特許 6572066 アルコキシシリルアルキル基を有するオニウム塩

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6572066

(24)【登録日】2019年8月16日

(45)【発行日】2019年9月4日

(54)【発明の名称】アルコキシシリルアルキル基を有するオニウム塩

(51)【国際特許分類】

   C07F 7/18 20060101AFI20190826BHJP

   C09K 3/16 20060101ALI20190826BHJP

【ＦＩ】

   C07F7/18 WCSP

   C09K3/16 109

   C09K3/16 107E

   C09K3/16 104F

【請求項の数】14

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2015-173305(P2015-173305)

(22)【出願日】2015年9月2日

(65)【公開番号】特開2017-48149(P2017-48149A)

(43)【公開日】2017年3月9日

【審査請求日】2018年8月27日

(73)【特許権者】

【識別番号】000167646

【氏名又は名称】広栄化学工業株式会社

(72)【発明者】

【氏名】ワン・ハイユー

(72)【発明者】

【氏名】藤田 悠介

(72)【発明者】

【氏名】田中 洋輔

【審査官】 高橋 直子

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１３／０１１８２２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１３−０４７２９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−１０８９９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−１９９５０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０２８５８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−２２７３６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−０９５４７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０６−０４９２０４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０７Ｆ ７／１８

Ｃ０９Ｋ ３／１６

ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

式（１）で表されるオニウム塩。
式（１）：

【化1】

（式中、Ｑ^＋は窒素カチオン又はリンカチオンを示す。ａ及びｃは１〜４の整数、ｂ及びｄは１以上の整数である。Ｒ^１及びＲ^２はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（２）：

【化2】

（式中、ｅは１〜４の整数、ｆは１以上の整数である。）で示されるオキシアルキレン基を示す。Ｒ^１及びＲ^２がヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基である場合、末端で互いに結合して環を形成してもよい。Ｄ^１〜Ｄ^３は式（３）：

【化3】

（式中、ＥはＣＨ_２、ＣＨ（ＣＨ_３）又はＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２を示す。ＧはＮＨ又は硫黄原子を示す。Ｒ^３及びＲ^４は炭素数１〜４のアルキル基を示す。ｇは０〜３の整数、ｈは１〜４の整数、ｉは１〜３の整数である。）で示されるアルコキシシリルアルキル基である。Ａ⁻はアニオンを示す。）

【請求項2】

Ｑ^＋が窒素カチオンである請求項１に記載のオニウム塩。

【請求項3】

Ａ⁻が含フッ素アニオンである請求項１又は２のいずれかに記載のオニウム塩。

【請求項4】

Ａ⁻が（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、又は（ＦＳＯ_２）_２Ｎ⁻である請求項１〜３のいずれかに記載のオニウム塩。

【請求項5】

Ｒ^１がメチル基である請求項１〜４のいずれかに記載のオニウム塩。

【請求項6】

Ｒ^２が炭素数８〜１８のアルキル基である請求項１〜５のいずれかに記載のオニウム塩。

【請求項7】

ａ及びｃが２である請求項１〜６のいずれかに記載のオニウム塩。

【請求項8】

ｂ＋ｄ＝１５である請求項１〜７のいずれかに記載のオニウム塩。

【請求項9】

ｂ及びｄが１である請求項１〜７のいずれかに記載のオニウム塩。

【請求項10】

式（４）で表されるオニウム塩と式（７）で表されるアルコキシシリルアルキル化合物を反応させる請求項１〜９のいずれかに記載のオニウム塩の製造方法。
式（４）：

【化4】

（式中、Ｑ^＋及びＡ⁻並びにａ〜ｄは前記に同じ。Ｒ^５及びＲ^６はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（５）：

【化5】

（式中、ｅ及びｆは前記に同じ。）で示されるオキシアルキレン基である。Ｒ^５及びＲ^６がヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基である場合、末端で互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ^１〜Ｘ^３は、水素原子、式（６ａ）：

【化6】

（式中、Ｒ^７は水素原子又はメチル基を示す。）
で示される（メタ）アクリロイル基、又は式（６ｂ）：

【化7】

（式中、Ｒ^８はハロゲン原子、Ｒ^９は水素原子又はメチル基を示す。）
で示されるハロメチルケトン基である。）
式（７）：

【化8】

（式中、Ｒ^３、Ｒ^４、ｈ及びｉは前記に同じである。ＹはＮＣＯ、ＮＨ_２又はＳＨを示す。）

【請求項11】

式（４）で表されるオニウム塩が、式（８）で表されるハライド塩と式（９）で表される酸又はそのアルカリ金属塩とのアニオン交換反応によって製造したものである請求項１０に記載のオニウム塩の製造方法。
式（８）：

【化9】

（式中、Ｑ^＋、ａ〜ｄ、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｒ^５及びＲ^６は前記に同じである。Ｚ⁻はハロゲンイオンを示す。）
式（９）：
Ｍ^＋Ａ⁻ （９）
（式中、Ｍ^＋は水素イオン又はアルカリ金属イオンを示す。Ａ⁻は前記に同じ。）

【請求項12】

式（８）で表されるハライド塩がエソカード（登録商標）Ｃ／２５又はエソカード（登録商標）Ｃ／１２である請求項１１に記載の製造方法。

【請求項13】

請求項１〜９のいずれかに記載のオニウム塩を少なくとも１種含有する帯電防止剤。

【請求項14】

請求項１３に記載の帯電防止剤を少なくとも１種含有する樹脂組成物。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、アルコキシシリルアルキル基を有する新規なオニウム塩に関する。

【背景技術】

【0002】

アルコキシシリルアルキル基を有するオニウム塩としては、Ｎ−｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド等の、アルコキシシリルアルキルカルバモイルオキシアルキル基を１つ有するオニウム塩が知られている。そして、該オニウム塩は、アクリル樹脂に対して帯電防止性を付与できることが知られている（特許文献１参照）。しかしながら、樹脂の種類や用途によっては、樹脂に対して、より優れた帯電防止性を付与できるオニウム塩が求められている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３−２８５８６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明は、樹脂に対して、優れた帯電防止性を付与できる新規なオニウム塩及びそれを含む帯電防止剤、並びに当該帯電防止剤を含む樹脂組成物を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明者が上記課題を解決するために鋭意検討を行ったところ、式（１）で表されるオニウム塩を見出し、当該オニウム塩を帯電防止剤としてアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂に使用したところ、アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂に対して優れた帯電防止性を付与できることを見出し、本発明を完成するに至った。

【0006】

即ち本発明は、以下の［１］〜［１５］を提供するものである。

【0007】

［１］式（１）で表されるオニウム塩。

【0008】

式（１）：

【0009】

【化1】

（式中、Ｑ^＋は窒素カチオン又はリンカチオンを示す。ａ及びｃは１〜４の整数、ｂ及びｄは１以上の整数である。Ｒ^１及びＲ^２はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（２）：

【0010】

【化2】

（式中、ｅは１〜４の整数、ｆは１以上の整数である。）で示されるオキシアルキレン基を示す。Ｒ^１及びＲ^２がヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基である場合、末端で互いに結合して環を形成してもよい。Ｄ^１〜Ｄ^３は式（３）：

【0011】

【化3】

（式中、ＥはＣＨ_２、ＣＨ（ＣＨ_３）又はＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２を示す。ＧはＮＨ又は硫黄原子を示す。Ｒ^３及びＲ^４は炭素数１〜４のアルキル基を示す。ｇは０〜３の整数、ｈは１〜４の整数、ｉは１〜３の整数である。）で示されるアルコキシシリルアルキル基である。Ａ⁻はアニオンを示す。）

【0012】

［２］Ｑ^＋が窒素カチオンである［１］に記載のオニウム塩。

【0013】

［３］Ａ⁻が含フッ素アニオンである［１］又は［２］のいずれかに記載のオニウム塩。

【0014】

［４］Ａ⁻が（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、又は（ＦＳＯ_２）_２Ｎ⁻である［１］〜［３］のいずれかに記載のオニウム塩。

【0015】

［５］Ｒ^１がメチル基である［１］〜［４］のいずれかに記載のオニウム塩。

【0016】

［６］Ｒ^２が炭素数８〜１８のアルキル基である［１］〜［５］のいずれかに記載のオニウム塩。

【0017】

［７］ａ及びｃが２である［１］〜［６］のいずれかに記載のオニウム塩。

【0018】

［８］ｂ＋ｄ＝１５である［１］〜［７］のいずれかに記載のオニウム塩。

【0019】

［９］ｂ及びｄが１である［１］〜［７］のいずれかに記載のオニウム塩。

【0020】

［１０］式（４）で表されるオニウム塩と式（７）で表されるアルコキシシリルアルキル化合物を反応させる［１］〜［９］のいずれかに記載のオニウム塩の製造方法。

【0021】

式（４）：

【0022】

【化4】

（式中、Ｑ^＋及びＡ⁻並びにａ〜ｄは前記に同じ。Ｒ^５及びＲ^６はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（５）：

【0023】

【化5】

（式中、ｅ及びｆは前記に同じ。）で示されるオキシアルキレン基である。Ｒ^５及びＲ^６がヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基である場合、末端で互いに結合して、環を形成してもよい。Ｘ^１〜Ｘ^３は、水素原子、式（６ａ）：

【0024】

【化6】

（式中、Ｒ^７は水素原子又はメチル基を示す。）
で示される（メタ）アクリロイル基、又は式（６ｂ）：

【0025】

【化7】

（式中、Ｒ^８はハロゲン原子、Ｒ^９は水素原子又はメチル基を示す。）
で示されるハロメチルケトン基である。）

【0026】

式（７）：

【0027】

【化8】

（式中、Ｒ^３、Ｒ^４、ｈ及びｉは前記に同じである。ＹはＮＣＯ、ＮＨ_２又はＳＨを示す。）

【0028】

［１１］式（４）で表されるオニウム塩が、式（８）で表されるハライド塩と式（９）で表される酸又はそのアルカリ金属塩とのアニオン交換反応によって製造したものである［１０］に記載のオニウム塩の製造方法。

【0029】

式（８）：

【0030】

【化9】

（式中、Ｒ^５及びＲ^６は前記に同じである。Ｚ⁻はハロゲンイオンを示す。）

【0031】

式（９）：

【0032】

Ｍ^＋Ａ⁻ （９）
（式中、Ｍ^＋は水素イオン又はアルカリ金属イオンを示す。Ａ⁻は前記に同じ。）

【0033】

［１２］式（８）で表されるハライド塩がエソカード（登録商標）Ｃ／２５又はエソカード（登録商標）Ｃ／１２である［１１］に記載の製造方法。

【0034】

［１３］［１０］〜［１２］のいずれかに記載の製造方法により得られるオニウム塩。

【0035】

［１４］［１］〜［９］、又は［１３］のいずれかに記載のオニウム塩を少なくとも１種含有する帯電防止剤。

【0036】

［１５］［１４］に記載の帯電防止剤を少なくとも１種含有する樹脂組成物。

【発明の効果】

【0037】

本発明のオニウム塩（１）は、アクリル樹脂及びポリカーボネート樹脂に対して優れた帯電防止性を付与できるため、有用な化合物である。

【発明を実施するための形態】

【0038】

以下、本発明を具体的に説明する。

【0039】

式（１）中、Ｑ^＋は窒素カチオン又はリンカチオンであり、好ましくは窒素カチオンである。ａ及びｃは１〜４の整数であり、好ましくは２である。ｂ及びｄは１以上の整数であり、好ましくは１〜１５の整数、特に好ましくは１である。また、別の形態として特に好ましくはｂ＋ｄ＝１５である。Ｒ^１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（２）で示されるオキシアルキレン基である。ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ｒ^２はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（２）で示されるオキシアルキレン基である。ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基としては、炭素数１〜１８のアルキル基が好ましく、炭素数６〜１８のアルキル基がより好ましく、炭素数８〜１８のアルキル基が特に好ましい。Ｒ^１及びＲ^２がヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基である場合、末端で互いに結合して環を形成してもよく、環としては、例えば、モルホリン環、ピロリジン環、ピペリジン環、ホスホラン環又はホスホリナン環等が挙げられる。Ｄ^１〜Ｄ^３は式（３）で示されるアルコキシシリルアルキル基である。

【0040】

式（２）中、ｅは１〜４の整数であり、好ましくは２である。ｆは１以上の整数であり、好ましくは１である。

【0041】

式（３）中、ＥはＣＨ_２、ＣＨ（ＣＨ_３）又はＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２を示す。ＧはＮＨ又は硫黄原子であり、好ましくはＮＨである。Ｒ^３及びＲ^４は炭素数１〜４のアルキル基を示し、メチル基又はエチル基がより好ましい。ｇは０〜３の整数であり、好ましくは０である。ｈは１〜４の整数であり、好ましくは１〜３の整数、より好ましくは３である。ｉは１〜３の整数であり、好ましくは３である。

【0042】

Ａ⁻はアニオンを示し、好ましくは含フッ素アニオン、より好ましくは含フッ素イミドアニオンである。アニオンとしては、例えば、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、（ＦＳＯ_２）_２Ｎ⁻、ＢＦ_４⁻、ＰＦ_６⁻、ＣＨ_３（ＣＨ_２）_１０ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_４ＳＯ_３⁻、ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４ＳＯ_３⁻等が挙げられ、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、（ＦＳＯ_２）_２Ｎ⁻、が好ましく、特に好ましくは（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ⁻である。

【0043】

式（１）で表されるオニウム塩（以下、オニウム塩（１）という。）の具体例としては、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、

【0044】

Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチルポリオキシエチレン］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチルポリオキシエチレン］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、

【0045】

Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチルポリオキシエチレン］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチルポリオキシエチレン］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、

【0046】

Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝ピロリジニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝ピロリジニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピロリジニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピロリジニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピロリジニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピロリジニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝ピペリジニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝ピペリジニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピペリジニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピペリジニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピペリジニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］ピペリジニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、

【0047】

Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ−エチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝−Ｎ−エチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］−Ｎ−エチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、

【0048】

Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス｛（３−トリメトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝アンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル）｝アンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］アンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］アンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス［２−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］アンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス［２−｛３−（３−トリエトキシシリルプロピルチオ）−１−オキソプロポキシ｝エチル］アンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド等が挙げられ、好ましくは、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドであるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【0049】

本発明のオニウム塩（１）の製造方法について説明する。オニウム塩（１）は、例えば、式（４）で表されるオニウム塩（以下、オニウム塩（４）という。）と式（７）で表されるアルコキシシリルアルキル化合物（以下、アルコキシシリルアルキル化合物（７）という）を反応させることにより製造できる。

【0050】

式（４）中、Ｑ^＋及びＡ⁻並びにａ〜ｄは前記に同じである。Ｒ^５はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（５）で示されるオキシアルキレン基である。ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ｒ^６はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基又は式（５）で示されるオキシアルキレン基である。ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基としては、炭素数１〜１８のアルキル基が好ましく、炭素数６〜１８のアルキル基がより好ましく、炭素数８〜１８のアルキル基が特に好ましい。Ｒ^５及びＲ^６がヘテロ原子を含んでいてもよい炭化水素基である場合、末端で互いに結合して環を形成してもよく、環としては、例えば、モルホリン環、ピロリジン環、ピペリジン環、ホスホラン環又はホスホリナン環等が挙げられる。式（５）中、ｅ及びｆは前記に同じである。Ｘ^１〜Ｘ^３は水素原子、式（６ａ）で表される（メタ）アクリロイル基、又は式（６ｂ）で表されるハロメチルケトン基であり、好ましくは水素原子である。式（６ａ）中、Ｒ^７は水素原子又はメチル基である。式（６ｂ）中、Ｒ^８はハロゲン原子であり、好ましくは塩素原子である。Ｒ^９は水素原子又はメチル基である。

【0051】

オニウム塩（４）としては、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−エチルメチル−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アクリロイルオキシエチル）−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メタクロイルオキシエチル）−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（２−クロロアセチル）オキシエチル］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ，Ｎ−ビス［（２−クロロアセチル）ポリオキシエチレン］−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド等が挙げられ、好ましくは、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドである。

【0052】

式（７）中、Ｒ^３、Ｒ^４、ｈ及びｉは前記に同じである。ＹはＮＣＯ、ＮＨ_２又はＳＨであり、好ましくはＮＣＯである。

【0053】

アルコキシシリルアルキル化合物（７）としては、アルコキシシリルアルキルイソシアネート類、トリアルコキシシリルアルキルアミン類及びトリアルコキシシリルアルキルチオール類が挙げられ、好ましくはアルコキシシリルアルキルイソシアネート類である。

【0054】

アルコキシシリルアルキルイソシアネート類としては、トリメトキシシリルメチルイソシアネート、トリメトキシシリルエチルイソシアネート、トリメトキシシリルプロピルイソシアネート、トリメトキシシリルブチルイソシアネート、トリエトキシシリルメチルイソシアネート、トリエトキシシリルエチルイソシアネート、トリエトキシシリルプロピルイソシアネート、トリエトキシシリルブチルイソシアネート、トリプロポキシシリルメチルイソシアネート、トリプロポキシシリルエチルイソシアネート、トリプロポキシシリルプロピルイソシアネート、トリプロポキシシリルブチルイソシアネート、トリブトキシシリルメチルイソシアネート、トリブトキシシリルエチルイソシアネート、トリブトキシシリルプロピルイソシアネート、トリブトキシシリルブチルイソシアネート等が挙げられ、好ましくは、トリメトキシシリルプロピルイソシアネートである。

【0055】

アルコキシシリルアルキルアミン類としては、例えば、トリメトキシシリルメチルアミン、トリメトキシシリルエチルアミン、トリメトキシシリルプロピルアミン、トリメトキシシリルブチルアミン、トリエトキシシリルメチルアミン、トリエトキシシリルエチルアミン、トリエトキシシリルプロピルアミン、トリエトキシシリルブチルアミン、トリプロポキシシリルメチルアミン、トリプロポキシシリルエチルアミン、トリプロポキシシリルプロピルアミン、トリプロポキシシリルブチルアミン、トリブトキシシリルメチルアミン、トリブトキシシリルエチルアミン、トリブトキシシリルプロピルアミン、トリブトキシシリルブチルアミン等が挙げられる。

【0056】

アルコキシシリルアルキルチオール類としては、例えば、トリメトキシシリルメチルチオール、トリメトキシシリルエチルチオール、トリメトキシシリルプロピルチオール、トリメトキシシリルブチルチオール、トリエトキシシリルメチルチオール、トリエトキシシリルエチルチオール、トリエトキシシリルプロピルチオール、トリエトキシシリルブチルチオール、トリプロポキシシリルメチルチオール、トリプロポキシシリルエチルチオール、トリプロポキシシリルプロピルチオール、トリプロポキシシリルブチルチオール、トリブトキシシリルメチルチオール、トリブトキシシリルエチルチオール、トリブトキシシリルプロピルチオール、トリブトキシシリルブチルチオール等が挙げられる。

【0057】

アルコキシシリルアルキル化合物（７）の使用量は、通常、オニウム塩（４）１モルに対して２モル以上であればよく、好ましくは２．０〜４．５モルである。

【0058】

オニウム塩（４）とアルコキシシリルアルキル化合物（７）との反応は溶媒を使用してもよい。溶媒を使用する場合、溶媒としては、アセトン、アセトニトリル、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン等が挙げられる。溶媒の使用量としては、通常、オニウム塩（４）１重量部に対して通常１０重量部以下、好ましくは１〜１０重量部であり、特に好ましくは２〜６重量部である。

【0059】

オニウム塩（４）とアルコキシシリルアルキル化合物（７）との反応において、必要に応じて、有機スズ化合物触媒や第三級アミン化合物触媒等のウレタン化反応触媒を使用してもよい。有機スズ化合物触媒としては、ジラウリン酸ジブチルスズ等が挙げられる。第三級アミン化合物としては、トリエチルアミン、ジメチルエチルアミン、トリエチレンジアミン等が挙げられる。ウレタン化反応触媒の使用量としては、通常、オニウム塩（４）１モルに対して、０．０１モル％以上、好ましくは０．０５〜５モル％である。

【0060】

オニウム塩（４）と、アルコキシシリルアルキル化合物（７）及び溶媒の混合順序は特に限定されず、オニウム塩（４）と溶媒を混合した後にアルコキシシリルアルキル化合物（７）を添加してもよいし、アルコキシシリルアルキル化合物（７）と溶媒を混合した後にオニウム塩（４）を添加してもよい。

【0061】

オニウム塩（４）とアルコキシシリルアルキル化合物（７）との反応での反応温度は、通常１０℃以上であり、好ましくは３０〜８０℃である。

【0062】

反応終了後の反応液からオニウム塩（１）を分離するには、濃縮、濾過、抽出、洗浄等の単位操作を適宜組み合わせて、オニウム塩（１）を単離することができる。

【0063】

前述のオニウム塩（４）は、市販のものを使用しても良いが、例えば、式（８）で示されるハライド塩（以下、ハライド塩（８）という。）から製造したものを使用してもよい。

【0064】

オニウム塩（４）の製造方法について説明する。オニウム塩（４）は、種々の方法で製造することができる。例えば、ハライド塩（８）と式（９）で表される酸又はそのアルカリ金属塩（以下、アルカリ金属塩類（９）という。）とのアニオン交換反応によって製造できる。

【0065】

式（８）中、Ｒ^５及びＲ^６は前記に同じである。Ｚ⁻はハロゲンイオンである。ハロゲンイオンとしては、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻等が挙げられ、好ましくはＣｌ⁻である。

【0066】

ハライド塩（８）としては、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム クロリド、Ｎ−エチル−Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム クロリド、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム クロリド（ライオン株式会社製、エソカード（登録商標）Ｃ／１２）、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム クロリド（ライオン株式会社製、エソカード（登録商標）Ｃ／２５）等が挙げられ、好ましくはＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム クロリド、Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム クロリドである。

【0067】

アルカリ金属塩類（９）としては、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドナトリウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドカリウム、ビス（フルオロメタンスルホニル）イミドリチウム、ビス（フルオロメタンスルホニル）イミドナトリウム、ビス（フルオロメタンスルホニル）イミドカリウム、テトラフルオロホウ酸リチウム、テトラフルオロホウ酸ナトリウム、テトラフルオロホウ酸カリウム、リチウムヘキサフルオロホスフェート、ナトリウムヘキサフルオロホスフェート、カリウムヘキサフルオロホスフェート、ｐ−トルエンスルホン酸ナトリウム、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等が挙げられる。

【0068】

イオン交換反応におけるアルカリ金属塩類（９）の使用量は、ハライド塩（８）１モルに対して、通常０．８モル以上、好ましくは０．９モル〜１．２モルであり、より好ましくは１〜１．０５モルである。

【0069】

イオン交換反応は通常、溶媒中で行う。溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール、２−プロパノール等のアルコール類、アセトニトリル、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、水等が挙げられる。使用量は特に制限はないが、ハライド塩（８）１重量部に対して通常１０重量部以下、好ましくは１〜１０重量部であり、特に好ましくは２〜６重量部である。

【0070】

ハライド塩（８）、アルカリ金属塩類（９）及び溶媒の混合順序は特に限定されず、ハライド塩（８）と溶媒を混合した後にアルカリ金属塩類（９）を添加してもよいし、アルカリ金属塩類（９）と溶媒を混合した後にハライド塩（８）を添加してもよい。

【0071】

イオン交換反応における反応温度は、通常１０℃以上、好ましくは１０〜６０℃、特に好ましくは１０〜３０℃である。

【0072】

反応終了後の反応液からオニウム塩（４）を分離するには、溶媒及び生成する無機塩又は酸塩を反応液から除去すればよい。例えば、得られた反応液を濾過するか又は水洗して無機塩又は酸塩を除き、次いで濃縮、濾過、抽出等の単位操作を適宜組み合わせて、オニウム塩（４）を単離することができる。

【0073】

本発明は、オニウム塩（１）を少なくとも１種含有する帯電防止剤を提供する。本発明において、オニウム塩（１）を単独で帯電防止剤として使用することもできるが、任意選択で、本発明が属する分野において使用される安定化剤等の添加剤、溶媒等を混合して使用することもできる。本発明の帯電防止剤を使用できる絶縁物としては樹脂組成物等が挙げられる。添加剤、溶媒等を配合する場合、帯電防止剤中のオニウム塩（１）の含有量は特に限定されず、例えば、９０重量％以上、７０重量％以上、５０重量％以上、３０重量％以上、１０重量％以上、５重量％以上、１重量％以上等の条件から適宜設定できる。帯電防止性を付与するには、本発明の帯電防止剤を樹脂組成物等の製造時にそれらの材料に添加、混合する等の方法又は樹脂組成物等に塗布する方法等が挙げられる。

【0074】

本発明は、上記帯電防止剤を含有する樹脂組成物を提供する。樹脂組成物への本発明の帯電防止剤の添加量は、特に限定されないが、例えば、本発明の帯電防止剤が樹脂に対して０．０５〜２０重量％であり、好ましくは０．１〜１０重量％、特に好ましくは０．５〜５重量％である。樹脂組成物には、樹脂及び帯電防止剤以外に樹脂組成物の性質を損なわない範囲で、必要に応じて公知の添加剤を加えることができる。添加剤としては、染料、顔料、補強剤、充填剤、可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、紫外線吸収剤等が挙げられる。本発明の帯電防止剤により帯電防止性を付与する樹脂としては、特に限定されないが、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン樹脂等が挙げられ、好ましくはアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂である。

【実施例】

【0075】

つぎに、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。以下の実施例中、^１Ｈ−ＮＭＲはブルカー社製のＤＰＸ ４００を使用し、溶媒にＤＭＳＯ−ｄ_６を用いて４００ＭＨｚで測定した。また、表面抵抗率は三菱化学株式会社製ハイレスタ−ＵＰ（ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を使用し、印加電圧５００Ｖ、温度２５℃、湿度５０％ＲＨの条件にて測定した。

【0076】

合成例１ Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの合成

反応容器にＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム クロリド（ライオン株式会社製、エソカード（登録商標）Ｃ／２５）８５４．９ｇ（０．９７ｍｏｌ）、及びイオン交換水２０１５．２ｇを入れ、撹拌した。そこへ７５．０％ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム水溶液３９０．７ｇ（１．０２ｍｏｌ）を入れ、２５℃で３時間撹拌した。得られた反応液にメチルイソブチルケトン２１３７．８ｇを加えて抽出、分液し、有機層をイオン交換水２１３７．５ｇで３回洗浄した。得られた有機層を濃縮・乾燥してＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド７０７．０ｇ（収率６４．７％）を得た。

【0077】

合成例２ Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの合成

反応容器にＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム クロリド（ライオン株式会社製、エソカード（登録商標）Ｃ／１２）９０８．０ｇ（１．９７ｍｏｌ）、及びイオン交換水１１１４．１ｇを入れ、撹拌した。そこへ７０．５％ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム水溶液８４４．１ｇ（２．０７ｍｏｌ）を入れ、２５℃で２時間撹拌した。得られた反応液にメチルエチルケトン１２７１．０ｇを加えて抽出、分液し、有機層をイオン交換水１３７３．０ｇで２回洗浄した。得られた有機層を濃縮・乾燥してＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１１４５．６ｇ（収率９８．６％）を得た。

【0078】

実施例１ Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの合成

反応容器にＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（ポリオキシエチレン）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２０．１ｇ（１６．７ｍｍｏｌ）、ジラウリン酸ジブチルスズ０．０２ｇ（０．０３ｍｍｏｌ、東京化成工業株式会社製）及びアセトニトリル２８．８ｇを加えて、撹拌しながら５０℃まで昇温し均一溶液とした。この溶液に３−（トリエトキシシリル）プロピルイソシアネート８．８ｇ（３５．０ｍｍｏｌ、信越化学工業株式会社製）を２時間かけて滴下し、５０℃で４時間反応させた。反応後、仕込み重量の約半分になるまで濃縮した。得られた濃縮反応液に、ヘキサン１７．６ｇを加えて分液し、ヘキサン層を除く操作を２回行った。洗浄後の濃縮反応液をさらに７０℃で１６時間濃縮して、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２７．９ｇを得た（収率９７．７％）。得られたＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの^１Ｈ ＮＭＲを次に示す。

【0079】

^１Ｈ ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：７．２１（ｂｒｍ，２Ｈ），４．０４（ｂｒｍ，４Ｈ），３．８２（ｂｒｍ，３Ｈ），３．７６−３．７１（ｍ，１２Ｈ），３．５６−３．５１（ｂｒｍ，４８Ｈ），３．３２（ｂｒｍ，２Ｈ），３．０６（ｓ，３Ｈ），２．９４（ｑ，４Ｈ），１．６６（ｂｒｍ，２Ｈ），１．４４（ｂｒｍ，４Ｈ），１．２５（ｂｒｍ，２０Ｈ），１．１４（ｔ，１８Ｈ），０．８６（ｔ，３Ｈ），０．５１（ｔ，４Ｈ）

【0080】

実施例２ Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの合成

反応容器にＮ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２９９．６ｇ（５０７．３ｍｍｏｌ）、ジラウリン酸ジブチルスズ０．３４ｇ（０．５３ｍｍｏｌ東京化成工業株式会社製）及びアセトニトリル２９９．５ｇを加えて、撹拌しながら５０℃まで昇温し均一溶液とした。この溶液に３−（トリエトキシシリル）プロピルイソシアネート２６０．９ｇ（１０３９．９ｍｍｏｌ、信越化学工業株式会社製）を０．５時間かけて滴下し、５０℃で５時間反応させた。反応後、仕込み重量の約半分になるまで濃縮した。得られた濃縮反応液に、ヘキサン５９９．８ｇを加えて分液し、ヘキサン層を除く操作を２回行った。洗浄後の濃縮反応液をさらに５０℃で６時間濃縮して、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド５５０．０ｇを得た（収率９９．７％）。得られたＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの^１Ｈ−ＮＭＲを次に示す。

【0081】

^１Ｈ ＮＭＲ δ（ｐｐｍ）：７．３５（ｂｒｍ，２Ｈ），４．３９（ｂｒｍ，４Ｈ），３．７８−３，７３（ｍ，１２Ｈ），３．６５（ｂｒｍ，４Ｈ），３．３５（ｂｒｍ，２Ｈ），３．０９（ｓ，３Ｈ），２．９９（ｑ，４Ｈ），１．６５（ｂｒｍ，２Ｈ），１．４８（ｂｒｍ，４Ｈ），１．２７（ｂｒｍ，１９Ｈ），１．１６（ｔ，１８Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ），０．５４（ｔ，３Ｈ）

【0082】

応用例１
ペンタエリスリトールトリアクリレート（Ａ−ＴＭＭ−３ＬＭ−Ｎ、新中村化学工業株式会社製）１００重量部に対して、帯電防止剤として実施例１で得たＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１重量部、重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン６重量部（和光純薬株式会社製）、及び希釈剤としてメチルエチルケトン１０７重量部を加えて溶解し、コート剤を調製した。このコート剤をトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム上にバーコーターを使用して乾燥時の厚みが約５μｍになるようにコートし、６０℃で２０分間加熱・乾燥させた。乾燥後のフィルムをアイグラフィックス株式会社製のＵＶコンベア装置ＲＣＳ−１５１１Ｕを使用して、高圧水銀ＵＶランプ（１２０Ｗ／ｃｍ）の紫外線を積算光量４００±１０ｍＪ／ｃｍ^２、ピーク照度４００±１０ｍＷ／ｃｍ^２の条件で照射して硬化を行い、試験片を作成した。得られた試験片を２５±１℃、５０±５％ＲＨの雰囲気中に３０分間保持させた後、かかる試験片のハードコート膜の表面抵抗率を測定した。結果を表１に示す。

【0083】

応用例２
応用例１のＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドに代えて、実施例２で得たＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドを使用した以外は応用例１と同様にして試験片を作成し、かかる試験片のハードコート膜の表面抵抗率を測定した。それらの結果を表１に示す。

【0084】

比較応用例１
応用例１のＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドに代えて、Ｎ−｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル｝−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドを使用した以外は応用例１と同様にして試験片を作成し、かかる試験片のハードコート膜の表面抵抗率を測定した。その結果を表１に示す。

【0085】

【表1】

【0086】

表１の結果から本発明のオニウム塩を配合したアクリル樹脂コーティング剤は、優れた帯電防止性を有することが分かった。

【0087】

応用例３
５０ｍＬのサンプル瓶にポリカーボネート樹脂（住友ダウ株式会社製 カリバー（登録商標）２００−１３ ＮＡＴ）３．２ｇ、ジクロロメタン２０ｍＬを入れて、ポリカーボネートを溶解し、帯電防止剤として実施例１で得たＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド０．０３２ｇを添加して完溶させた。この調整液を金型（縦１３ｃｍ×横１９．５ｃｍ×深さ２ｃｍ）へ流し込み、１時間乾燥させ、ポリカーボネート樹脂組成物の試験片を作成した。得られた試験片を２５±１℃、５０±５％ＲＨの雰囲気中に３０分間保持させた後、試験片表面の表面抵抗率を測定した。結果を表２に示す。

【0088】

応用例４
応用例３のＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドに代えて、Ｎ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルエチル｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドを使用した以外は応用例３と同様にして試験片を作成し、かかる試験片の表面抵抗率を測定した。その結果を表２に示す。

【0089】

比較応用例２
応用例１のＮ，Ｎ−ビス｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルポリオキシエチレン｝−Ｎ−アルキル（Ｃ８〜Ｃ１８）−Ｎ−メチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドに代えて、Ｎ−｛（３−トリエトキシシリルプロピル）カルバモイルオキシエチル｝−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドを使用した以外は応用例３と同様にして試験片を作成し、かかる試験片の表面抵抗率を測定した。その結果を表２に示す。

【0090】

【表2】

【0091】

表２の結果から本発明のオニウム塩を配合したポリカーボネート樹脂は優れた帯電防止性を有することが分かった。