【文献】
SUGIMOTO Hiroshi et al.,All-inorganic water-dispersible silicon quantum dots: highly efficient near-infrared luminescence in a wide pH range,Nanoscale,2014年,Vol.6,p.122-126
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
Bの含有量が33〜40原子%の範囲内、Pの含有量が30〜35原子%の範囲内、かつ、Siの含有量が28〜33原子%の範囲内であることを特徴とする請求項1〜4の何れかの三元系化合物ナノ結晶。
上記のシリコン、ホウ素、リンおよび酸素の混合物は、スパッタリング法もしくは蒸着法により作製されたことを特徴とする請求項7の三元系化合物ナノ結晶の作製方法。
【実施例1】
【0019】
(作製手順について)
本発明のB−P−Siの三元系化合物ナノ結晶の作製手順について、
図10〜12を参照して説明する。
先ず、酸化ケイ素(SiO
2)、酸化ホウ素(B
2O
3)、リン酸ホウ素(BPO
4)及びシリコン(Si)を、同時にスパッタリングすることにより、薄いステンレス基板上に、B、O、SiおよびPからなるアモルファス膜を付着させる(
図11のステップS01)。具体的には、
図10に示すように、4個のSiチップ5(15×10mm
2)、2個のB
2O
3タブレット3(直径10mm)、4個のBPO
4タブレット4(直径10mm)を、SiO
2ターゲット2(直径10cm)の上に載せ、同時にスパッタリングを行い、ステンレス基板12上に、B、P、SiおよびOの混合アモルファス薄膜11を作製する(
図11のステップS02、
図12(1))。
次に、アニール処理により結晶成長させる。具体的には、ステンレス基板から剥離させたアモルファス膜を、30分間、N
2ガス大気中で、1100℃でアニール処理する。B、P、SiおよびOの混合アモルファス薄膜が酸素欠損状態であるため、アニール処理により(
図11のステップS03)、B,PおよびSiが析出し、B,PおよびSiの三元系化合物結晶1が珪酸塩マトリクス13内に形成される(
図11のステップS04、
図12(2))。
そして、アニール処理後の膜を乳鉢で粉砕し、得られた微粉末をフッ化水素酸溶液15(46重量%)で溶かして(HFエッチング)、珪酸塩マトリクスからB,PおよびSiの三元系化合物結晶10を抽出する(
図12(3))。すなわち、溶液中に三元系化合物ナノ結晶を遊離させるために、HFエッチングにより珪酸塩マトリクスを溶解させ除去する(
図11のステップS05)。珪酸塩マトリクスから遊離された三元系化合物結晶10は、メタノール16中または水中において分散性を有し、溶液中でナノ粒子のコロイド分散体となる(
図11のステップS06)。
【0020】
本発明のB−P−Siの三元系化合物ナノ結晶では、B,P,Siの混合比率に特徴がある。所定の混合比率で調製することにより、新たな結晶構造が発現する。
以下、これについて説明するが、比較例として4つの試料(比較例1〜4)を準備する。
比較例1〜4の試料の作製手順は、基本的に上述の作製手順と同じであるが、スパッタリングの際に、B
2O
3タブレット及びBPO
4タブレットの個数を変えている。また、比較例1の試料の場合、BPO
4タブレットを用いないことから、SiO
2ターゲットの代わりに、予めリン(P)を含有しているリン酸シリケートガラス(PSG)を用いることにした。下記表1に実施例1、比較例1〜4におけるスパッタリングターゲットについて纏める。B
2O
3タブレット数およびBPO
4タブレット数を変化させて、BおよびPの濃度を制御している。
【0021】
【表1】
【0022】
(実施例1と比較例1〜4の物性について)
実施例1と比較例1〜4の化合物結晶の物性について、アニール処理により化合物結晶を成長させた後、フッ化水素酸溶液(46重量%)で溶解(HFエッチング)により化合物結晶を抽出する前の物性に関して
図1を参照して説明する。
図1は、実施例1および比較例1〜4の5つの化合物結晶のSi 2p、B 1s、P 2pのコアレベルのX線光電子分光法(XPS)スペクトルを示している。
図1(a)はSi 2p、
図1(b)はB 1s、
図1(c)はP 2pのXPSスペクトルである。
図1(a)のXPSスペクトルから、実施例1および比較例1〜4の5つの化合物結晶全てに、Si
3+とSi
4+の結合エネルギーの間、すなわち、103〜104eVの間に、ピークが確認できた。
図1(a)のSi 2pのXPSスペクトルは、亜酸化物(Si
1+〜Si
3+)の影響で、少し非対称である。
図1(b)のB 1sのXPSスペクトルでは、188eVと193eVの2つのピークが、実施例の化合物結晶において明確に確認できた。この2つのピークは、それぞれ、非酸化のBと、完全に酸化されたB(B
2O
3)に割り当てられるものである。同様に、
図1(c)のP 2pのXPSスペクトルでは、130eVと134.5eV、それぞれ非酸化と酸化のPの両方の信号が、実施例の化合物結晶において明確に確認できた。
図1(b)と
図1(c)において、非酸化のものの信号と酸化されたものの信号強度比は、5つの化合物結晶の間で異なった。そこで、B:P:Siの原子比率を推定するのに、XPSスペクトルの積分強度を用い、各々の元素の光イオン化断面積を考慮した。
【0023】
上述の如く、溶液中に三元系化合物ナノ結晶を遊離させるために、HFエッチングにより珪酸塩マトリクスを溶解する。実施例1と比較例1〜3の4つの化合物結晶では、メタノール中または水中で、ナノ粒子が凝集せずに、透明で黄色がかった分散液を得ることができた。一方、比較例4の化合物結晶では、ナノ粒子が凝集し、凝集物により光散乱のため乳白色の溶液となった。
【0024】
次に、実施例1と比較例1〜4の化合物結晶の物性について、HFエッチング後の物性に関して
図2を参照して説明する。
図2(a)〜(c)は、実施例1と比較例1〜4の5つの化合物結晶におけるHFエッチング後のナノ結晶粒子のXPSスペクトルを示している。
図1と同様に、
図2(a)はSi 2p、
図2(b)はB 1s、
図2(c)はP 2pのXPSスペクトルである。
図2(a)のSi 2pのXPSスペクトルから、中間の酸化状態を含む99.6eV(Si
0)〜103.4eV(Si
4+)の範囲の信号を確認できた。例えば、わずかに異なる強度比であるSi
0(99.5eV)とSi
4+(103.4eV)の2つの信号が確認できることから、比較例1〜3の化合物結晶のXPSスペクトルは、質的に同じである。これらの2つのピークは、Siナノ結晶コアと粒子表面上の薄い自然酸化物に起因するものである(電子の脱出深さ:2〜3nm)。一方、実施例1のXPSスペクトルのピークの結合エネルギーは、比較例2,3のピークと異なる。実施例1のXPSスペクトルのピークは、100.5eVと102.5eVであり、それぞれSi
1+とSi
3+に対応する。B
2O
3およびP
2O
5の還元によるBPのナノ結晶の形成は、アニーリングプロセス中のSiの酸化を伴って行われるが、生成したSiO
2はHFエッチングによって除去されるので、比較例4の化合物結晶のXPSスペクトルでは、Siから非常に弱いシグナルが観察されることになる。実施例1の化合物結晶のXPSスペクトルでは、ピークが他のものよりわずかに高いが、
図2(b)のB 1sのXPSスペクトルにおいて、全てのスペクトルで、187.5eVから189eVの非酸化Bの領域の信号を確認できた。実施例1の化合物結晶のピークの結合エネルギーは、全てのスペクトルの中で他のものより僅かに大きく(高エネルギー側にピークシフト)、189eV周辺で信号が確認できた。同様に、
図2(c)のP 2pのXPSスペクトルにおいて、実施例1の化合物結晶のピークの結合エネルギーは、全てのスペクトルの中で他のものより僅かに大きく(高エネルギー側にピークシフト)、非酸化Pの領域に対応する130eV周辺で信号が確認できた。B 1sとP 2pの両方のピークは、何れのスペクトルも、亜酸化物の高エネルギーに向かって尾を引いていた。
【0025】
図2の結果から、比較例1〜3の結晶は、同じ結晶構造のグループに属し、共に、Siナノ結晶にBおよびPがドープされたものであることを示している。但し、比較例2,3の結晶は、比較例1の結晶よりも、B,Pの濃度が大きいものである。
一方、実施例1の化合物結晶は、比較例1〜3の結晶の構造、比較例4の化合物結晶(BP結晶)の構造とは明らかに異なることがわかる。上述の如く、
図2(a)で示される実施例1の化合物結晶のSi 2PのXPSスペクトルのピークは、100.5eVと102.5eVであり、比較例1〜3の化合物結晶と比べて、高エネルギーシフトしている。これはSiに配位するBおよびPの数の増加として説明できる。比較例1〜3の結晶では、Si原子に結合したB原子及び/又はP原子の平均数が1未満であると考えられる。一方、実施例1の化合物結晶では、B、P、Siがほぼ同等の量であり、2つ以上のB原子及び/又はP原子がSi原子に配位していると考えられる。その結果、Si(1.9)より大きいB(2.04)およびP(2.2)の電子陰性度に対する結合エネルギーの増加をもたらしている。このような状況になるには、相当な量のB−B結合、P−P結合が必要である。Bのクラスターの結合エネルギーは、Si中の四価のB原子の結合エネルギーよりも、大きいことが知られている。つまり、
図2(b)の実施例1の化合物結晶のB 1sのXPSスペクトルにおいて、高エネルギー側へのピークシフトは、B−B結合の数の増加として説明できる。
【0026】
HFエッチング後の試料(実施例1と比較例1〜4の5つの化合物結晶)中のB,P,Siの原子組成(原子比率)は、XPSデータに基づいて推定した。
実施例1および比較例1〜4の5つの化合物結晶におけるB:P:Siの原子比率を、下記表2に示す。表2では、アニール処理により化合物結晶を成長させた後、HFエッチング前の薄膜状態の原子比率と、HFエッチング後の遊離後の自立した化合物結晶ナノ粒子の原子比率を示している。
なお、実施例1の化合物結晶における原子比率の濃度範囲は、Si:B:P (at%)=30.9±2.1: 36.4±2.8: 32.7±1.4であった。
【0027】
【表2】
【0028】
(発光特性について)
次に、
図3を参照して、実施例1と比較例1〜4の化合物結晶の発光特性について説明する。
図3は、実施例1と比較例1〜4の5つの化合物結晶におけるHFエッチング後のナノ結晶粒子の赤外吸収(IR:infrared absorption spectrometry)を示している。化合物結晶の量は固定であり、吸収強度を比較できる。
【0029】
比較例1のIRスペクトルにおいて、1060〜1080cm
−1付近のピークは、Si−O−Siの伸縮振動モードの領域に該当する。なお、全ての化合物結晶は、メタノール中で2日間保存した後、測定中に空気中にさらされていることから、ナノ結晶粒子の表面がわずかに酸化された。比較例1〜3と実施例1では、系統的にスペクトルが変化していた。つまり、比較例2では赤外吸収が880cm
−1に現れ、このピークは比較例2、比較例3、実施例1の順に吸収強度が大きくなっていることが確認できた。高ホウ素含有量を考慮すると、880cm
−1に現れたピークは、B
2O
3/SiO
2ガラスでしばしば観測されるB−O−Siブリッジの伸縮モードに割り当てられる可能性がある。実施例1の化合物結晶では、880cm
−1(B−O−Siの可能性有)の信号強度が、1080cm
−1(Si−O−Siの可能性有)の信号強度と同程度であった。
【0030】
上記のことから、実施例1の化合物結晶の構造、特に表面構造は、比較例1の化合物結晶の構造と顕著に異なることがわかる。1330〜1450cm
−1の小さなピークは、B−OおよびP=Oの伸縮モードに割り当てられる。また、2100cm
−1のピークは、Si−H
xの振動によるものである。ナノ結晶表面を生物学的物質によって機能化することができるため、結晶表面上のSi−HおよびSi−O結合の存在は、生物医学的用途のために重要な利点である。これは、生物医学的用途において、効率的かつ選択的な細胞取り込みのための重要な特徴である。実施例1の化合物結晶だけが、B−Hの伸縮モードに割り当てられる2410cm
−1のピークを有する。このことは、実施例1の化合物結晶の表面構造が、比較例1〜4の化合物結晶の表面構造と異なっていることを示唆している。比較例4の化合物結晶では、検出可能な赤外吸収信号が観察できず、BPのナノ結晶が酸化に対して高い抵抗性を有していることがわかる。
【0031】
図4は、実施例1の化合物結晶の水中のコロイド分散体の透過スペクトルを示している。実施例1の化合物結晶の場合、凝集体による光の散乱がないことから、1000nm辺りでは約100%の透過率を示していた。
【0032】
図5は、実施例1の化合物結晶のHR−TEM(High Resolution Transmission Electron Microscopy)像を示している。これは、炭素被覆TEMグリッド上にナノ結晶コロイドをドロップキャストした試料の高解像度TEM像である。
図5のTEM像から、ナノ結晶粒子の単結晶性質を確認できる格子縞を観察することができた(図中の丸印は、格子縞が見られる箇所)。
【0033】
図6は、実施例1の化合物結晶の粒子サイズ分布を示している。粒子サイズ分布は、
図5に示すHR−TEM画像から測定している。平均直径が3.8nmであり、標準偏差は0.6nmであった。
【0034】
また、HR−TEM像から、慎重かつ正確に格子間隔を測定し分析した。
図7は、測定に用いたHR−TEM像の代表的な画像を示している。実施例1の化合物結晶を
図7(1)に、比較例1の化合物結晶を
図7(2)に、比較例4の化合物結晶を
図7(3)に示す。
図7(1)〜(3)のTEM像の中には格子間隔の値を記入している。この格子間隔は、いずれも{111}面のものである。
図7(2)に示す比較例1の化合物結晶の画像中に現れる格子縞は、ダイヤモンド構造のSi単結晶の{111}面に相当する(格子間隔0.31nm)。また、
図7(3)に示す比較例4の化合物結晶の画像中に現れる格子縞は、BPの立方晶の{111}面に相当する(格子間隔0.26nm)。
一方、
図7(1)に示す実施例1の化合物結晶の画像中に現れる格子縞は、2種類のものが観察できた。1つは格子間隔0.31nmで、他の1つは格子間隔0.28nmであった。格子間隔0.31nmはSi単結晶に割り当てられるものであるが、格子間隔0.28nmは、Si単結晶にもBP結晶にも割り当てできないものである。
【0035】
そこで、実施例1の化合物結晶の構造について、電子線回折パターンで確認した。
図8は、実施例1の化合物結晶の数百から得られた電子線回折パターンの強度プロファイルを示している。
図8では、ダイヤモンド構造のSi(JCPDS番号27−1402)と、立方晶BP(JCPDS番号11−0119)のJCPDSデータについて、プロットデータのピークラベルとして、三角(▲)と丸(●)のラベルを用いている。丸(●)のピークラベルは、Si(JCPDS番号27−1402)に割り当てられている。しかし一方で、出願人が調査した限り、B、P、SiおよびOからなる公知の化合物には、三角(▲)のピークラベルのようなピークを有する結晶構造を有する化合物は存在しない。
【0036】
実施例1の化合物結晶中の三角(▲)ラベルで表される結晶のみを取り出すために、フッ化水素酸(10マイクロリットル: 46重量%)と硝酸水溶液(10マイクロリットル: 60重量%))の混合物(HF:HNO
3:水)でSiを溶解し取り除いた。
図8は、フッ硝酸処理後の試料の電子線回折パターンの強度プロファイルを示している。三角(▲)ラベルで表される結晶構造のみが観察され、フッ硝酸に耐性を有することからSi結晶とは大きく異なる物質であることがわかる。
また、
図8の最も下のバーは、格子定数がSi単結晶に比べて9%小さい仮想結晶を示したものである。(111)、(220)、(311)の3つのバーがある。これらの3つのバーの位置は、三角(▲)のピークラベルのピーク位置と略完全に一致する。このことから、実施例1の化合物結晶の構造は、ダイヤモンドまたは亜鉛ブレンド型の結晶構造に似ていることがわかる。Siナノ結晶にB,Pを同時ドーピングして格子定数の9%の収縮は不可能である。
【0037】
図9では、450nmで励起された溶液中の試料(実施例1と比較例1〜3)のPLスペクトルが示されている。全てのサンプルは、生物学的ウィンドウ内で広いPLを示すことが確認できた。PLスペクトルは、BおよびPの含有量に若干依存し、その量の増加に伴って、より長い波長にシフトする傾向がある。実施例1の化合物結晶のPL量子収率は、他のものよりもわずかに小さく、1.1%であった。
【0038】
(化合物結晶のゼータ電位)
実施例1および比較例1の化合物結晶粒子のゼータ電位を測定した。実施例1の化合物結晶粒子の場合、ゼータ電位が−25mV(水溶媒中)であったことから、粒子表面は負電位を帯びていることがわかった。粒子表面が負電位を帯びていることから、粒子同士は、静電反発して凝集せず分散して、水溶性を示す。
比較例1の化合物結晶粒子でも、実施例1の化合物結晶粒子の場合と同様の結果となった。
なお、比較例4の化合物結晶粒子の場合、凝集、沈殿するので測定は不可能であり、静電反発力が非常に小さい、すなわち、ゼータ電位は〜0mVと推測できる。
【0039】
(測定に関する説明)
1)X線光電子分光法(XPS)測定には、アルバック製PHI Xツール、Al Kα X
線源を用いた。
2)三元系化合物結晶粒子ならびにナノ粒子のコロイド分散体に関するXPS測定およびFTIR測定は、金メッキされたSiウェハ上で行った。
3)三元系化合物結晶の形態および構造は、透過型電子顕微鏡(TEM)(JEM-2100F、JEOL)で確認した。
【0040】
4)フォトルミネッセンス(PL)スペクトルは、光電子増倍管(500〜850nm)とInGaAsフォトダイオード(800〜1300nm)を備えた分光蛍光計(HORIBA Jovin Yvon製 Fluorolog-3)によって測定した。2つの異なる検出器によって得られたPLスペクトルは、標準的なハロゲンランプの基準スペクトルを使用してスペクトル応答を補正した後にマージした。励起源は、Xeランプ光を分光した450nmの光を用いた。PL量子収率(QYs)は、比較法により測定した。95%のQYを有する水中のローダミン6Gを参照溶液として使用した。また、試料のQY(=Q
S)は、基準スペクトルと、Q
S = Q
R(I
S×A
R×N
S2)/(I
R×A
S×N
R2)を用いて、同じ条件で得られたナノ粒子のコロイド分散体から計算した。ここで、Qは量子収率、IはPL強度、Aは吸光度、nは屈折率である。文字の右下の添字SとRは、それぞれ試料および参照溶液を示している。溶液に対する不均一な照射によるエラーを最小限にすべく、試料溶液は、0.1を下回る吸光度を保つように希釈した。