maxは、L/W=1付近から急激に低下し、L/W=1.5程度以上において、I
cと同程度となる。
【0046】
接合面での臨界電流は接合面積に比例するので、Wを固定したときはLを増加させるほど臨界電流I
cは大きくなると考えられる。しかしながら上述したように、線材のみの臨界電流I
c−maxは、(W=Wwの条件では)接合部全体の臨界電流の上限となる。すなわち、L/W=1.5以上では、I
c−maxがI
cの上限となっていることが分かる。
【0047】
線材の臨界電流I
c−maxは、加熱処理に伴う劣化によって、加熱処理前の臨界電流よりも減少している。減少の理由は、線材基板の金属材料(Ni,Feなど)の超伝導層への拡散による性能低下と高温焼成による超伝導セラミック層(REBCO層)のひび割れなどが考えられる。L/Wが大きいほど劣化が大きくなるのは、温度勾配が大きくなるためと考えられる(REBCO材料の熱伝導率は低い)。
【0048】
<実験2:複数接合>
次に、接合部が1カ所、2カ所、3カ所の場合のそれぞれについて、接合全体の臨界電流を測定した。
図4にその実験結果を示す。この実験では、W=4mm、L=3mm(L/W=0.75)とし、その他の条件は実験1と同一の条件とした。接合部を複数設ける際の間隔Gは10mmとした。
【0049】
接合箇所が1カ所、2カ所、3カ所のそれぞれの場合で、臨界電流はI
c1=6.9A、I
c2=12.7A、I
c3=21.2Aとなり、接合箇所の数に比例して臨界電流が増加することが確かめられた。
【0050】
以上のように本実施形態によれば、接合部の数を増やすことで接続体全体としての臨界電流を増加できることが分かる。ここで、バルク体の幅Wを線材幅Wwとする場合(W=Ww)は、加熱処理の劣化に伴う線材自体の臨界電流I
c−maxの低下を考慮して、バルク体長さLを決定することが必要となる。L/W≦1.5、さらに好ましくはL/W≦1、さらに好ましくはL/W≦0.75であれば、十分に大きな臨界電流が得られる。ま
た、L/Wを小さくすると、同一の臨界電流を得るためには接合箇所の数を増やさなければならず、接続部全体が長くなってしまう。そこで、L/Wは0.1よりも大きいことが好ましく、0.25よりも大きいことがさらに好ましい。
【0051】
また、溶融成長法は、他の手法と比較して短時間で接合が行える。したがって、本実施形態によれば、電流容量の大きな接続体を短時間で製造できる。
【0052】
[第2の実施形態]
第1の実施形態では、バルク体幅Wを線材幅Wwと同一とする場合について述べた。本実施形態では、バルク体幅Wを線材幅Wwよりも小さくする場合(W<Ww)について検討する。
【0053】
まず、接合箇所に流せる電流量は、接合面積に比例する。したがって、接合箇所1カ所あたりの電流量は、L/Wが一定であっても、Wの大きさによって変化する。
【0054】
一方、線材の劣化は上述した原因からも明らかなように、L/Wに依存する。ただし、W<Wwの場合には、
図5に示すように、線材中の電流パスには、接合箇所を通る電流パスと、接合箇所以外を通る電流パスが存在する。線材のみの臨界電流I
c−max’は、接合面電流パスでの臨界電流I
c−throughと接合面を迂回する電流パスでの臨界電流I
c−passの合計となる(I
c−max’=I
c−through+I
c−pass)。
【0055】
なお、熱処理前の線材の臨界電流をI
c−owとすると、I
c−pass=I
c−ow×(Ww−W)/Wwと表せる。同様に、接合箇所の幅(バルク体幅W)を線材と同一としたときの線材のみの臨界電流をI
c−max(
図3参照)とすると、I
c−through=I
c−max×W/Wwと表せる。
【0056】
例えば、Ww=4mm,W=2mm,L=1.5mm (L/W=0.75),I
c−
ow=200A,I
c−max=100Aとする。そうすると、I
c−max’は、150A(=100×0.5+200×0.5)である。すなわち、幅Wを線材幅Wwよりも小さくすることで、接合箇所における線材のみの臨界電流を増加させることができる。
【0057】
バルク体(接合箇所)の幅Wおよび長さLが決まれば、接合箇所1カ所あたりの電流容量が求められるので、簡単な計算により、接続体全体として必要な電流容量を得るための接合箇所の数が求められる。
【0058】
本実施形態によれば、バルク体の幅Wを線材幅Wwよりも小さくすることで、第1の実施形態よりもさらに大きな電流容量の接続体が得られる。
【0059】
[第3の実施形態]
第2の実施形態は、第1の実施形態と比較して電流容量を増加できるが、接合数が増加し接続部全体の長さが長くなるというデメリットも存在する。そこで、本実施形態では、電流容量を減少させることなく、接合箇所の数を減らして、接続部の長さを短縮可能な接続方法を採用する。
【0060】
本実施形態では、バルク体の幅Wを、上流側から下流側に向かって徐々に大きくなるようにする。なお、「徐々に大きく」は広義単調増加を意味し、隣接するバルク体同士の幅が同じであってもよい。本実施形態では、
図1(A)〜1(C)に示すように電流が還流するように2つの線材が接続されている。電流供給源から遠い方の端部を遠位側端部と称すると、遠位側端部に近い側が下流であり、遠位側端部から遠い側が上流である。本実施
形態では、バルク体13aが最上流に位置し、バルク体13dが最下流に位置する。したがって、バルク体13aの幅Wが最も小さく、バルク体13dの幅Wが最も大きい。
【0061】
下流側ほど線材を流れる電流量は小さくなる。したがって、下流側では線材のみの臨界電流を上流側よりも小さくできるので、接合面面積を増やして、接合面での電流容量を増やすことができる。接合面電流容量を増やすことで、必要な接合数を少なくできる。
【0062】
図6は、本実施形態による接合体の一例を示す。ここでは、L/W=1で一定としつつ、WおよびLを下流側ほど大きくしている。ここでは、接合部の数を8個としている。
【0063】
複数の接合部の具体的なサイズは
図6に示すものに限定されず、適宜決定すればよい。例えば、L/Wを一定としながら、W(およびL)を下流側ほど徐々に大きくしてもよい。あるいは、Wを一定としながら、Lを下流側ほど徐々に大きくしてもよい。あるいは、Lを一定としながら、Wを下流側ほど徐々に大きくしてもよい。あるいは、WとLをそれぞれ下流側ほど徐々に大きし、かつ、L/Wが所定の範囲内となるようにしてもよい(L/Wの値に増減があって構わない)。すなわち、複数の接合部についてのWとLの少なくともいずれか一方を、上流側から下流側に向かって単調増加するように決定すればよい。なお、Wを徐々に大きくする場合、Wが線材幅Wwに達した後はW=Wwで一定とする。
【0064】
本実施形態によれば、接合部全体での臨界電流を大きくでき、さらに、接合部全体の長さを短縮化できる。
【0065】
[その他の実施形態]
上記の実施形態では、バルク体を介して2つの線材を接続しているが、バルク体を用いずに2つの線材同士を当接して直接接続してもよい。線材同士を直接接続する方法として、溶融拡散法と固相拡散法が挙げられる。