特許6572089ＺｎＯ系半導体構造およびその製造方法

発明の名称　ＺｎＯ系半導体構造およびその製造方法

出願人　スタンレー電気株式会社　（識別番号 2303）

　　　　特許公開件数ランキング 197 位（167件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 265 位（116件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6572089

公報発行日　2019年9月4

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6572089

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