特許 6574553 導電パターン形成用組成物および導電パターン形成方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6574553

(24)【登録日】2019年8月23日

(45)【発行日】2019年9月11日

(54)【発明の名称】導電パターン形成用組成物および導電パターン形成方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/12 20060101AFI20190902BHJP

   H01B 1/22 20060101ALI20190902BHJP

   H01B 1/00 20060101ALI20190902BHJP

   H01B 13/00 20060101ALI20190902BHJP

   C09D 11/00 20140101ALI20190902BHJP

【ＦＩ】

   H05K3/12 610B

   H01B1/22 A

   H01B1/00 J

   H01B13/00 503D

   C09D11/00

【請求項の数】6

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2014-131394(P2014-131394)

(22)【出願日】2014年6月26日

(65)【公開番号】特開2016-9829(P2016-9829A)

(43)【公開日】2016年1月18日

【審査請求日】2017年5月25日

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000002004

【氏名又は名称】昭和電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100102716

【弁理士】

【氏名又は名称】在原 元司

(72)【発明者】

【氏名】内田 博

【審査官】 原田 貴志

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−１２１２０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１３／０７７４４８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１２−０７９９３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−１６６９３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−１４３５７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−２７４３２４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｋ ３／１２

Ｃ０９Ｄ １１／００

Ｈ０１Ｂ １／００

Ｈ０１Ｂ １／２２

Ｈ０１Ｂ １３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

パルス光照射による導電パターン形成用の組成物であって、
平均粒径が１ｎｍ〜１０μｍである窒化銅粒子と、
バインダー樹脂と、
溶媒と、
からなることを特徴とするパルス光照射による導電パターン形成用組成物。

【請求項2】

パルス光照射による導電パターン形成用の組成物であって、
平均粒径が１ｎｍ〜１０μｍである窒化銅粒子と、
バインダー樹脂と、
溶媒と、
銅粒子と、
を含むことを特徴とするパルス光照射による導電パターン形成用組成物。

【請求項3】

前記銅粒子の平均粒径が５０ｎｍ〜１０μｍであり、含有量が１０〜８０質量％である請求項２に記載のパルス光照射による導電パターン形成用組成物。

【請求項4】

パルス光照射による導電パターン形成用の組成物であって、
平均粒径が１ｎｍ〜１０μｍである窒化銅粒子と、
バインダー樹脂と、
溶媒と、
平均粒径５０ｎｍ〜１０μｍの銀粒子と、
を含み、前記銀粒子の含有量が５〜８０質量％であることを特徴とするパルス光照射による導電パターン形成用組成物。

【請求項5】

請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電パターン形成用組成物を基材上に印刷する工程と、
前記導電パターン形成用組成物に光照射を行う工程と、
を備えることを特徴とする導電パターン形成方法。

【請求項6】

前記導電パターン形成用組成物に照射する光は、２００〜３０００ｎｍの波長のパルス光であることを特徴とする請求項５に記載の導電パターン形成方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、導電パターン形成技術に関する。

【背景技術】

【0002】

微細な導電パターンを作製する技術として、従来、銅箔とフォトレジストを組み合わせてリソグラフィー法で導電パターンを形成する方法が一般的に用いられている。しかし、この方法は工程数が多い上に、排水、廃液処理の負担が大きく、環境的に改善が望まれている。また、加熱蒸着法やスパッタリング法で作製した金属薄膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングする手法も知られている。しかし、加熱蒸着法やスパッタリング法は真空環境が不可欠である上に、装置の価格も非常に高価であり、導電パターン形成へ適用した場合には製造コストを低減させることが困難であった。

【0003】

そこで、金属インキ（酸化物を還元剤により還元して金属化するものも含む）を用いて印刷により導電パターンを作製する技術が提案されている。印刷による導電パターン形成技術は、低コストで多量の製品を高速に作製することが可能であるため、既に一部で実用的な電子デバイスの作製が検討されている。

【0004】

しかし、加熱炉を用いて金属インキを加熱焼成する方法では、加熱工程で時間がかかる上に、金属インキの焼成に必要な加熱温度にプラスチック基材が耐えることができない場合には、プラスチック基材が耐える温度で焼成せざるを得ず、導電パターンが満足な導電率に到達しないという問題があった。

【0005】

そこで、ナノ粒子を含む組成物（インキ）を用いて、光照射により印刷パターンを導電パターンに転化させることが試みられている（特許文献１〜３参照）。なお、特許文献４には、エッチング工程がなくても、所定のパターンを有する銅膜を形成することを可能とする銅膜形成用の組成物として、窒化銅粉末、有機バインダーおよび有機溶剤からなることを特徴とする組成物が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特表２００８−５２２３６９号公報

【特許文献2】ＷＯ２０１０／１１０９６９号公報

【特許文献3】特表２０１０−５２８４２８号公報

【特許文献4】特開２００８−２７４３２４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

一般に、基板上に形成された導電パターンは、導電率が高い（体積抵抗率が低い）ほど性能が高いといえる。そのため、上記従来の技術により形成された導電パターンも、さらに導電率を向上させることが望ましい。しかし、従来のナノ粒子を含む組成物では、ナノ粒子として金属ナノ粒子を用いる場合には、金属ナノ粒子が凝集しやすいために、保護コロイドが必要となる。この結果、光照射により得られる金属配線内に空隙（ボイド）が生じやすくなるため、導電率の向上に限界があるという問題があった。このため、サブミクロンやミクロンレベルの金属粒子を使用することも検討されているが、このような金属粒子では融点が高く、焼結により低抵抗にすることが困難となる。

【0008】

このため金属ナノ粒子よりは凝集し難い金属酸化物のナノ粒子をその代わりに用い化学焼結により低抵抗化することも検討されているが、金属酸化物を還元するための還元剤が必要である上に、酸素が抜けるためにやはり金属配線内に空隙（ボイド）が生じやすくなるため、体積抵抗率として見た場合の導電率の向上に限界があるという問題があった。

【0009】

特許文献４に開示されている組成物は、３００℃以上で真空中または不活性ガス中で焼成することにより銅膜を形成させるものであり、光焼成またはマイクロ波加熱により銅膜を形成させるための組成物ではない。導電率の低減という観点では銅よりも銀の方が優れているので、銀や酸化銀の粒子を使用することが考えられるが、銀は銅よりもイオンマイグレーションを起こしやすく、信頼性に懸念がある。

【0010】

本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、導電パターンの導電率を向上させることができ、かつイオンマイグレーションの発生の懸念が低い導電パターン形成用組成物および導電パターン形成方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明のある態様は、光照射による導電パターン形成用の組成物であって、窒化銅粒子とバインダー樹脂と溶媒とを含むことを特徴とする。

【0012】

上記態様の組成物において、前記窒化銅粒子の平均粒径が１ｎｍ〜１０μｍであってもよい。また、銅粒子または銀粒子をさらに含んでもよい。

【0013】

本発明の他の態様は、導電パターン形成方法である。当該導電パターン形成方法は、上述したいずれかの導電パターン形成用組成物を基材上に印刷する工程と、前記導電パターン形成用組成物に光照射を行う工程と、を備えることを特徴とする。

【0014】

上記態様の導電パターン形成方法において、前記導電パターン形成用組成物に照射する光は、２００〜３０００ｎｍの波長のパルス光であってもよい。

【0015】

なお、上述した各要素を適宜組み合わせたものも、本件特許出願によって特許による保護を求める発明の範囲に含まれうる。

【発明の効果】

【0016】

本発明によれば、導電パターンの導電率を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】実施形態に係る導電パターン形成方法を示す工程図である。

【図2】パルス光の定義を説明するための図である。

【図3】ウォータードロップ試験の概要を示す図である。

【図4】図４（ａ）、図４（ｂ）は、それぞれ、ウォータードロップ試験に使用したパターン（寸法の単位はｍｍ）を示す図、ウォータードロップ試験に必要な水の堰き止め方を示す図である。

【図5】図５（ａ）、図５（ｂ）および図５（ｃ）は、それぞれ、実施例１、実施例３および比較例２におけるウォータードロップ試験後の写真である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本発明を実施するための形態（以下、実施形態という）について説明する。

【0019】

（導電パターン形成用組成物）
実施形態に係る導電パターン形成用組成物は、窒化銅粒子、バインダー樹脂および溶媒を含む。以下、導電パターン形成用組成物の各成分について詳細に説明する。

【0020】

（窒化銅粒子）
窒化銅粒子の平均粒径は、１ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１０ｎｍ〜３μｍがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍがさらに好ましい。窒化銅粒子の平均粒径が１ｎｍ以上であると、窒化銅粒子が均一分散された組成物を調製しやすい。一方、窒化銅粒子の平均粒径が１０μｍ以下であると、窒化銅から金属銅に変換するのに必要なエネルギーが小さくてすむ。窒化銅粒子の含有量は、導電パターン形成用組成物全体に対して、１０〜８０質量％が好ましい。この範囲であると、良好な導電性能を有する導電パターンを形成しやすい。

【0021】

なお、本明細書において「平均粒径」は、５００ｎｍ以上の粒子径の場合には、レーザー回折・散乱法で、５００ｎｍ未満の場合には動的散乱法で各々測定した、個数基準の平均粒径Ｄ５０（メジアン径）の粒子径を意味する。

【0022】

（溶剤）
溶媒に関しては、一般にグラビア印刷、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷、フレキソ印刷等に使用できる溶媒なら特に制限なく使用することができる。グラビア印刷の場合には沸点が比較的低い溶媒が好適であり、スクリーン印刷の場合には沸点が比較的高い溶媒が好適である。

【0023】

グラビア印刷に使用できる沸点が比較的低い溶媒の沸点は一気圧で５０℃以上で２００℃以下、より好ましくは１５０℃以下である。たとえばトルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系、酢酸エチル、酢酸−ｎ−プロピル、酢酸−ｎ−ブチルなどのエステル系、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ノルマルプロパノール、２−ブタノール、イソブチルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール系溶媒などの有機溶剤が利用できる。

【0024】

スクリーン印刷に使用できる沸点が比較的高い溶媒の沸点は３６０℃以下で１２０℃以上、より好ましくは１５０℃以上である。具体的にはブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、ターピネオール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、イソボルニルシクロヘキサノール（商品名：テルソルブ ＭＴＰＨ、日本テルペン製）、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ビスエトキシエタン、エチレングリコール、プロピレングリコール等を挙げることができる。

【0025】

なお、これらの溶媒は１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

【0026】

この中で、エチレングリコール、プロピレングリコールやグリセリン等の多価アルコールを使用することが好適である。溶媒の含有量は、印刷方式や目標とする膜厚によっても異なるが、一般に、導電パターン形成用組成物全体に対して、２０〜９０質量％が好ましい。溶媒の含有量がこの範囲内であると印刷に適した粘性となり、有効な膜厚の塗膜を得ることができる。

【0027】

（バインダー樹脂）
バインダー樹脂として、ポリ−Ｎ−ビニルピロリドン、ポリ−Ｎ−ビニルカプロラクタムのようなポリ−Ｎ−ビニル化合物、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリＴＨＦのようなポリアルキレングリコール化合物、ポリウレタン、セルロース化合物およびその誘導体、エポキシ化合物、ポリエステル化合物、塩素化ポリオレフィン、ポリアクリル化合物のような熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂が挙げられる。この中でもバインダー効果を考えるとポリ−Ｎ−ビニルピロリドン、常温で固形状のフェノキシタイプのエポキシ樹脂、セルロース化合物が好ましい。

【0028】

バインダー樹脂の使用量は、窒化銅粒子１００質量部に対して、１〜２０質量部が好ましく、３〜１０質量部がより好ましい。バインダー樹脂の使用量が１質量部以上であると、窒化銅粒子同士を繋ぎ止めるのに有利である。一方、バインダー樹脂の使用量を２０質量部以下とすることで、良好な導電性を発現しやすくなる。

【0029】

（その他の成分）
実施形態に係る導電パターン形成用組成物は、以下の金属成分を任意成分として含んでもよい。

【0030】

（銅粒子）
銅粒子の平均粒径は、５０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、２００ｎｍ〜２μｍがより好ましい。銅粒子の平均粒径が５０ｎｍ以上である場合には、比表面積が大きくないため、酸化を受け難くなる。一方、銅粒子の平均粒径が１０μｍ以下であると、ファインパターン印刷に有利である。また、銅粒子の平均粒径を２００ｎｍ〜２μｍとすることにより、空気下に放置してもより酸化を受けにくくなり、導電パターン形成用組成物の経時変化を抑制する効果や、窒化銅とお互いに均一に分散させる効果を得ることができる。銅粒子の含有量は、導電パターン形成用組成物全体に対して、１０〜８０質量％が好ましく、１５〜６５質量％がより好ましく、２０〜５０質量％がさらに好ましい。銅粒子の含有量が１０質量％以上であると、上記併用する効果が良好に得られる。一方、銅粒子の含有量が８０質量％以下であると、得られる塗膜が脆くなる等の不具合が発生し難い。

【0031】

（銀粒子）
銀粒子の平均粒径は、５０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、２００ｎｍ〜２μｍがより好ましい。銀粒子の平均粒径が５０ｎｍ以上であると、凝集し難くなり、凝集を防ぐための保護コロイドの使用量が少なくてすむ、あるいは不要になり、低抵抗化に有利となる。一方、銀粒子の平均粒径が１０μｍ以下であると、ファインパターン印刷に有利である。なお、銀粒子の形状は、特に限定されないが、扁平状の銀粒子を用いることにより、より低抵抗化させやすくなるという効果を得ることができる。銀粒子の含有量は、導電パターン形成用組成物全体に対して、５〜８０質量％が好ましく、１０〜５０質量％がより好ましく、１５〜４０質量％がさらに好ましい。銀粒子の含有量が５質量％以上であると、低抵抗化に有利である。一方、銀粒子の含有量が８０質量％以下であると、イオンマイグレーションを起こし難くなる。

【0032】

また、導電パターン形成用組成物には、粘度や表面張力などの特性を調整するために、インキに用いられる公知の添加剤（消泡剤や、表面調整剤、チクソ剤等）を適量存在させてもよい。

【0033】

（導電パターン形成方法）
図１は、実施形態に係る導電パターン形成方法を示す工程図である。

【0034】

図１（ａ）に示すように、基材１０を用意する。基材１０は、導電パターン形成に適していれば特に限定されず、たとえば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミックス基板等が挙げられる。

【0035】

次に、図１（ｂ）に示すように、基材１０の上に、導電パターン形成用組成物２０により印刷パターンを形成する。印刷パターンの形成方法は、任意の印刷パターンを形成可能な方法であれば特に限定されないが、たとえば、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、インクジェット法が挙げられる。なお、印刷パターンは、基板１０の全面にベタパターンとして形成されてもよい。

【0036】

次に、図１（ｃ）に示すように、基材１０の上に形成された導電パターン形成用組成物２０に対して光照射を行う。

【0037】

導電パターン形成用組成物２０に光照射する場合、光の波長は２００ｎｍ〜３０００ｎｍが好適である。導電パターン形成用組成物２０に照射される光はパルス光であることが好ましい。本明細書中において「パルス光」とは、光照射期間（照射時間）が数マイクロ秒から数十ミリ秒の短時間の光であり、光照射を複数回繰り返す場合は図２に示すように、ある光照射期間（ｏｎ）とそれに続く光照射期間（ｏｎ）との間に光が照射されない期間（照射間隔（ｏｆｆ））を有する光照射を意味する。図２ではパルス光の光強度が一定であるように示しているが、１回の光照射期間（ｏｎ）内で光強度が変化してもよい。上記パルス光は、たとえば、キセノンフラッシュランプ等のフラッシュランプを備える光源から照射される。このような光源を使用して、上記導電パターン形成用組成物の層にパルス光を照射する。複数回繰り返し照射する場合は、図２における１サイクル（ｏｎ＋ｏｆｆ）を複数回反復する。なお、繰り返し照射する場合には、パルス光照射を行う際に、基材１０側から冷却することにより、基材１０の温度を室温付近まで下げることが好ましい。

【0038】

パルス光の１回の照射時間（ｏｎ）としては、約２０マイクロ秒から約１０ミリ秒の範囲が好ましい。２０マイクロ秒よりも短いと焼結が進まず、導電膜の性能向上の効果が低くなる。また、１０ミリ秒よりも長いと基材１０の光劣化、熱劣化による悪影響の方が大きくなる。パルス光の照射は単発で実施しても効果はあるが、上記の通り繰り返し実施することもできる。繰り返し実施する場合、照射間隔（ｏｆｆ）は２０マイクロ秒から３０秒、より好ましくは２０００マイクロ秒から５秒の範囲である。照射間隔（ｏｆｆ）が２０マイクロ秒よりも短いと、連続光に近くなってしまい、一回の照射後に放冷される間も無く照射されるので、基材１０が加熱され温度が高くなって劣化する可能性がある。また、照射間隔（ｏｆｆ）が３０秒より長いと、放冷が進むのでまったく効果が無いわけではないが、繰り返し実施する効果が低減する。

【0039】

導電パターン形成用組成物２０に対する光照射により、導電パターン形成用組成物２０中の金属成分が焼結された結果、図１（ｄ）に示すように、所定パターンに形成された金属製の導電パターン３０が得られる。

【0040】

以上説明した窒化銅を含む導電パターン形成用組成物による導電パターンの形成方法によれば、光照射による焼結の際に消失する窒素の割合が銅原子３個に対して１個となるため、酸化銅を含む導電パターン形成用組成物を用いる場合よりも銅の焼結体に空隙（ボイド）が生じにくくなる。また、窒化銅の融点（３００℃）が銅（１０８５℃）や酸化銅（１２０１℃）に比べて低いため、焼結の際に窒化銅がより緻密な状態となる。この結果、焼結により得られる導電パターンは、空隙の発生が抑制され、より緻密な導電層となるため、導電率の向上を図ることができる。

【0041】

なお、上述した実施の形態では、導電パターン形成用組成物に光照射を行うことにより導電パターンを得ているが、光照射に代えて、マイクロ波加熱を行うことによっても導電パターンを得ることができる。

【実施例】

【0042】

以下、本発明の実施例を説明するが、これら実施例は、本発明を好適に説明するための例示に過ぎず、なんら本発明を限定するものではない。

【0043】

また、以下の実施例および比較例において、体積抵抗率は、株式会社三菱アナリテック製ＬＯＲＥＳＴＡ−ＧＰ ＭＣＰ−Ｔ６１０ ４探針法表面抵抗率、体積抵抗率測定装置により測定し、粒子径は、日機装株式会社製 マイクロトラック粒度分布測定装置 ＭＴ３０００ＩＩシリーズ ＵＳＶＲ（レーザー回折・散乱法）、またはナノトラックＵＰＡ−ＥＸ１５０（動的光散乱法）により測定し、球近似により粒径を求めメジアン径をＤ５０とした。

【0044】

（ナノ窒化銅粒子の調製）
２０００ｍｌのフラスコに硝酸第二銅３水和物６．０ｇを５００ｍｌの１−オクタデシルアミンと５００ｍｌの１−オクタデセンの混合溶液に溶解したものを入れ、窒素ガスを室温で２時間バブリングした後、マグネチックスタラーで攪拌しながら、窒素下で１５０℃に昇温して３時間加熱した。その後、２５０℃まで昇温してさらに１時間加熱した。得られた反応液を室温まで冷却後、遠心分離器（株式会社コクサン製 Ｈ−２０１Ｆ １００００回転）により固形分を沈殿として回収し、沈殿物をエタノールで良く洗浄しては遠心分離で沈殿物を回収するという操作を５回繰り返して、ナノ窒化銅粒子を得た。エタノールを分散溶媒にしてナノトラックを用いて測定した粒子径はＤ５０＝１８５ｎｍであった。

【0045】

（実施例１）
溶媒としてエチレングルコール、グリセリン（関東化学株式会社製の試薬）の混合水溶液（質量比エチレングリコール：グリセリン：水＝７０：１５：１５）に、バインダー樹脂としてポリ−Ｎ−ビニルピロリドンＫ−３０（日本触媒株式会社製）を溶解して、４０質量％のバインダー樹脂溶液を調製した。この溶液０．３ｇと上記混合水溶液０．１ｇとを混合し、上記のように調製した窒化銅粒子１．２ｇを混合し、自転・公転真空ミキサー あわとり練太郎 ＡＲＶ−３１０（株式会社シンキー製）を用いて１２００ｒｐｍ−３分間の攪拌を３回繰り返して混合し、印刷用のペースト（導電パターン形成用組成物）を作製した。

【0046】

得られたペーストを用いてスクリーン印刷にて、２ｃｍ×２ｃｍ角のパターンをポリイミドフィルム（カプトン（登録商標）１００Ｖ、東レ・デュポン株式会社製）上に印刷した。このようにして得られたサンプルについて、Ｎｏｖａｃｅｎｔｒｉｘ社製ＰｕｌｓｅＦｏｒｇｅ３３００を用いて２４０Ｖ、１４００μ秒、３．０３Ｊ／ｃｍ^２でパルス光照射を１回行って上記パターンを導電膜に転化させた。以上により形成した導電膜の厚さは１８μｍであり、体積抵抗率は３．４×１０^−５Ω・ｃｍであった。

【0047】

（実施例２）
窒化銅粒子１．２ｇの代わりに同窒化銅粒子０．２４ｇと、三井金属鉱業株式会社製銅粉１０５０Ｙ（球形、Ｄ５０＝７１６ｎｍ）０．９６ｇを用いた以外は実施例１と同様の操作により印刷用のペーストを作製、スクリーン印刷、パルス光照射を行って上記パターンを導電膜に転化させた。得られた導電膜の厚さは１９μｍであり、体積抵抗率は４．５×１０^−５Ω・ｃｍであった。

【0048】

（実施例３）
窒化銅粒子１．２ｇの代わりに同窒化銅粒子０．６ｇと、銀粒子としてトクセン工業株式会社製Ｎ３００（扁平形状（厚さ：３０ｎｍ）、Ｄ５０＝４７０ｎｍ）０．６ｇを用いた以外は実施例１と同様の操作により印刷用のペーストを作製、スクリーン印刷、パルス光照射を行って上記パターンを導電膜に転化させた。得られた導電膜の厚さは１６μｍであり、体積抵抗率は９．１×１０^−６Ω・ｃｍであった。

【0049】

（比較例１）
窒化銅粒子１．２ｇの代わりに三井金属鉱業株式会社製銅粉１０５０Ｙ（球形、Ｄ５０＝７１６ｎｍ）１．２ｇを用いた以外は実施例１と同様の操作により印刷用のペーストを作製、スクリーン印刷、パルス光照射を行って上記パターンを導電膜に転化させた。得られた導電膜の厚さは２６μｍであり、体積抵抗率は７．６×１０^−４Ω・ｃｍであった。

【0050】

（比較例２）
窒化銅粒子１．２ｇの代わりに銀粒子としてトクセン工業株式会社製Ｎ３００（扁平形状（厚さ：３０ｎｍ）、Ｄ５０＝４７０ｎｍ）１．２ｇを用いた以外は実施例１と同様の操作により印刷用のペーストを作製、スクリーン印刷、パルス光照射を行って上記パターンを導電膜に転化させた。以上により形成した導電膜の厚さは１６μｍであり、体積抵抗率は６．３×１０^−６Ω・ｃｍであった。

【0051】

以上のように、ペースト中に窒化銅粒子を有する実施例１乃至３では、ペースト中に金属粒子として銅粉のみを有する比較例１に比べて体積抵抗率が一桁以上低下することが確認された。また、ペースト中の金属粉として銀粒子のみを有する比較例２では、体積抵抗率の低下が確認されたが、後述するようにイオンマイグレーションの発生という問題が生じることが確認された。

【0052】

（ウォータードロップ試験）
図３は、ウォータードロップ試験の概要を示す図である。図４（ａ）、図４（ｂ）は、それぞれ、ウォータードロップ試験に使用したパターン（寸法の単位はｍｍ）を示す図、ウォータードロップ試験に必要な水の堰き止め方を示す図である。

【0053】

各実施例、各比較例で調製したペーストを用いて、図３または図４（ａ）に示したパターンの配線をスクリーン印刷によりポリイミドフィルム（カプトン１００Ｖ、東レ・デュポン株式会社製、厚み２５μｍ）上に印刷し、厚さ約２０μｍの導電パターンを形成した。た。得られた導電パターンに対して、Ｎｏｖａｃｅｎｔｒｉｘ社製ＰｕｌｓｅＦｏｒｇｅ３３００を用いて２４０Ｖ、１４００μ秒、３．０３Ｊ／ｃｍ^２でパルス光照射を行った。

【0054】

図４（ｂ）に示したように、カプトン（登録商標）粘着テープ（株式会社寺岡製作所製テープＮｏ.６５０Ｓ ♯５０）１０を貼り、カプトン粘着テープ１０と導電パターンにより囲まれた半同心円状のくぼみ部分を形成した。このくぼみ部分に純水を１滴程度滴下し、カバーグラスを上から抑えることにより、くぼみ部分が水で満たされるようにした。この後、導電パターンに対して、２５Ｖの電圧を印加し、イオンマイグレーションの発生の有無を観察した。

【0055】

図５（ａ）、図５（ｂ）および図５（ｃ）は、それぞれ、実施例１、実施例３および比較例２におけるウォータードロップ試験後の写真である。なお、実施例２、比較例１のウォータードロップ試験結果は、実施例１と同様である。実施例１乃至３、および比較例１のペーストを用いて形成された導電パターンでは、電圧を３００秒間印加しても、イオンマイグレーションが生じなかった。これに対して、比較例２のペーストを用いて導電パターンでは、電圧印加後２５秒後に電極間にイオンマイグレーションが生じていることが確認された。以上の実施例、比較例の結果をまとめて表１に示した。

【表1】

【0056】

本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。

【符号の説明】

【0057】

１０ 基材、２０ 導電パターン形成用組成物、３０ 導電パターン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】