特許 6570478 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6570478

(24)【登録日】2019年8月16日

(45)【発行日】2019年9月4日

(54)【発明の名称】積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20190826BHJP

【ＦＩ】

   H01G4/30 201G

   H01G4/30 201C

   H01G4/30 311E

   H01G4/30 513

   H01G4/30 516

   H01G4/30 517

【請求項の数】5

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2016-109211(P2016-109211)

(22)【出願日】2016年5月31日

(65)【公開番号】特開2017-216361(P2017-216361A)

(43)【公開日】2017年12月7日

【審査請求日】2018年2月7日

(73)【特許権者】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】坂爪 克郎

(72)【発明者】

【氏名】石井 真澄

(72)【発明者】

【氏名】野▲崎▼ 剛

(72)【発明者】

【氏名】新井 紀宏

(72)【発明者】

【氏名】有我 穰二

(72)【発明者】

【氏名】井上 泰史

【審査官】 多田 幸司

(56)【参考文献】

【文献】 特開昭５８−０７４０３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１２／０４３４２７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００３−０７７７５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−１１５４２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−１６４９６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０９−１２０７１０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｇ ４／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

セラミック誘電体層と、鉄族以外の遷移金属を主成分とする内部電極層と、が交互に積層され、積層された複数の前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、
前記セラミック積層体の前記内部電極層が露出する端面に形成された少なくとも１対の外部電極と、を備え、
前記外部電極は、７重量％未満のガラスを含有し鉄族以外の遷移金属もしくは貴金属を主成分とし前記セラミック積層体に接して設けられた下地導体層と、前記下地導体層を覆い前記下地導体層の厚みに対して１／２以上の厚みを有し鉄族以外の遷移金属を主成分とする第１めっき膜と、前記第１めっき膜を覆い、鉄族以外の遷移金属のうち前記第１めっき膜の主成分の遷移金属とは異なる遷移金属を主成分とする第２めっき膜と、を備え、
前記下地導体層の前記第１めっき膜側の表面にボイドが形成されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。

【請求項2】

前記セラミック誘電体層は、ＣａＺｒＯ_３を主成分とすることを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。

【請求項3】

前記下地導体層および前記第１めっき膜は、Ｃｕを主成分とし、
前記第２めっき膜は、Ｓｎを主成分とすることを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。

【請求項4】

前記下地導体層の厚みをｔとし、前記第１めっき膜の厚みをＴとした場合に、ｔ／２≦Ｔ≦ｔの関係を満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。

【請求項5】

セラミック誘電体層グリーンシートと、鉄族以外の遷移金属を主成分とする内部電極形成用導電ペーストと、を交互に積層し、
積層された複数の内部電極形成用導電ペーストを交互に異なる端面に露出させることによってセラミック積層体を形成し、
前記セラミック積層体を焼成し、
焼成後の前記セラミック積層体の前記内部電極形成用導電ペーストが露出する端面に、７重量％未満のガラスを含有し鉄族以外の遷移金属もしくは貴金属を主成分とする導電ペーストを配置し、当該導電ペーストに対して熱処理を行うことで前記ガラスが前記セラミック積層体とは反対側の表面に偏析するように下地導体層を焼き付け、
前記下地導体層を覆い前記下地導体層の厚みに対して１／２以上の厚みを有し鉄族以外の遷移金属を主成分とする第１めっき膜を形成し、前記第１めっき膜を覆い、鉄族以外の遷移金属のうち前記第１めっき膜の主成分の遷移金属とは異なる遷移金属を主成分とする第２めっき膜を形成する、ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、内部電極および外部電極にＣｕ，Ｎｉ等の卑金属を用いた積層セラミックコンデンサにおいて、めっき液浸入を防止するために、外部電極の形成に用いる導電性ペーストとして導電成分との合計量において５〜５０重量％のガラスフリットを混合させたものを用いる技術を開示している。

【0003】

外部電極ペースト内でガラス含量が不足していると、チップの密閉性に問題が生じる可能性があり、あるいは、過剰のガラスを添加すると金属が焼結した後に、ガラスの表面溶出によるめっき不良が発生するという問題がある。そこで、特許文献２は、外部電極ペーストに平均粒径が０．３μｍ以下の導電性金属粒子を１０〜９０重量部含み、加えて、導電性金属粒子に対するガラスの含有比を０．３〜２．０とすることで、上記問題を改善する手法を開示している。一方、特許文献３は、外部電極に含まれるガラスの長さ方向の平均値を１０μｍ以下とすることで、上記問題を改善する手法を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００１−２７４０３５号公報

【特許文献2】特開２０１３−０４８２３１号公報

【特許文献3】特開２０１４−０１１４４９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、下地電極部がガラスを含む場合は、当該ガラスが下地電極表面に偏析しやすい。またこの偏析したガラス相の脱落やめっき液への溶出により生じるボイドにめっき液などの水分が残留することで、いわゆる半田爆ぜを生じやすい。この半田爆ぜを抑制するために、金属めっき層を形成する必要がある。この金属めっき膜は、部品実装時の半田との親和性を考慮し、Ｎｉめっきを用いることが一般的である。爆ぜ抑制の観点からは、Ｎｉめっきを厚くすることが好ましい。他方、高周波帯の電気特性を考えると、Ｎｉなどの比透磁率の高い鉄族遷移金属成分が信号線上に存在することは、高周波領域における表皮効果により抵抗成分が増加し、その結果として誘電損失の増大を招くことから好ましくない。

【0006】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、高周波数帯での損失が少ない積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明に係る積層セラミックコンデンサは、セラミック誘電体層と、鉄族以外の遷移金属を主成分とする内部電極層と、が交互に積層され、積層された複数の前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の前記内部電極層が露出する端面に形成された少なくとも１対の外部電極と、を備え、前記外部電極は、７重量％未満のガラスを含有し鉄族以外の遷移金属もしくは貴金属を主成分とし前記セラミック積層体に接して設けられた下地導体層と、前記下地導体層を覆い前記下地導体層の厚みに対して１／２以上の厚みを有し鉄族以外の遷移金属を主成分とする第１めっき膜と、前記第１めっき膜を覆い、鉄族以外の遷移金属のうち前記第１めっき膜の主成分の遷移金属とは異なる遷移金属を主成分とする第２めっき膜と、を備え、前記下地導体層の前記第１めっき膜側の表面にボイドが形成されていることを特徴とする。

【0008】

上記積層セラミックコンデンサにおいて、前記セラミック誘電体層は、ＣａＺｒＯ_３を主成分としてもよい。

【0010】

上記積層セラミックコンデンサにおいて、前記下地導体層および前記第１めっき膜は、Ｃｕを主成分とし、前記第２めっき膜は、Ｓｎを主成分としてもよい。前記下地導体層の厚みをｔとし、前記第１めっき膜の厚みをＴとした場合に、ｔ／２≦Ｔ≦ｔの関係を満たしてもよい。

【0011】

本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、セラミック誘電体層グリーンシートと、鉄族以外の遷移金属を主成分とする内部電極形成用導電ペーストと、を交互に積層し、積層された複数の内部電極形成用導電ペーストを交互に異なる端面に露出させることによってセラミック積層体を形成し、前記セラミック積層体を焼成し、焼成後の前記セラミック積層体の前記内部電極形成用導電ペーストが露出する端面に、７重量％未満のガラスを含有し鉄族以外の遷移金属もしくは貴金属を主成分とする導電ペーストを配置し、当該導電ペーストに対して熱処理を行うことで前記ガラスが前記セラミック積層体とは反対側の表面に偏析するように下地導体層を焼き付け、前記下地導体層を覆い前記下地導体層の厚みに対して１／２以上の厚みを有し鉄族以外の遷移金属を主成分とする第１めっき膜を形成し、前記第１めっき膜を覆い、鉄族以外の遷移金属のうち前記第１めっき膜の主成分の遷移金属とは異なる遷移金属を主成分とする第２めっき膜を形成する、ことを特徴とする。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、高周波数帯での損失が少ない積層セラミックコンデンサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】（ａ）および（ｂ）は実施形態に係る積層セラミックコンデンサを例示する図である。

【図2】積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを例示する図である。

【図3】実施例および比較例の特性の結果を例示する表である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。

【0015】

（実施形態）
図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００を例示する図である。なお、図１（ａ）および図１（ｂ）で例示する積層セラミックコンデンサ１００は一実施形態であって、図１（ａ）および図１（ｂ）に示す形状以外のものにも適用できる。また、アレイに用いることもできる。

【0016】

図１（ａ）で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、略直方体形状のセラミック積層体１０と、少なくとも１対の外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。セラミック積層体１０は、セラミック誘電体層３０と内部電極層４０とが交互に積層された構造を有する。セラミック積層体１０において、積層された複数の内部電極層４０は、交互に異なる端面に露出するように積層されている。本実施形態においては、積層された複数の内部電極層４０は、対向する２端面に交互に露出するように積層されている。外部電極２０ａは、当該２端面の一方に設けられている。外部電極２０ｂは、当該２端面の他方に設けられている。

【0017】

セラミック誘電体層３０は、一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主成分とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ_３−αを含む。例えば、当該セラミック材料として、ＣａＺｒＯ_３（ジルコン酸カルシウム）、ＢａＴｉＯ_３（チタン酸バリウム）、ＣａＴｉＯ_３（チタン酸カルシウム）、ＳｒＴｉＯ_３（チタン酸ストロンチウム）、ペロブスカイト構造を形成するＢａ_{１-ｘ−ｙ}Ｃａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１−ｚＺｒ_ｚＯ_３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)等を用いることができる。

【0018】

内部電極層４０は、鉄族（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）以外の遷移金属成分（Ｃｕ等）を主成分とする導電薄膜である。

【0019】

外部電極２０ａ，２０ｂは、セラミック積層体１０に接して設けられた下地導体層２１と、下地導体層２１に接して覆う第１めっき膜２２と、第１めっき膜２２に接して覆う第２めっき膜２３とを備える。下地導体層２１は、ガラスを含有し、鉄族以外の遷移金属（Ｃｕ等）もしくは貴金属（Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等）を主成分とする。下地導体層２１が鉄族以外の遷移金属もしくは貴金属を主成分とすることから、良好な高周波特性を得ることができる。下地導体層２１は、例えば、４μｍ〜１０μｍ程度の厚みを有する。

【0020】

図１（ｂ）は、下地導体層２１の拡大図である。図１（ｂ）で例示するように、下地導体層２１において、ガラス２４が分散している。下地導体層２１に含まれるガラス２４は、セラミック積層体１０への下地導体層２１の焼き付け時に軟化した後に硬化することから、下地導体層２１とセラミック積層体１０との密着性の効果を奏する。下地導体層２１のガラス含有量が多いと、第１めっき膜２２にめっきの不連続が生じることがある。そこで、下地導体層２１は、７重量％未満のガラスを含有する。ガラスは、特に限定されるものではないが、１種以上の網目形成酸化物と１種以上の網目修飾酸化物とを含む非晶質体である。例えば、網目形成酸化物として、Ｂ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２などを用いることができる。網目修飾酸化物として、Ａｌ_２Ｏ_３，ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｌｉ_２Ｏ，Ｎａ_２Ｏ，Ｋ_２Ｏ，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｒＯ_２，ＴｉＯ_２等を用いることができる。

【0021】

下地導体層２１においては、ガラス２４が下地導体層２１の外側表面に偏析する傾向にある。この場合、下地導体層２１においてガラス２４が脱落することによって生じたボイド、第１めっき膜２２の形成時にめっき液へガラス２４が溶出することによって生じたボイド等に、第１めっき膜２２の形成時にめっき液などの水分が残留することがある。それにより、積層セラミックコンデンサ１００の半田実装時に、半田爆ぜが生じるおそれがある。そこで、第１めっき膜２２は、下地導体層２１の厚みに対して１／２以上の厚みを有する。この場合、第１めっき膜２２が十分な厚みを有することから、半田爆ぜを抑制することができる。なお、下地導体層２１が厚くなれば下地導体層２１表面へのガラス２４の偏析量が多くなる傾向にある。したがって、下地導体層２１が厚くなればなるほど第１めっき膜２２を厚くすることによって、半田爆ぜを抑制することができる。そこで、第１めっき膜２２の厚みの絶対値を規定するのではなく、下地導体層２１の厚みに対する相対値として、第１めっき膜２２は下地導体層２１の厚みに対して１／２以上の厚みを有しているのである。

【0022】

ところで、積層セラミックコンデンサ１００の実装時に用いる半田との親和性を考慮すると、第１めっき膜２２の形成にＮｉめっきを用いることが好ましい。しかしながら、高周波帯の電気特性を考慮すると、Ｎｉなどの比透磁率の高い鉄族遷移金属成分が信号線上に存在することは、高周波領域における表皮効果により抵抗成分が増加する。その結果、誘電損失の増大を招くことになる。そこで、本実施形態においては、第１めっき膜２２の主成分として鉄族以外の遷移金属（Ｃｕ等）を用いる。それにより、高周波数帯での誘電損失を小さくすることができる。

【0023】

第２めっき膜２３は、鉄族以外の遷移金属のうち、第１めっき膜２２の主成分の遷移金属とは異なる遷移金属を主成分とする。例えば、積層セラミックコンデンサ１００の実装に用いる半田との親和性を考慮して、第２めっき膜２３は、Ｓｎ等の遷移金属を主成分とすることが好ましい。

【0024】

続いて、積層セラミックコンデンサ１００の製造工程について説明する。図２は、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法のフローを例示する図である。

【0025】

（原料粉末作製工程）
まず、セラミック誘電体層３０の主成分であるセラミック材料の粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、Ｍｇ，Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒ，希土類元素(Ｙ,Ｄｙ,Ｔｍ,Ｈｏ,Ｔｂ，ＹｂおよびＥｒ)の酸化物、並びに、Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｌｉ，Ｂ，Ｎａ，ＫおよびＳｉの酸化物もしくはガラスが挙げられる。例えば、まず、セラミック材料の粉末に添加化合物を含む化合物を混合して仮焼を行う。続いて、得られたセラミック材料の粒子を添加化合物とともに湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック材料の粉末を調製する。

【0026】

次に、得られたセラミック材料の粉末に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）等の可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に例えば厚み０．８μｍ以下の帯状の誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。

【0027】

（積層工程）
次に、誘電体グリーンシートの表面に、内部電極形成用導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷等により印刷することで、内部電極層４０のパターンを配置する。内部電極層形成用導電ペーストは、内部電極層４０の主成分金属の粉末と、バインダと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを含んでいる。バインダおよび溶剤は、上記したセラミックペーストと同様のものを使用できる。また、内部電極形成用導電ペーストには、共材として、セラミック誘電体層３０の主成分であるセラミック材料を分散させてもよい。

【0028】

次に、内部電極層パターンが印刷された誘電体グリーンシートを所定の大きさに打ち抜いて、打ち抜かれた誘電体グリーンシートを、基材を剥離した状態で、内部電極層４０とセラミック誘電体層３０とが互い違いになるように、かつ内部電極層４０がセラミック誘電体層３０の長さ方向両端面に端縁が交互に露出して極性の異なる一対の外部電極に交互に引き出されるように、所定層数（例えば２００〜５００層）だけ積層し、略直方体形状の成型体を得る。なお、積層体の上下にはカバー層となる誘電体グリーンシートが積層されている。

【0029】

（焼成工程）
次に、得られた成型体を、例えば、Ｈ_２が１．５体積％程度の還元雰囲気中において、９５０℃程度の温度で２時間程度焼成する。それにより、セラミック誘電体層３０および内部電極層４０の焼成を行うことができ、焼結体が得られる。

【0030】

（下地導体層２１の焼き付け工程）
次に、得られた焼結体の内部電極層パターンが露出する２端面に、下地導体層形成用導電ペーストを塗布する。下地導体層形成用導電ペーストは、下地導体層２１の主成分金属の粉末と、バインダと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを含んでいる。バインダおよび溶剤は、上記したセラミックペーストと同様のものを使用できる。また、下地導体層形成用導電ペーストには、下地導体層２１のセラミック積層体１０への密着性を得るために、ガラスを形成する焼結助剤を分散させる。下地導体層形成用導電ペーストにおける当該焼結助剤の含有量を７重量％未満とする。焼結助剤としてＢ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２から選択される１種以上の網目形成酸化物と、Ａｌ_２Ｏ_３，ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｌｉ_２Ｏ，Ｎａ_２Ｏ，Ｋ_２Ｏ，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｒＯ_２およびＴｉＯ_２から選択される１種以上の網目修飾酸化物と用いる。次に、窒素雰囲気中で、上記焼結体を得るための焼成温度よりも低い温度（例えば、８００℃〜９００℃程度の温度）で焼成する。それにより、下地導体層２１が焼き付けられ、積層セラミックコンデンサ１００の半製品を得ることができる。なお、ガラスを下地導体層２１に均一に分散するためには、上記焼結助剤には細かさが要求される。また、下地導体層２１におけるガラスが大きすぎると、ガラスの偏析、ボイド発生等の不具合が生じる。そこで、焼結助剤の粒子径は、上記主成分金属の粒子径と同等もしくはそれ以下が好ましく、上記主成分金属の粒子径の１／２以下であることがより好ましい。

【0031】

（第１めっき形成工程、第２めっき形成工程）
次に、半製品の下地導体層２１上に、電解めっきにより第１めっき膜２２を形成する。この場合において、第１めっき膜２２の厚みＴが下地導体層２１の厚みｔに対してｔ／２≦Ｔを満たすように電解めっきを行う。なお、積層セラミックコンデンサ１００の大型化を抑制するために、ｔ／２≦Ｔ≦ｔを満たすように厚みｔを調整することが好ましい。さらに、第１めっき膜２２上に、電解めっきにより第２めっき膜２３を形成する。

【0032】

本実施形態によれば、下地導体層２１が７重量％未満のガラスを含有している。この場合、第１めっき膜２２の不連続を抑制しつつ、セラミック積層体１０への下地導体層２１の密着性を得ることができる。第１めっき膜２２の不連続を抑制する観点から、下地導体層２１のガラス含有量は、６重量％以下であることが好ましい。セラミック積層体１０への下地導体層２１の密着性の観点からは、下地導体層２１のガラス含有量は、２重量％を上回ることが好ましく、３重量％以上であることがより好ましい。第１めっき膜２２が、下地導体層２１の厚みｔに対してｔ／２≦Ｔを満たす厚みＴを有することから、第１めっき膜２２が十分に厚くなる。それにより、半田爆ぜを抑制することができる。積層セラミックコンデンサ１００の小型化の観点から、厚みＴは、ｔ／２≦Ｔ≦ｔを満たすことが好ましい。また、下地導体層２１が鉄族以外の遷移金属または貴金属を主成分とし、第１めっき膜２２および第２めっき膜２３が鉄族以外の遷移金属を主成分とすることから、高周波帯での誘電損失を小さくすることができる。

【実施例】

【0033】

以下、実施形態に係る積層セラミックコンデンサを作製し、特性について調べた。

【0034】

（実施例１〜１１）
上記実施形態に係る製造方法に従って、積層セラミックコンデンサ１００を作製した。

【0035】

セラミック誘電体層３０の主成分のセラミック材料として、ＣａＺｒＯ_３を用いた。なお、Ｚｒに対するＣａのモル比率（Ｃａ／Ｚｒ）を１．０５とした。セラミック誘電体層３０に、ＢＮ（３．５ｍｏｌ％）、ＳｉＯ_２（３．５ｍｏｌ％）、Ｌｉ_２ＣＯ_３（１．７５ｍｏｌ％）、およびＭｎＣＯ_３（３．５ｍｏｌ％）を添加材として添加した。内部電極層４０の主成分として、Ｃｕを用いた。外部電極２０ａ，２０ｂの下地導体層２１の主成分としてＣｕを用い、焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を３〜６部含ませた。第１めっき膜２２には、Ｃｕを用いた。いずれの実施例においても、第１めっき膜２２の厚みを下地導体層２１の厚みの１／２以上とした。第２めっき膜２３には、Ｓｎを用いた。いずれの実施例においても、第２めっき膜２３の厚みを２．５μｍとした。

【0036】

実施例１〜１１の積層セラミックコンデンサ１００の略形状、静電容量、下地導体層２１の厚み、第１めっき膜２２の厚み、第２めっき膜２３の厚み、高周波特性（Ｑ値）、高周波特性良否、電極密着性、めっき付き性、および実装性良否を図３に示す。電極密着性は、外部電極２０ａ，２０ｂの密着性である。当該密着性の試験については、ＩＥＣ６００６８−２−２１に記載された固着性試験に準拠して行った。ただし、基板から製品が外れるまで加圧し、基板から製品が外れたら、その故障（破壊）モードを確認し、下地導体層２１と第１めっき膜２２との間で剥離していれば「○」と判定し、セラミック誘電体層３０および内部電極層４０の焼結体と下地導体層２１との間で剥離していれば「△」と判定した。めっき付き性は、下地導体層２１に対する第１めっき膜２２のめっき付き性である。第１めっき膜２２の形成後に端面を目視で確認し、ピンホールなどのようにめっきが不連続な部分が有る場合には「×」と判定し、全面がめっき膜で覆われていれば「○」と判定した。実装性の良否は、積層セラミックコンデンサ１００の半田実装時において半田爆ぜが生じなかった場合に「○」とし、半田爆ぜが生じた場合に「×」とした。

【0037】

比較例１では、焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を７部含ませた以外は、実施例１と同じ作製条件とした。

【0038】

比較例２では、焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を７部含ませた以外は、実施例２と同じ作製条件とした。

【0039】

比較例３では、焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を７部含ませた以外は、実施例３と同じ作製条件とした。

【0040】

比較例４では、焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を７部含ませた以外は、実施例４と同じ作製条件とした。

【0041】

比較例５では、焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を７部含ませた以外は、実施例５と同じ作製条件とした。

【0042】

比較例６では、焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を７部含ませた以外は、実施例６と同じ作製条件とした。

【0043】

比較例７では、焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を７部含ませた以外は、実施例７と同じ作製条件とした。

【0044】

比較例８では、焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を７部含ませた以外は、実施例８と同じ作製条件とした。

【0045】

比較例９では、焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を７部含ませた以外は、実施例９と同じ作製条件とした。

【0046】

比較例１０では、焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を７部含ませた以外は、実施例１０と同じ作製条件とした。

【0047】

比較例１１では、焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を７部含ませた以外は、実施例１１と同じ作製条件とした。

【0048】

比較例１２では、下地導体層２１の厚み４μｍに対して、第１めっき膜２２の厚みを１μｍとした。焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を３〜７部含ませた。その他は、実施例１〜１１と同じ作製条件とした。

【0049】

比較例１３では、下地導体層２１の厚み６μｍに対して、第１めっき膜２２の厚みを２μｍとした。焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を３〜７部含ませた。その他は、実施例１〜１１と同じ作製条件とした。

【0050】

比較例１４では、下地導体層２１の厚み６μに対して第１めっき膜２２の厚みを３μｍとし、第１めっき膜２２にＮｉを用いた。焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を３〜７部含ませた。その他は、実施例１〜１１と同じ作製条件とした。

【0051】

比較例１５では、下地導体層２１の厚み６μｍに対して第１めっき膜２２の厚みを２μｍとし、下地導体層２１にＮｉを用いた。焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を３〜７部含ませた。その他は、実施例１〜１１と同じ作製条件とした。

【0052】

比較例１６では、下地導体層２１の厚み６μｍに対して第１めっき膜２２の厚みを４μｍとし、下地導体層２１にＮｉを用いた。焼結助剤としてＢａＯ−ＺｎＯ系のガラス成分を３〜７部含ませた。その他は、実施例１〜１１と同じ作製条件とした。

【0053】

図３に示すように、実施例１〜１１のいずれにおいても、良好な電極密着性および良好なめっき付き性が得られた。これは、７重量％未満のガラス成分を下地導体層２１に含ませたからであると考えられる。次に、図３に示すように、実施例１〜１１のいずれにおいても、良好な実装性が得られた。これは、第１めっき膜２２の厚みを下地導体層２１の厚みの１／２以上としたことによって第１めっき膜２２が十分に厚くなったからであると考えられる。また、実施例１〜１１では、良好な高周波特性が得られた。これは、下地導体層２１、第１めっき膜２２および第２めっき膜２３に鉄族遷移金属以外の遷移金属（Ｃｕ）を用いたからであると考えられる。

【0054】

これに対して、比較例１〜１１のように、ガラス成分を７部とした場合にはめっき付き性が得られなかった。これは、下地導体層２１におけるガラス含有量が多くなったことで第１めっき膜２２に不連続が発生したからであると考えられる。

【0055】

比較例１２，１３では、半田実装時に半田爆ぜが生じた。これは、第１めっき膜２２の厚みを下地導体層２１の厚みの１／２未満としたことで第１めっき膜２２を十分に厚くすることができず、下地導体層２１に生じるボイドにおける水分の残留を抑制できなかったからであると考えられる。

【0056】

次に、実施例１〜１１では、良好な高周波特性が得られた。これは、下地導体層２１および第１めっき膜２２に、鉄族遷移金属以外の遷移金属（Ｃｕ）を用いたからであると考えられる。

【0057】

これに対して、比較例１４〜１６では、良好な高周波特性が得られなかった。これは、下地導体層２１および第１めっき膜２２のいずれかにおいて鉄族遷移金属であるＮｉを用いたからであると考えられる。

【0058】

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0059】

１０ セラミック積層体
２０ａ，２０ｂ 外部電極
２１ 下地導体層
２２ 第１めっき膜
２３ 第２めっき膜
３０ セラミック誘電体層
４０ 内部電極層
１００ 積層セラミックコンデンサ

【図1】

【図2】

【図3】